JPH0718450A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPH0718450A JPH0718450A JP18875193A JP18875193A JPH0718450A JP H0718450 A JPH0718450 A JP H0718450A JP 18875193 A JP18875193 A JP 18875193A JP 18875193 A JP18875193 A JP 18875193A JP H0718450 A JPH0718450 A JP H0718450A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- substrate
- film forming
- powder
- molecular compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 18
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 12
- 239000003595 mist Substances 0.000 abstract description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract description 3
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 9
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- ONBQEOIKXPHGMB-VBSBHUPXSA-N 1-[2-[(2s,3r,4s,5r)-3,4-dihydroxy-5-(hydroxymethyl)oxolan-2-yl]oxy-4,6-dihydroxyphenyl]-3-(4-hydroxyphenyl)propan-1-one Chemical compound O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1OC1=CC(O)=CC(O)=C1C(=O)CCC1=CC=C(O)C=C1 ONBQEOIKXPHGMB-VBSBHUPXSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 1
- 229940126142 compound 16 Drugs 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 安定した霧を成膜室に送ることができ、これ
によって再現性よく所望の特性を有する薄膜を形成す
る。 【構成】 高温下で熱分解し、さらに反応する複数の分
子からなる分子化合物（molecular compound）の結晶粉
末１２を、予め基体１７の表面に敷きつめ、ヒータ１９
で基体１７を加熱することにより、同結晶粉末１２を加
熱し、これを熱分解し、分解した分子を互いに反応させ
て、基体１７の表面に薄膜を形成する。原料となる分子
化合物は、少なくとも結晶水（water of crystallizati
on）と金属塩化物とで構成される化合物が好適である。
によって再現性よく所望の特性を有する薄膜を形成す
る。 【構成】 高温下で熱分解し、さらに反応する複数の分
子からなる分子化合物（molecular compound）の結晶粉
末１２を、予め基体１７の表面に敷きつめ、ヒータ１９
で基体１７を加熱することにより、同結晶粉末１２を加
熱し、これを熱分解し、分解した分子を互いに反応させ
て、基体１７の表面に薄膜を形成する。原料となる分子
化合物は、少なくとも結晶水（water of crystallizati
on）と金属塩化物とで構成される化合物が好適である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、互いに反応する複数の
分子からなる分子化合物を、基体の表面で熱分解し、さ
らに反応させて、薄膜抵抗体等の薄膜を形成する方法に
関する。
分子からなる分子化合物を、基体の表面で熱分解し、さ
らに反応させて、薄膜抵抗体等の薄膜を形成する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】サーメット膜などの高抵抗値の薄膜抵抗
体は、通常、スパッタ法を用いて形成される。しかし、
スパッタ法は真空下で成膜を行うため、高価な設備が必
要となり、広面積に成膜する場合、コストが増大すると
いう問題があった。そこで、原料の溶液を霧化し、これ
を加熱した基体に当てて、同基体の表面に薄膜を形成す
