JPH07191122A - ループプローブの校正方法及びその校正治具 - Google Patents
ループプローブの校正方法及びその校正治具Info
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- JPH07191122A JPH07191122A JP5330431A JP33043193A JPH07191122A JP H07191122 A JPH07191122 A JP H07191122A JP 5330431 A JP5330431 A JP 5330431A JP 33043193 A JP33043193 A JP 33043193A JP H07191122 A JPH07191122 A JP H07191122A
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- loop
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＴＥＭセル等の高価な装置を必要とせず、広
い周波数帯域でループプローブを校正できる校正方法と
その校正治具を提供する。 【構成】 校正基準となる磁界強度を被校正ループプロ
ーブで測定することにより行う校正方法であって、基準
磁界強度に直線状のストリップ導体４と接地導体５とで
構成される不平衡マイクロストリップ線路３より発生す
るＴＥＭモードの磁界を用いる。
い周波数帯域でループプローブを校正できる校正方法と
その校正治具を提供する。 【構成】 校正基準となる磁界強度を被校正ループプロ
ーブで測定することにより行う校正方法であって、基準
磁界強度に直線状のストリップ導体４と接地導体５とで
構成される不平衡マイクロストリップ線路３より発生す
るＴＥＭモードの磁界を用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はケーブルやアンテナなど
の導体上を流れる高周波電流により発生した高周波磁界
の強度を測定するためのループプローブの校正法に関す
る。
の導体上を流れる高周波電流により発生した高周波磁界
の強度を測定するためのループプローブの校正法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ループプローブの校正は基準となる磁界
強度を被校正ループプローブで測定し、磁界強度と出力
電圧の関係を求めることにより行う。従来の校正法に
は、磁界発生源としてＴＥＭセルを用いる方法と、被校
正ループプローブと同類の形状のループプローブを用い
る方法がある。図７はＴＥＭセルの発生する磁界の様子
を摸式的に示した図である。ＴＥＭセルを用いる方法は
図７に示すようにＴＥＭセル５１の内部に生じたＴＥＭ
モードの磁界を基準として校正し、±１％程度の誤差で
校正できる。例えば、１９９２年２月、アイ・イー・イ
ー・トランザクション・オン・ヴィヒキュラー・テクノ
ロジー、第４１巻、第１号に開示されている。（Ｎ．Ｋ
ｕｓｔｅｒら著、”Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｍｅｃｈａ
ｎｉｓｍ ｂｙＢｉｏｌｏｇｉｃａｌ Ｂｏｄｉｅｓ
ｉｎ ｔｈｅ Ｎｅａｒ Ｆｉｅｌｄｏｆ Ｄｉｐｏｌ
ｅ Ａｎｔｅｎｎａｓ Ａｂｏｖｅ ３００ＭＨｚ”、
ＩＥＥＥ，Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ ｏｎ Ｖｅｈｉｃ
ｕｌａｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｖｏｌ．４１，Ｎ
ｏ．１，Ｆｅｂｒｕａｒｙ，１９９２） 図８は磁界発生源としてループプローブを用いたときの
構成図である。ループプローブを用いる方法は、図８に
示すように磁界発生用ループプローブ５２と被校正ルー
ププローブ５３をそれぞれのループ面が同一の平面上に
あるように配置し、磁界発生用ループの作る磁界を基準
として校正する。校正の誤差は、基準磁界発生用ループ
