JPH07187792A - 窒化珪素質焼結体の製造方法 - Google Patents

窒化珪素質焼結体の製造方法

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JPH07187792A
JPH07187792A JP5330789A JP33078993A JPH07187792A JP H07187792 A JPH07187792 A JP H07187792A JP 5330789 A JP5330789 A JP 5330789A JP 33078993 A JP33078993 A JP 33078993A JP H07187792 A JPH07187792 A JP H07187792A
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JP
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silicon nitride
powder
sintered body
embedded
oxygen
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JP5330789A
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Hitoshi Matsunosako
等 松之迫
Shoji Kosaka
祥二 高坂
Masahiro Sato
政宏 佐藤
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Kyocera Corp
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Kyocera Corp
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Abstract

(57)【要約】 【構成】窒化珪素を主成分とし、少なくとも周期律表第
3a族元素酸化物を0.5〜10mol%の割合で含有
する混合物を所定の形状に成形した後、該成形体を酸素
含有量が0.1〜0.5重量%の窒化珪素粉末中に埋設
して、窒素を含む非酸化性雰囲気中で1700〜200
0℃の温度で焼成する。 【効果】特性の内外差がない均一な焼結体を得ることが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ガスタービンなどの熱
機関用構造材料などに適した窒化珪素質焼結体の製造方
法に関し、詳細には機械的特性の内外差のない均質な焼
結体を作製するための方法に関する。
【0002】
【従来技術】窒化珪素質焼結体は、従来より高温強度に
優れた材料として各種のエンジニアリングセラミックス
として高温用材料等への応用が進められている。この窒
化珪素は、それ自体難焼結性であることから、従来より
2 3 などの周期律表第3a族元素の酸化物やAl2
3 、MgO等の各種の金属酸化物を添加し焼成するこ
とが行われている。
【0003】最近に至り、窒化珪素質焼結体の使用温度
が1400℃以上の高温域まで広がりつつあり、これに
伴い焼結体の高温特性の改善が望まれている。そこで、
高温特性が窒化珪素質焼結体の粒界の組成等やそれによ
る粒界の融点等により大きく変化するという観点から、
Al2 3 等の低融点物質の添加を抑制し、Y2 3
希土類元素の酸化物、あるいはこれに酸化珪素等を添加
した系の焼結体が提案され、さらに粒界相を結晶化させ
ることにより粒界の高融点化を図ることが提案されてい
る。
【0004】また、窒化珪素質焼結体を製造する場合に
おける焼成は、一般には常圧焼成、ホットプレス焼成、
窒素ガス加圧焼成などの手法により窒化珪素自体の分解
を抑制するために窒素を含む非酸化性雰囲気中で行われ
るが、焼成に付される成形体中には低温で分解するSi
2 などの成分も含まれており、雰囲気の細かな制御が
必要とされ、例えば、成形体を窒化珪素粉末中に埋設し
て雰囲気を制御して焼成を行うことが行われている。
【0005】
【発明は解決しようとする問題点】しかしながら、焼成
時の雰囲気を制御するのに窒化珪素粉末中に成形体を埋
設して焼成する場合、埋粉として使用される窒化珪素粉
末中には不可避的に不純物酸素を含んでいる。この不可
避的不純物はおよそSiO2 として存在すると考えられ
るが、通常市販の窒化珪素粉末中には0.7〜2.0重
量%程度の酸素が含まれている。このような窒化珪素粉
末を埋粉として成形体を埋設して焼成を行うと、埋粉中
のSiO2 成分がSiOガスとして発生し、成形体中の
SiO2 の分解揮散を抑制するが、このようにして焼成
した焼結体の表面で組成的な変化が生じており、焼結体
表面部と中心部とで機械的特性に差が生じるという問題
が発生した。
【0006】この現象について検討した結果、埋粉から
発生したSiOガスが成形体中に進入、拡散し成形体の
表面部では中心部に比較して酸素量が増加しており、こ
のため、結晶化処理を行ったとしても消費されない余剰
