JPH07193020A - 半導体用熱処理炉 - Google Patents
半導体用熱処理炉Info
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- JPH07193020A JPH07193020A JP34685893A JP34685893A JPH07193020A JP H07193020 A JPH07193020 A JP H07193020A JP 34685893 A JP34685893 A JP 34685893A JP 34685893 A JP34685893 A JP 34685893A JP H07193020 A JPH07193020 A JP H07193020A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 安定性に優れしかも生産性を向上できる半導
体熱処理炉を提供する。 【構成】 プロセス管と、プロセス管内にガスを供給す
るための給気系と、プロセス管内のガスを排出するため
の排気系とを有する半導体用熱処理炉において、給気系
１２，２２，３２，４２とプロセス管１１，２１，３
１，４１の少なくとも一方にガス検知手段１５，１７，
２７，３５，３７，４７ａ，４７ｂを配置したことを特
徴とする半導体用熱処理炉。
体熱処理炉を提供する。 【構成】 プロセス管と、プロセス管内にガスを供給す
るための給気系と、プロセス管内のガスを排出するため
の排気系とを有する半導体用熱処理炉において、給気系
１２，２２，３２，４２とプロセス管１１，２１，３
１，４１の少なくとも一方にガス検知手段１５，１７，
２７，３５，３７，４７ａ，４７ｂを配置したことを特
徴とする半導体用熱処理炉。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハを熱処
理するための半導体用熱処理炉に関するものである。
理するための半導体用熱処理炉に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体用熱処理炉は、プロセス管にガス
を供給するためのガス供給管とこれらのガスを排出する
ためのガス排出管を有している。一般に、供給管が炉の
上部に配置され、排出管は炉の下部に配置される。
を供給するためのガス供給管とこれらのガスを排出する
ためのガス排出管を有している。一般に、供給管が炉の
上部に配置され、排出管は炉の下部に配置される。
【０００３】従来の半導体用熱処理炉においては、ガス
排出管の途中にガス検知器が設けられている。このガス
検知器は、プロセス管内に不必要なガスが混入するのを
検知したり、プロセス管内の圧力をモニタ―する。特に
可燃性ガスを使用する場合には、酸素や空気が混入する
と爆発の危険があるため、安全性確保の点からも酸素ガ
スの検知は極めて重要である。
排出管の途中にガス検知器が設けられている。このガス
検知器は、プロセス管内に不必要なガスが混入するのを
検知したり、プロセス管内の圧力をモニタ―する。特に
可燃性ガスを使用する場合には、酸素や空気が混入する
と爆発の危険があるため、安全性確保の点からも酸素ガ
スの検知は極めて重要である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のガス検
知器はガス排出管の途中に設けてあるため、不必要なガ
スがプロセス管内に混入した場合に異常の検知が遅れが
ちであった。換言すれば、プロセス管内への不必要なガ
スの混入を未然に防止することはできなかったのであ
る。
知器はガス排出管の途中に設けてあるため、不必要なガ
スがプロセス管内に混入した場合に異常の検知が遅れが
ちであった。換言すれば、プロセス管内への不必要なガ
スの混入を未然に防止することはできなかったのであ
る。
【０００５】また、従来の半導体用熱処理炉では、プロ
セス管内の雰囲気を比重の小さいガスから大きいガスに
切換える際に、特にプロセス管の上部に残留しがちな比
重の小さいガスを確実に検知することができなかった。
セス管内の雰囲気を比重の小さいガスから大きいガスに
切換える際に、特にプロセス管の上部に残留しがちな比
重の小さいガスを確実に検知することができなかった。
【０００６】このように、従来の半導体用熱処理炉は安
全性・信頼性が完全ではなく、また、残留ガスの影響で
歩留が悪化するなど、生産性も十分ではなかった。
全性・信頼性が完全ではなく、また、残留ガスの影響で
歩留が悪化するなど、生産性も十分ではなかった。
【０００７】このような従来技術の問題点を解消して、
安全性に優れしかも生産性を向上できる半導体熱処理炉
を提供することが本発明の目的である。
安全性に優れしかも生産性を向上できる半導体熱処理炉
を提供することが本発明の目的である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、プロセス管
と、プロセス管内にガスを供給するための給気系と、プ
ロセス管内のガスを排出するための排気系とを有する半
