JPH0719166Y2 - 電力変換装置の素子取付構造 - Google Patents
電力変換装置の素子取付構造Info
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- JPH0719166Y2 JPH0719166Y2 JP1988099418U JP9941888U JPH0719166Y2 JP H0719166 Y2 JPH0719166 Y2 JP H0719166Y2 JP 1988099418 U JP1988099418 U JP 1988099418U JP 9941888 U JP9941888 U JP 9941888U JP H0719166 Y2 JPH0719166 Y2 JP H0719166Y2
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Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 24
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 本考案は、電力変換装置に係り、特に主回路スイッチ素
子の取付構造に関する。
子の取付構造に関する。
B.考案の概要 本考案は、半導体スイッチ素子を主回路スイッチ素子と
し冷却フィンに取付けて放熱を行う電力変換装置におい
て、 冷却フィンとアース間に高周波阻止コイルを設けること
により、 スイッチ素子のスイッチ動作によるアース側への高周波
雑音電流を抑制したものである。
し冷却フィンに取付けて放熱を行う電力変換装置におい
て、 冷却フィンとアース間に高周波阻止コイルを設けること
により、 スイッチ素子のスイッチ動作によるアース側への高周波
雑音電流を抑制したものである。
C.従来の技術 インバータ等の電力変換装置には、主回路スイッチにパ
ワートランジスタ、GTO、IGBT等の半導体スイッチ素子
を使用し、その高速スイッチング制御によって所期の電
力変換出力を得る。
ワートランジスタ、GTO、IGBT等の半導体スイッチ素子
を使用し、その高速スイッチング制御によって所期の電
力変換出力を得る。
半導体スイッチ素子、例えばパワートランジスタの取付
構造は、第３図に示すようにモジュール化されたトラン
ジスタ１をアルミ製冷却フィン２に電気的に絶縁したネ
ジ止めをし、端子Ｂ、Ｅ、Ｃから夫々リード線で回路接
続を得る。冷却フィン２はアースに接続される。
構造は、第３図に示すようにモジュール化されたトラン
ジスタ１をアルミ製冷却フィン２に電気的に絶縁したネ
ジ止めをし、端子Ｂ、Ｅ、Ｃから夫々リード線で回路接
続を得る。冷却フィン２はアースに接続される。
D.考案が解決しようとする課題 従来のスイッチ素子の取付構造において、パワートラン
ジスタ１は第４図に示すように銅ベース３の上にアルミ
ナ基板４を介してシリコン基板５が設けられ、アルミナ
基板４による電気絶縁と熱伝導が良好にされる。
ジスタ１は第４図に示すように銅ベース３の上にアルミ
ナ基板４を介してシリコン基板５が設けられ、アルミナ
基板４による電気絶縁と熱伝導が良好にされる。
ここで、アルミナ基板４は薄くかつ誘電率が高いため、
銅ベース３とシリコン基板５間に浮遊容量が生じ、この
浮遊容量は回路的にはトランジスタのコレクタとアース
間に介在し、直流や商用周波数程度の低周波には何ら問
題とならないが、大電流でスイッチング動作するトラン
ジスタの高周波には雑音発生の原因になる。即ち、第３
図に示すような取付構造では各トランジスタのスイッチ
ング動作による高周波成分が上述の浮遊容量を通して冷
却フィン２さらにアース側へ流れ、アースを通して制御
回路等へ高周波雑音電圧が生じ、制御回路の誤動作等を
起こす恐れがあった。
銅ベース３とシリコン基板５間に浮遊容量が生じ、この
浮遊容量は回路的にはトランジスタのコレクタとアース
間に介在し、直流や商用周波数程度の低周波には何ら問
題とならないが、大電流でスイッチング動作するトラン
ジスタの高周波には雑音発生の原因になる。即ち、第３
図に示すような取付構造では各トランジスタのスイッチ
ング動作による高周波成分が上述の浮遊容量を通して冷
却フィン２さらにアース側へ流れ、アースを通して制御
回路等へ高周波雑音電圧が生じ、制御回路の誤動作等を
起こす恐れがあった。
本考案の目的は、半導体スイッチ素子の放熱ベース基板
（銅ベース）への高周波電流による雑音発生を抑制した
素子取付構造を提供することにある。
（銅ベース）への高周波電流による雑音発生を抑制した
素子取付構造を提供することにある。
E.課題を解決するための手段と作用 本考案は、上記目的を達成するため、主回路の半導体ス
イッチ素子を電気絶縁して冷却フィンに取付けてその放
熱を得る電力変換装置において、前記冷却フィンは装置
枠体から電気的に絶縁した取付けをしかつ高周波阻止コ
イルを介してアースに接続した構造とし、スイッチ素子
