JPH07192599A - 予防ヒューズ - Google Patents
予防ヒューズInfo
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- JPH07192599A JPH07192599A JP6214727A JP21472794A JPH07192599A JP H07192599 A JPH07192599 A JP H07192599A JP 6214727 A JP6214727 A JP 6214727A JP 21472794 A JP21472794 A JP 21472794A JP H07192599 A JPH07192599 A JP H07192599A
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- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/13—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material current-responsive
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
- H01C7/042—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient mainly consisting of inorganic non-metallic substances
- H01C7/043—Oxides or oxidic compounds
- H01C7/045—Perovskites, e.g. titanates
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】複数の相異なる負荷を監視でき、構成が単純な
ヒューズを提供する。 【構成】負荷依存性の予防ヒューズ10は、ハウジング
11内にTDRセラミック12を備えており、ここから
接続リード14が外へと導出されてり、監視すべき装置
に加わる少なくとも第一の型の負荷を検出しており、こ
の予防ヒューズ10内に、セラミック材料(以降はTD
Rセラミック12と呼ぶ)が使用されており、この電気
絶縁状態が、前記第一の型の負荷である時間の関数とし
て、および第二の型の負荷の関数として、半導性状態へ
と変化し、この結果として、直流電圧Uを接続リード1
4を通してTDRセラミック12へと印加するときに、
電流の増加が予防ヒューズ10のための活性化の基準を
形成し、この基準が予め決定可能な条件下に満足され、
所望の作動時間τを決定している。
ヒューズを提供する。 【構成】負荷依存性の予防ヒューズ10は、ハウジング
11内にTDRセラミック12を備えており、ここから
接続リード14が外へと導出されてり、監視すべき装置
に加わる少なくとも第一の型の負荷を検出しており、こ
の予防ヒューズ10内に、セラミック材料(以降はTD
Rセラミック12と呼ぶ)が使用されており、この電気
絶縁状態が、前記第一の型の負荷である時間の関数とし
て、および第二の型の負荷の関数として、半導性状態へ
と変化し、この結果として、直流電圧Uを接続リード1
4を通してTDRセラミック12へと印加するときに、
電流の増加が予防ヒューズ10のための活性化の基準を
形成し、この基準が予め決定可能な条件下に満足され、
所望の作動時間τを決定している。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ハウジング内に電子的
セラミックを備えており、ここから接続リードが外側へ
と導出されており、監視すべき装置に対して加わる少な
くとも第一の型の負荷を検出するための、負荷依存性の
予防ヒューズに関するものである。
セラミックを備えており、ここから接続リードが外側へ
と導出されており、監視すべき装置に対して加わる少な
くとも第一の型の負荷を検出するための、負荷依存性の
予防ヒューズに関するものである。
【0002】
【従来の技術】電気回路用のヒューズそれ自体は既知で
ある。これらは、電気回路に対して不所望な、一般的に
は予見不可能な負荷が加わり、電気回路だけでなく、電
気回路に接続された装置および機械に対して損傷を引き
起こしうる場合に、電気回路だけでなく、電気回路に接
続された装置および機械を保護するために、使用されて
いる。これらの負荷は、送電線における電圧ピーク、装
置の不適当な使用によって引き起こされたショート、高
すぎる常温または湿度の度合いが高すぎること等であり
うる。従って、ヒューズ、サーミスタまたはヒューミス
タが、別々に、または互いに組み合わせて使用されてい
る。このヒューズは、以降は、負荷ヒューズとも呼ぶ。
ある。これらは、電気回路に対して不所望な、一般的に
は予見不可能な負荷が加わり、電気回路だけでなく、電
気回路に接続された装置および機械に対して損傷を引き
起こしうる場合に、電気回路だけでなく、電気回路に接
続された装置および機械を保護するために、使用されて
いる。これらの負荷は、送電線における電圧ピーク、装
置の不適当な使用によって引き起こされたショート、高
すぎる常温または湿度の度合いが高すぎること等であり
うる。従って、ヒューズ、サーミスタまたはヒューミス
タが、別々に、または互いに組み合わせて使用されてい
る。このヒューズは、以降は、負荷ヒューズとも呼ぶ。
【0003】電気回路の過電圧を制限するために、例え
ば、EP─B1─0137044に開示されているよう
に、バリスタを使用することができ、この中では、半導
性のチタン酸ストロンチウムセラミックの電気特性を利
用している。異なるセラミック結晶の電気特性が、例え
ば、R.ウォーサー(Waser )の、「ペロブスカイト型
チタン酸塩の直流電気的劣化(dc Electrical Degradat
ion of Perovskite-Type Titanate ):II、単結晶
(Single Crystals )」(「J.Am.Ceram.S
oc.」73、(6)1654〜62頁、1990年)
と題する文献から知られている。
ば、EP─B1─0137044に開示されているよう
に、バリスタを使用することができ、この中では、半導
性のチタン酸ストロンチウムセラミックの電気特性を利
用している。異なるセラミック結晶の電気特性が、例え
ば、R.ウォーサー(Waser )の、「ペロブスカイト型
チタン酸塩の直流電気的劣化(dc Electrical Degradat
ion of Perovskite-Type Titanate ):II、単結晶
(Single Crystals )」(「J.Am.Ceram.S
oc.」73、(6)1654〜62頁、1990年)
と題する文献から知られている。
【0004】しかし、非常に多くの場合において、ヒュ
ーズが作動を開始する点にまで達することはない。この
電気装置および電気回路は、むしろ、負荷が所定の動作
時間または持続時間加わった後で、選択的にスイッチオ