（直径φｔ）と被校正ループ（直径φｒ）のそれぞれの
円の中心間の距離Ｒが５（φt φr ）0 . 5 ＜Ｒのとき
±２ｄＢ、７（φt φr ）0 . 5＜Ｒのとき±１ｄＢ程
度である。例えば、１９８１年９月、アイ・イー・イー
・トランザクション・オン・インストルメンテイション
・アンド・メジャメント、、第ＩＭ巻−３０巻、第３号
に開示されている。（ＮＡＫＡＮＥら著、”Ｓｔｕｄｉ
ｅｓ ｏｆ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｆｉｅｌｄ ｆｏｒ
Ｔｒａｎｓｍｉｔｔｉｎｇ ａｎｄ Ｒｅｃｉｅｖｉｎ
ｇ Ｌｏｏｐ Ａｎｔｅｎｎａ Ｐｌａｃｅｄ ｉｎ
Ｃｏｐｌａｎｅ”、ＩＥＥＥ，Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ
ｏｎ Ｉｎｓｔｒｎｕｍｅｎｔａｔｉｏｎ ａｎｄ
Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ，Ｖｏｌ．ＩＭ−３０，Ｎｏ．
３，Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １９８１）
強度を被校正ループプローブで測定し、磁界強度と出力
電圧の関係を求めることにより行う。従来の校正法に
は、磁界発生源としてＴＥＭセルを用いる方法と、被校
正ループプローブと同類の形状のループプローブを用い
る方法がある。図７はＴＥＭセルの発生する磁界の様子
を摸式的に示した図である。ＴＥＭセルを用いる方法は
図７に示すようにＴＥＭセル５１の内部に生じたＴＥＭ
モードの磁界を基準として校正し、±１％程度の誤差で
校正できる。例えば、１９９２年２月、アイ・イー・イ
ー・トランザクション・オン・ヴィヒキュラー・テクノ
ロジー、第４１巻、第１号に開示されている。（Ｎ．Ｋ
ｕｓｔｅｒら著、”Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｍｅｃｈａ
ｎｉｓｍ ｂｙＢｉｏｌｏｇｉｃａｌ Ｂｏｄｉｅｓ
ｉｎ ｔｈｅ Ｎｅａｒ Ｆｉｅｌｄｏｆ Ｄｉｐｏｌ
ｅ Ａｎｔｅｎｎａｓ Ａｂｏｖｅ ３００ＭＨｚ”、
ＩＥＥＥ，Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ ｏｎ Ｖｅｈｉｃ
ｕｌａｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｖｏｌ．４１，Ｎ
ｏ．１，Ｆｅｂｒｕａｒｙ，１９９２） 図８は磁界発生源としてループプローブを用いたときの
構成図である。ループプローブを用いる方法は、図８に
示すように磁界発生用ループプローブ５２と被校正ルー
ププローブ５３をそれぞれのループ面が同一の平面上に
あるように配置し、磁界発生用ループの作る磁界を基準
として校正する。校正の誤差は、基準磁界発生用ループ
（直径φｔ）と被校正ループ（直径φｒ）のそれぞれの
円の中心間の距離Ｒが５（φt φr ）0 . 5 ＜Ｒのとき
±２ｄＢ、７（φt φr ）0 . 5＜Ｒのとき±１ｄＢ程
度である。例えば、１９８１年９月、アイ・イー・イー
・トランザクション・オン・インストルメンテイション
・アンド・メジャメント、、第ＩＭ巻−３０巻、第３号
に開示されている。（ＮＡＫＡＮＥら著、”Ｓｔｕｄｉ
ｅｓ ｏｆ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｆｉｅｌｄ ｆｏｒ
Ｔｒａｎｓｍｉｔｔｉｎｇ ａｎｄ Ｒｅｃｉｅｖｉｎ
ｇ Ｌｏｏｐ Ａｎｔｅｎｎａ Ｐｌａｃｅｄ ｉｎ
Ｃｏｐｌａｎｅ”、ＩＥＥＥ，Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ
ｏｎ Ｉｎｓｔｒｎｕｍｅｎｔａｔｉｏｎ ａｎｄ
Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ，Ｖｏｌ．ＩＭ−３０，Ｎｏ．
３，Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １９８１）
