JPH0719368B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH0719368B2 JPH0719368B2 JP60185181A JP18518185A JPH0719368B2 JP H0719368 B2 JPH0719368 B2 JP H0719368B2 JP 60185181 A JP60185181 A JP 60185181A JP 18518185 A JP18518185 A JP 18518185A JP H0719368 B2 JPH0719368 B2 JP H0719368B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、真空蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形成
技術等の手法により非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を
磁性層として形成した、いわゆる強磁性金属薄膜の磁気
記録媒体に関するものである。
技術等の手法により非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を
磁性層として形成した、いわゆる強磁性金属薄膜の磁気
記録媒体に関するものである。
〔発明の概要〕 本発明は、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を磁性層と
して形成してなる磁気記録媒体において、 パーフルオロカルボン酸エステルを潤滑剤として被着
し、 特に低温域での使用条件下における耐摩耗性や走行性の
改善を図ろうとするものである。
して形成してなる磁気記録媒体において、 パーフルオロカルボン酸エステルを潤滑剤として被着
し、 特に低温域での使用条件下における耐摩耗性や走行性の
改善を図ろうとするものである。
従来より磁気記録媒体としては、非磁性支持体上にγ−
Fe2O3,Coを含有するγ−Fe2O3,Fe2O4,Coを含有するFe2O
4,γ−Fe2O3とFe3O4とのベルトライド化合物,Coを含有
するベルトライド化合物,CrO2等の酸化物強磁性粉末あ
るいはFe,Co,Ni等を主成分とする合金磁性粉末等の粉末
磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体，ポリエ
ステル樹脂，ポリウレタン樹脂等の有機バインダー中に
分散せしめた磁性塗料を塗布・乾燥することにより作製
される塗布型の磁気記録媒体が広く使用されている。
Fe2O3,Coを含有するγ−Fe2O3,Fe2O4,Coを含有するFe2O
4,γ−Fe2O3とFe3O4とのベルトライド化合物,Coを含有
するベルトライド化合物,CrO2等の酸化物強磁性粉末あ
るいはFe,Co,Ni等を主成分とする合金磁性粉末等の粉末
磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体，ポリエ
ステル樹脂，ポリウレタン樹脂等の有機バインダー中に
分散せしめた磁性塗料を塗布・乾燥することにより作製
される塗布型の磁気記録媒体が広く使用されている。
これに対して、高密度磁気記録への要求の高まりととも
に、Co−Ni合金等の強磁性金属材料を、メッキや真空薄
膜形成技術（真空蒸着法やスパッタリング法，イオンプ
レーティング法等）によってポリエステルフィルムやポ
リイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着した、
いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体が提案され、
注目を集めている。この強磁性金属薄膜型磁気記録媒体
は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換特性
に優れるばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄くする
ことが可能であるため記録減磁や再生時の厚み損失が著
しく小さいこと、磁性層中に非磁性材である有機バイン
ダーを混入する必要がないため磁性材料の充填密度を高
めることができること等、数々の利点を有している。
に、Co−Ni合金等の強磁性金属材料を、メッキや真空薄