フされるべきであり、即ち、予防的にスイッチオフされ
るべきである。特定の負荷間隔の後に安全上の理由から
機械を手入れしなければならない場合に、これはしばし
ば生ずる。こうした機械には、例えば、車または航空機
のエンジンが挙げられる。また、近い将来にこの装置が
壊れ、装置がまだ機能している間に装置を交換すること
が、装置が不備になってから装置を交換することより
も、簡単で安い見込みであるときには、装置を予防的に
スイッチオフする必要性が促される。光源のような他の
装置においては、特定の特性、例えば輝度が、手入れの
長さに応じて減少するので、この装置を交換しなければ
ならず、この一方、電気抵抗のような他の特性は、未だ
満足できる。こうしたヒューズも、以下は、予防ヒュー
ズと呼ぶ。
ーズが作動を開始する点にまで達することはない。この
電気装置および電気回路は、むしろ、負荷が所定の動作
時間または持続時間加わった後で、選択的にスイッチオ
フされるべきであり、即ち、予防的にスイッチオフされ
るべきである。特定の負荷間隔の後に安全上の理由から
機械を手入れしなければならない場合に、これはしばし
ば生ずる。こうした機械には、例えば、車または航空機
のエンジンが挙げられる。また、近い将来にこの装置が
壊れ、装置がまだ機能している間に装置を交換すること
が、装置が不備になってから装置を交換することより
も、簡単で安い見込みであるときには、装置を予防的に
スイッチオフする必要性が促される。光源のような他の
装置においては、特定の特性、例えば輝度が、手入れの
長さに応じて減少するので、この装置を交換しなければ
ならず、この一方、電気抵抗のような他の特性は、未だ
満足できる。こうしたヒューズも、以下は、予防ヒュー
ズと呼ぶ。
【0005】この予防ヒューズの重要な部品は、消費時
間計、キロ路程計または流量計である。一般には、計り
の読み取りを利用して光学的または音響的な警告信号を
活性化させ、これによって装置を、手作業でまたは制御
ユニットを使用して、スイッチオフすることができる。
活性化が消費時間のみに依存する予防ヒューズを、以降
は、時間依存性予防ヒューズと呼ぶ。
間計、キロ路程計または流量計である。一般には、計り
の読み取りを利用して光学的または音響的な警告信号を
活性化させ、これによって装置を、手作業でまたは制御
ユニットを使用して、スイッチオフすることができる。
活性化が消費時間のみに依存する予防ヒューズを、以降
は、時間依存性予防ヒューズと呼ぶ。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、多くの場合
に、予防ヒューズの活性化の引き金が、測定した物理的
パラメーターの組み合わせまたは特定の配列によって引
かれるものが、有利である。これらの場合においては、
論理的に相互接続された予防ヒューズを使用する。しば
しば、この作動時間だけでなく、この作動時間の間の機
械の蓄積された負荷をも、メンテナンス間隔の基準とし
て、利用しなければならない。例えば、これは、車のエ
ンジンにあてはまる。このメンテナンス間隔を決定する
ためには、一般的には、キロ路程の読みのみを監視する
だけでは、不十分である。一時的に蓄積されたエンジン
の負荷も、記録しなければならない。交通渋滞の結果と
して長時間にわたってエンジンを作動させながら、この
間走行距離の読みが変化しないままであることが、考え
られる。
に、予防ヒューズの活性化の引き金が、測定した物理的
パラメーターの組み合わせまたは特定の配列によって引
かれるものが、有利である。これらの場合においては、
論理的に相互接続された予防ヒューズを使用する。しば
しば、この作動時間だけでなく、この作動時間の間の機
械の蓄積された負荷をも、メンテナンス間隔の基準とし
て、利用しなければならない。例えば、これは、車のエ
ンジンにあてはまる。このメンテナンス間隔を決定する
ためには、一般的には、キロ路程の読みのみを監視する
だけでは、不十分である。一時的に蓄積されたエンジン
の負荷も、記録しなければならない。交通渋滞の結果と
して長時間にわたってエンジンを作動させながら、この
間走行距離の読みが変化しないままであることが、考え
られる。
【0007】これらのエンジンに対して加わる負荷は、
しばしば、エンジンの作動温度に対して直接に比例す
る。即ち、エンジンの温度が高ければ高いほど、エンジ
ンに加わる負荷が高くなる。この理由から、この作動時
間、一時的に蓄積される作動温度および従って一時的に
蓄積される作動負荷を、活性化の基準として、同時に監
視する予防ヒューズが有利である。この種の予防ヒュー
ズも、以降は、「負荷制御予防ヒューズ」と呼ぶ。技術
の現状によれば、こうした問題は、温度と時間とに対し
て別々のメーターを設けた予防ヒューズによって解決さ
れている。しかし、別々の各メーターによっては、予防
ヒューズに対して取り付けるのに失敗するおそれがあ
る。この結果、組み立てられた予防ヒューズが失敗する
危険性は、それぞれの個別の部材が失敗する危険性より
も、高くなる。更に、こうした組み立て体を設置するコ
ストは、各部材を設置するコストよりも高い。
しばしば、エンジンの作動温度に対して直接に比例す
る。即ち、エンジンの温度が高ければ高いほど、エンジ
ンに加わる負荷が高くなる。この理由から、この作動時
間、一時的に蓄積される作動温度および従って一時的に
蓄積される作動負荷を、活性化の基準として、同時に監
視する予防ヒューズが有利である。この種の予防ヒュー
ズも、以降は、「負荷制御予防ヒューズ」と呼ぶ。技術
の現状によれば、こうした問題は、温度と時間とに対し
て別々のメーターを設けた予防ヒューズによって解決さ
れている。しかし、別々の各メーターによっては、予防
ヒューズに対して取り付けるのに失敗するおそれがあ
る。この結果、組み立てられた予防ヒューズが失敗する
危険性は、それぞれの個別の部材が失敗する危険性より
も、高くなる。更に、こうした組み立て体を設置するコ
ストは、各部材を設置するコストよりも高い。
【0008】本発明の目的は、単一の部材として、複数
の相異なる負荷を監視することができ、その構成が単純
であり、従って、取り付けに失敗する危険性と設置コス
トとが最小限となっている、負荷依存性予防ヒューズを
提供することである。
の相異なる負荷を監視することができ、その構成が単純
であり、従って、取り付けに失敗する危険性と設置コス
トとが最小限となっている、負荷依存性予防ヒューズを
提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明においては、この
目的が、電気絶縁状態が、第一の型の負荷である時間の
関数として、および第二の型の負荷の関数として、半導
性状態へと変化するセラミック材料(以降はTDRセラ
ミック(12)と呼ぶ)が使用されており、この結果と
して、直流電圧Uを接続リード(14)を通してTDR
セラミック(12)へと印加するときに、電流の増加が
前記ヒューズのための活性化の基準を形成しており、こ
の基準が予め決定可能な条件下に満足され、所望の作動
時間τを決定することを特徴とする予防ヒューズによっ