【発明が解決しようとする課題】ＴＥＭセルを用いた校
正では、高価なＴＥＭセルを必要とすること、カットオ
フ周波数より高い周波数帯ではＴＥＭモードが乱れるた
め校正できない等の問題点があった。また、校正しよう
とするループプローブと同類のループプローブを用いた
校正では、ループ間の距離が短いときの誤差が大きくな
ること、ループプローブは電界の影響も受けるため、磁
界強度と電界強度の比が小さくなる高周波帯やループ間
距離が離れた場合に誤差が大きくなる等の問題点を有し
ていた。図９は被校正ループプローブと同類のループプ
ローブを用いたときの校正結果を示すグラフである。図
９の実線はループプローブを基準磁界発生源として用い
て校正したときの、直径１０ｍｍのループプローブの周
波数に対する校正係数（平均磁界強度Ｈa v ／ループプ
ローブ出力電圧Ｖ）である。破線は磁界発生用、被校正
の双方のループプローブの内部のインピーダンスを予め
測定し、校正係数を理論的に求めた結果である。±２ｄ
Ｂの範囲で校正できる周波数の上限は６００ＭＨｚ程度
である。
正では、高価なＴＥＭセルを必要とすること、カットオ
フ周波数より高い周波数帯ではＴＥＭモードが乱れるた
め校正できない等の問題点があった。また、校正しよう
とするループプローブと同類のループプローブを用いた
校正では、ループ間の距離が短いときの誤差が大きくな
ること、ループプローブは電界の影響も受けるため、磁
界強度と電界強度の比が小さくなる高周波帯やループ間
距離が離れた場合に誤差が大きくなる等の問題点を有し
ていた。図９は被校正ループプローブと同類のループプ
ローブを用いたときの校正結果を示すグラフである。図
９の実線はループプローブを基準磁界発生源として用い
て校正したときの、直径１０ｍｍのループプローブの周
波数に対する校正係数（平均磁界強度Ｈa v ／ループプ
ローブ出力電圧Ｖ）である。破線は磁界発生用、被校正
の双方のループプローブの内部のインピーダンスを予め
測定し、校正係数を理論的に求めた結果である。±２ｄ
Ｂの範囲で校正できる周波数の上限は６００ＭＨｚ程度
である。
【０００３】本発明の目的は、ＴＥＭセル等の高価な装
置を必要とせず、広い周波数帯域でループプローブを校
正するための手法と校正治具を提供することにある。
置を必要とせず、広い周波数帯域でループプローブを校
正するための手法と校正治具を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、本発明のループプローブの校正方法は、ループプロ
ーブの校正基準となる磁界強度を被校正ループプローブ
で測定することにより行うループプローブの校正方法で
あって、直線状のストリップ導体と接地導体とから構成
される不平衡形マイクロストリップ線路の発生するＴＥ
Ｍモードの磁界を前記基準磁界強度とすることを特徴と
する。
め、本発明のループプローブの校正方法は、ループプロ
ーブの校正基準となる磁界強度を被校正ループプローブ
で測定することにより行うループプローブの校正方法で
あって、直線状のストリップ導体と接地導体とから構成
される不平衡形マイクロストリップ線路の発生するＴＥ
Ｍモードの磁界を前記基準磁界強度とすることを特徴と
する。
【０００５】また、上記の基準磁界強度が、マイクロス
トリップ線路に垂直でかつストリップ導体の中心線上を
通る面が、校正しようとするループプローブのループ面
と同一平面上に配置構成されたマイクロストリップ線路
より発生するＴＥＭモードの磁界であれば、さらに好適
であることを特徴とするループプローブの校正方法であ
る。
トリップ線路に垂直でかつストリップ導体の中心線上を
通る面が、校正しようとするループプローブのループ面
と同一平面上に配置構成されたマイクロストリップ線路
より発生するＴＥＭモードの磁界であれば、さらに好適
であることを特徴とするループプローブの校正方法であ
る。
【０００６】また、上記の校正方法を可能とするループ
プローブの校正治具は、不平衡形マイクロストリップ線
路と、そのマイクロストリップ線路を固定するための固