膜形成技術（真空蒸着法やスパッタリング法，イオンプ
レーティング法等）によってポリエステルフィルムやポ
リイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着した、
いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体が提案され、
注目を集めている。この強磁性金属薄膜型磁気記録媒体
は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換特性
に優れるばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄くする
ことが可能であるため記録減磁や再生時の厚み損失が著
しく小さいこと、磁性層中に非磁性材である有機バイン
ダーを混入する必要がないため磁性材料の充填密度を高
めることができること等、数々の利点を有している。
しかしながら、上述の強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体
では、磁性層表面の平滑性が極めて良好であるために、
実質的な接触面積が大きくなり、凝着現象（いわゆるは
りつき）が起こり易くなったり摩擦係数が大きくなる
等、耐久性や走行性等に欠点が多く、その改善が大きな
課題となっている。一般に、磁気記録媒体は磁気信号の
記録・再生の過程で磁気ヘッドとの高速相対運動のもと
におかれ、その際走行が円滑に、かつ安定な状態で行わ
なければならない。また、磁気ヘッドとの接触による摩
耗や損傷が起こってはならない。
では、磁性層表面の平滑性が極めて良好であるために、
実質的な接触面積が大きくなり、凝着現象（いわゆるは
りつき）が起こり易くなったり摩擦係数が大きくなる
等、耐久性や走行性等に欠点が多く、その改善が大きな
課題となっている。一般に、磁気記録媒体は磁気信号の
記録・再生の過程で磁気ヘッドとの高速相対運動のもと
におかれ、その際走行が円滑に、かつ安定な状態で行わ
なければならない。また、磁気ヘッドとの接触による摩
耗や損傷が起こってはならない。
そこで例えば、上記磁気記録媒体の磁性層、すなわち強
磁性金属薄膜表面に、脂肪酸，脂肪酸エステル等の潤滑
剤を塗布して保護膜を形成することによって上記耐久性
や走行性を改善することが試みられている。
磁性金属薄膜表面に、脂肪酸，脂肪酸エステル等の潤滑
剤を塗布して保護膜を形成することによって上記耐久性
や走行性を改善することが試みられている。
ところで、上述のように潤滑剤を塗布して保護膜を形成
した場合には、この保護膜が磁性層である強磁性金属薄
膜に対して良好な密着性を示し、かつ高い潤滑効果を発
揮することが要求される。また、これら密着性や潤滑効
果は、熱帯，亜熱帯地方等のように高温多湿の条件下で
も、寒冷地のように低温の条件下でも優れたものでなけ
ればならない。
した場合には、この保護膜が磁性層である強磁性金属薄
膜に対して良好な密着性を示し、かつ高い潤滑効果を発
揮することが要求される。また、これら密着性や潤滑効
果は、熱帯，亜熱帯地方等のように高温多湿の条件下で
も、寒冷地のように低温の条件下でも優れたものでなけ
ればならない。
しかしながら、必ずしもこのような要求を満足するよう
な潤滑剤は知られておらず、どちらか一方の性質が劣
り、そのため磁気記録媒体の寿命が短いという欠点があ
った。例えば、潤滑剤の密着性が悪いと、次第にこの潤
滑剤が磁気ヘッド等により削り取られ、急激に効果が低
下する。また、特に、従来の潤滑剤は０〜−５℃のよう
な低温下では固体または凍結するものが多く、低温での
走行性に優れたものが必要とされている。例えば、合成
潤滑油として広く使用されているリン酸トリエステル系
化合物（ほとんどは飽和アルキル基を有するものかフェ
ニル基を有するものである。）は０〜−５℃の低温下で
はほとんど凍結してしまい、低温での走行性に劣る。
な潤滑剤は知られておらず、どちらか一方の性質が劣
り、そのため磁気記録媒体の寿命が短いという欠点があ
った。例えば、潤滑剤の密着性が悪いと、次第にこの潤
滑剤が磁気ヘッド等により削り取られ、急激に効果が低
下する。また、特に、従来の潤滑剤は０〜−５℃のよう
な低温下では固体または凍結するものが多く、低温での
走行性に優れたものが必要とされている。例えば、合成
潤滑油として広く使用されているリン酸トリエステル系
化合物（ほとんどは飽和アルキル基を有するものかフェ