て、達成される。
目的が、電気絶縁状態が、第一の型の負荷である時間の
関数として、および第二の型の負荷の関数として、半導
性状態へと変化するセラミック材料(以降はTDRセラ
ミック(12)と呼ぶ)が使用されており、この結果と
して、直流電圧Uを接続リード(14)を通してTDR
セラミック(12)へと印加するときに、電流の増加が
前記ヒューズのための活性化の基準を形成しており、こ
の基準が予め決定可能な条件下に満足され、所望の作動
時間τを決定することを特徴とする予防ヒューズによっ
て、達成される。
【0010】本発明の更なる有利な態様を、サブクレー
ムに続けて示した。
ムに続けて示した。
【0011】本発明による予防ヒューズは、電極を備え
た電子的セラミックを備えており、これはハウジング内
に装備されており、これらの電極用の接続リードを備え
ている。また、本発明によるこの電子的セラミックは、
以降はTDR(Time Dependent Resistor :時間依存性
抵抗体)セラミックと呼ぶことにするが、時間に依存す
る抵抗体であり、これは、時間の関数として、準絶縁状
態から半導性状態へと移行し、この移行が活性化の基準
を構成している。本発明による予防ヒューズが作動して
いる間は、このTDRセラミックに対して、接続リード
を通して、直流(dc)電圧が印加されるものであり、
作動時間の終わりには、この電流の上昇が、記録され、
評価されるものである。
た電子的セラミックを備えており、これはハウジング内
に装備されており、これらの電極用の接続リードを備え
ている。また、本発明によるこの電子的セラミックは、
以降はTDR(Time Dependent Resistor :時間依存性
抵抗体)セラミックと呼ぶことにするが、時間に依存す
る抵抗体であり、これは、時間の関数として、準絶縁状
態から半導性状態へと移行し、この移行が活性化の基準
を構成している。本発明による予防ヒューズが作動して
いる間は、このTDRセラミックに対して、接続リード
を通して、直流(dc)電圧が印加されるものであり、
作動時間の終わりには、この電流の上昇が、記録され、
評価されるものである。
【0012】監視すべき装置の温度が一定である場合に
は、本予防ヒューズは、本発明に従って、予め決定でき
る作動時間数の後に、作動状態に入ることができる。
は、本予防ヒューズは、本発明に従って、予め決定でき
る作動時間数の後に、作動状態に入ることができる。
【0013】本発明によって、TDRセラミックの作動
時間τを、温度Tおよび印加された直流電圧Uおよびこ
のTDRセラミックの上または中にある各電極の間隔d
の双方によって、規定の方法で制御することができる。
驚くべきことに、次の法則が適用されることを発見し
た。
時間τを、温度Tおよび印加された直流電圧Uおよびこ
のTDRセラミックの上または中にある各電極の間隔d
の双方によって、規定の方法で制御することができる。
驚くべきことに、次の法則が適用されることを発見し
た。
【0014】
【数2】 τ=A(U/U0 )n1(d/d0 )n2exp(EA /kT)
【0015】この等式において、係数A、乗数n1およ
びn2、更には活性化エネルギーE A は、物質依存定数
である。U0 およびd0 は、それぞれ、単位電圧および
単位長さを示す。セラミック材料を変更することによっ
て、特に、係数Aを幾つかのオーダーの大きさで変更す
ることができ、正確に調整することができる。
びn2、更には活性化エネルギーE A は、物質依存定数
である。U0 およびd0 は、それぞれ、単位電圧および
単位長さを示す。セラミック材料を変更することによっ
て、特に、係数Aを幾つかのオーダーの大きさで変更す
ることができ、正確に調整することができる。
【0016】上記の等式に従うと、本発明による予防ヒ
ューズは、監視すべき装置の温度によっても影響を受け
る。従って、本発明によって、監視すべき装置の作動温
度および時間の双方によって影響を受け、双方の測定値
の組み合わせを準自動的に活性化基準として使用する、
非常に単純な負荷依存性予防ヒューズを提供する。
ューズは、監視すべき装置の温度によっても影響を受け
る。従って、本発明によって、監視すべき装置の作動温
度および時間の双方によって影響を受け、双方の測定値
の組み合わせを準自動的に活性化基準として使用する、
非常に単純な負荷依存性予防ヒューズを提供する。
【0017】しかし、監視すべき装置の温度が、適当な
活性化基準を構成していないこともまた、考えられる。
この場合には、TDRセラミックを、固有の加熱部材と
共に、本発明による単純な方法で設けるものであり、固
有の加熱部材は、正の温度係数を有する抵抗体によって
形成することができ、以降はPTC素子と呼ぶ。
活性化基準を構成していないこともまた、考えられる。
この場合には、TDRセラミックを、固有の加熱部材と
共に、本発明による単純な方法で設けるものであり、固
有の加熱部材は、正の温度係数を有する抵抗体によって
形成することができ、以降はPTC素子と呼ぶ。
【0018】本発明においては、直流電圧を印加したと
きに、その電気抵抗が時間に依存する挙動を示すよう
な、あらゆる既知の電子的セラミックを使用することが
できる。こうしたTDRセラミックは、例えば、「J.
Am.Ceram.Soc.73(6)1654〜62
頁、1990年」から既知であり、この文献を本明細書
中に引用する。本発明の範囲内においては、CaTiO
3 、SrTiO3 またはBaTiO3 のような、ペロブ
スカイト型の、ドープされたまたはドープされていない
アルカリ土類チタン酸塩を使用することが好ましい。こ
のアルカリ土類金属イオンを、ナトリウムイオンまたは
カリウムイオンのようなアルカリイオン0.9〜1.1
atm%で置換することによって、ドーピングを実施す
ることができる。他の可能なドーピングとしては、上記
した第一の可能なドーピンの代わりに使用することがで
き、または組み合わせて使用することができるが、0.
1〜3atm%の量で、マグネシウム、アルミニウム、
バナジウム、クロム、マンガン、鉄、ニッケルまたはコ
バルトのような受容体イオンによって、チタンをドーピ
ングすることである。
きに、その電気抵抗が時間に依存する挙動を示すよう
な、あらゆる既知の電子的セラミックを使用することが
できる。こうしたTDRセラミックは、例えば、「J.
Am.Ceram.Soc.73(6)1654〜62
頁、1990年」から既知であり、この文献を本明細書
中に引用する。本発明の範囲内においては、CaTiO
3 、SrTiO3 またはBaTiO3 のような、ペロブ
スカイト型の、ドープされたまたはドープされていない
アルカリ土類チタン酸塩を使用することが好ましい。こ
のアルカリ土類金属イオンを、ナトリウムイオンまたは
カリウムイオンのようなアルカリイオン0.9〜1.1
atm%で置換することによって、ドーピングを実施す
ることができる。他の可能なドーピングとしては、上記
した第一の可能なドーピンの代わりに使用することがで
き、または組み合わせて使用することができるが、0.