定具と、被校正ループプローブを固定するための固定具
とから構成され、前記不平衡形マイクロストリップ線路
は直線状ストリップ導体と接地導体とから構成され、前
記直線状ストリップ導体の片端に電流供給用コネクタを
接続し、他方の片端には整合負荷を接続し、前記ループ
プローブ固定具は、被校正ループプローブを、マイクロ
ストリップ線路のストリップ導体側に、マイクロストリ
ップ線路に垂直でかつストリップ導体の中心線上を通る
面と、ループプローブのループ面とが同一平面上に配置
するように固定でき、前記ストリップ導体と前記ループ
プローブ間の距離を変えられることを特徴とする。
プローブの校正治具は、不平衡形マイクロストリップ線
路と、そのマイクロストリップ線路を固定するための固
定具と、被校正ループプローブを固定するための固定具
とから構成され、前記不平衡形マイクロストリップ線路
は直線状ストリップ導体と接地導体とから構成され、前
記直線状ストリップ導体の片端に電流供給用コネクタを
接続し、他方の片端には整合負荷を接続し、前記ループ
プローブ固定具は、被校正ループプローブを、マイクロ
ストリップ線路のストリップ導体側に、マイクロストリ
ップ線路に垂直でかつストリップ導体の中心線上を通る
面と、ループプローブのループ面とが同一平面上に配置
するように固定でき、前記ストリップ導体と前記ループ
プローブ間の距離を変えられることを特徴とする。
【０００７】
【作用】ループプローブの校正を、ループプローブ面に
垂直な磁界成分のループプローブ面内の平均磁界密度Ｈ
ａｖと、プローブ出力電圧Ｖとの比（＝Ｈａｖ／Ｖ）を
求めることにより行うことができる。図３はマイクロス
トリップ線路３の断面図である。ストリップ導体４と接
地導体５の距離ｄが波長に比べて充分に短い場合には、
線路３の横断面のみに磁界１８、電界１９が存在するよ
うなＴＥＭ線路として扱うことができ、また線路３での
電界１９は誘電率の高い誘電体部６に集中するので、磁
界強度の校正に与える影響は小さい。ループ面内の平均
磁界密度Ｈａｖは、不平衡形マイクロストリップ線路３
に生じる磁界強度から求められ、不平衡形マイクロスト
リップ線路３に生じる磁界強度はストリップ導体４に流
れる電流量を用いて容易に求められる。特に、校正する
ループプローブ２のループ面と、マイクロストリップ線
路３に垂直でかつストリップ導体４の中心線を通る面と
が同一平面上になるように、被校正ループプローブ２を
配置すれば、この平面上での磁界はストリップ導体４に
平行な成分のみとなるため、ループ面内の平均磁界密度
Ｈａｖをより一層容易に求めることができる。
垂直な磁界成分のループプローブ面内の平均磁界密度Ｈ
ａｖと、プローブ出力電圧Ｖとの比（＝Ｈａｖ／Ｖ）を
求めることにより行うことができる。図３はマイクロス
トリップ線路３の断面図である。ストリップ導体４と接
地導体５の距離ｄが波長に比べて充分に短い場合には、
線路３の横断面のみに磁界１８、電界１９が存在するよ
うなＴＥＭ線路として扱うことができ、また線路３での
電界１９は誘電率の高い誘電体部６に集中するので、磁
界強度の校正に与える影響は小さい。ループ面内の平均
磁界密度Ｈａｖは、不平衡形マイクロストリップ線路３
に生じる磁界強度から求められ、不平衡形マイクロスト
リップ線路３に生じる磁界強度はストリップ導体４に流
れる電流量を用いて容易に求められる。特に、校正する
ループプローブ２のループ面と、マイクロストリップ線
路３に垂直でかつストリップ導体４の中心線を通る面と
が同一平面上になるように、被校正ループプローブ２を
配置すれば、この平面上での磁界はストリップ導体４に
平行な成分のみとなるため、ループ面内の平均磁界密度
Ｈａｖをより一層容易に求めることができる。
【０００８】
【実施例】以下に本発明における実施例を図１から図５
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【０００９】図１は本発明による校正方法の一実施例を
説明するための図である。高周波信号発生器８で発生し
た高周波信号を給電ケーブル１０Ａを介してマイクロス