る化学的霧化堆積法（ＣＭＤ法）により成膜することが
試みられている。
体は、通常、スパッタ法を用いて形成される。しかし、
スパッタ法は真空下で成膜を行うため、高価な設備が必
要となり、広面積に成膜する場合、コストが増大すると
いう問題があった。そこで、原料の溶液を霧化し、これ
を加熱した基体に当てて、同基体の表面に薄膜を形成す
る化学的霧化堆積法（ＣＭＤ法）により成膜することが
試みられている。
【０００３】図２は、このような化学的霧化堆積法（Ｃ
ＭＤ法）により薄膜を形成する装置の例である。ここで
は、原料溶液が原料霧化容器１に収納され、その原料霧
化容器１の底に設けた超音波振動子２により原料溶液が
原料霧化容器１内で霧化される。他方、成膜室４は、排
気容器３の中に収められ、その上部に霧導入口９が設け
られている。表面に薄膜を形成基体５は、成膜室４の底
部においてサセプタ６の上に保持され、下からヒータ７
によって所定の温度に加熱される。
ＭＤ法）により薄膜を形成する装置の例である。ここで
は、原料溶液が原料霧化容器１に収納され、その原料霧
化容器１の底に設けた超音波振動子２により原料溶液が
原料霧化容器１内で霧化される。他方、成膜室４は、排
気容器３の中に収められ、その上部に霧導入口９が設け
られている。表面に薄膜を形成基体５は、成膜室４の底
部においてサセプタ６の上に保持され、下からヒータ７
によって所定の温度に加熱される。
【０００４】原料霧化容器１には、窒素ガス等のキャリ
アガスを供給する配管と、前記成膜室４の霧導入口９と
接続された霧供給配管とが接続されており、矢印で示す
ように、原料霧化容器１にキャリアガスを送り込むと、
そこで発生した霧が成膜室４に送り出される。この霧
は、成膜室４の下方に送り出され、基体５の表面に接触
し、酸素や水蒸気と反応し、そこに薄膜を形成する。薄
膜を形成しなかった霧やキャリアガスは、成膜室４の下
方からその外に出て、排気容器３からダンパ８を通して
排気される。
アガスを供給する配管と、前記成膜室４の霧導入口９と
接続された霧供給配管とが接続されており、矢印で示す
ように、原料霧化容器１にキャリアガスを送り込むと、
そこで発生した霧が成膜室４に送り出される。この霧
は、成膜室４の下方に送り出され、基体５の表面に接触
し、酸素や水蒸気と反応し、そこに薄膜を形成する。薄
膜を形成しなかった霧やキャリアガスは、成膜室４の下
方からその外に出て、排気容器３からダンパ８を通して
排気される。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】このようにして、
化学的霧化堆積法（ＣＭＤ法）により薄膜を形成するに
当り、得られる薄膜の特性は、原料溶液の濃度、霧粒子
の径、原料溶液の霧化量、キャリアガスの流量、および
基体の表面温度などで決定され、これらが所定の状態に
ないと、所望の特性を有する薄膜を再現性よく形成する
ことができない。特に、キャリアガスで霧を成膜室４に
送る場合は、キャリアガスの温度や湿度がきわめて重要
である。
化学的霧化堆積法（ＣＭＤ法）により薄膜を形成するに
当り、得られる薄膜の特性は、原料溶液の濃度、霧粒子
の径、原料溶液の霧化量、キャリアガスの流量、および
基体の表面温度などで決定され、これらが所定の状態に
ないと、所望の特性を有する薄膜を再現性よく形成する
ことができない。特に、キャリアガスで霧を成膜室４に
送る場合は、キャリアガスの温度や湿度がきわめて重要
である。
【０００６】しかしながら、特にキャリアガスの湿度管
理を厳密に行うことは困難であった。そこで本発明は、
以上の課題に鑑み、安定した霧を成膜室に送ることがで
き、これによって再現性よく所望の特性を有する薄膜の
形成が可能な薄膜形成方法を提供することを目的とす
る。
理を厳密に行うことは困難であった。そこで本発明は、
以上の課題に鑑み、安定した霧を成膜室に送ることがで
き、これによって再現性よく所望の特性を有する薄膜の
形成が可能な薄膜形成方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち、前記の目的を
達成するため、本発明では、高熱下で熱分解し、反応す
る複数の成分からなる分子化合物を基体の表面で熱分解
し、反応させて、基体上に薄膜を形成する薄膜形成方法
であって、基体の表面に前記分子化合物の結晶粉末を敷
き、基体の表面で同結晶粉末を加熱して熱分解し、反応
させることを特徴とする薄膜形成方法を提供する。この
場合、分子化合物の結晶粉末は、少なくとも結晶水と金
属塩化物とを含む化合物からなるものがよい。
達成するため、本発明では、高熱下で熱分解し、反応す
る複数の成分からなる分子化合物を基体の表面で熱分解
し、反応させて、基体上に薄膜を形成する薄膜形成方法
であって、基体の表面に前記分子化合物の結晶粉末を敷