導体用熱処理炉において、給気系１２，２２，３２，４
２とプロセス管１１，２１，３１，４１の少なくとも一
方にガス検知手段１５，１７，２７，３５，３７，４７
ａ，４７ｂを配置したことを特徴とする半導体用熱処理
炉を要旨としている。
と、プロセス管内にガスを供給するための給気系と、プ
ロセス管内のガスを排出するための排気系とを有する半
導体用熱処理炉において、給気系１２，２２，３２，４
２とプロセス管１１，２１，３１，４１の少なくとも一
方にガス検知手段１５，１７，２７，３５，３７，４７
ａ，４７ｂを配置したことを特徴とする半導体用熱処理
炉を要旨としている。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の好適な実施例
を説明する。図１は本発明による半導体用熱処理炉１０
を示す概念図である。図２，３はそれぞれ、図１の半導
体用熱処理炉１０の変形例を示す上面図である。
を説明する。図１は本発明による半導体用熱処理炉１０
を示す概念図である。図２，３はそれぞれ、図１の半導
体用熱処理炉１０の変形例を示す上面図である。
【００１０】半導体用熱処理炉１０は、プロセス管（炉
芯管ともいう）１１と、プロセス管１１内にガスを供給
するための給気系１２と、プロセス管１１内のガスを排
出するための排気系１３を備えている。
芯管ともいう）１１と、プロセス管１１内にガスを供給
するための給気系１２と、プロセス管１１内のガスを排
出するための排気系１３を備えている。
【００１１】プロセス管１１の外側には通常の均熱管、
加熱部材、断熱材、ハウジング等が適宜配置されるが、
これらの部材は本発明の要旨と直接関係がないので図示
せず説明も省略する。
加熱部材、断熱材、ハウジング等が適宜配置されるが、
これらの部材は本発明の要旨と直接関係がないので図示
せず説明も省略する。
【００１２】給気系１２は、ガス供給装置１４及び給気
配管を有している。ガス供給装置１４とプロセス管１１
は給気配管によって連通していて、給気配管の途中には
ガス検知手段１５が設けられている。ガス検知手段１５
は、例えばガス圧検知装置として構成でき、酸素分圧、
水素分圧、その他のガスの分圧、及び全ガス圧を検知可
能である。
配管を有している。ガス供給装置１４とプロセス管１１
は給気配管によって連通していて、給気配管の途中には
ガス検知手段１５が設けられている。ガス検知手段１５
は、例えばガス圧検知装置として構成でき、酸素分圧、
水素分圧、その他のガスの分圧、及び全ガス圧を検知可
能である。
【００１３】給気系１２に設けたガス検知手段１５は、
誤動作・誤操作等によって不適切なガスがプロセス管内
に流入するのを事前に検知するのに役立つ。従って、特
に可燃性ガス使用時には爆発を確実に防止できる。ま
た、不適切なガスによるウエハの汚染を未然に防ぐこと
もできる。
誤動作・誤操作等によって不適切なガスがプロセス管内
に流入するのを事前に検知するのに役立つ。従って、特
に可燃性ガス使用時には爆発を確実に防止できる。ま
た、不適切なガスによるウエハの汚染を未然に防ぐこと
もできる。
【００１４】プロセス管１１の中間部分には、ガス検知
手段１７が設けられている。このガス検知手段１７は、
プロセス管内の雰囲気を入れ換える時に、残留ガスの有
無を検知するのに役立つ。また、プロセス管内の圧力の
モニタリングにも利用できる。プロセス管１１には複数
個のガス検知手段１７を設けてもよく、例えば図２，３
に示すようにプロセス管の円周方向に２個又は４個のガ
ス検知手段１７を配置することも可能である。
手段１７が設けられている。このガス検知手段１７は、
プロセス管内の雰囲気を入れ換える時に、残留ガスの有
無を検知するのに役立つ。また、プロセス管内の圧力の
モニタリングにも利用できる。プロセス管１１には複数
個のガス検知手段１７を設けてもよく、例えば図２，３
に示すようにプロセス管の円周方向に２個又は４個のガ
ス検知手段１７を配置することも可能である。
【００１５】プロセス管１１の底部には排気系１３が設
けられている。排気系１３にはガス検知手段１６が配置
されている。このガス検知手段１６は、例えばプロセス
管１１内の圧力を所定圧に保つのに役立つ。また、排気
系に不具合が生じなおかつ炉内に可燃性ガスが残ってい
る場合に、排気系の検知手段により迅速に炉内を不燃性
ガスによりパージするなどの安全性にも役立つ。
けられている。排気系１３にはガス検知手段１６が配置
されている。このガス検知手段１６は、例えばプロセス
管１１内の圧力を所定圧に保つのに役立つ。また、排気
系に不具合が生じなおかつ炉内に可燃性ガスが残ってい
る場合に、排気系の検知手段により迅速に炉内を不燃性
ガスによりパージするなどの安全性にも役立つ。
【００１６】次に、図４〜６を参照して他の実施例を説
明する。
明する。
【００１７】図４の半導体用熱処理炉２０の給気系２２
には、ガス検知手段が設けられていない。そのかわり
に、プロセス管２１の上部にガス検知手段２７が配置し
てあって、給気系２２からプロセス管２１内に不適切な