1〜3atm%の量で、マグネシウム、アルミニウム、
バナジウム、クロム、マンガン、鉄、ニッケルまたはコ
バルトのような受容体イオンによって、チタンをドーピ
ングすることである。
【0019】このTDRセラミックを、例えば、炭酸ス
トロンチウム、二酸化チタンおよびニッケルヒドロキシ
カーボネートから製造する事ができ、この組成は、
トロンチウム、二酸化チタンおよびニッケルヒドロキシ
カーボネートから製造する事ができ、この組成は、
【化2】SrTi1.01Ni0.001 O3 である。この出発粉末を、最初に粉砕し、950℃〜1
100℃の範囲内の温度で仮焼し、再度粉砕し、プレス
し、酸素中1480℃で2時間焼成した。続いて、この
TDRセラミックを切断して、最大数ミリメートルの厚
さを有する円板とし、真空蒸着または焼成によって適当
な金属ペーストを付着させることによって、この両側に
電極を設けた。この金属としては、銀、金、白金、パラ
ジウムまたは他の貴金属またはこれらの合金を使用する
ことが適当である。純粋に時間制御の予防ヒューズを得
るためには、電極を備えたこのセラミック円板の一方の
側面または両方の側面を、
100℃の範囲内の温度で仮焼し、再度粉砕し、プレス
し、酸素中1480℃で2時間焼成した。続いて、この
TDRセラミックを切断して、最大数ミリメートルの厚
さを有する円板とし、真空蒸着または焼成によって適当
な金属ペーストを付着させることによって、この両側に
電極を設けた。この金属としては、銀、金、白金、パラ
ジウムまたは他の貴金属またはこれらの合金を使用する
ことが適当である。純粋に時間制御の予防ヒューズを得
るためには、電極を備えたこのセラミック円板の一方の
側面または両方の側面を、
【化3】SrTi1.01Ni0.001 O3 から製造したPTC素子と熱的に接触させることができ
る。
る。
【0020】このPTC素子は、既知のPTCセラミッ
クからなっていてよい。これらには、例えば、純粋なB
aTiO3 、または「0atm%<」で「<50atm
%」のPbTiO3 および/または「0atm%<」で
「<50atm%」のSrTiO3 を含有しているBa
TiO3 の固溶体が挙げられる。PTC素子は、例え
ば、70atm%のBaTiO3 と30atm%のPb
TiO3 からなっていてよく、これによって、約260
℃のキュリー温度を有している。BaTiO3 をベース
とした、他のPTCセラミックには、0.1〜0.3a
tm%のランタン、イットリウム、ビスマス、アンチモ
ン、タンナルまたはニオブがドープされている。前記の
熱的な接触は、薄いAl2 O3 またはAlN円板によっ
て行うことができ、または薄いマイカ板によって行うこ
とができ、これに対してセラミック部材が耐温度性接着
剤によって接着されている。また、このPTC素子の電
極は、ハウジングから突出している他のリードと共に、
ハウジングから外に導出されており、これらは、電気的
に分離しつつ、または、マイカ板を省略したときには、
共通の接地接点と共に、外側へと導出することができ
る。作動時には、直流電圧を印加することによって、P
TC素子をほぼキュリー温度にまで加熱する。このPT
C素子の耐温度特性によって、既知の方法で温度の自己
安定化がもたらされる。上記の等式に従うと、このTD
Rセラミックの作動時間τは、ここでは電圧に依存して
いる。
クからなっていてよい。これらには、例えば、純粋なB
aTiO3 、または「0atm%<」で「<50atm
%」のPbTiO3 および/または「0atm%<」で
「<50atm%」のSrTiO3 を含有しているBa
TiO3 の固溶体が挙げられる。PTC素子は、例え
ば、70atm%のBaTiO3 と30atm%のPb
TiO3 からなっていてよく、これによって、約260
℃のキュリー温度を有している。BaTiO3 をベース
とした、他のPTCセラミックには、0.1〜0.3a
tm%のランタン、イットリウム、ビスマス、アンチモ
ン、タンナルまたはニオブがドープされている。前記の
熱的な接触は、薄いAl2 O3 またはAlN円板によっ
て行うことができ、または薄いマイカ板によって行うこ
とができ、これに対してセラミック部材が耐温度性接着
剤によって接着されている。また、このPTC素子の電
極は、ハウジングから突出している他のリードと共に、
ハウジングから外に導出されており、これらは、電気的
に分離しつつ、または、マイカ板を省略したときには、
共通の接地接点と共に、外側へと導出することができ
る。作動時には、直流電圧を印加することによって、P
TC素子をほぼキュリー温度にまで加熱する。このPT
C素子の耐温度特性によって、既知の方法で温度の自己
安定化がもたらされる。上記の等式に従うと、このTD
Rセラミックの作動時間τは、ここでは電圧に依存して
いる。
【0021】上記したように、このPTC素子がないと
きは、得られるヒューズは、時間依存性および温度依存
性の予防ヒューズである。このPTC素子は、例えば、
金属ブラケット等によって置き換えることができる。こ
の場合には、この予防ヒューズの作動時間は、電圧Uお
よび厚さdによって支配されるだけでなく、監視すべき
装置の接触領域における、全体の温度変化によっても支
配される。
きは、得られるヒューズは、時間依存性および温度依存
性の予防ヒューズである。このPTC素子は、例えば、
金属ブラケット等によって置き換えることができる。こ
の場合には、この予防ヒューズの作動時間は、電圧Uお
よび厚さdによって支配されるだけでなく、監視すべき
装置の接触領域における、全体の温度変化によっても支
配される。
【0022】PTC素子を備えている上記の予防ヒュー
ズの作動時間を、現在の値である数時間から数百時間へ
と増大させるためには、
ズの作動時間を、現在の値である数時間から数百時間へ
と増大させるためには、
【化4】SrTi1.01Ni0.001 O3 からなるTDRセラミックを、1340℃で6時間焼成
させ、つづいて、アルゴン下に200バールの圧力およ
び1280℃の温度でホットプレスし、続いて800℃
で8時間、後焼きもどし(ポストテンパー)処理をしな
ければならない。
させ、つづいて、アルゴン下に200バールの圧力およ
び1280℃の温度でホットプレスし、続いて800℃
で8時間、後焼きもどし(ポストテンパー)処理をしな
ければならない。
【0023】更に、この作動時間τは、仮焼され、粉砕
された出発粉末に対して、1mol%のチタン酸バリウ
ムシリケート(Ba2 Si2 TiO8 )を添加すること
によって、焼成温度によって顕著に変更することができ
る。
された出発粉末に対して、1mol%のチタン酸バリウ
ムシリケート(Ba2 Si2 TiO8 )を添加すること
によって、焼成温度によって顕著に変更することができ
る。
【0024】また、このTDRセラミックは、多層構造
体として構成し、その内部電極の間の間隔dを数十から