き、基体の表面で同結晶粉末を加熱して熱分解し、反応
させることを特徴とする薄膜形成方法を提供する。この
場合、分子化合物の結晶粉末は、少なくとも結晶水と金
属塩化物とを含む化合物からなるものがよい。
【０００８】
【作 用】本発明による薄膜形成方法では、基体の表面
に敷かれた分子化合物すなわち、２種以上の安定な分子
同士が直接結合した化合物のうち、比較的容易に元の成
分に分解できるものの結晶粉末が、高温下で熱分解され
る。この分解された分子あるいは雰囲気が、高温下で互
いに反応して膜となるような化合物を選択しておくこと
により、ＣＭＤ法と同様に基体上に薄膜を形成すること
ができる。特に、抵抗体となる金属酸化物薄膜を形成す
る場合、結晶水と金属塩化物とを含む化合物を選択する
ことにより、高温下で微粉末中の金属塩化物が分離し、
結晶水中の酸素と金属とが反応して、金属酸化物薄膜を
容易に形成することができる。
に敷かれた分子化合物すなわち、２種以上の安定な分子
同士が直接結合した化合物のうち、比較的容易に元の成
分に分解できるものの結晶粉末が、高温下で熱分解され
る。この分解された分子あるいは雰囲気が、高温下で互
いに反応して膜となるような化合物を選択しておくこと
により、ＣＭＤ法と同様に基体上に薄膜を形成すること
ができる。特に、抵抗体となる金属酸化物薄膜を形成す
る場合、結晶水と金属塩化物とを含む化合物を選択する
ことにより、高温下で微粉末中の金属塩化物が分離し、
結晶水中の酸素と金属とが反応して、金属酸化物薄膜を
容易に形成することができる。
【０００９】そして、このような方法では、溶媒を用い
ないため、溶媒の蒸発により基板から奪われる気化熱に
よる影響を受けず、形成される薄膜の特性変動が防止で
きる。また、薄膜に不純物をドーピングして薄膜の抵抗
値を上げようとする場合、不純物の粉末を前記結晶粉末
に混入することにより、導入される不純物の粉末の径を
自由に選択できるようになる。このため、高抵抗値の薄
膜抵抗体を得ることができる。
ないため、溶媒の蒸発により基板から奪われる気化熱に
よる影響を受けず、形成される薄膜の特性変動が防止で
きる。また、薄膜に不純物をドーピングして薄膜の抵抗
値を上げようとする場合、不純物の粉末を前記結晶粉末
に混入することにより、導入される不純物の粉末の径を
自由に選択できるようになる。このため、高抵抗値の薄
膜抵抗体を得ることができる。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例について、図面を参照
しながら詳細に説明する。図１に、本発明を実施するた
めの装置の例を示す。この図に示すように、表面に薄膜
を形成しようとする基体１７は、成膜室１６の底部にお
いてサセプタ１８の上に保持され、下からヒータ１９に
よって所定の温度に加熱される。成膜室１６内で発生す
る水蒸気等の気体は、ダンパ２１を通して排気される。
しながら詳細に説明する。図１に、本発明を実施するた
めの装置の例を示す。この図に示すように、表面に薄膜
を形成しようとする基体１７は、成膜室１６の底部にお
いてサセプタ１８の上に保持され、下からヒータ１９に
よって所定の温度に加熱される。成膜室１６内で発生す
る水蒸気等の気体は、ダンパ２１を通して排気される。
【００１１】本発明では、このような薄膜形成装置を用
い、高温下で熱分解し、さらに反応する複数の分子から
なる分子化合物（molecular compound）の結晶粉末１２
を、予め基体１７の表面に敷きつめ、ヒータ１９で基体
１７を加熱することにより、同結晶粉末１２を加熱し、
これを熱分解し、分解した分子を互いに反応させて、基
体１７の表面に薄膜を形成する。
い、高温下で熱分解し、さらに反応する複数の分子から
なる分子化合物（molecular compound）の結晶粉末１２
を、予め基体１７の表面に敷きつめ、ヒータ１９で基体
１７を加熱することにより、同結晶粉末１２を加熱し、
これを熱分解し、分解した分子を互いに反応させて、基
体１７の表面に薄膜を形成する。
【００１２】なお、分子化合物の結晶粉末１２は、予め
基体１７の表面に敷きつめず、予め所定の温度に加熱さ
れた基体１７の表面上に、結晶粉末を均一に散布して薄
膜を形成することもできる。原料となる分子化合物は、
少なくとも結晶水（water of crystallization）と金属
塩化物とで構成される化合物が好適である。
基体１７の表面に敷きつめず、予め所定の温度に加熱さ
れた基体１７の表面上に、結晶粉末を均一に散布して薄
膜を形成することもできる。原料となる分子化合物は、
少なくとも結晶水（water of crystallization）と金属
塩化物とで構成される化合物が好適である。
【００１３】次に、本発明のより具体的な実施例につい