ニル基を有するものである。）は０〜−５℃の低温下で
はほとんど凍結してしまい、低温での走行性に劣る。
そこで本発明は、如何なる使用条件下においても密着性
や潤滑性が保たれ、摩擦係数が小さく、耐摩耗性や走行
性に優れた磁気記録媒体を提供することを目的とする。
や潤滑性が保たれ、摩擦係数が小さく、耐摩耗性や走行
性に優れた磁気記録媒体を提供することを目的とする。
本発明者等は、上述の目的を達成せんものと鋭意研究の
結果、パーフルオロカルボン酸のエステル部に長鎖のア
ルキル基，あるいは二重結合を有するアルキル基，さら
には枝分かれしたアルキル基の何れかを導入したパーフ
ルオロカルボン酸エステルがこの目的に対して有用であ
ることを見出し本発明を完成するに至ったものであっ
て、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成し、この強
磁性金属薄膜に一般式 CnF2n+1COOR （ただし、式中ｎは６〜10の整数を表し、Ｒは炭素数９
〜25の炭化水素基を表す。） で示されるパーフルオロカルボン酸エステルを被着した
ことを特徴とするものである。
結果、パーフルオロカルボン酸のエステル部に長鎖のア
ルキル基，あるいは二重結合を有するアルキル基，さら
には枝分かれしたアルキル基の何れかを導入したパーフ
ルオロカルボン酸エステルがこの目的に対して有用であ
ることを見出し本発明を完成するに至ったものであっ
て、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成し、この強
磁性金属薄膜に一般式 CnF2n+1COOR （ただし、式中ｎは６〜10の整数を表し、Ｒは炭素数９
〜25の炭化水素基を表す。） で示されるパーフルオロカルボン酸エステルを被着した
ことを特徴とするものである。
このパーフルオロカルボン酸エステルは、パーフルオロ
カルボン酸と相当するアルコールとを反応させることに
よって容易に合成することができる。
カルボン酸と相当するアルコールとを反応させることに
よって容易に合成することができる。
上記パーフルオロカルボン酸エステルにおいて、パーフ
ルオロカルボン酸部の炭素数ｎは、６〜10の範囲である
ことが好ましい。この炭素数ｎが６未満であると、潤滑
効果が不足し、逆に炭素数が10を越えると低温域で凝固
するようになり、したがって低温条件下での潤滑効果が
低下する。エステル部の炭化水素基の炭素数においても
同様で、先の一般式中、Ｒの炭素数が９〜25であること
が好ましい。Ｒの炭素数が９未満であると、潤滑効果が
不足し、25を越えると低温での潤滑効果がなくなる。な
お、この炭化水素基Ｒは、長鎖のアルキル基であっても
よいし、枝分かれしたアルキル基や二重結合を有するア
ルキレン鎖であってもよい。
ルオロカルボン酸部の炭素数ｎは、６〜10の範囲である
ことが好ましい。この炭素数ｎが６未満であると、潤滑
効果が不足し、逆に炭素数が10を越えると低温域で凝固
するようになり、したがって低温条件下での潤滑効果が
低下する。エステル部の炭化水素基の炭素数においても
同様で、先の一般式中、Ｒの炭素数が９〜25であること
が好ましい。Ｒの炭素数が９未満であると、潤滑効果が
不足し、25を越えると低温での潤滑効果がなくなる。な
お、この炭化水素基Ｒは、長鎖のアルキル基であっても
よいし、枝分かれしたアルキル基や二重結合を有するア
ルキレン鎖であってもよい。
これらパーフルオロカルボン酸エステルを強磁性金属薄
膜に付着させる方法としては、上記パーフルオロカルボ
ン酸エステルを溶媒に溶解して得られた溶液を強磁性金
属薄膜の表面に塗布もしくは噴霧するか、あるいは逆に
この溶液中に強磁性金属薄膜を浸漬し乾燥すればよい。
膜に付着させる方法としては、上記パーフルオロカルボ
ン酸エステルを溶媒に溶解して得られた溶液を強磁性金
属薄膜の表面に塗布もしくは噴霧するか、あるいは逆に
この溶液中に強磁性金属薄膜を浸漬し乾燥すればよい。
ここで、パーフルオロカルボン酸エステルの塗布量とし
ては、0.5mg/m2〜100mg/m2であるのが好ましく、1mg/m2
〜20mg/m2であるのがより好ましい。この塗布量があま
り少なすぎると、摩擦係数の低下、耐摩耗性・耐久性の
向上という効果が顕れず、一方あまり多すぎると、摺動
部材と強磁性金属薄膜との間ではりつき現象が起こり、
却って走行性が悪くなる。
ては、0.5mg/m2〜100mg/m2であるのが好ましく、1mg/m2