数百μmとすることができ、このヒューズを極度に低い
電圧で作動させることができる。この場合には、乗数n
2の値が、1と1.1との間で変動する。
体として構成し、その内部電極の間の間隔dを数十から
数百μmとすることができ、このヒューズを極度に低い
電圧で作動させることができる。この場合には、乗数n
2の値が、1と1.1との間で変動する。
【0025】
【実施例】実施例によって、添付図面を参照しつつ、本
発明を更に詳細に説明する。図1は、本発明に係る予防
ヒューズ10を示す平面図である。この予防ヒューズ1
0が備えているハウジング11は、TDRセラミック1
2および、必要に応じて、PTC素子を完全に包囲して
いる。このTDRセラミック12またはPTC素子13
の電極17に導く接続リード14は、ハウジング11の
外に導出されている。これらは、電源および/または評
価ユニットに接続されている。監視すべき装置の上への
このハウジング11の装着を可能とするためには、貫通
口26を備えているビルトオンされた接続面15を設け
ることができ、またこの面は、ハウジング11の低い方
の末端プレートの延長部分を形成するように構成するこ
とができる。このハウジング11は、あらゆる所望の材
料から構成することができるが、しかし、好ましくは、
銅から製造されている。これは、特に接続面15に関連
している。このハウジング11それ自体は、立方体また
は直方体の形状であってよい。TDRセラミック12
は、このハウジングの内側に存在しており、必要に応じ
て存在するPTC素子13は、円形のベースを備えた円
筒形状であるので、このハウジング11内に残る空間に
は、グラスウール16が充填されている。更に、図1
は、TDRセラミック12の電極17を示す。
発明を更に詳細に説明する。図1は、本発明に係る予防
ヒューズ10を示す平面図である。この予防ヒューズ1
0が備えているハウジング11は、TDRセラミック1
2および、必要に応じて、PTC素子を完全に包囲して
いる。このTDRセラミック12またはPTC素子13
の電極17に導く接続リード14は、ハウジング11の
外に導出されている。これらは、電源および/または評
価ユニットに接続されている。監視すべき装置の上への
このハウジング11の装着を可能とするためには、貫通
口26を備えているビルトオンされた接続面15を設け
ることができ、またこの面は、ハウジング11の低い方
の末端プレートの延長部分を形成するように構成するこ
とができる。このハウジング11は、あらゆる所望の材
料から構成することができるが、しかし、好ましくは、
銅から製造されている。これは、特に接続面15に関連
している。このハウジング11それ自体は、立方体また
は直方体の形状であってよい。TDRセラミック12
は、このハウジングの内側に存在しており、必要に応じ
て存在するPTC素子13は、円形のベースを備えた円
筒形状であるので、このハウジング11内に残る空間に
は、グラスウール16が充填されている。更に、図1
は、TDRセラミック12の電極17を示す。
【0026】図2は、本発明のTDRセラミック12の
絶縁抵抗Rが、時間tと共にどのように変化するかを示
している。
絶縁抵抗Rが、時間tと共にどのように変化するかを示
している。
【0027】
【化5】SrTi1.01Ni0.001 O3 について示した曲線18の傾きは、260℃の一定温度
T、80Vの電圧Uおよび0.5mmの間隔dでの傾き
にほぼ対応しており、この絶縁抵抗19は、最初は10
8 Ωにのぼっているが、しかし、約2時間後には、領域
20での約105Ωの値にまで減少する。この依存性、
即ち、作動時間τが、温度、印加電圧およびTDRセラ
ミックの上または中の電極17間の間隔dによって、規
定状態で制御されるという事実は、驚くべきことに、次
の、上記した経験則に対応している。
T、80Vの電圧Uおよび0.5mmの間隔dでの傾き
にほぼ対応しており、この絶縁抵抗19は、最初は10
8 Ωにのぼっているが、しかし、約2時間後には、領域
20での約105Ωの値にまで減少する。この依存性、
即ち、作動時間τが、温度、印加電圧およびTDRセラ
ミックの上または中の電極17間の間隔dによって、規
定状態で制御されるという事実は、驚くべきことに、次
の、上記した経験則に対応している。
【0028】
【数3】 τ=A(U/U0 )n1(d/d0 )n2exp(EA /kT)
【0029】この等式において、係数A、乗数n1、n
2および活性化エネルギーEA は、物質に依存する定数
である。U0 およびd0 は、それぞれ、単位電圧および
単位長さを示している。セラミック材料の変更によっ
て、特に、係数Aを幾つかのオーダーの大きさで変更
し、正確に調整することができ、これによって、図2に
おける曲線18の下降部分21を、時間スケールの上
で、右側または左側へと移動させることができる。
2および活性化エネルギーEA は、物質に依存する定数
である。U0 およびd0 は、それぞれ、単位電圧および
単位長さを示している。セラミック材料の変更によっ
て、特に、係数Aを幾つかのオーダーの大きさで変更
し、正確に調整することができ、これによって、図2に
おける曲線18の下降部分21を、時間スケールの上
で、右側または左側へと移動させることができる。
【0030】図3は、本発明に係る予防ヒューズ10の
断面図であり、予防ヒューズ10は、PTC素子13お
よび接地接点22を備えており、接地接点22がTDR
セラミック12から分離されており、TDRセラミック
12もまた図示されている。絶縁マイカ板23が、加熱
PTC素子13とTDRセラミック12との間に設けら
れている。接続リード14は、TDRセラミック12お
よびPTC素子13の電極17に接続されており、これ
らの分極の方向は、図3において、頂部から底部へと見
て、+−+−である。ハウジング11およびPTC素子
13およびTDRセラミック12の間の空間に、グラス
ウール16を充填する。上述したように、PTC素子1
3の代わりに、ハウジング11の底部に接続面15を設
けることができ、接続面15は、図3には示していない
が、TDRセラミック12の下方で直接にハウジング1
1をシールし、このTDRセラミックに対して熱的に接
触している。
断面図であり、予防ヒューズ10は、PTC素子13お
よび接地接点22を備えており、接地接点22がTDR
セラミック12から分離されており、TDRセラミック
12もまた図示されている。絶縁マイカ板23が、加熱
PTC素子13とTDRセラミック12との間に設けら
れている。接続リード14は、TDRセラミック12お
よびPTC素子13の電極17に接続されており、これ
らの分極の方向は、図3において、頂部から底部へと見
て、+−+−である。ハウジング11およびPTC素子
13およびTDRセラミック12の間の空間に、グラス
ウール16を充填する。上述したように、PTC素子1
3の代わりに、ハウジング11の底部に接続面15を設