て説明する。 （実施例１）平均粒径が約１００μｍのＳｎＣｌ4・５
Ｈ2Ｏの微粉末を用意し、これをガラス基板上に均一に
敷きつめた後、同基板を加熱炉に入れ、約５００℃で５
分間加熱した。その結果、シート抵抗値が１ｋΩ／□の
ＳｎＯ2 薄膜が形成された。さらに、前記ＳｎＣｌ4・
５Ｈ2Ｏの微粉末に代えて、表１に示す分子化合物の微
粉末を使用し、前記と同様の方法により、各々表１に示
す薄膜を形成することができる。
て説明する。 （実施例１）平均粒径が約１００μｍのＳｎＣｌ4・５
Ｈ2Ｏの微粉末を用意し、これをガラス基板上に均一に
敷きつめた後、同基板を加熱炉に入れ、約５００℃で５
分間加熱した。その結果、シート抵抗値が１ｋΩ／□の
ＳｎＯ2 薄膜が形成された。さらに、前記ＳｎＣｌ4・
５Ｈ2Ｏの微粉末に代えて、表１に示す分子化合物の微
粉末を使用し、前記と同様の方法により、各々表１に示
す薄膜を形成することができる。
【００１４】
【表１】
【００１５】（実施例２）平均粒径が約１００μｍのＳ
ｎＣｌ4・５Ｈ2Ｏの微粉末に、平均粒径が約１００μｍ
のＳｂの微粉末を表２の割合で均一に混合し、これをガ
ラス基板上に均一に敷きつめた後、同基板を加熱炉に入
れ、約５００℃で５分間加熱した。その結果、表２に示
すような抵抗値を有するＳｂがドープされたＳｎＯ2 薄
膜が形成された。
ｎＣｌ4・５Ｈ2Ｏの微粉末に、平均粒径が約１００μｍ
のＳｂの微粉末を表２の割合で均一に混合し、これをガ
ラス基板上に均一に敷きつめた後、同基板を加熱炉に入
れ、約５００℃で５分間加熱した。その結果、表２に示
すような抵抗値を有するＳｂがドープされたＳｎＯ2 薄
膜が形成された。
【００１６】
【表２】
【００１７】さらに、前記Ｓｂの微粉末に代えて、Ｉｎ
Ｃｌ3・４Ｈ2Ｏ、ＮＦ4Ｆ：ＨＦ、ＦｅＣｌ3・６Ｈ2Ｏ
の微粉末を混合して薄膜を形成して薄膜を形成した。そ
の結果、混合した割合に応じて、抵抗値が異なる薄膜を
得ることができた。
Ｃｌ3・４Ｈ2Ｏ、ＮＦ4Ｆ：ＨＦ、ＦｅＣｌ3・６Ｈ2Ｏ
の微粉末を混合して薄膜を形成して薄膜を形成した。そ
の結果、混合した割合に応じて、抵抗値が異なる薄膜を
得ることができた。
【００１８】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明は、溶媒の蒸
発に伴う気化熱の影響を排除することができ、これによ
って再現性よく所望の特性を有する薄膜の形成が可能な
薄膜形成方法を提供することするができる。
発に伴う気化熱の影響を排除することができ、これによ
って再現性よく所望の特性を有する薄膜の形成が可能な
薄膜形成方法を提供することするができる。
【図１】本発明の実施例である薄膜形成方法を実施する
ための装置の例の概略系統図である。
ための装置の例の概略系統図である。
【図２】従来例である薄膜形成方法を実施するための薄
膜形成装置の概略系統図である。
膜形成装置の概略系統図である。
１２ 分子化合物の微粉末 １６ 成膜室 １７ 基体 １８ サセプタ １９ ヒータ
フロントページの続き (72)発明者 石黒 隆 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 高熱下で分解し、互いに反応する複数の
成分からなる分子化合物を基体の表面で熱分解し、さら
に反応させて、基体上に薄膜を形成する薄膜形成方法で
あって、基体の表面に前記分子化合物の結晶粉末を敷
き、基体の表面で同結晶粉末を加熱して熱分解し、反応
させることを特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項２】 分子化合物の結晶粉末が、少なくとも結
晶水と金属塩化物とを含む化合物からなることを特徴と
する前記請求項１に記載の薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18875193A JPH0718450A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18875193A JPH0718450A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0718450A true JPH0718450A (ja) | 1995-01-20 |
Family