ガスが流入したら直ちにこれを検知できるようになって
いる。このように、給気系２２の入口近くにガス検知手
段２７を設けることによって、給気系２２のガス検知手
段を省略することが可能である。しかし、給気系にガス
検知手段を設け、さらにプロセス管２１の上部にもガス
検知手段を設けることによって、２つのガス検知手段の
情報からガス切換時の詳細なガス圧の制御が可能となる
という大きな効果を得ることができる。
には、ガス検知手段が設けられていない。そのかわり
に、プロセス管２１の上部にガス検知手段２７が配置し
てあって、給気系２２からプロセス管２１内に不適切な
ガスが流入したら直ちにこれを検知できるようになって
いる。このように、給気系２２の入口近くにガス検知手
段２７を設けることによって、給気系２２のガス検知手
段を省略することが可能である。しかし、給気系にガス
検知手段を設け、さらにプロセス管２１の上部にもガス
検知手段を設けることによって、２つのガス検知手段の
情報からガス切換時の詳細なガス圧の制御が可能となる
という大きな効果を得ることができる。
【００１８】このようにプロセス管２１の上部にガス検
知手段２７を設けることにより、水素やヘリウムガス等
から窒素やアルゴンガス等に雰囲気を切換える際に、プ
ロセス管２１の上部に残留し易い低比重ガスを適確に検
出することができる。従って、残留ガスによる悪影響を
完全に防止することができる。
知手段２７を設けることにより、水素やヘリウムガス等
から窒素やアルゴンガス等に雰囲気を切換える際に、プ
ロセス管２１の上部に残留し易い低比重ガスを適確に検
出することができる。従って、残留ガスによる悪影響を
完全に防止することができる。
【００１９】図５に示した半導体熱処理炉３０では、プ
ロセス管３１の下部にガス検知手段３７が設けられてい
る。この場合には、窒素やアルゴンガスから水素やヘリ
ウムガスに炉内雰囲気を切換える際に、プロセス管３１
の下部に残留し易い高比重のガスを適確に検出できる。
特に窒素ガスの残留により生じるウエハ窒化不良を確実
に防止することができる。
ロセス管３１の下部にガス検知手段３７が設けられてい
る。この場合には、窒素やアルゴンガスから水素やヘリ
ウムガスに炉内雰囲気を切換える際に、プロセス管３１
の下部に残留し易い高比重のガスを適確に検出できる。
特に窒素ガスの残留により生じるウエハ窒化不良を確実
に防止することができる。
【００２０】図６に示した半導体熱処理炉４０では、プ
ロセス管４１の上部と下部にそれぞれガス検知手段４７
ａと４７ｂが配置されている。給気系４２と排気系４３
のガス検知手段は共に省略されている。このようにプロ
セス管４１の上部と下部にガス検知手段を設けることに
より、比重の大きい気体から比重の小さい気体への切換
え及びその反対方向の切換えにも対応できるようにな
る。
ロセス管４１の上部と下部にそれぞれガス検知手段４７
ａと４７ｂが配置されている。給気系４２と排気系４３
のガス検知手段は共に省略されている。このようにプロ
セス管４１の上部と下部にガス検知手段を設けることに
より、比重の大きい気体から比重の小さい気体への切換
え及びその反対方向の切換えにも対応できるようにな
る。
【００２１】なお、プロセス管４１の下部にガス検知手
段４７ｂを配置する場合に、図５の実施例のように排気
系のガス検知手段を省略せずに設けてもよい。このよう
に、プロセス管４１の下部と排気系の両方にガス検知手
段を設ける場合には炉内が減圧時において、排気ガス逆
流とウエハ汚染の二重の安全性が得られるという大きな
効果を得ることができる。
段４７ｂを配置する場合に、図５の実施例のように排気
系のガス検知手段を省略せずに設けてもよい。このよう
に、プロセス管４１の下部と排気系の両方にガス検知手
段を設ける場合には炉内が減圧時において、排気ガス逆
流とウエハ汚染の二重の安全性が得られるという大きな
効果を得ることができる。
【００２２】
【発明の効果】本発明の半導体用熱処理炉によれば、給
気系１２，２２，３２，４２とプロセス管１１，２１，
３１，４１の少なくとも一方にガス検知手段１５，１
７，２７，３５，３７，４７ａ，４７ｂが配置されてい
るので、プロセス管内雰囲気の切換えを適確に行うこと
ができると共に、プロセス管内への不適切なガスの流入
を直ちに検出することができる。従って、生産性及び安
全性を著しく向上させることができる。
気系１２，２２，３２，４２とプロセス管１１，２１，
３１，４１の少なくとも一方にガス検知手段１５，１
７，２７，３５，３７，４７ａ，４７ｂが配置されてい
るので、プロセス管内雰囲気の切換えを適確に行うこと
ができると共に、プロセス管内への不適切なガスの流入
を直ちに検出することができる。従って、生産性及び安
全性を著しく向上させることができる。
【００２３】なお、本発明は前述の実施例に限定されな
い。例えば、図１〜図６に示した実施例におけるガス検
知手段の配置を適当に組み合せて半導体用熱処理炉を構
成することができる。
い。例えば、図１〜図６に示した実施例におけるガス検
知手段の配置を適当に組み合せて半導体用熱処理炉を構