けることができ、接続面15は、図3には示していない
が、TDRセラミック12の下方で直接にハウジング1
1をシールし、このTDRセラミックに対して熱的に接
触している。
【0031】図4は、本発明に係る予防ヒューズ10の
断面図であり、PTC素子13と、共通接地接点24を
備えたTDRセラミック12とを備えており、従って、
3つの接続リード14のみが外側に導出されており、こ
の結果分極の方向は+−+である。更に、図4に示す予
防ヒューズ10は、図3に示されたものに対応してい
る。この対応する部分に関しては、図3に関する記載を
参照する。
断面図であり、PTC素子13と、共通接地接点24を
備えたTDRセラミック12とを備えており、従って、
3つの接続リード14のみが外側に導出されており、こ
の結果分極の方向は+−+である。更に、図4に示す予
防ヒューズ10は、図3に示されたものに対応してい
る。この対応する部分に関しては、図3に関する記載を
参照する。
【0032】TDRセラミック12については、これが
複数の電極17を備えていてもよく、いまだ積層構造体
からなっていてよいことを注意する。
複数の電極17を備えていてもよく、いまだ積層構造体
からなっていてよいことを注意する。
【0033】上記した従来技術からそれ自体は既知であ
る、セラミック材料の製造または組成については、次の
製造例を示す。図3に示すような予防ヒューズ10は、
TDRセラミック12として、受容体をドープしたアル
カリ土類金属チタン酸塩、例えば、ニッケルをドープし
たチタン酸ストロンチウムセラミックスと、ドープされ
たチタン酸バリウムまたはチタン酸バリウム/鉛または
チタン酸バリウム/ストロンチウムをベースにした通常
のPTCセラミック13とによって構成されており、こ
れらは熱的に近く結合されているが、しかし、互いに電
気的に絶縁することができる。
る、セラミック材料の製造または組成については、次の
製造例を示す。図3に示すような予防ヒューズ10は、
TDRセラミック12として、受容体をドープしたアル
カリ土類金属チタン酸塩、例えば、ニッケルをドープし
たチタン酸ストロンチウムセラミックスと、ドープされ
たチタン酸バリウムまたはチタン酸バリウム/鉛または
チタン酸バリウム/ストロンチウムをベースにした通常
のPTCセラミック13とによって構成されており、こ
れらは熱的に近く結合されているが、しかし、互いに電
気的に絶縁することができる。
【0034】このTDRセラミック13は、例えば、
【化6】SrTi1.01Ni0.001 O3 の組成を有するセラミック材料をもたらす、炭酸ストロ
ンチウム、二酸化チタンおよびニッケルヒドロキソカー
ボネートの混合物から製造する。これらの出発粉末を、
950℃〜1100℃の範囲内の温度で粉砕し、仮焼
し、再び粉砕し、プレスし、酸素流の中で2時間148
0℃で焼成する。続いて、このTDRセラミック12を
切断して、厚さdを有する円板を得る(dは、0.1〜
2mmの間で変化する。)。この電極17を、真空蒸着
または焼成によって、適当な金属ペーストを付着させる
ことで、両側に設ける。好適に使用できる金属には、
銀、金、白金、パラジウムまたは他の貴金属またはこれ
らの合金が挙げられる。電極を備えているセラミック円
板の一方の側面または両側面を、PTC素子13と熱的
に接触させ、PTC素子13は、例えば、70%のBa
TiO3 および30%のPbTiO3 からなり、約26
0℃のキュリー温度Tcをもたらす。この熱的な接触
は、薄いAl2 O3 またはAlN円板またはマイカ板2
3によって行うことができ、この上に、セラミック部材
12、13が、耐温度性接着剤25によって固定されて
いる。
ンチウム、二酸化チタンおよびニッケルヒドロキソカー
ボネートの混合物から製造する。これらの出発粉末を、
950℃〜1100℃の範囲内の温度で粉砕し、仮焼
し、再び粉砕し、プレスし、酸素流の中で2時間148
0℃で焼成する。続いて、このTDRセラミック12を
切断して、厚さdを有する円板を得る(dは、0.1〜
2mmの間で変化する。)。この電極17を、真空蒸着
または焼成によって、適当な金属ペーストを付着させる
ことで、両側に設ける。好適に使用できる金属には、
銀、金、白金、パラジウムまたは他の貴金属またはこれ
らの合金が挙げられる。電極を備えているセラミック円
板の一方の側面または両側面を、PTC素子13と熱的
に接触させ、PTC素子13は、例えば、70%のBa
TiO3 および30%のPbTiO3 からなり、約26
0℃のキュリー温度Tcをもたらす。この熱的な接触
は、薄いAl2 O3 またはAlN円板またはマイカ板2
3によって行うことができ、この上に、セラミック部材
12、13が、耐温度性接着剤25によって固定されて
いる。
【0035】図3および4に示すように、電気的リード
14を、電気的に分離して、または、マイカ板23を省
略したときには、共通の接地接点24と共に、外側に導
出することができる。作動時には、直流電圧を印加する
ことによって、PTC素子13をほぼTcまで加熱す
る。このPTC素子13の耐温度特性が、既知の機構に
よって、温度の自己安定化をもたらす。活性化の瞬間、
即ち、TDRセラミック12の作動時間τは、上記の等
式に従って、電圧U、約−2の値を有する、ここで使用
したTDRセラミック12についての乗数n1 に依存し
ている。図2は、d=0.5mmの厚さと、約200m
m2 の電極表面積を有するセラミック円板12の抵抗を
示す。T=260℃の温度では、80Vの電圧でτ=2
時間の予防ヒューズの所望の作動時間が達成されてい
る。
14を、電気的に分離して、または、マイカ板23を省
略したときには、共通の接地接点24と共に、外側に導
出することができる。作動時には、直流電圧を印加する
ことによって、PTC素子13をほぼTcまで加熱す
る。このPTC素子13の耐温度特性が、既知の機構に
よって、温度の自己安定化をもたらす。活性化の瞬間、
即ち、TDRセラミック12の作動時間τは、上記の等
式に従って、電圧U、約−2の値を有する、ここで使用
したTDRセラミック12についての乗数n1 に依存し
ている。図2は、d=0.5mmの厚さと、約200m
m2 の電極表面積を有するセラミック円板12の抵抗を
示す。T=260℃の温度では、80Vの電圧でτ=2
時間の予防ヒューズの所望の作動時間が達成されてい
る。
【0036】PTC加熱部材13を備えていない予防ヒ
ューズを、上記したのと同様の方法で製造する。PTC
セラミック13の代わりに接続ブラケット15を設け
(図1を参照)、接続ブラケット15によって、このヒ
ューズを、監視すべき装置に近接して熱的に接触させる
ことができる。
ューズを、上記したのと同様の方法で製造する。PTC
セラミック13の代わりに接続ブラケット15を設け
(図1を参照)、接続ブラケット15によって、このヒ
ューズを、監視すべき装置に近接して熱的に接触させる
ことができる。