トリップ線路３に給電する。マイクロストリップ線路３
は誘電体板６の片面に設けられたストリップ導体４とも
う一方の片面に設けられた接地導体５から構成された不
平衡形である。ストリップ導体４の片方の端部には整合
負荷７を接続し、もう一方の端部には電流供給用コネク
タを接続する。発生した磁界は被校正ループプローブ２
で受信し、その出力電圧をケーブル１０Ｂを介して高周
波電圧測定器９で測定する。
説明するための図である。高周波信号発生器８で発生し
た高周波信号を給電ケーブル１０Ａを介してマイクロス
トリップ線路３に給電する。マイクロストリップ線路３
は誘電体板６の片面に設けられたストリップ導体４とも
う一方の片面に設けられた接地導体５から構成された不
平衡形である。ストリップ導体４の片方の端部には整合
負荷７を接続し、もう一方の端部には電流供給用コネク
タを接続する。発生した磁界は被校正ループプローブ２
で受信し、その出力電圧をケーブル１０Ｂを介して高周
波電圧測定器９で測定する。
【００１０】図２は図１に示した校正系の等価回路図で
ある。高周波信号発生器８は電圧源１２と内部抵抗１３
で構成され、被校正ループプローブ２はマイクロストリ
ップ線路の作る磁界により生じた起電力Ｖh を有する電
圧源１５とループプローブの内部インピーダンス１６で
構成される。高周波信号発生器８の内部抵抗１３、給電
ケーブル１０Ａ、マイクトストリップ線路３の特性イン
ピーダンス、整合負荷７をすべて５０オームに統一する
と、ストリップ導体４に流れる高周波電流Ｉは電圧源１
２の電圧をＶ0 としてＩ＝Ｖ0 ／１００となる。マイク
ロストリップ線路３のつくる磁界により生じた起電力と
等価的な被校正ループプローブ２の電圧源１５の起電力
Ｖh は、マイクロストリップ線路３の作る磁界強度のル
ープ面での平均値Ｈa v と各周波数ω、ループの面積Ｓ
1 、真空中の透磁率μ0 を用いてωμO Ｈa v Ｓ1 で表
わされる。したがって、ループ面内の平均磁界強度Ｈ
a vはループ面内の磁界強度Ｈを面積積分し、ループ面
積で割ることにより得られる。
ある。高周波信号発生器８は電圧源１２と内部抵抗１３
で構成され、被校正ループプローブ２はマイクロストリ
ップ線路の作る磁界により生じた起電力Ｖh を有する電
圧源１５とループプローブの内部インピーダンス１６で
構成される。高周波信号発生器８の内部抵抗１３、給電
ケーブル１０Ａ、マイクトストリップ線路３の特性イン
ピーダンス、整合負荷７をすべて５０オームに統一する
と、ストリップ導体４に流れる高周波電流Ｉは電圧源１
２の電圧をＶ0 としてＩ＝Ｖ0 ／１００となる。マイク
ロストリップ線路３のつくる磁界により生じた起電力と
等価的な被校正ループプローブ２の電圧源１５の起電力
Ｖh は、マイクロストリップ線路３の作る磁界強度のル
ープ面での平均値Ｈa v と各周波数ω、ループの面積Ｓ
1 、真空中の透磁率μ0 を用いてωμO Ｈa v Ｓ1 で表
わされる。したがって、ループ面内の平均磁界強度Ｈ
a vはループ面内の磁界強度Ｈを面積積分し、ループ面
積で割ることにより得られる。
【００１１】
【数１】
【００１２】次に、マイクロストリップ線路に生じる磁
界強度を求めるプロセスを示す。図４はストリップ導体
３に高周波電流Ｉ２１が流れるときに発生する磁界の様
子を模式的に示した図である。接地導体５が十分に広い
場合、鏡面電荷の関係から接地導体５の反対側にストリ
ップ導体４上の高周波電流Ｉ２１と等量逆向きの高周波
電流−Ｉ２１’が等価的に流れているものと見なせる。
ストリップ導体４の中心線を通る面上でストリップ導体
からの距離がＲなる点Ｐにおける磁界はこれらの高周波
電流の作る磁界の合成Ｈ２０となる。一束の電流から一
定の距離、離れた点における磁界強度はアンペールの法
則を適用して求められる。
界強度を求めるプロセスを示す。図４はストリップ導体
３に高周波電流Ｉ２１が流れるときに発生する磁界の様
子を模式的に示した図である。接地導体５が十分に広い
場合、鏡面電荷の関係から接地導体５の反対側にストリ
ップ導体４上の高周波電流Ｉ２１と等量逆向きの高周波