〜20mg/m2であるのがより好ましい。この塗布量があま
り少なすぎると、摩擦係数の低下、耐摩耗性・耐久性の
向上という効果が顕れず、一方あまり多すぎると、摺動
部材と強磁性金属薄膜との間ではりつき現象が起こり、
却って走行性が悪くなる。
一方、本発明が適用される磁気記録媒体は、非磁性支持
体上に磁性層として強磁性金属薄膜を設けたものである
が、ここで非磁性支持体の素材としては、ポリエチレン
テレフタレート等のポリエステル類、ポリエチレン，ポ
リプロピレン等のポリオレフィン類、セルローストリア
セテート，セルロースダイアセテート，セルロースアセ
テートブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニ
ル，ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボ
ネート，ポリイミド，ポリアミドイミド等のプラスチッ
ク、アルミニウム合金，チタン合金等の軽金属、アルミ
ナガラス等のセラミックス等が挙げられる。この非磁性
支持体の形態としては、フィルム，シート，ディスク，
カード，ドラム等のいずれでもよい。
体上に磁性層として強磁性金属薄膜を設けたものである
が、ここで非磁性支持体の素材としては、ポリエチレン
テレフタレート等のポリエステル類、ポリエチレン，ポ
リプロピレン等のポリオレフィン類、セルローストリア
セテート，セルロースダイアセテート，セルロースアセ
テートブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニ
ル，ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボ
ネート，ポリイミド，ポリアミドイミド等のプラスチッ
ク、アルミニウム合金，チタン合金等の軽金属、アルミ
ナガラス等のセラミックス等が挙げられる。この非磁性
支持体の形態としては、フィルム，シート，ディスク，
カード，ドラム等のいずれでもよい。
また、上記磁性層である強磁性金属薄膜は、真空蒸着法
やイオンプレーティング法，スパッタリング法等の真空
薄膜形成技術により連続膜として形成される。
やイオンプレーティング法，スパッタリング法等の真空
薄膜形成技術により連続膜として形成される。
上記真空蒸着法は、10-4〜10-8Torrの真空下で強磁性金
属材料を抵抗加熱，高周波加熱，電子ビーム加熱等によ
り蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属（強磁性金属材
料）を沈着するというものであり、一般に高い抗磁力を
得るため基板に対して上記強磁性金属材料を斜めに蒸着
する斜方蒸着法が採用される。あるいは、より高い抗磁
力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸着を行うものも含
まれる。
属材料を抵抗加熱，高周波加熱，電子ビーム加熱等によ
り蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属（強磁性金属材
料）を沈着するというものであり、一般に高い抗磁力を
得るため基板に対して上記強磁性金属材料を斜めに蒸着
する斜方蒸着法が採用される。あるいは、より高い抗磁
力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸着を行うものも含
まれる。
上記イオンプレーティング法も真空蒸着法の一種であ
り、10-4〜10-3Torrの不活性ガス雰囲気中でDCグロー放
電,RF グロー放電を起こして、放電中ディスク上記強
磁性金属材料を蒸発させるというものである。
り、10-4〜10-3Torrの不活性ガス雰囲気中でDCグロー放
電,RF グロー放電を起こして、放電中ディスク上記強
磁性金属材料を蒸発させるというものである。
上記スパッタリング法は、10-3〜10-1Torrのアルゴンガ
スを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こし、生じ
たアルゴンガスイオンでターゲット表面の原子をたたき
出すというものであり、グロー放電の方法により直流２
極,3極スパッタ法や、高周波スパッタ法、またはマグネ
トロン放電を利用したマグネトロンスパッタ法等があ
る。このスパッタリング法による場合には、CrやW,V等
の下地膜を形成しておいてもよい。