から浮遊容量を通して冷却フィン及びアース側に流れる
高周波電流を高周波阻止コイルによって冷却フィンとア
ース間で阻止し、アースから他の回路への雑音混入を防
止する。
イッチ素子を電気絶縁して冷却フィンに取付けてその放
熱を得る電力変換装置において、前記冷却フィンは装置
枠体から電気的に絶縁した取付けをしかつ高周波阻止コ
イルを介してアースに接続した構造とし、スイッチ素子
から浮遊容量を通して冷却フィン及びアース側に流れる
高周波電流を高周波阻止コイルによって冷却フィンとア
ース間で阻止し、アースから他の回路への雑音混入を防
止する。
F.実施例 第１図は本考案の一実施例を示す素子取付構造図であ
る。パワートランジスタ１をネジ止めした冷却フィン２
は、装置枠体から電位的に絶縁して取付けられ、その一
端から高周波阻止コイル６を介してアース接続される。
このコイル６はフェライトコア等を有して高周波に対し
て高いインピーダンスを呈する特性にされる。
る。パワートランジスタ１をネジ止めした冷却フィン２
は、装置枠体から電位的に絶縁して取付けられ、その一
端から高周波阻止コイル６を介してアース接続される。
このコイル６はフェライトコア等を有して高周波に対し
て高いインピーダンスを呈する特性にされる。
この取付構造はトランジスタインバータに適用する場合
には第２図に示す回路図になる。同図において、インバ
ータは整流器７と平滑コンデンサ８とインバータ本体に
なるパワートランジスタ1U、1X等のブリッジ接続回路９
と制御装置10を備える。そして、パワートランジスタ
1U、1X等は冷却フィン２との間が浮遊容量Coで結合さ
れ、冷却フィン２は高周波阻止コイル６を介してアース
Ｇに接続される。
には第２図に示す回路図になる。同図において、インバ
ータは整流器７と平滑コンデンサ８とインバータ本体に
なるパワートランジスタ1U、1X等のブリッジ接続回路９
と制御装置10を備える。そして、パワートランジスタ
1U、1X等は冷却フィン２との間が浮遊容量Coで結合さ
れ、冷却フィン２は高周波阻止コイル６を介してアース
Ｇに接続される。
従って、浮遊容量Coを通してトランジスタ1U、1X等から
冷却フィン２側に高周波電流が流れようとするも、高周
波阻止コイル６によってアース側への流れが阻止され、
制御装置10等に高周波雑音が混入するのを防止できる。
そして、高周波阻止コイル６は低周波（50Hz等）に対し
ては低インピーダンスを呈し、冷却フィン２から人体へ
の感電を起こすことは無い。また、浮遊容量Coは小さく
低インピーダンスになるのは周波数も100KHz〜数MHz程
度になることから、高周波阻止コイル６は小型小容量の
もので済む。また、冷却フィン２の枠体への絶縁取付け
は数ボルトのもので十分になりシンプルで容易なもので
済む。
冷却フィン２側に高周波電流が流れようとするも、高周
波阻止コイル６によってアース側への流れが阻止され、
制御装置10等に高周波雑音が混入するのを防止できる。
そして、高周波阻止コイル６は低周波（50Hz等）に対し
ては低インピーダンスを呈し、冷却フィン２から人体へ
の感電を起こすことは無い。また、浮遊容量Coは小さく
低インピーダンスになるのは周波数も100KHz〜数MHz程
度になることから、高周波阻止コイル６は小型小容量の
もので済む。また、冷却フィン２の枠体への絶縁取付け
は数ボルトのもので十分になりシンプルで容易なもので
済む。
なお、実施例ではインバータ本体９の素子を冷却する冷
却フィン２に高周波阻止コイル６を設ける場合を示す
が、整流器７のダイオードを冷却フィン２に一括取付け
を行う構造又は専用の冷却フィンを持つものでは別個に
アース間に高周波阻止コイルを設けることで一層の雑音
抑制を得ることができる。
却フィン２に高周波阻止コイル６を設ける場合を示す
が、整流器７のダイオードを冷却フィン２に一括取付け
を行う構造又は専用の冷却フィンを持つものでは別個に
アース間に高周波阻止コイルを設けることで一層の雑音
抑制を得ることができる。
また、主回路スイッチ素子にGTO、IGBTなど他のスイッ
チ素子を使用した電力変換装置に適用して同等の作用効
果を得ることができる。
チ素子を使用した電力変換装置に適用して同等の作用効
果を得ることができる。
G.考案の効果 以上のとおり、本考案によれば、冷却フィンとアース間
に高周波阻止コイルを設ける構造としたため、スイッチ
素子からの高周波電流が浮遊容量を通してアース側に流
れるのを抑制し、高周波雑音電圧で制御回路等が誤動作
するのを防止できる。しかも、高周波阻止を冷却フィン
とアース間で行うことで小型で小容量かつ少しのコイル
を使用して高周波雑音抑制を確実，容易にする。
に高周波阻止コイルを設ける構造としたため、スイッチ
素子からの高周波電流が浮遊容量を通してアース側に流
れるのを抑制し、高周波雑音電圧で制御回路等が誤動作
するのを防止できる。しかも、高周波阻止を冷却フィン
とアース間で行うことで小型で小容量かつ少しのコイル