成することができる。
【図１】本発明による半導体用熱処理炉の実施例を示す
概念図。
概念図。
【図２】図１の実施例の変形例を示す上面図。
【図３】図１の実施例の別の変形例を示す上面図。
【図４】本発明による半導体用熱処理炉の他の実施例を
示す概念図。
示す概念図。
【図５】本発明による半導体用熱処理炉のさらに他の実
施例を示す概念図。
施例を示す概念図。
【図６】本発明による半導体用熱処理炉の別の実施例を
示す概念図。
示す概念図。
１０，２０，３０，４０ 半導体用熱処理炉 １１，２１，３１，４１ プロセス管 １２，２２，３２，４２ 給気系 １３，２３，３３，４３ 排気系 １４，２４，３４，４４ ガス供給装置 １５，１６，１７ ガス検知手段 ２６，２７ ガス検知手段 ３５，３６，３７ ガス検知手段 ４７ａ，４７ｂ ガス検知手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/31 21/324 Ｄ (72)発明者 加藤 悦史 千葉県東金市小沼田字戌開1573−８ 東芝 セラミックスファーネス株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 プロセス管と、プロセス管内にガスを供
給するための給気系と、プロセス管内のガスを排出する
ための排気系とを有する半導体用熱処理炉において、給
気系（１２，２２，３２，４２）とプロセス管（１１，
２１，３１，４１）の少なくとも一方にガス検知手段
（１５，１７，２７，３５，３７，４７ａ，４７ｂ）を
配置したことを特徴とする半導体用熱処理炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34685893A JPH07193020A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 半導体用熱処理炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34685893A JPH07193020A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 半導体用熱処理炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193020A true JPH07193020A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18386284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34685893A Pending JPH07193020A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 半導体用熱処理炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07193020A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997046842A1 (fr) * | 1996-06-04 | 1997-12-11 | Nippon Pillar Packing Co., Ltd. | Dispositif de traitement thermique vertical |
| JP2002009080A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-11 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2002025918A (ja) * | 2000-07-12 | 2002-01-25 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP34685893A patent/JPH07193020A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997046842A1 (fr) * | 1996-06-04 | 1997-12-11 | Nippon Pillar Packing Co., Ltd. | Dispositif de traitement thermique vertical |
| JP2002009080A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-11 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2002025918A (ja) * | 2000-07-12 | 2002-01-25 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
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