スを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こし、生じ
たアルゴンガスイオンでターゲット表面の原子をたたき
出すというものであり、グロー放電の方法により直流２
極,3極スパッタ法や、高周波スパッタ法、またはマグネ
トロン放電を利用したマグネトロンスパッタ法等があ
る。このスパッタリング法による場合には、CrやW,V等
の下地膜を形成しておいてもよい。
なお、上記いずれの方法においても、基板上にあらかじ
めBi,Sb,Pb,Sn,Ga,In,Cd,Ge,Si,Tl等の下地金属層を被
着形成しておき、基板面に対して垂直方向から成膜する
ことにより、磁気異方性の配向がなく面内等方性に優れ
た磁性層を形成することができ、例えば磁気ディスクと
する場合には好適である。
めBi,Sb,Pb,Sn,Ga,In,Cd,Ge,Si,Tl等の下地金属層を被
着形成しておき、基板面に対して垂直方向から成膜する
ことにより、磁気異方性の配向がなく面内等方性に優れ
た磁性層を形成することができ、例えば磁気ディスクと
する場合には好適である。
このような真空薄膜形成技術により金属磁性薄膜を形成
する際に、使用される強磁性金属材料としては、Fe,Co,
Ni等の金属の他に、Co−Ni合金,Co−Pt合金,Co−Ni−Pt
合金,Fe−Co合金,Fe−Ni合金,Fe−Co−Ni合金,Fe−Co−
Ｂ合金のCo−Ni−Fe−Ｂ合金,Co−Cr合金あるいはこれ
らにCr,Al等の金属が含有されたもの等が挙げられる。
特に、Co−Cr合金を使用した場合には、垂直磁化膜が形
成される。
する際に、使用される強磁性金属材料としては、Fe,Co,
Ni等の金属の他に、Co−Ni合金,Co−Pt合金,Co−Ni−Pt
合金,Fe−Co合金,Fe−Ni合金,Fe−Co−Ni合金,Fe−Co−
Ｂ合金のCo−Ni−Fe−Ｂ合金,Co−Cr合金あるいはこれ
らにCr,Al等の金属が含有されたもの等が挙げられる。
特に、Co−Cr合金を使用した場合には、垂直磁化膜が形
成される。
このような手法により形成される磁性層の膜厚は、0.04
〜１μｍ程度である。
〜１μｍ程度である。
パーフルオロカルボン酸エステルは、強磁性金属薄膜に
強固に付着し、良好な潤滑効果を発揮して摩擦係数を低
減する。また、このパーフルオロカルボン酸エステル
は、如何なる条件下（特に低温下）においても良好な潤
滑効果を発揮する。
強固に付着し、良好な潤滑効果を発揮して摩擦係数を低
減する。また、このパーフルオロカルボン酸エステル
は、如何なる条件下（特に低温下）においても良好な潤
滑効果を発揮する。
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明がこれら実施例に限定されるものではない。
発明がこれら実施例に限定されるものではない。
合成例1. ノナデカフルオロデカン酸イソステアリルエステル イソステアリルアルコールとノナデカフルオロデカン酸
をトルエン中、ｐ−トルエンスルホン酸を触媒としてエ
ステル反応を行った。すなわち、１時間加熱還流後、３
時間かけて溶媒中の水分を除去し、さらにトルエンを減
圧下，エバポレータを用いて除き、真空蒸留して精製し
た。（なお、イソステアリルアルコールは、市販のイソ
ステアリン酸をｎ−ブチルエステル化後、水素化リチウ
ムアルミニウムで還元して合成した。） 得られた留分の沸点bpは140〜145℃/0.2mmHgであった。
をトルエン中、ｐ−トルエンスルホン酸を触媒としてエ
ステル反応を行った。すなわち、１時間加熱還流後、３
時間かけて溶媒中の水分を除去し、さらにトルエンを減
圧下，エバポレータを用いて除き、真空蒸留して精製し
た。（なお、イソステアリルアルコールは、市販のイソ
ステアリン酸をｎ−ブチルエステル化後、水素化リチウ
ムアルミニウムで還元して合成した。） 得られた留分の沸点bpは140〜145℃/0.2mmHgであった。
また、生成物の確認は、赤外分光分析（IR），核磁気共
鳴分析（NMR），質量分析（MASS）によって行った。そ
の結果、1210〜1380cm-1にかけてCF結合特有の吸収、17
80cm-1にエステルの吸収、2910cm-1にCHの伸縮振動によ
る吸収が見られ、また化学イオン法によるマスクペクト
ルでは、分子イオンピークM+が765に見られることか
ら、この構造を決定した。
鳴分析（NMR），質量分析（MASS）によって行った。そ