【0037】このヒューズ10の作動時間は、電圧Uお
よび厚さdに依存するだけでなく、監視すべき装置の接
触領域内における全体の温度変化にも依存している。
よび厚さdに依存するだけでなく、監視すべき装置の接
触領域内における全体の温度変化にも依存している。
【0038】予防ヒューズは、PTC加熱部材13を備
えていても、備えていなくとも、上記と同様の方法によ
って製造することができる。しかし、この焼成プロセス
を変更することによって、TDRセラミック12を、1
340℃で6時間焼成する。続いて、このセラミック1
2を、アルゴン中で、200バールの圧力下で、128
0℃でホットプレスし、酸素中で800℃で8時間、後
焼き戻しする。
えていても、備えていなくとも、上記と同様の方法によ
って製造することができる。しかし、この焼成プロセス
を変更することによって、TDRセラミック12を、1
340℃で6時間焼成する。続いて、このセラミック1
2を、アルゴン中で、200バールの圧力下で、128
0℃でホットプレスし、酸素中で800℃で8時間、後
焼き戻しする。
【0039】このセラミック12の材料の微構造におけ
る変化の結果として、この予防ヒューズ10の作動時間
τが、パラメーターを変化させないで、約千倍長くな
る。このセラミック円板12の厚さがd=0.5mm
で、T=200℃の温度で、および80Vの電圧で、2
000時間の予防ヒューズの作動時間が達成されてい
る。
る変化の結果として、この予防ヒューズ10の作動時間
τが、パラメーターを変化させないで、約千倍長くな
る。このセラミック円板12の厚さがd=0.5mm
で、T=200℃の温度で、および80Vの電圧で、2
000時間の予防ヒューズの作動時間が達成されてい
る。
【0040】予防ヒューズ10は、PTC素子13を備
えていても、備えていなくとも、上記のように製造する
ことができる。1mol%の量のチタン酸ケイ酸バリウ
ム(Ba2 Si2 TiO8 )を、仮焼および粉砕された
出発粉末に対して添加することができる。この作用によ
って、このヒューズ10の作動時間τを、この焼成温度
の助けによって顕著に変更することができる。360℃
の温度、125Vの電圧および1mmの円板厚さで、例
えば、1340℃で6時間の焼成プロセスによって、作
動時間τ=140時間がもたらされ、1380℃で6時
間の焼成プロセスによって、作動時間τ=28時間がも
たらされ、1460℃で2時間の焼成プロセスによっ
て、作動時間τ=11時間がもたらされる。
えていても、備えていなくとも、上記のように製造する
ことができる。1mol%の量のチタン酸ケイ酸バリウ
ム(Ba2 Si2 TiO8 )を、仮焼および粉砕された
出発粉末に対して添加することができる。この作用によ
って、このヒューズ10の作動時間τを、この焼成温度
の助けによって顕著に変更することができる。360℃
の温度、125Vの電圧および1mmの円板厚さで、例
えば、1340℃で6時間の焼成プロセスによって、作
動時間τ=140時間がもたらされ、1380℃で6時
間の焼成プロセスによって、作動時間τ=28時間がも
たらされ、1460℃で2時間の焼成プロセスによっ
て、作動時間τ=11時間がもたらされる。
【0041】予防ヒューズ10は、PTC素子13を備
えていても、備えていなくとも、上記したように製造す
ることができ、もしも出発粉末を変更したとすると、前
の節において記載したようにして、製造できる。このT
DRセラミック12は、内側電極の間で15〜100μ
mの範囲内の間隔dを有する、多層構造体として構成さ
れている。これによって、上記の等式に従って、小さな
電圧で作動する装置が可能になる。この乗数n2 は、約
1.0〜1.1である。
えていても、備えていなくとも、上記したように製造す
ることができ、もしも出発粉末を変更したとすると、前
の節において記載したようにして、製造できる。このT
DRセラミック12は、内側電極の間で15〜100μ
mの範囲内の間隔dを有する、多層構造体として構成さ
れている。これによって、上記の等式に従って、小さな
電圧で作動する装置が可能になる。この乗数n2 は、約
1.0〜1.1である。
【0042】本発明の特徴は、上記の記載、図1、2、
3、4および請求の範囲において開示するように、個別
にまたはあらゆる組み合わせにおいて、本発明の種々の
態様を実現するのに不可欠である。
3、4および請求の範囲において開示するように、個別
にまたはあらゆる組み合わせにおいて、本発明の種々の
態様を実現するのに不可欠である。
【図1】本発明に係る予防ヒューズの平面図である。
【図2】本発明のTDRセラミックの絶縁抵抗の経時的
な量の変化を示す。
な量の変化を示す。
【図3】PTC素子および別体の接地接点を備えた、本
発明に係る予防ヒューズの断面図である。
発明に係る予防ヒューズの断面図である。
【図4】PTC素子および共通の接地接点を備えた、本
発明に係る予防ヒューズの断面図である。
発明に係る予防ヒューズの断面図である。
10 予防ヒューズ 11 ハウジング 12 TDRセラミック 13 PTC素子 14 接続リード 15 接続面 16 グラスウール 17 電極 22 接地接点 23 絶縁マイカ板 26 貫通口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ライナー ヴァザー ドイツ連邦共和国 52076 アーヘン ア ム シャーフベーク 9アー
Claims (17)
- 【請求項1】 ハウジング内に電子的セラミックを備え
ており、ここから接続リードが外側へと導出されてお
り、監視すべき装置に対して加わる少なくとも第一の型
の負荷を検出するための、負荷依存性の予防ヒューズで
あって、電気絶縁状態が、前記第一の型の負荷である時
間の関数として、および第二の型の負荷の関数として、
半導性状態へと変化するセラミック材料(以降はTDR
セラミック(12)と呼ぶ)が使用されており、この結
果として、直流電圧Uを接続リード(14)を通してT
DRセラミック(12)へと印加するときに、電流の増
加が前記ヒューズのための活性化の基準を形成してお
り、この基準が予め決定可能な条件下に満足され、所望
の作動時間τを決定することを特徴とする予防ヒュー
ズ。 - 【請求項2】 前記作動時間τ、即ち、前記活性化基準
の満足が、印加される直流電圧Uの前記第一および第二
の型の負荷によって支配されており、前記TDRセラミ
ック(12)の上または中の電極(17)の間の間隔d
によって支配されていることを特徴とする、請求項1記
載の予防ヒューズ。 - 【請求項3】 前記セラミック材料にもとづいて、前記
第一の型の負荷が、時間への依存を生じており、前記第
二の型の負荷が、温度への依存を生じており、時間への
依存と温度への依存との関係を、次の経験則によって表
現することができることを特徴とする、請求項2記載の
予防ヒューズ。 【数1】 τ=A(U/U0 )n1(d/d0 )n2exp(EA /kT) (ここで、係数A、乗数n1およびn2、および活性化
エネルギーEA は、物質依存定数であり、U0 およびd
0 は、それぞれ、単位電圧および単位長さを示す。) - 【請求項4】 前記ハウジング(11)がTDRセラミ
ック12を装備しており、TDRセラミック12に電極
(17)が設けられており、TDRセラミック(12)
がグラスウール(16)中に埋設されており、このセラ
ミック材料の電気的接続リード(16)が外側に導出さ
れており、この円形断面領域の少なくとも一つが、この
各々が電極(17)を備えているが、熱的に影響を受け
うることを特徴とする、請求項3記載の予防ヒューズ。 - 【請求項5】 接続面(15)を備えている適当に配列
された末端プレートによって前記熱的影響が得られ、こ
の末端プレートを通して、前記予防ヒューズ(10)
が、監視すべき装置に対して機械的および熱的に結合さ
れていることを特徴とする、請求項4記載の予防ヒュー
ズ。 - 【請求項6】 前記ハウジング(11)が、TDRセラ
ミック(12)の前記部分の中に固有加熱部材を備えて
おり、TDRセラミック(12)が熱的に影響を受ける
ことができ、この固有加熱部材もまた外側に延びる接続
リード(14)を備えており、所定の温度設定を可能と
していることを特徴とする、請求項4記載の予防ヒュー
ズ。 - 【請求項7】 前記固有加熱部材が、冷間伝導性結晶に
よって構成されており、PTC素子(13)と呼ぶが、
PTC素子が、ドープされたチタン酸バリウムおよび/
またはチタン酸バリウム/鉛および/またはチタン酸バ
リウム/ストロンチウムをベースにしており、例えば、
70%BaTiO3 および30%PbTiO3 であり、
PTC素子が、TDRセラミック(12)の一方の面以
上に対して熱的に近接して結合されており、その円形断
面領域上に電極(17)を備えていることを特徴とす
る、請求項6記載の予防ヒューズ。 - 【請求項8】 前記の熱的な接触が、薄いAl2 O3 ま
たはAlN円板または薄いマイカ板(23)によって行
われており、この一方の面上に、TDRセラミック(1
2)が付着しており、この他方の面上に、耐温度性接着
剤によって、PTC素子(13)が付着していることを
特徴とする、請求項7記載の予防ヒューズ。 - 【請求項9】 前記TDRセラミック(12)および前
記PTC素子(13)の電気的接続リード(14)が、
電気的に分離された状態でハウジング(11)の外側へ
と導出されており、このPTC素子(13)が、直流電
圧を印加することによって、ほぼキュリー温度Tcにま
で加熱されていることを特徴とする、請求項8記載の予
防ヒューズ。 - 【請求項10】 前記TDRセラミック(12)および
前記PTC素子(13)が、耐温度性接着剤(25)に
よって他方の頂部に固定されたものであり、これらの電
極が、この領域で共通の接地接点(24)を形成してお
り、これによって三つの接続リード(14)のみがハウ
ジングの外へと導出されており、このPTC素子(1
3)が、直流電圧を印加することによってキュリー温度
Tcにまで加熱されていることを特徴とする、請求項8
記載の予防ヒューズ。 - 【請求項11】 前記TDRセラミック(12)が、ペ
ロブスカイト型の、ドープされたまたはドープされてい
ないアルカリ土類チタン酸塩から製造されていることを
特徴とする、請求項1〜10のいずれか一つの請求項に
記載の予防ヒューズ。 - 【請求項12】 前記TDRセラミック(12)が、 【化1】SrTi1.01Ni0.001 O3 の組成を有する、ニッケルがドープされたチタン酸スト
ロンチウムセラミックから製造されていることを特徴と
する、請求項11記載の予防ヒューズ。 - 【請求項13】 所定の直流電圧U、−2の乗数n1、
0.5mmのTDRセラミック(12)の厚さdおよび
200mm2 の電極表面積で、260℃の温度Tで、2
時間の作動時間τが80Vの電圧で得られていることを
特徴とする、請求項12記載の予防ヒューズ。 - 【請求項14】 前記TDRセラミック(12)が、こ
の出発粉末を粉砕し、950℃〜1100℃で仮焼し、
再度粉砕し、プレスし、1480℃で2時間焼成したと
きに得られる特性を備えており、この後、このセラミッ
クを切断して0.1〜2mmの厚さを有する円板として
おり、真空蒸着または焼成によって貴金属またはそれら
の合金からの金属ペーストを付着させることによって電
極(17)を設けていることを特徴とする、請求項12
記載の予防ヒューズ。 - 【請求項15】 前記TDRセラミック材料が、134
0℃で6時間焼成されており、次いで、アルゴン下に2
00バールの圧力で1280℃でホットプレスされてお
り、次いで酸素中800℃で8時間後焼きもどし処理さ
れているときに、前記TDRセラミック(12)が、千
倍長い作動時間τを示していることを特徴とする、請求
項14記載の予防ヒューズ。 - 【請求項16】 TDRセラミック(12)の仮焼さ
れ、粉砕される出発粉末に対して、1mol%のチタン
酸バリウムシリケート(Ba2 Si2 TiO8)が添加
されており、TDRセラミック(12)が、焼成を6時
間1340℃で実施したときに、360℃の作動温度、
125Vの電圧および1mmの厚さで140時間の作動
時間τを有しており、焼成を1380℃で6時間実施し
たときに作動時間τが28時間であり、焼成を1460
℃で2時間実施したときに11時間の作動時間が得られ
ることを特徴とする、請求項14記載の予防ヒューズ。 - 【請求項17】 TDRセラミック(12)が多層構造
体として構成されており、この多層構造体が、約15〜
100μmの間隔dを有する内部電極を備えており、こ
の結果として、約1.0〜1.1の乗数n2が得られる
ことを特徴とする、請求項15記載の予防ヒューズ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4330534A DE4330534A1 (de) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | Belastungsabhängige elektrische Präventivsicherung |
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|---|---|
| JPH07192599A true JPH07192599A (ja) | 1995-07-28 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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| JP (1) | JPH07192599A (ja) |
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