電流−Ｉ２１’が等価的に流れているものと見なせる。
ストリップ導体４の中心線を通る面上でストリップ導体
からの距離がＲなる点Ｐにおける磁界はこれらの高周波
電流の作る磁界の合成Ｈ２０となる。一束の電流から一
定の距離、離れた点における磁界強度はアンペールの法
則を適用して求められる。
【００１３】図５は磁界発生源として厚さ１．６ｍｍ、
面積２００ｍｍ×２３０ｍｍの２層プリント回路基板の
片面に幅１．６ｍｍ、長さ１８０ｍｍのストリップ導体
を、もう片面に接地導体を設けたマイクロストリップ線
路を用いて、直径１０ｍｍのループプローブを校正した
結果である。±２ｄＢの範囲で校正可能な上限周波数は
１．７ＧＨｚまで伸びている。
面積２００ｍｍ×２３０ｍｍの２層プリント回路基板の
片面に幅１．６ｍｍ、長さ１８０ｍｍのストリップ導体
を、もう片面に接地導体を設けたマイクロストリップ線
路を用いて、直径１０ｍｍのループプローブを校正した
結果である。±２ｄＢの範囲で校正可能な上限周波数は
１．７ＧＨｚまで伸びている。
【００１４】図６は本発明による校正方法を実施するた
めのループプローブ校正治具の一実施例を示す構成図で
ある。本校正治具３１はマイクロストリップ線路３を支
持するマイクロストリップ線路支持部３２Ａ、３２Ｂ、
被校正ループプローブ２を固定するプローブ支持部３
３、台座３４および被校正ループプローブ２とマイクロ
ストリップ線路３との距離をスライドして調整するため
に台座３４に設けられたガイドレール３５により構成さ
れる。これらの材質は電磁界分布の乱れを防ぐため、す
べてテフロン、アクリル等の高分子材である。マイクロ
ストリップ線路３は２層プリント回路基板の片面をスト
リップ導体４、もう一方の面を接地導体５とし、ストリ
ップ導体４はプリント回路基板の中心線上に位置するよ
うな構造とする。マイクロストリップ線路支持部３２
Ａ、３２Ｂのそれぞれにはマイクロストリップ線路を固
定するための溝３６と、上下２箇所のネジ３７が設けて
ある。ネジ３７によりマイクロストリップ線路を押さえ
るため、厚さの異なるマイクロストリップ線路３を固定
することができる。マイクロストリップ線路３は台座３
４に垂直に固定される。被校正ループプローブ２はバン
ド３８を用いてプローブ支持部３３の上部にループ面が
水平となるように固定する。ループ面とストリップ導体
４の中心線を通る面が一致するようジャッキ状の高さ調
整部３９によりプローブ２の高さを調整する。調整は調
整部３９のネジ４０により行う。ストリップ導体４と被
校正用ループプローブ２との距離の調整は台座３４に設
けられたガイドレール３５上をプローブ支持部３３を移
動することにより行う。
めのループプローブ校正治具の一実施例を示す構成図で
ある。本校正治具３１はマイクロストリップ線路３を支
持するマイクロストリップ線路支持部３２Ａ、３２Ｂ、
被校正ループプローブ２を固定するプローブ支持部３
３、台座３４および被校正ループプローブ２とマイクロ
ストリップ線路３との距離をスライドして調整するため
に台座３４に設けられたガイドレール３５により構成さ
れる。これらの材質は電磁界分布の乱れを防ぐため、す
べてテフロン、アクリル等の高分子材である。マイクロ
ストリップ線路３は２層プリント回路基板の片面をスト
リップ導体４、もう一方の面を接地導体５とし、ストリ
ップ導体４はプリント回路基板の中心線上に位置するよ
うな構造とする。マイクロストリップ線路支持部３２
Ａ、３２Ｂのそれぞれにはマイクロストリップ線路を固
定するための溝３６と、上下２箇所のネジ３７が設けて
ある。ネジ３７によりマイクロストリップ線路を押さえ
るため、厚さの異なるマイクロストリップ線路３を固定
することができる。マイクロストリップ線路３は台座３
４に垂直に固定される。被校正ループプローブ２はバン
ド３８を用いてプローブ支持部３３の上部にループ面が
水平となるように固定する。ループ面とストリップ導体
４の中心線を通る面が一致するようジャッキ状の高さ調
整部３９によりプローブ２の高さを調整する。調整は調