を使用して高周波雑音抑制を確実，容易にする。
第１図は本考案の一実施例を示す素子取付構造図、第２
図は本考案をトランジスタインバータに適用した実施例
の回路図、第３図は従来のパワートランジスタ取付構造
図、第４図はパワートランジスタの層構成図である。 １……パワートランジスタ、２……冷却フィン、６……
高周波素子コイル。
図は本考案をトランジスタインバータに適用した実施例
の回路図、第３図は従来のパワートランジスタ取付構造
図、第４図はパワートランジスタの層構成図である。 １……パワートランジスタ、２……冷却フィン、６……
高周波素子コイル。
Claims (1)
- 【請求項１】主回路の半導体スイッチ素子を電気絶縁し
て冷却フィンに取付けてその放熱を得る電力変換装置に
おいて、前記冷却フィンは装置枠体から電気的に絶縁し
た取付けをしかつ高周波阻止コイルを介してアースに接
続した構造を特徴とする電力変換装置の素子取付構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988099418U JPH0719166Y2 (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 電力変換装置の素子取付構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988099418U JPH0719166Y2 (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 電力変換装置の素子取付構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0220346U JPH0220346U (ja) | 1990-02-09 |
| JPH0719166Y2 true JPH0719166Y2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=31326559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988099418U Expired - Lifetime JPH0719166Y2 (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 電力変換装置の素子取付構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719166Y2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2896454B2 (ja) * | 1992-11-25 | 1999-05-31 | 株式会社日立製作所 | インバータ装置 |
| JP2903950B2 (ja) * | 1993-06-22 | 1999-06-14 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置 |
| JPH10285935A (ja) * | 1997-04-04 | 1998-10-23 | Mitsubishi Electric Corp | インバータ装置 |
| DE10019696B4 (de) * | 1999-04-22 | 2007-06-06 | International Rectifier Corp., El Segundo | Schaltung zur Verringerung von Störstrahlung in Motorspeiseschaltungsanwendungen |
| JP3402326B2 (ja) * | 2001-08-01 | 2003-05-06 | 松下電器産業株式会社 | インバータ電源装置 |
| JP2005278384A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-10-06 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体電力変換装置 |
| JP2006115649A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 電力変換装置 |
| JP6948821B2 (ja) * | 2017-04-24 | 2021-10-13 | 日本ケミコン株式会社 | コンデンサのノイズ低減回路および電源装置 |
-
1988
- 1988-07-27 JP JP1988099418U patent/JPH0719166Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0220346U (ja) | 1990-02-09 |
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