の酸化物成分が増加し、これがアモルファス相を形成し
て表面部の高温特性を劣化させる原因になっていること
がわかった。
【0007】一方、このような問題を解決するための1
つの方法として、雰囲気中に炭素を含有せしめ、雰囲気
中のCOガス分圧を向上させる手法も考えられるが、こ
のような方法では、COガスの還元作用により酸素量が
少ない不安定な酸化物が生成、分解した層や、メリライ
トなどの耐酸化性に劣る結晶相が焼結体の表面に析出し
焼結体の高温特性を劣化させる傾向にあった。
【0008】
【問題点を解決するための手段】本発明者等は、かかる
問題点に対して検討を重ねた結果、成形体を埋設するた
めの埋粉として、窒化珪素粉末を用いるものの、その窒
化珪素粉末中の不純物酸素量を特定の量まで低減させた
ものを用いて焼成を行うと、成形体中のSiO2の分解
揮散を抑制しつつ、埋粉から発生するSiOガスの成形
体中への侵入を抑制することができ、焼結体の表面部と
中心部での組成の変動なく均質な組成の焼結体が得られ
ることを知見し、本発明に至った。
【0009】即ち、本発明の窒化珪素質焼結体の製造方
法は、窒化珪素を主成分とし、少なくとも周期律表第3
a族元素酸化物を0.5〜10mol%の割合で含有す
る混合物を所定の形状に成形した後、その成形体を酸素
含有量が0.1〜0.5重量%にまで低減した窒化珪素
粉末中に埋設して、窒素を含む非酸化性雰囲気中で17
00〜2000℃の温度で焼成することを特徴とするも
のである。
【0010】以下本発明を詳述すると、本発明の製造方
法によれば、出発原料は、主成分として窒化珪素粉末
と、焼結助剤成分として少なくとも周期律表第3a族元
素酸化物粉末を用いる。窒化珪素粉末としては、α型、
β型のいずれでも使用でき、平均粒径が0.4〜1.2
μm程度が適当である。前記周期律表第3a族元素酸化
物は、焼結を助長するためにその量は0.5〜10モル
%の割合で添加する。これは、0.5モル%より少ない
と充分な緻密体が得られず、10モル%を超えると高温
強度等の機械的特性が低下するためである。周期律表第
3a族元素としては、Y、Er、Sc、Ce、Yb、L
u、Dy、TbおよびHo等が挙げられるが、これらの
中でもYb、Er、Luが最も望ましい。
【0011】これらの出発原料は上記所定の割合で混合
した後、公知の方法、具体的にはプレス成形、押出成
形、射出成形、鋳込み成形、冷間静水圧成形等により所
定の形状に成形し相対密度が50%以上の成形体を得た
後、これを焼成する。
【0012】また、上記のようにして成形体を作製する
他の手法としては、出発原料中の窒化珪素の一部あるい
は全部を珪素粉末に代えて成形体を作製し、これを80
0〜1500℃の温度で窒化処理して成形体中の珪素を
窒化珪素に窒化した後に焼成する。
【0013】焼成は、常圧焼成、窒素ガス圧力焼成、ホ
ットプレス焼成等の焼成手段により、窒素等の非酸化性
雰囲気中で1700〜2000℃で焼成するが、本発明
によれば、この時、成形体を酸素含有量が0.1〜0.
5重量%、特に0.2〜0.4重量%の窒化珪素粉末中
に埋設して焼成することが大きな特徴である。これによ
り埋粉からのSiOガスの成形体中への侵入なく、雰囲
気制御を行うことができる。即ち、埋粉中の酸素含有量
が0.1重量%より少ないと成形体中に不可避的不純物
として、あるいは配合SiO2 粉末として含まれるSi
2 の分解揮散を抑制することができず、0.5重量%
を越えると埋粉からSiOガスが大量に発生し、これが
成形体中に侵入し成形体表面部の組成などを変化させ、
特性上内外差を有する不均一な焼結体が得られてしま
う。また、何ら成形体を埋めずに焼成を行うと、成形体
中のSiO2 成分の揮散分解を抑制することができず
に、表面部の酸素量が減少し、中心部と表面部とで粒界
の結晶相が異なったり、著しい場合には表面に分解層が
生じるという問題が生じる。
【0014】本発明において用いられる埋粉は、通常酸
素含有量が0.7〜2.0重量%程度の市販の窒化珪素
粉末を1400〜1800℃の窒素ガス雰囲気中で熱処
理することによりその粉末中の不純物酸素を系外に放出
させて不純物酸素量を低減して得られる。しかし、この
処理により酸素量を低減した窒化珪素粉末を酸化性雰囲
気中で放置すると、大気中の酸素による酸化により酸素
量が増加するため、窒素中で保存しておく必要がある。
【0015】焼成において、成形体を上記埋粉中に埋設
する時には、成形体が完全に埋粉中に没するように埋設
し、複数の成形体を同時に埋設する場合には、隣接する
成形体間に十分な埋粉が介在するように設置することが
望ましい。
【0016】上記のようにして得られる窒化珪素質焼結
体は、表面部および中心部で組成的にも特性的にも均質
なものであるが、焼結体の機械的特性の点から、焼結体
は窒化珪素結晶粒と、その粒界がSi3 4 −周期律表
第3a族元素酸化物(RE23 )−SiO2 、Si3
4 −SiO2 、RE2 3 −SiO2 系の組成からな
るYAM、アパタイト、ワラストナイト、シリコンオキ
シナイトライド、ダイシリケートなどの高融点の結晶相