整部３９のネジ４０により行う。ストリップ導体４と被
校正用ループプローブ２との距離の調整は台座３４に設
けられたガイドレール３５上をプローブ支持部３３を移
動することにより行う。
【００１５】
【発明の効果】本発明の磁界強度測定用ループプローブ
校正方法と校正治具を用いれば、ＴＥＭセル等の高価な
装置を必要とせず、かつ、従来のループプローブを基準
磁界発生源として用いる手法に比べ、校正可能な周波数
の上限を約３倍に上げることができ、広い周波数帯域で
ループプローブを校正することができる。
校正方法と校正治具を用いれば、ＴＥＭセル等の高価な
装置を必要とせず、かつ、従来のループプローブを基準
磁界発生源として用いる手法に比べ、校正可能な周波数
の上限を約３倍に上げることができ、広い周波数帯域で
ループプローブを校正することができる。
【図１】本発明による磁界測定用ループプローブ校正方
法を説明するための図。
法を説明するための図。
【図２】本発明による磁界測定用ループプローブ校正法
の回路図。
の回路図。
【図３】マイクロストリップ線路断面の電磁界を示す
図。
図。
【図４】マイクロストリップ線路の磁界発生の様子を摸
式的に示した図。
式的に示した図。
【図５】本発明の一実施例による磁界測定用ループプロ
ーブの校正結果を示すグラフ。
ーブの校正結果を示すグラフ。
【図６】本発明の一実施例である磁界測定用ループプロ
ーブの校正治具の構成図。
ーブの校正治具の構成図。
【図７】従来技術による基準磁界発生源としてＴＥＭセ
ルを用いたときの磁界発生の様子を摸式的に示した図。
ルを用いたときの磁界発生の様子を摸式的に示した図。
【図８】従来技術による基準磁界の発生に被校正ループ
プローブと同類のループプローブを用いたときの構成
図。
プローブと同類のループプローブを用いたときの構成
図。
【図９】従来技術による基準磁界の発生に被校正ループ
プローブと同類のループプローブを用いたときの校正結
果を示すグラフ。
プローブと同類のループプローブを用いたときの校正結
果を示すグラフ。
２ 被校正ループプローブ ３ マイクロストリップ線路 ４ ストリップ導体 ５ 接地導体 ６ 誘電体 ７ 整合負荷 ８ 高周波信号発生器 ９ 高周波電圧測定器 １０Ａ，１０Ｂ 給電ケーブル １２ 電圧源 １３ 高周波信号発生器の内部抵抗 １５ ループの起電力 １６ ループプローブの内部インピーダンス １７ 高周波電圧測定器の内部抵抗 １８ マイクロストリップ線路の磁界 １９ マイクロストリップ線路の電界 ２０ 合成磁界 ２１，２２ ストリップ導体に流れる高周波電流 ３１ 校正治具 ３２Ａ，３２Ｂ マイクロストリップ線路支持部 ３３ プローブ支持部 ３４ 台座 ３５ ガイドレール ３６ マイクロストリップ線路固定用溝 ３７ マイクロストリップ線路固定用ネジ ３８ プローブ固定用バンド ３９ 高さ調整部 ４０ 高さ調整用ネジ ５１ ＴＥＭセル ５２ 基準磁界発生用ループプローブ ５３ 被校正ループプローブ
Claims (3)
- 【請求項１】 ループプローブの校正基準となる磁界強
度を被校正ループプローブで測定することにより行うル
ーププローブの校正方法であって、直線状のストリップ
導体と接地導体とで構成された不平衡形マイクロストリ
ップ線路の発生するＴＥＭモードの磁界を前記基準磁界
強度とすることを特徴とするループプローブの校正方
法。 - 【請求項２】 前記マイクロストリップ線路に垂直でか
つ前記ストリップ導体の中心線上を通る面が、前記被校
正ループプローブのループ面と同一平面上に配置構成さ
れた前記マイクロストリップ線路より発生するＴＥＭモ
ードの磁界を前記基準磁界強度とすることを特徴とする
請求項１記載のループプローブの校正方法。 - 【請求項３】 不平衡形マイクロストリップ線路と、前
記マイクロストリップ線路を固定するための固定具と、
被校正ループプローブを固定するための固定具とから構
成されるループプローブの校正治具であって、 前記不平衡形マイクロストリップ線路は直線状ストリッ
プ導体と接地導体とから構成され、前記直線状ストリッ
プ導体の片端に電流供給用コネクタを接続し、他方の片