ID=16229138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18875193A Withdrawn JPH0718450A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0718450A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6261389B1 (en) | 1997-04-30 | 2001-07-17 | Nippon Piston Ring Co., Ltd. | Synchronizer ring |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP18875193A patent/JPH0718450A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6261389B1 (en) | 1997-04-30 | 2001-07-17 | Nippon Piston Ring Co., Ltd. | Synchronizer ring |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2046111C1 (ru) | Способ нанесения покрытия из оксида металла на стеклянную подложку | |
| US5173327A (en) | LPCVD process for depositing titanium films for semiconductor devices | |
| US4975299A (en) | Vapor deposition process for depositing an organo-metallic compound layer on a substrate | |
| US5049409A (en) | Method for metal or metal compounds inserted between adjacent graphite layers | |
| US5750188A (en) | Method for forming a thin film of a non-stoichiometric metal oxide | |
| EP0617142A1 (en) | Preparation of silica thin films | |
| US3899557A (en) | Hollow semiconductor bodies and method of producing the same | |
| JPH0718450A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP3611640B2 (ja) | 第８族元素類の成膜法およびこれに使用する原料化合物 | |
| JP3093070B2 (ja) | Ｃｖｄ薄膜形成装置 | |
| US3985917A (en) | Method of depositing material on a heated substrate | |
| JPH07180059A (ja) | 基体上に硼燐化シリカガラスを付着する装置および方法 | |
| JP2671384B2 (ja) | 金属化合物の形成装置 | |
| JP3833337B2 (ja) | Ｃｖｄ装置における基板加熱装置 | |
| Kaufmann et al. | Metalorganic chemical vapour deposition of oriented ZnO films | |
| JPH076263U (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH04180566A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| US3804664A (en) | Process for chemical vapor deposition of zirconium carbide | |
| JP2003160865A (ja) | 有機金属化学蒸着法用ルテニウム化合物及び該化合物により得られたルテニウム含有薄膜 | |
| JPH0645888B2 (ja) | 堆積膜形成法 | |
| US3985919A (en) | Vapor deposition of cermet layers | |
| JP3285897B2 (ja) | 酸化物超電導体製造用ｃｖｄ原料の気化方法および気化装置 | |
| JPS60178618A (ja) | 薄膜形成法 | |
| JP2631381B2 (ja) | 炭化アルミニウムの製造方法 | |
| US3223552A (en) | Method for producing thin titano-ceramic film |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |