JPH07192254A - Magnetic disk and manufacturing method thereof - Google Patents
Magnetic disk and manufacturing method thereofInfo
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- JPH07192254A JPH07192254A JP33463093A JP33463093A JPH07192254A JP H07192254 A JPH07192254 A JP H07192254A JP 33463093 A JP33463093 A JP 33463093A JP 33463093 A JP33463093 A JP 33463093A JP H07192254 A JPH07192254 A JP H07192254A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスクおよびそ
の製造方法に係り、特に大型コンピュ−タからパ−ソナ
ルコンピュ−タ−までの広い範囲で用いられる高密度磁
気ディスク装置に搭載するのに好適な磁気ディスクおよ
びその製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic disk and a method for manufacturing the same, and more particularly to mounting on a high-density magnetic disk device used in a wide range from a large computer to a personal computer. The present invention relates to a suitable magnetic disk and a manufacturing method thereof.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、コンピュ−タ−等に用いられる磁
気記憶装置の小型化、大容量化に伴い、高記録密度、高
信頼性を有する磁気記録媒体が要求されている。一般に
記録密度を向上させるためには磁気記録膜と磁気ヘッド
との距離をできるだけ小さくする必要があり、このため
に磁性膜の保護膜として用いられている非晶質炭素膜
は、できるだけ薄膜化し、なおかつ強度が必要とされて
いる。さらに、薄膜磁気ヘッド(以下、MRヘッドと略
称)方式にも対応するために絶縁性の高い炭素膜が要求
されている。2. Description of the Related Art In recent years, with the miniaturization and increase in capacity of magnetic storage devices used in computers and the like, there has been a demand for magnetic recording media having high recording density and high reliability. Generally, in order to improve the recording density, it is necessary to make the distance between the magnetic recording film and the magnetic head as small as possible. Therefore, the amorphous carbon film used as a protective film for the magnetic film should be as thin as possible, Moreover, strength is required. Further, a carbon film having a high insulating property is required in order to support a thin film magnetic head (hereinafter abbreviated as MR head) system.
【0003】以上のことより、近年では非晶質炭素膜の
研究が多数行われるようになってきており、その膜質と
耐摺動特性の関係が調べられている。特にラマンスペク
トルや水素含有量による膜質の評価がさかんに行われて
いる。例えば、特開平2−29919号公報では、ラマ
ンスペクトルのピ−ク位置とピ−ク比とを規定した磁気
記録媒体、特開昭62−241124号公報ではラマン
スペクトルのピ−ク位置、ビッカ−ス硬さ、比抵抗を規
定した磁気記録媒体、また水素含有量では、特開平1−
258220号公報で水素含有量を規定した高硬度スラ
イダ−用磁気ディスク、特開平2−71422号公報で
は水素含有量とラマンスペクトルのピ−ク位置を規定
し、それぞれ磁気記録媒体の耐摺動性を向上させてい
る。From the above, a lot of research has been conducted on amorphous carbon films in recent years, and the relationship between the film quality and sliding resistance has been investigated. Especially, the evaluation of the film quality based on the Raman spectrum and the hydrogen content has been actively conducted. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-29919 discloses a magnetic recording medium which defines a peak position and a peak ratio of a Raman spectrum, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-241124 discloses a peak position of a Raman spectrum and a Vickers. In a magnetic recording medium having a specified hardness and specific resistance, and a hydrogen content,
No. 258220 discloses a magnetic disk for a high-hardness slider in which the hydrogen content is specified, and in JP-A-2-71422, the hydrogen content and the peak position of the Raman spectrum are specified, and the sliding resistance of the magnetic recording medium is determined. Is improving.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
記録密度向上の要求は非常に厳しく、ヘッドの浮上スペ
−スが極限まで小さくなっていること、及びデ−タ転送
速度の向上のため回転数が上げられていること等のた
め、上記従来技術では、最適な耐摺動特性を示す膜質を
得ることができないのが実状である。However, in recent years, the demand for improving the recording density is extremely strict, and the flying space of the head is extremely small, and the number of revolutions is increased to improve the data transfer speed. In fact, it is not possible to obtain a film quality exhibiting an optimum sliding resistance property with the above-mentioned conventional technique because of the increase in the film thickness.
【0005】したがって、本発明の目的は、上記従来の
非晶質炭素膜の膜構造を改良し、総合的に磁気ディスク
として最も優れた耐摺動特性が達成できる非晶質炭素膜
を得ることによって低浮上、高速回転でも耐え得る磁気
ディスクを提供することにある。Therefore, an object of the present invention is to improve the film structure of the above-mentioned conventional amorphous carbon film and obtain an amorphous carbon film capable of achieving the most excellent sliding resistance as a magnetic disk as a whole. Therefore, it is to provide a magnetic disk that can withstand low flying and rotate at high speed.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】そこで本発明者等は上記
目的を達成するために非晶質炭素膜の膜質を厳密に検討
し、最も性能の良い膜質範囲を見出べく、種々実験検討
した。従来のラマンスペクトルにおけるラマンシフトが
1550〜1600cm-1にピークが存在する波形Aと
1350〜1400cm-1にピークが存在する波形B
と、そのピーク強度比B/Aが0.4〜0.7の膜質を
ベースに検討したところ、以外にもこれらの条件が外れ
た領域において、しかもその他の条件をも加味したとこ
ろでさらに優れた特性の得られることを見出した。In order to achieve the above object, the inventors of the present invention rigorously examined the film quality of the amorphous carbon film and conducted various experiments to find the film quality range with the best performance. . Waveform A having a peak at a Raman shift of 1550 to 1600 cm -1 and waveform B having a peak at 1350 to 1400 cm -1 in a conventional Raman spectrum.
And a peak strength ratio B / A of 0.4 to 0.7 was investigated as a base, and in addition to the above, in the region where these conditions were deviated, and other conditions were also taken into consideration, it was more excellent. It was found that the characteristics could be obtained.
【0007】すなわち、本発明はかかる知見に基づいて
なされたものであり、その検討結果について具体的に述
べれば、以下の通りである。That is, the present invention has been made on the basis of such findings, and the results of the study will be specifically described as follows.
【0008】実験、検討した項目としては、ラマンスペ
クトルを2つのピークに分離し、それぞれのピーク位置
及び半値幅、ピーク面積比と摩耗量との関係、さらには
膜の密度、密度と燃焼開始温度との関係、膜中の水素原
子の含有率、水素原子密度、膜の抵抗率等である。[0008] As an item examined and examined, the Raman spectrum was separated into two peaks, the respective peak positions and half widths, the relationship between the peak area ratio and the wear amount, and further, the film density, the density and the combustion starting temperature. , The content of hydrogen atoms in the film, the hydrogen atom density, the resistivity of the film, and the like.
【0009】まず、上記ラマンスペクトルのピーク分離
の方法について述べる。ラマンスペクトルはアルゴンレ
ザー(514.5nm)を用いて測定し、その結果の波
形をガウス関数で二つに分離し、得られた二つの波形を
非線形最小二乗法により最適化を行った。その一例を図
1に示す。このようにして分離された波形で1537c
m-1付近にピークをもつ波形をA、1328cm-1付近
のピークを持つ波形をBとし、それぞれのピーク位置、
半値幅、ピーク面積比(B/A)を求めた。First, a method for separating the peaks of the Raman spectrum will be described. The Raman spectrum was measured using an argon laser (514.5 nm), the resulting waveform was separated into two by a Gaussian function, and the two obtained waveforms were optimized by the nonlinear least squares method. One example is shown in FIG. 1537c with the waveform separated in this way
The waveform having a peak near m −1 is A, and the waveform having a peak near 1328 cm −1 is B.
The full width at half maximum and the peak area ratio (B / A) were determined.
【0010】その結果、非磁性基板上に、磁気記録膜、
非晶質炭素膜、潤滑膜を積層した磁気ディスクにおい
て、励起波長514.5nmにて得られたラマン散乱分
光測定によって前記非晶質炭素膜のラマンスペクトルの
波形を二つのガウス関数型波形に分離したとき、一方の
波形Aのピーク位置が1555〜1520cm-1、好ま
しくは、1545〜1520cm-1であり、他方の波形
Bのピーク位置が1320〜1360cm-1であり、こ
れら二つの波形の半値幅における面積比(B/A)が
0.4〜1.6である非晶質炭素膜を保護層とすること
により、耐摺動性の優れた磁気ディスクを得ることがで
きる。As a result, on the non-magnetic substrate, the magnetic recording film,
In a magnetic disk in which an amorphous carbon film and a lubricating film are laminated, the Raman spectrum waveform of the amorphous carbon film is separated into two Gaussian function type waveforms by Raman scattering spectroscopy measurement obtained at an excitation wavelength of 514.5 nm. Then, the peak position of one waveform A is 1555 to 1520 cm −1 , preferably 1545 to 1520 cm −1 , and the peak position of the other waveform B is 1320 to 1360 cm −1. By using the amorphous carbon film having the area ratio (B / A) in the value range of 0.4 to 1.6 as the protective layer, a magnetic disk having excellent sliding resistance can be obtained.
【0011】このときの波形Aのピーク位置の半値幅
は、80cm-1以上、好ましくは80〜120cm-1で
あり、波形Bのピーク位置の半値幅は、120〜160
cm-1であった。なお、従来のスパッタカーボンの半値
幅は波形Aのピーク位置で60〜70cm-1であり、波
形Bの位置で160〜170cm-1である。The half-value width of the peak position of the waveform A at this time is 80 cm −1 or more, preferably 80 to 120 cm −1 , and the half-value width of the peak position of the waveform B is 120 to 160.
It was cm -1 . Incidentally, the half-value width of a conventional sputtered carbon is 60~70Cm -1 peak position of the waveform A, a 160~170Cm -1 at the position of the waveform B.
【0012】さらに性能を向上させるためには、非晶質
炭素膜の密度が1.65〜2.0g/cm3であり、膜
中の水素の含有率が20〜45原子%、そのときの水素
原子密度が2〜5×1022/cm3の範囲に規定するの
が良く、さらに耐摺動性の優れた磁気ディスクが得られ
る。In order to further improve the performance, the density of the amorphous carbon film is 1.65 to 2.0 g / cm 3 , and the hydrogen content in the film is 20 to 45 atom%. The hydrogen atom density is preferably specified in the range of 2 to 5 × 10 22 / cm 3 , and a magnetic disk having excellent sliding resistance can be obtained.
【0013】なお、非晶質炭素膜の密度、膜中の水素原
子密度、水素原子の含有率はHFS(水素前方散乱分
析)とRBS(ラザフォード後方散乱分析)により測定
した。この方法は、他の方法では困難な表面層の高濃度
水素の定量が可能である。ヘリウムイオンエネルギー
(2.275MeV)に対して30゜に検出器をセット
し、試料表面をビームに対して常に15゜になるように
を回転させることにより、試料の前方に散乱する水素の
シグナルを測定し、同時に、イオンの入射ビームに対し
て160゜の角度に検出器をセットし炭素のシグナルを
測定した。The density of the amorphous carbon film, the hydrogen atom density in the film, and the hydrogen atom content were measured by HFS (hydrogen forward scattering analysis) and RBS (Rutherford back scattering analysis). This method can quantify high-concentration hydrogen in the surface layer, which is difficult with other methods. By setting the detector at 30 ° with respect to the helium ion energy (2.275 MeV) and rotating the sample surface so that it is always at 15 ° with respect to the beam, the hydrogen signal scattered in front of the sample can be measured. At the same time, the detector was set at an angle of 160 ° with respect to the incident beam of ions, and the carbon signal was measured.
【0014】また、磁気ヘッドとの組み合わせで考える
と、例えばMRヘッドを用いる場合、磁気ディスクの保
護膜として用いられている非晶質炭素膜には高絶縁性が
要求されるが、本発明によれば非晶質炭素膜の抵抗率が
105Ωcm以上のものが得られ、ある程度磁気ヘッド
の種類に影響されず耐摺動性の優れた磁気ディスクが得
られる。Considering the combination with a magnetic head, for example, when an MR head is used, the amorphous carbon film used as a protective film of a magnetic disk is required to have high insulation. According to this, the amorphous carbon film having a resistivity of 10 5 Ωcm or more can be obtained, and a magnetic disk excellent in sliding resistance can be obtained without being affected by the kind of the magnetic head to some extent.
【0015】本発明の非晶質炭素膜の作成には、種々の
成膜方法が採用できる。例えば成膜室に原料ガスを供給
してプラズマCVD法により炭素膜を磁気記録膜上に形
成するに際し、原料ガスとして炭化水素系、炭化水素系
+H2、炭化水素系+O2、またはCF4、CF4+H2の
何れかを用いて、基板温度及びプラズマ発生電力を所定
の条件に設定して反応性気体から成膜する方法、さらに
具体的に一例を挙げれば、基板温度を例えば200℃前
後に保持してメタンガスを用いてRFプラズマCVDに
より成膜する方法である。Various film forming methods can be adopted for forming the amorphous carbon film of the present invention. For example, when a carbon film is formed on a magnetic recording film by supplying a source gas to a film forming chamber by a plasma CVD method, a hydrocarbon type, a hydrocarbon type + H 2 , a hydrocarbon type + O 2 , or CF 4 , is used as a source gas. A method of forming a film from a reactive gas by setting the substrate temperature and the plasma generation power to predetermined conditions using any of CF 4 + H 2 , and more specifically, for example, the substrate temperature is about 200 ° C. It is a method of forming a film by RF plasma CVD using methane gas while maintaining the temperature.
【0016】また、成膜室に炭素質ターゲットを配設
し、原料ガスを供給してマグネトロンスパッタ法により
炭素膜を磁気記録膜上に形成するに際し、前記原料ガス
としてCH4、CH4+Ar、Ar+O2、CH4+H2の
何れかを用いて、基板温度及びプラズマ発生電力を所定
の条件に設定してスパッタリングにより成膜する方法、
さらに具体的に一例を挙げれば、基板温度を例えば37
3K以下(好ましくは室温程度)に保持して、炭素質タ
ーゲットを用いると共に、アルゴンガスとメタンガス
(CH4+Ar)を導入するDCマグネトロンスパッタ
リング法により成膜する方法である。When a carbonaceous target is provided in the film forming chamber and a raw material gas is supplied to form a carbon film on the magnetic recording film by the magnetron sputtering method, CH 4 , CH 4 + Ar, A method of forming a film by sputtering using Ar + O 2 or CH 4 + H 2 with the substrate temperature and plasma generation power set to predetermined conditions,
More specifically, for example, the substrate temperature is set to 37
This is a method of holding the film at 3 K or less (preferably about room temperature), using a carbonaceous target, and forming a film by a DC magnetron sputtering method in which an argon gas and a methane gas (CH 4 + Ar) are introduced.
【0017】非磁性基板には、アルミ、ガラス、セラッ
ミクなどの非磁性材料を用いるのが好ましく、磁性膜に
は、例えば、Co−Cr系合金などが用いられる。It is preferable to use a non-magnetic material such as aluminum, glass or ceramics for the non-magnetic substrate, and for the magnetic film, for example, a Co-Cr type alloy or the like is used.
【0018】また、近年磁気記録膜としてCr層、Co
系合金層を順次交互に二層づつ積層して二層構造の磁性
膜とすることによりノイズが低減することが知られてお
り、この積層された磁性膜の上に本発明の非晶質炭素膜
を形成することにより、ノイズが低く、耐摺動特性が優
れていることより、記録密度の向上が得られる。In recent years, a Cr layer and Co have been used as a magnetic recording film.
It is known that noise is reduced by alternately stacking two series alloy layers to form a magnetic film having a two-layer structure. The amorphous carbon of the present invention is formed on the stacked magnetic films. By forming the film, the noise is low and the sliding resistance is excellent, so that the recording density can be improved.
【0019】なお、摩耗量の測定は、非晶質炭素膜を堆
積させた基板を回転させ、この基板上に一定荷重のサフ
ァイヤ摺動子を押しつけ、これにより摩耗した非晶質炭
素膜の体積を測定し、これを相対摩耗量として評価し
た。The amount of wear was measured by rotating the substrate on which the amorphous carbon film was deposited and pressing a sapphire slider with a constant load onto the substrate, and the volume of the amorphous carbon film worn by this was measured. Was measured and evaluated as the relative wear amount.
【0020】[0020]
【作用】本発明において、性能の優れた非晶質炭素保護
膜が得られるのは以下の理由による。すなわち、ラマン
スペクトルの波形を二つのガウス関数型の波形に分離し
たとき、Aのピークは1580cm-1にあるグラファイ
ト(sp2結合)のピークに起因するものと考えられる
ため、sp2成分を減少させるためにはAのピーク位置
が変化し、半値幅が広がることが考えられる。そこでA
のピーク位置と非晶質炭素膜の摩耗量との関係を調べて
みると図2のような結果となり、ピーク位置が1580
cm-1以下で摩耗量は低下し、特に1555〜1520
cm-1でその傾向は顕著に現れ、1580cm-1の摩耗
量に対し1540cm-1のそれは約4倍低かった。ま
た、そのときのAの半値幅は80cm-1〜120cm-1
が好ましく、従来の60〜70cm-1に比べより広くな
っていることがわかった。In the present invention, the reason why the amorphous carbon protective film having excellent performance can be obtained is as follows. That is, when the waveform of the Raman spectrum is separated into two Gaussian function type waveforms, the peak of A is considered to be due to the peak of graphite (sp 2 bond) at 1580 cm −1 , and therefore the sp 2 component is reduced. In order to do so, it is considered that the peak position of A changes and the half-value width widens. So A
When the relationship between the peak position and the amount of wear of the amorphous carbon film is investigated, the result is as shown in FIG. 2, and the peak position is 1580.
The wear amount decreases at cm -1 or less, and particularly 1555 to 1520
This trend in cm -1 is conspicuous, that of 1540 cm -1 to the wear amount of 1580 cm -1 was about 4-fold lower. Further, the half-width of A at that time 80cm -1 ~120cm -1
It was found that it is wider than the conventional 60 to 70 cm −1 .
【0021】また、Bのピークは無秩序な2重結合をも
つ微結晶に起因するものと考えられており、このピーク
位置が高波数側に移動するとクラスターサイズの大きな
結晶の比率が多くなると考えられるために、ピーク位置
は1350cm-1以下が望ましく、摩耗量の結果から考
えると1320〜1360cm-1の範囲が好ましい。Further, the peak of B is considered to be caused by a microcrystal having a disordered double bond, and it is considered that the proportion of crystals having a large cluster size increases when the position of this peak moves to the high wave number side. Therefore, the peak position is preferably 1350 cm -1 or less, and considering the wear amount result, the range of 1320 to 1360 cm -1 is preferable.
【0022】図3および図4は、ピーク面積比(B/
A)と応力および摩耗量との関係について示したもので
あり、ピーク面積比(B/A)が0.4より小さくなる
と有機的な膜となり応力(図3に表示)が低下し、それ
に反して摩耗量(図4に表示)が増加する。また、1.
6より大きくなると膜中のグラファイト成分の割合が増
加し応力が低下し、同様に摩耗量が増加する。したがっ
て、ピーク面積比は摩耗量の少ない0.4〜1.6の範
囲にあることが好ましい。FIGS. 3 and 4 show the peak area ratio (B /
A) shows the relationship between stress and wear amount. When the peak area ratio (B / A) becomes smaller than 0.4, an organic film is formed and the stress (shown in FIG. 3) decreases, which is contrary to the above. Wear amount (shown in FIG. 4) increases. Also, 1.
When it is larger than 6, the proportion of the graphite component in the film increases, the stress decreases, and the amount of wear also increases. Therefore, the peak area ratio is preferably in the range of 0.4 to 1.6 where the amount of wear is small.
【0023】なお、ピーク面積とは、図1中に斜線で表
示したようにA、Bピーク高さのそれぞれ1/2、すな
わち、半値幅における相対強度の面積であり、ピーク面
積比はこれら二つの波形の面積比(B/A)で、Aのピ
ーク面積でBのそれを除した値である。The peak area is 1/2 of the height of A and B peaks, that is, the area of the relative intensity in the half-value width, as indicated by the diagonal lines in FIG. The area ratio of two waveforms (B / A) is the value obtained by dividing that of B by the peak area of A.
【0024】高密度記録になると益々磁気ヘッドの浮上
量が低下し、ディスクの回転速度が上昇する。それに伴
い、ヘッドとディスクの間で摩擦が起こりディスク表面
が高温度になり、ディスクは燃焼による摩耗が進行する
と考えられ、できるだけ燃焼開始温度の高い保護膜が必
要となる。そこで、上記ラマン特性を満足する条件下で
炭素膜の密度と燃焼開始温度との関係について詳細に検
討したところ、図5に示す結果を得た。上記ラマン特性
を満足する条件下では摩耗量、絶縁特性については指針
になるが、耐燃焼性についてはさらに別の条件が必要と
なり、密度が深い関係を有していることがこの特性図か
ら明らかとなった。With high-density recording, the flying height of the magnetic head decreases and the rotational speed of the disk increases. Along with this, it is considered that friction occurs between the head and the disk and the temperature of the disk surface becomes high, and the disk is abraded by combustion, and a protective film having a combustion starting temperature as high as possible is required. Therefore, when the relationship between the density of the carbon film and the combustion starting temperature was examined in detail under the condition satisfying the Raman characteristics, the results shown in FIG. 5 were obtained. Under the conditions that satisfy the above Raman characteristics, the amount of wear and the insulation characteristics serve as guidelines, but it is clear from this characteristic diagram that another condition is required for the combustion resistance, and the density has a deep relationship. Became.
【0025】すなわち、特定範囲の密度は、燃焼開始温
度を高める作用があり、従来の非晶質炭素膜の燃焼開始
温度が、高々523〜573Kであったのに対し、本発
明の好ましい密度である1.65〜2.0g/cm3で
は623〜673Kに上昇し、好ましいラマン特性の規
制による性能向上に加えて、さらに密度規制による性能
向上が図られた。That is, the density in the specific range has an effect of increasing the combustion start temperature, and the combustion start temperature of the conventional amorphous carbon film was at most 523 to 573 K, while the density of the present invention is preferable. At a certain value of 1.65 to 2.0 g / cm 3 , the temperature increased to 623 to 673 K, and in addition to the performance improvement due to the preferable regulation of Raman characteristics, the performance improvement due to the density regulation was further attempted.
【0026】図6は、密度と摩耗量との関係について検
討した結果であり、スパッタリングと正バイアスプラズ
マCVD法の二つの製造方法による違いを示している。
いずれの製造方法においても、上記の好ましい密度範囲
内(1.65〜2.0g/cm3)では低い摩耗量を示
している。そして、スパッタリングよりは正バイアスプ
ラズマCVD法の方が耐摩耗性に優れた膜質を示してい
る。FIG. 6 is a result of studying the relationship between the density and the wear amount, and shows the difference between the two manufacturing methods, that is, the sputtering method and the positive bias plasma CVD method.
In any of the manufacturing methods, a low wear amount is shown within the above preferable density range (1.65 to 2.0 g / cm 3 ). Further, the positive bias plasma CVD method exhibits a film quality superior in abrasion resistance to sputtering.
【0027】次に、図7は膜中の水素の含有率と摩耗量
の関係を示している。水素の含有率(原子%)は20〜
45%の範囲では良好な結果を示しているが、20%よ
り少ない領域ではグラファイト成分の増加、45%より
多い領域では有機膜になっていると考えられ摩耗量の急
激な増加が認められた。特に、そのときの水素原子密度
が2〜5×1022原子/cm3であると好ましい。Next, FIG. 7 shows the relationship between the hydrogen content in the film and the amount of wear. Hydrogen content (atomic%) is 20-
A good result is shown in the range of 45%, but it is considered that the graphite component increases in the region of less than 20% and the organic film is formed in the region of more than 45%, and a rapid increase in the amount of wear was observed. . In particular, the hydrogen atom density at that time is preferably 2 to 5 × 10 22 atoms / cm 3 .
【0028】さらに抵抗率の異なる非晶質炭素膜を実デ
ィスク上に堆積させ、MRヘッドを用いて検討したが、
上記本発明のラマン特性、さらには好ましい密度の条件
を満たす非晶質炭素膜は、いずれも比抵抗105Ωcm
以上を示し良好な駆動状態を保持したが、上記本発明の
条件を満たさない膜の場合は比抵抗105Ωcm未満と
なり非晶質炭素膜上に帯電が生じ、MRヘッド素子が破
壊した。Further, amorphous carbon films having different resistivities were deposited on an actual disk and examined using an MR head.
The amorphous carbon films satisfying the Raman characteristics and the preferable density of the present invention described above all have a specific resistance of 10 5 Ωcm.
Although the good driving state was maintained as described above, in the case of the film which did not satisfy the above conditions of the present invention, the specific resistance was less than 10 5 Ωcm, and the MR head element was destroyed due to charging on the amorphous carbon film.
【0029】また、保護膜としての非晶質炭素膜の膜厚
は10nmより薄い場合には、現状の技術では膜が基板
上に均一に成膜されない状況にあり、また、均一に成膜
されたとしてもその強度はかなり低い。逆に50nmよ
り厚いと磁気記録膜との距離が増加し、電磁変換特性が
悪化するので高密度記録には好ましくない。よって保護
膜としての非晶質炭素膜の膜厚は10〜50nmが好ま
しい。When the film thickness of the amorphous carbon film as the protective film is thinner than 10 nm, the film cannot be uniformly formed on the substrate by the current technology, and the film is evenly formed. Even so, its strength is quite low. On the other hand, if it is thicker than 50 nm, the distance from the magnetic recording film increases and the electromagnetic conversion characteristics deteriorate, which is not preferable for high density recording. Therefore, the thickness of the amorphous carbon film as the protective film is preferably 10 to 50 nm.
【0030】[0030]
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明
する。なお、この項の末尾には参考データとしての比較
例を示した。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. A comparative example as reference data is shown at the end of this section.
【0031】(実施例1)図8は本発明の一実施例とな
る磁気ディスクの断面図である。同図において、1はア
ルミ合金基板、2は基板1上に無電解めっきによって形
成されたNi−P合金膜、3はスパッタリング法により
形成したCr下地膜、4はスパッタリング法によって形
成したCo−Cr系磁性膜、5は本発明の非晶質炭素
膜、6は潤滑膜である。(Embodiment 1) FIG. 8 is a sectional view of a magnetic disk according to an embodiment of the present invention. In the figure, 1 is an aluminum alloy substrate, 2 is a Ni-P alloy film formed on the substrate 1 by electroless plating, 3 is a Cr base film formed by a sputtering method, and 4 is Co-Cr formed by a sputtering method. A magnetic system film, 5 is an amorphous carbon film of the present invention, and 6 is a lubricating film.
【0032】先ず、図8のNi−P合金膜2を形成した
ディスク基板を試料とし、このときのNi−P合金膜2
の表面に平均粗さRa10nmのテクスチャー加工を施
し、下地膜3としてCrを100nm、次いで磁性膜4
としてCo−Cr−Ta磁性合金膜を45nmを形成
し、その上に正バイアスプラズマCVDにより本発明の
非晶質炭素膜を20nm積層した。First, the disk substrate on which the Ni—P alloy film 2 of FIG. 8 is formed is used as a sample, and the Ni—P alloy film 2 at this time is used.
The surface of is subjected to texture processing with an average roughness Ra of 10 nm, Cr is 100 nm as the base film 3, and then the magnetic film 4 is used.
As a film, a Co-Cr-Ta magnetic alloy film having a thickness of 45 nm was formed, and the amorphous carbon film of the present invention was laminated thereon to a thickness of 20 nm by positive bias plasma CVD.
【0033】以下、非晶質炭素膜5の作成方法の一例に
ついて詳細に述べる。先ず、図示していないCVD装置
を用いて、真空ポンプにより真空チャンバー内を1×1
0-6Torrまで排気する。次にメタンガス(CH4)
を導入し、このときのガス流量は10sccm、ガス圧
は50mTorrに調整する。An example of a method for forming the amorphous carbon film 5 will be described below in detail. First, using a CVD apparatus (not shown), the inside of the vacuum chamber was 1 × 1 by a vacuum pump.
Exhaust to 0 -6 Torr. Next, methane gas (CH 4 )
Is introduced, and the gas flow rate at this time is adjusted to 10 sccm and the gas pressure is adjusted to 50 mTorr.
【0034】そして13.56MHzの高周波電源によ
り1000Wを投入し、チャンバー内にプラズマ放電を
発生させる。このときの基板温度は473Kに設定し
た。このようにして膜厚20nmの非晶質炭素膜5を積
層した。Then, 1000 W is applied by a high frequency power source of 13.56 MHz to generate plasma discharge in the chamber. The substrate temperature at this time was set to 473K. In this way, the amorphous carbon film 5 having a film thickness of 20 nm was laminated.
【0035】この正バイアスプラズマCVD法から形成
された非晶質炭素膜の膜質は以下の通りであった。The film quality of the amorphous carbon film formed by this positive bias plasma CVD method was as follows.
【0036】(1)ラマンスペクトルを二つのピークに
分離した波形のAバンドピーク位置は、1537c
m-1、Bバンドピーク位置は1329cm-1、Aバンド
半値幅は87cm-1、Bバンド半値幅は144cm-1、
ピーク面積比(B/A)は0.58であった。(1) The A band peak position of the waveform obtained by separating the Raman spectrum into two peaks is 1537c.
m -1, B band peak position 1329cm -1, A half band width 87cm -1, B half band width 144cm -1,
The peak area ratio (B / A) was 0.58.
【0037】(2)非晶質炭素膜の密度は1.85g/
cm3で燃焼開始温度は673Kであった。また、水素
原子の含有率は38%、水素原子密度は4.2×1022
原子/cm3であった。(2) The density of the amorphous carbon film is 1.85 g /
The combustion starting temperature was 673 K in cm 3 . The hydrogen atom content rate is 38%, and the hydrogen atom density is 4.2 × 10 22.
It was atoms / cm 3 .
【0038】(3)この非晶質炭素膜を保護膜として形
成した磁気ディスクについて、実用機薄膜ヘッドを用い
てCSS試験(コンタクト・スタート・ストップ試験の
略)を行ったところ、50k回以上になっても摩擦係数
は変化せずディスクのクラッシュは起こらなかった。ま
た、この炭素膜の比抵抗は1012Ωcmであった。(3) A CSS test (abbreviation of contact start / stop test) was carried out on a magnetic disk formed with this amorphous carbon film as a protective film using a thin film head for practical use. However, the friction coefficient did not change and the disk did not crash. The specific resistance of this carbon film was 10 12 Ωcm.
【0039】(実施例2)この例は、実施例1において
非晶質炭素膜5の形成方法として用いた正バイアスプラ
ズマCVDの代わりに、DCマグネトロンスパッタリン
グにより形成したものである。(Example 2) This example is formed by DC magnetron sputtering instead of the positive bias plasma CVD used as the method for forming the amorphous carbon film 5 in Example 1.
【0040】実施例1と同様の手法により、図8のNi
−P合金膜2の表面に平均粗さRa10nmのテクスチ
ャー加工を施し、下地膜3としてCrを100nm、磁
性膜4としてCo−Cr−Ta磁性合金を45nmを形
成し、その上にDCマグネトロンスパッタリングにより
本発明の非晶質炭素膜を20nm積層した。By the same method as in Example 1, the Ni of FIG.
The surface of the -P alloy film 2 is textured to have an average roughness Ra of 10 nm, Cr is 100 nm as the underlayer film 3, and Co-Cr-Ta magnetic alloy is 45 nm as the magnetic film 4, and DC magnetron sputtering is performed on the Cr film. The amorphous carbon film of the present invention was laminated to a thickness of 20 nm.
【0041】以下、非晶質炭素膜5の作成方法について
詳細に述べる。先ず、図示していないDCマグネトロン
スパッタリング成膜装置を用いて、真空ポンプにより真
空チャンバー内を1×10-6Torrまで排気する。次
にメタンガス(CH4)とアルゴンガス(Ar)を導入
し、このときのガス流量はメタンガス20sccm、ア
ルゴンガス30sccm、ガス圧は4mTorrに調整
する。ターゲットはグラファイトを用い、DC電源によ
り4kWを投入し、チャンバー内にプラズマ放電を発生
させる。このときの基板温度は室温で行った。The method of forming the amorphous carbon film 5 will be described in detail below. First, the inside of the vacuum chamber is evacuated to 1 × 10 −6 Torr by a vacuum pump using a DC magnetron sputtering film forming apparatus (not shown). Next, methane gas (CH 4 ) and argon gas (Ar) are introduced, and the gas flow rate at this time is adjusted to 20 sccm of methane gas, 30 sccm of argon gas, and the gas pressure is 4 mTorr. Graphite is used as a target, and 4 kW is applied by a DC power source to generate plasma discharge in the chamber. The substrate temperature at this time was room temperature.
【0042】このDCマグネトロンスパッタ法から形成
された非晶質炭素膜5の膜質は、以下の通りである。The film quality of the amorphous carbon film 5 formed by this DC magnetron sputtering method is as follows.
【0043】(1)ラマンスペクトルを二つのピークに
分離した波形のAバンドピーク位置は、1544c
m-1、Bバンドピーク位置は1352cm-1、Aバンド
半値幅は89cm-1、Bバンド半値幅は137cm-1、
ピーク面積比(B/A)は0.62であった。(1) The A band peak position of the waveform obtained by separating the Raman spectrum into two peaks is 1544c.
m -1, B band peak position 1352cm -1, A half band width 89cm -1, B half band width 137 cm -1,
The peak area ratio (B / A) was 0.62.
【0044】(2)非晶質炭素膜の密度は1.7g/c
m3で燃焼開始温度は643Kであった。また、水素原
子の含有率は30%、水素原子密度は5×1022原子/
cm3であった。(2) The density of the amorphous carbon film is 1.7 g / c.
The combustion starting temperature was 643 K at m 3 . The hydrogen atom content rate is 30%, and the hydrogen atom density is 5 × 10 22 atoms /
It was cm 3 .
【0045】(3)また、この膜のCSS試験を行った
ところ、実施例1の場合と同様に50k回以上になって
も摩擦係数は変化せず、ディスクのクラッシュは起こら
ずに良好な結果を示した。また、この炭素膜の比抵抗は
1010Ωcmであった。(3) Further, a CSS test of this film was carried out. As with the case of Example 1, the friction coefficient did not change even after 50 k times or more, and a good result was obtained without causing a disk crash. showed that. The specific resistance of this carbon film was 10 10 Ωcm.
【0046】(実施例3)実施例1の図1に示した構造
の磁気ディスクを用いて、実際にMRヘッドを浮上させ
て非晶質炭素膜5の放電耐圧を測定した。本発明の非晶
質炭素膜では印加電圧10Vまでは、MR素子の破壊は
起こらず良好な絶縁特性を示した。Example 3 Using the magnetic disk having the structure shown in FIG. 1 of Example 1, the MR head was actually levitated and the discharge breakdown voltage of the amorphous carbon film 5 was measured. With the amorphous carbon film of the present invention, the MR element did not break down and an excellent insulating property was exhibited up to an applied voltage of 10V.
【0047】(実施例4)磁気ディスクと、この磁気デ
ィスクに情報を記録再生する磁気ヘッド(MRヘッド使
用)と、磁気ディスクを回転させる回転機構部と、磁気
ヘッドからの入出力信号を記録再生する信号処理部とを
具備した周知の構成からなる磁気ディスク装置に、実施
例1で得た磁気ディスクを装着して低浮上、高速回転で
高密度記録、再生の性能試験を行った。その結果、50
k回以上のCSS試験においても何らヘッドクラッシュ
の発生は見られず良好な特性を示した。(Embodiment 4) A magnetic disk, a magnetic head (using an MR head) for recording / reproducing information on / from this magnetic disk, a rotating mechanism for rotating the magnetic disk, and recording / reproducing an input / output signal from the magnetic head. The magnetic disk obtained in Example 1 was mounted on a magnetic disk device having a well-known structure including a signal processing unit for performing a performance test of low flying, high-speed rotation, high-density recording, and reproduction. As a result, 50
Even in the CSS test of k times or more, no head crash was observed and good characteristics were exhibited.
【0048】(比較例1)この比較例は、実施例1と同
様に好ましい非晶質炭素膜密度を有しているが、水素含
有量およびラマン特性の結果については満たしていない
ものである。非晶質炭素膜の成膜方法としては、DCマ
グネトロンスパッタリング装置を用いて行った。なお、
磁性膜の形成工程までは実施例1と同様なので記載を省
略する。以下、炭素膜の作成方法について詳細に述べ
る。COMPARATIVE EXAMPLE 1 This comparative example has a preferable amorphous carbon film density as in Example 1, but the results of hydrogen content and Raman characteristics are not satisfied. The amorphous carbon film was formed using a DC magnetron sputtering device. In addition,
Description up to the magnetic film forming process is omitted because it is the same as in the first embodiment. Hereinafter, the method of forming the carbon film will be described in detail.
【0049】先ず、真空ポンプにより真空チャンバー内
を1×10-6Torrまで排気する。次にアルゴンガス
を導入し、このときのガス流量は、アルゴンガス30s
ccm、ガス圧は4mTorrに調整する。ターゲット
はグラファイトを用い、DC電源により4kWを投入
し、チャンバー内にプラズマ放電を発生させる。このと
きの基板温度は室温で行った。First, the vacuum chamber is evacuated to 1 × 10 -6 Torr. Next, argon gas is introduced, and the gas flow rate at this time is 30 s of argon gas.
Adjust ccm and gas pressure to 4 mTorr. Graphite is used as a target, and 4 kW is applied by a DC power source to generate plasma discharge in the chamber. The substrate temperature at this time was room temperature.
【0050】このDCマグネトロンスパッタ法から形成
された非晶質炭素膜の膜質は以下の通りである。The film quality of the amorphous carbon film formed by this DC magnetron sputtering method is as follows.
【0051】(1)ラマンスペクトルを二つのピークに
分離した波形のAバンドピーク位置は、1580c
m-1、Bバンドピーク位置は1387cm-1、Aバンド
半値幅は83cm-1、Bバンド半値幅は196cm-1、
ピーク面積比は2.70であった。 (2)非晶質炭素膜の密度は1.80g/cm3である
が、水素原子の含有率は5%、水素原子密度は1×10
22原子/cm3であった。(1) The A band peak position of the waveform obtained by separating the Raman spectrum into two peaks is 1580c.
m -1, B band peak position 1387cm -1, A half band width 83cm -1, B half band width 196cm -1,
The peak area ratio was 2.70. (2) The density of the amorphous carbon film is 1.80 g / cm 3 , but the hydrogen atom content is 5% and the hydrogen atom density is 1 × 10 5.
It was 22 atoms / cm 3 .
【0052】(3)非晶質炭素膜のCSS試験結果は、
20k回になると摩擦係数が急激に増加しディスクがク
ラッシュした。また、この非晶質炭素膜の放電耐圧は印
加電圧が3V以上で非晶質炭素膜表面に帯電が起こりM
R素子が破壊した。(3) The CSS test results of the amorphous carbon film are
At 20k, the friction coefficient sharply increased and the disk crashed. In addition, the discharge withstand voltage of this amorphous carbon film is 3 V or more and the surface of the amorphous carbon film is electrically charged when the applied voltage is 3 V or more.
The R element is destroyed.
【0053】(比較例2)この比較例は、実施例1と同
様に好ましい非晶質炭素膜密度および水素含有量を有し
ているが、ラマン特性の結果については満たしていない
ものである。非晶質炭素膜の形成条件が異なるだけで、
その他の条件は比較例1と同様なので省略し、以下、炭
素膜の作成方法について詳細に述べる。(Comparative Example 2) This Comparative Example has the same amorphous carbon film density and hydrogen content as in Example 1, but does not satisfy the results of Raman characteristics. Only the formation conditions of the amorphous carbon film are different,
The other conditions are the same as those in Comparative Example 1 and therefore omitted, and the method for forming the carbon film will be described in detail below.
【0054】先ず、真空ポンプにより真空チャンバー内
を1×10-6Torrまで排気する。次にメタンガスと
アルゴンガスとを導入し、このときのガス流量は、メタ
ンガス25sccm、アルゴンガス25sccm、ガス
圧は4mTorrに調整する。ターゲットはグラファイ
トを用い、DC電源により4kWを投入し、チャンバー
内にプラズマ放電を発生させる。このときの基板温度は
200℃で行った。First, the vacuum chamber is evacuated to 1 × 10 -6 Torr by a vacuum pump. Next, methane gas and argon gas are introduced, and the gas flow rate at this time is adjusted to 25 sccm of methane gas and 25 sccm of argon gas, and the gas pressure is adjusted to 4 mTorr. Graphite is used as a target, and 4 kW is applied by a DC power source to generate plasma discharge in the chamber. The substrate temperature at this time was 200 ° C.
【0055】このDCマグネトロンスパッタ法から形成
された非晶質炭素膜の膜質は以下の通りである。The film quality of the amorphous carbon film formed by this DC magnetron sputtering method is as follows.
【0056】(1)ラマンスペクトルを二つのピークに
分離した波形のAバンドピーク位置は、1565c
m-1、Bバンドピーク位置は1386cm-1、Aバンド
半値幅は71cm-1、Bバンド半値幅は163cm-1、
ピーク面積比は1.66であった。 (2)非晶質炭素膜の密度は1.68g/cm3である
が、水素原子の含有率は29%であった。(1) The A band peak position of the waveform obtained by separating the Raman spectrum into two peaks is 1565c.
m -1, B band peak position 1386cm -1, A half band width 71cm -1, B half band width 163cm -1,
The peak area ratio was 1.66. (2) The density of the amorphous carbon film was 1.68 g / cm 3 , but the hydrogen atom content was 29%.
【0057】(3)非晶質炭素膜のCSS試験結果は、
40k回以上になると摩擦係数が急激に増加しディスク
がクラッシュした。(3) The CSS test result of the amorphous carbon film is
At 40k or more, the friction coefficient sharply increased and the disk crashed.
【0058】(比較例3)この比較例は、実施例1と同
様に好ましい水素含有量およびラマン特性の結果を満た
しているが、非晶質炭素膜密度の条件は満たしていない
ものである。非晶質炭素膜の形成条件が異なるだけで、
その他の条件は比較例1と同様なので省略し、以下、炭
素膜の作成方法について詳細に述べる。COMPARATIVE EXAMPLE 3 This comparative example satisfies the preferable hydrogen content and Raman characteristic results as in Example 1, but does not satisfy the condition of the amorphous carbon film density. Only the formation conditions of the amorphous carbon film are different,
The other conditions are the same as those in Comparative Example 1 and therefore omitted, and the method for forming the carbon film will be described in detail below.
【0059】先ず、真空ポンプにより真空チャンバー内
を1×10-6Torrまで排気する。次にメタンガスと
アルゴンガスとを導入し、このときのガス流量は、メタ
ンガス25sccm、アルゴンガス25sccm、ガス
圧は4mTorrに調整する。ターゲットはグラファイ
トを用い、DC電源により4kWを投入し、チャンバー
内にプラズマ放電を発生させる。このときの基板温度は
室温で行った。First, the vacuum chamber is evacuated to 1 × 10 -6 Torr. Next, methane gas and argon gas are introduced, and the gas flow rate at this time is adjusted to 25 sccm of methane gas and 25 sccm of argon gas, and the gas pressure is adjusted to 4 mTorr. Graphite is used as a target, and 4 kW is applied by a DC power source to generate plasma discharge in the chamber. The substrate temperature at this time was room temperature.
【0060】このDCマグネトロンスパッタ法から形成
された非晶質炭素膜の膜質は以下の通りである。The film quality of the amorphous carbon film formed by this DC magnetron sputtering method is as follows.
【0061】(1)ラマンスペクトルを二つのピークに
分離した波形のAバンドピーク位置は、1538c
m-1、Bバンドピーク位置は1338cm-1、Aバンド
半値幅は85cmcm-1、Bバンド半値幅は126cm
-1、ピーク面積比は0.56であった。(2)非晶質炭
素膜の密度は1.50g/cm3であるが、水素原子の
含有率は40%であった。(1) The A band peak position of the waveform obtained by separating the Raman spectrum into two peaks is 1538c.
m −1 , B band peak position is 1338 cm −1 , A band half width is 85 cm cm −1 , B band half width is 126 cm.
-1 , and the peak area ratio was 0.56. (2) The density of the amorphous carbon film was 1.50 g / cm 3 , but the hydrogen atom content was 40%.
【0062】(3)非晶質炭素膜のCSS試験結果は、
40k回以上になると摩擦係数が急激に増加し、比較例
2の場合と同様にディスクがクラッシュした。(3) The CSS test result of the amorphous carbon film is
At 40 k times or more, the friction coefficient sharply increased, and the disk crashed as in Comparative Example 2.
【0063】[0063]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明により所期
の目的を達成することができた。すなわち、本発明の非
晶質炭素膜を用いた磁気ディスクは、耐摺動特性が著し
く向上するので、高密度記録を達成することができ小型
大容量の磁気記憶装置の実用化に貢献することができ
る。As described above in detail, according to the present invention, the intended purpose can be achieved. That is, since the magnetic disk using the amorphous carbon film of the present invention has significantly improved sliding resistance, it is possible to achieve high density recording and contribute to the practical application of a small and large capacity magnetic storage device. You can
【図1】本発明の原理を説明するためのラマンスペクト
ルのピーク分離図。FIG. 1 is a peak separation diagram of a Raman spectrum for explaining the principle of the present invention.
【図2】ラマンスペクトルのAのピーク位置と摩耗量の
関係を示した特性図。FIG. 2 is a characteristic diagram showing the relationship between the peak position of A in the Raman spectrum and the amount of wear.
【図3】ラマンスペクトルのピーク面積比(B/A)と
応力の関係を示した特性図。FIG. 3 is a characteristic diagram showing a relationship between a peak area ratio (B / A) of Raman spectrum and stress.
【図4】ラマンスペクトルのピーク面積比(B/A)と
摩耗量の関係を示した特性図。FIG. 4 is a characteristic diagram showing the relationship between the peak area ratio (B / A) of the Raman spectrum and the wear amount.
【図5】非晶質炭素膜の密度と燃焼開始温度との関係を
示した特性図。FIG. 5 is a characteristic diagram showing the relationship between the density of an amorphous carbon film and the combustion start temperature.
【図6】同じく非晶質炭素膜の密度と摩耗量との関係を
示した特性図。FIG. 6 is a characteristic diagram showing the relationship between the density and the wear amount of the amorphous carbon film.
【図7】膜中の水素含有率と摩耗量との関係を示した特
性図。FIG. 7 is a characteristic diagram showing the relationship between the hydrogen content in the film and the amount of wear.
【図8】本発明の一実施例となる磁気ディスクの断面構
造図。FIG. 8 is a sectional structural view of a magnetic disk according to an embodiment of the present invention.
1 アルミ合金基板 2 NiーP合金層 3 Cr下地膜 4 Co−Cr−Ta磁性膜 5 非晶質炭素膜 6 潤滑膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Aluminum alloy substrate 2 Ni-P alloy layer 3 Cr underlayer film 4 Co-Cr-Ta magnetic film 5 Amorphous carbon film 6 Lubrication film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤巻 成彦 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 稲葉 宏 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 松沼 悟 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 鬼頭 諒 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Naruhiko Fujimaki 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Inside the Hitachi, Ltd. Institute of Industrial Science (72) Inventor Hiroshi Inaba 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Incorporated company Hitachi, Ltd., Production Technology Laboratory (72) Inventor Satoru Matsunuma 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Incorporated, Hitachi, Ltd. Production Technology Laboratory (72) Ryo Kitou, Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture No. 292 Co., Ltd. Production Engineering Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
Claims (11)
膜、潤滑膜を積層した磁気ディスクにおいて、励起波長
514.5nmにて得られたラマン散乱分光測定によっ
て前記非晶質炭素膜のラマンスペクトルの波形を二つの
ガウス関数型波形に分離したとき、一方の波形(A)の
ピーク位置が1555〜1520cm-1、他方の波形
(B)のピーク位置が1320〜1360cm-1であ
り、これら二つの波形の半値幅における面積比(B/
A)が0.4〜1.6である非晶質炭素膜を保護層とし
て有して成る磁気ディスク。1. A magnetic disk in which a magnetic recording film, an amorphous carbon film, and a lubricating film are laminated on a non-magnetic substrate, and the amorphous carbon is measured by Raman scattering spectroscopy obtained at an excitation wavelength of 514.5 nm. When the waveform of the Raman spectrum of the film is separated into two Gaussian function type waveforms, the peak position of one waveform (A) is 1555 to 1520 cm −1 and the peak position of the other waveform (B) is 1320 to 1360 cm −1 . Yes, the area ratio (B /
A) A magnetic disk having an amorphous carbon film of 0.4 to 1.6 as a protective layer.
幅が80〜120cm-1であり、他方の波形(B)の半
値幅が120〜160cm-1である請求項1記載の磁気
ディスク。2. The magnetic material according to claim 1 , wherein the Gaussian function type waveform (A) has a half width of 80 to 120 cm −1 and the other waveform (B) has a half width of 120 to 160 cm −1. disk.
5原子%であり、そのときの密度が1.65〜2.0g
/cm3である請求項1もしくは2記載の磁気ディス
ク。3. The hydrogen content of the amorphous carbon film is 20-4.
5 atomic% and the density at that time is 1.65 to 2.0 g
The magnetic disk according to claim 1 or 2, wherein the magnetic disk has a density of / cm 3 .
密度が2〜5×1022原子cm-3である請求項3記載の
磁気ディスク。4. The magnetic disk according to claim 3 , wherein the atomic density of hydrogen contained in the amorphous carbon film is 2 to 5 × 10 22 atoms cm −3 .
として成る請求項1もしくは2記載の磁気ディスク。5. The thickness of the amorphous carbon film is 10 to 50 nm.
The magnetic disk according to claim 1 or 2, wherein
の表面にテクスチャ−加工されたアルミディスク基板で
構成し、その上に磁気記録膜としてCr層、Co系合金
層を順次交互に二層づつ形成して二層構造の磁性膜とし
て成る請求項1乃至5何れか記載の磁気ディスク。6. The non-magnetic substrate is composed of an Ni-P-plated aluminum disk substrate having a surface textured thereon, and a Cr layer and a Co-based alloy layer serving as a magnetic recording film are alternately formed on the non-magnetic substrate. The magnetic disk according to any one of claims 1 to 5, wherein the magnetic disk is formed of layers to form a two-layer magnetic film.
D法により炭素膜を磁気記録膜上に形成するに際し、前
記原料ガスとして炭化水素系、炭化水素系+H2、炭化
水素系+O2、またはCF4、CF4+H2の何れかを用い
て、基板温度及びプラズマ発生電力を所定の条件に設定
して反応性気体から請求項1乃至5何れか記載の非晶質
炭素膜を積層させる工程を有して成る磁気ディスクの製
造方法。7. Plasma CV by supplying a raw material gas to the film forming chamber.
When the carbon film is formed on the magnetic recording film by the D method, a hydrocarbon gas, a hydrocarbon gas + H 2 , a hydrocarbon gas + O 2 , or CF 4 , CF 4 + H 2 is used as the source gas, A method of manufacturing a magnetic disk, comprising a step of laminating an amorphous carbon film according to any one of claims 1 to 5 from a reactive gas while setting a substrate temperature and a plasma generation power to predetermined conditions.
ガスを供給してマグネトロンスパッタ法により炭素膜を
磁気記録膜上に形成するに際し、前記原料ガスとしてC
H4、CH4+Ar、Ar+O2、CH4+H2の何れかを
用いて、基板温度及びプラズマ発生電力を所定の条件に
設定してスパッタリングにより請求項1乃至5何れか記
載の非晶質炭素膜を積層させる工程を有して成る磁気デ
ィスクの製造方法。8. A carbonaceous target is provided in a film forming chamber, and a raw material gas is supplied to form a carbon film on a magnetic recording film by a magnetron sputtering method.
The amorphous carbon according to claim 1, wherein any one of H 4 , CH 4 + Ar, Ar + O 2 , and CH 4 + H 2 is used to set the substrate temperature and the plasma generation power to predetermined conditions and the sputtering is performed. A method of manufacturing a magnetic disk, comprising a step of laminating films.
する工程と、その表面にテクスチャ−加工を施す工程
と、その上に下地膜としてCr膜を形成する工程と、さ
らにその上に磁性膜としてCo系合金をスパッタリング
により堆積する工程と、前記磁性膜上に非晶質炭素膜を
形成する工程と、さらに潤滑膜を形成する工程とを有し
て成る磁気ディスクの製造方法において、前記非晶質炭
素膜を形成する工程を、請求項8もしくは9記載の非晶
質炭素膜を積層する工程で構成して成る磁気ディスクの
製造方法。9. A step of plating Ni-P on an aluminum disk substrate, a step of texturing the surface thereof, a step of forming a Cr film as a base film thereon, and a magnetic film thereon. In the method for manufacturing a magnetic disk, the method further comprises the steps of depositing a Co-based alloy by sputtering, forming an amorphous carbon film on the magnetic film, and further forming a lubricating film. A method for manufacturing a magnetic disk, comprising the step of forming a crystalline carbon film, the step of laminating an amorphous carbon film according to claim 8 or 9.
報を記録再生する磁気ヘッドと、前記磁気ディスクを回
転させる回転機構部と、前記磁気ヘッドからの入出力信
号を記録再生する信号処理部とを具備して成る磁気ディ
スク装置において、前記磁気ディスクを請求項1乃至6
何れか記載の磁気ディスクで構成して成る磁気ディスク
装置。10. A magnetic disk, a magnetic head for recording / reproducing information on / from the magnetic disk, a rotation mechanism section for rotating the magnetic disk, and a signal processing section for recording / reproducing an input / output signal from the magnetic head. 7. A magnetic disk device comprising the magnetic disk according to claim 1.
A magnetic disk device comprising the magnetic disk according to any one of the above.
て成る請求項10記載の磁気ディスク装置。11. A magnetic disk drive according to claim 10, wherein the magnetic head is an MR head.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33463093A JPH07192254A (en) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Magnetic disk and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33463093A JPH07192254A (en) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Magnetic disk and manufacturing method thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07192254A true JPH07192254A (en) | 1995-07-28 |
Family
ID=18279531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33463093A Pending JPH07192254A (en) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Magnetic disk and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07192254A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6881475B2 (en) | 2001-06-13 | 2005-04-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd | Amorphous carbon coated tool and fabrication method thereof |
| US6962751B2 (en) * | 2001-06-13 | 2005-11-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Amorphous carbon coated tools and method of producing the same |
| EP2000560A1 (en) | 1999-07-08 | 2008-12-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd | Hard coating and coated member |
| US7537846B2 (en) | 2003-11-11 | 2009-05-26 | Hoya Corporation | Magnetic disk, method of manufacturing the magnetic disk and method of evaluating the magnetic disk |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP33463093A patent/JPH07192254A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2000560A1 (en) | 1999-07-08 | 2008-12-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd | Hard coating and coated member |
| US6881475B2 (en) | 2001-06-13 | 2005-04-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd | Amorphous carbon coated tool and fabrication method thereof |
| US6962751B2 (en) * | 2001-06-13 | 2005-11-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Amorphous carbon coated tools and method of producing the same |
| US7537846B2 (en) | 2003-11-11 | 2009-05-26 | Hoya Corporation | Magnetic disk, method of manufacturing the magnetic disk and method of evaluating the magnetic disk |
| US8092931B2 (en) | 2003-11-11 | 2012-01-10 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. | Magnetic disk, method of manufacturing the magnetic disk and method of evaluating the magnetic disk |
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