端には整合負荷を接続し、 前記ループプローブ固定具は、前記ループプローブを、
前記マイクロストリップ線路のストリップ導体側に、前
記マイクロストリップ線路に垂直でかつ前記ストリップ
導体の中心線上を通る面と、前記ループプローブのルー
プ面が同一平面上に配置するように固定でき、前記スト
リップ導体と前記ループプローブ間の距離を変えられる
ことを特徴とするループプローブの校正治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5330431A JP2715876B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | ループプローブの校正方法及びその校正治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5330431A JP2715876B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | ループプローブの校正方法及びその校正治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07191122A true JPH07191122A (ja) | 1995-07-28 |
| JP2715876B2 JP2715876B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=18232545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5330431A Expired - Fee Related JP2715876B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | ループプローブの校正方法及びその校正治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2715876B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007163236A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電磁波測定方法および電磁波測定装置 |
| CN105974210A (zh) * | 2016-06-07 | 2016-09-28 | 深圳市信维通信股份有限公司 | 一种天线测试用夹具及测试方法 |
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| CN115113124A (zh) * | 2022-05-27 | 2022-09-27 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） | 复合探头校准方法、装置、计算机设备和存储介质 |
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| CN117607771A (zh) * | 2023-10-09 | 2024-02-27 | 广东工业大学 | 电磁信号测量校准系统及多端口矩阵变换校准方法 |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP5330431A patent/JP2715876B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| CN117607771A (zh) * | 2023-10-09 | 2024-02-27 | 广东工业大学 | 电磁信号测量校准系统及多端口矩阵变换校准方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2715876B2 (ja) | 1998-02-18 |
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