が析出していることが望ましいが、Si3 4−RE2
3 系組成からなるメリライト相は高温での耐酸化性に
劣ることから実質的X線回折などにより検出されないよ
うにすることがよい。また、組成的にAl、Ca、Mg
などは低融点物質を形成し、結晶化を阻害するためこれ
らの量は0.5重量%以下に低減することが望ましい。
ただし、結晶化を阻害しない成分として、Ti、Zr、
Nb、Ta、Mo,W等の周期律表第4a、5a、6a
族金属の炭化物、酸化物、窒化物などは10重量%以下
の割合で添加しても差し支えない。
【0017】
【作用】本発明の窒化珪素質焼結体の製造方法によれ
ば、成形体を窒化珪素粉末中に埋設して焼成するに際し
て、埋粉として用いる窒化珪素粉末中の酸素含有量を
0.1〜0.5重量%まで低減した粉末を用いることに
より、埋粉から発生するSiOガスの成形体中への侵入
を抑制することができるために、成形体中の酸素量の変
動がなく、表面部および中心部で組成的、あるいは機械
的特性上も内外差のない均一な焼結体を作製することが
できる。
【0018】なお、本発明における方法は、成形体中に
おけるSiO2 成分、即ち、窒化珪素原料粉末中に不可
避的に含まれる酸素量のSiO2 換算量と、粒界を結晶
化させるために適宜添加されたSiO2 粉末の合計量が
1.5〜20モル%程度含まれるような組成の成形体を
焼成するのに効果的である。
【0019】
【実施例】出発原料として、窒化珪素原料(酸素量1.
2%、BET比表面積2〜10m2 /g、α率98%以
上)と焼結助剤として表1に示すような各種周期律表第
3a族元素酸化物(純度99%以上)の各粉末を用い
て、これらを表1、表2に示す割合で秤量後、ポリポッ
トに入れ、メタノールを溶媒として用い窒化珪素ボール
により72時間混合した。得られた混合物を乾燥後、造
粒し、80mm×45mm×5mmにプレス成形した。
得られた成形体に対して、SiO2 成分量を測定した。
測定には、成形体中の総酸素量を測定し、さらに窒化珪
素に対して周期律表第3a族元素酸化物として混入した
定比酸素量を差し引いた残りの酸素量をSiO2 換算し
たものである。
【0020】一方、埋粉として前記窒化珪素粉末を表2
に示す処理条件で処理して酸素量の異なる数種の埋粉を
作製した。
【0021】そして、表2の埋粉を用いて1800℃、
窒素ガス圧9atmで5時間焼成を行い、冷却過程で1
400℃で5時間保持し結晶化処理を行った。
【0022】得られた焼結体に対して、焼成面(as−
fire面)を含む表層部、および中心部よりJISR
1601に基づく抗折試験片を切り出し、これを用いて
1400℃での4点曲げ抗折強度を測定した。また、焼
結体に対して、表層部のX線回折測定を行い、窒化珪素
結晶以外の結晶相を同定した。
【0023】
【表1】
【0024】
【表2】
【0025】表1および表2によれば、酸素量が0.5
重量%を越える埋粉E、Fを用いて焼成した試料No.
6,7,12,17は、いずれも焼結体表面部と中心部
とで特性の内外差が発生した。また、カーボンを含み窒
化珪素粉末を埋粉として用いた試料No.8,18では、
いずれも表面部に分解層が見られ、メリライト相が検出
され、高温強度が低いものであった。さらに、何ら埋粉
を用いずに行った試料No.1では、中心部と表面部での
特性差が生じた。
【0026】これに対して、本発明の試料は、いずれも
中心部と表面部において特性差が小さく、抗折強度で±
10kg/mm2 以内の均一で、1400℃強度580
MPa以上の優れた焼結体が得られた。
【0027】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、酸
素量の少ない窒化珪素粉末を埋粉として成形体を焼成す
ることにより、特性の内外差がない均一な焼結体を得る
ことができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】窒化珪素を主成分とし、少なくとも周期律
    表第3a族元素酸化物を0.5〜10mol%の割合で
    含有する混合物を所定の形状に成形した後、該成形体を
    酸素含有量が0.1〜0.5重量%の窒化珪素粉末中に
    埋設して、窒素を含む非酸化性雰囲気中で1700〜2
    000℃の温度で焼成することを特徴とする窒化珪素質
    焼結体の製造方法。
JP5330789A 1993-12-27 1993-12-27 窒化珪素質焼結体の製造方法 Pending JPH07187792A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117229067A (zh) * 2023-11-14 2023-12-15 中南大学 一种低压氮化-包埋制备氮化硅陶瓷的方法
CN117720354A (zh) * 2023-08-07 2024-03-19 山东工业陶瓷研究设计院有限公司 一种氮化硅陶瓷天线罩及其埋烧方法

Cited By (3)

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