の結果、1210〜1380cm-1にかけてCF結合特有の吸収、17
80cm-1にエステルの吸収、2910cm-1にCHの伸縮振動によ
る吸収が見られ、また化学イオン法によるマスクペクト
ルでは、分子イオンピークM+が765に見られることか
ら、この構造を決定した。
合成例2. ペンタデカフルオロデカン酸イソステアリルエステル 先の合成例１と同様の方法により、イソステアリルアル
コールとペンタデカフルオロオクタン酸をトルエン中、
ｐ−トルエンスルホン酸を触媒として反応させた。
コールとペンタデカフルオロオクタン酸をトルエン中、
ｐ−トルエンスルホン酸を触媒として反応させた。
bp 120〜134℃（0.2mmHg） IR 1200〜1400cm-1 1780cm-1 2920cm-1 M+ 665 合成例3. ペンタデカフルオロオクタン酸イソノニルエステル （CH3）3C（CH2）CH（CH3）CH2CH2OCO（CF2）6CF3 先の合成例１と同様の方法により、イソノニルアルコー
ルとペンタデカフルオロオクタン酸をトルエン中、ｐ−
トルエンスルホン酸を触媒として反応させた。
ルとペンタデカフルオロオクタン酸をトルエン中、ｐ−
トルエンスルホン酸を触媒として反応させた。
bp 94℃（0.2mmHg） IR 1210〜1390cm-1 1785cm-1 2850〜2960cm-1 M+ 539 合成例4. ペンタデカフルオロオクタン酸リノレイルエステル CH3（CH2）３（CH2CH＝CH）２（CH2）8OCO（CF2）6CF3 先の合成例１と同様の方法により、リノレイルアルコー
ルとペンタデカフルオロオクタン酸をトルエン中、ｐ−
トルエンスルホン酸を触媒として反応させた。
ルとペンタデカフルオロオクタン酸をトルエン中、ｐ−
トルエンスルホン酸を触媒として反応させた。
bp 135〜139℃（0.2mmHg） IR 1210〜1380cm-1 1780cm-1 2850〜3020cm-1 M+ 663 実施例1. 14μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに斜め
蒸着法によりCoを被着させ、膜厚1000Åの強磁性金属薄
膜を形成した。
蒸着法によりCoを被着させ、膜厚1000Åの強磁性金属薄
膜を形成した。
次に、この強磁性金属薄膜表面に先の合成例１で得られ
たノナデカフルオロデカン酸イソステアリルエステルの
１％フレオン溶液を、このノナデカフルオロデカン酸イ
ソステアリルエステルの塗布量が5mg/m2となるように塗
布し、1/2インチ幅に裁断してサンプルテープを作製し
た。
たノナデカフルオロデカン酸イソステアリルエステルの
１％フレオン溶液を、このノナデカフルオロデカン酸イ
ソステアリルエステルの塗布量が5mg/m2となるように塗
布し、1/2インチ幅に裁断してサンプルテープを作製し
た。
実施例2. ノナデカフルオロデカン酸イソステアリルエステルのか
わりに先の合成例２で得られたペンタデカフルオロオク
タン酸イソステアリルエステルを用い、他は実施例１と
同様の方法によりサンプルテープを作製した。
わりに先の合成例２で得られたペンタデカフルオロオク
タン酸イソステアリルエステルを用い、他は実施例１と
同様の方法によりサンプルテープを作製した。
実施例3. ノナデカフルオロデカン酸イソステアリルエステルのか
わりに先の合成例３で得られたペンタデカフルオロオク
タン酸イソノニルエステルを用い、他は実施例１と同様
の方法によりサンプルテープを作製した。
わりに先の合成例３で得られたペンタデカフルオロオク
タン酸イソノニルエステルを用い、他は実施例１と同様
の方法によりサンプルテープを作製した。
実施例4. ノナデカフルオロデカン酸イソステアリルエステルのか
わりに先の合成例４で得られたペンタデカフルオロオク
タン酸リノイルエステルを用い、他は実施例１と同様の
方法によりサンプルテープを作製した。
わりに先の合成例４で得られたペンタデカフルオロオク
タン酸リノイルエステルを用い、他は実施例１と同様の
方法によりサンプルテープを作製した。
上述の各実施例で作製されたサンプルテープについて、
温度25℃，相対湿度（RH）50％、および−５℃の各条件
下での動摩擦係数及びシャトル耐久性を測定した。この
動摩擦係数は、材質がステンレス（SUS304）のガイドピ
ンを用い、一定のテンションをかけ5mm/secの速度で送
り、試験したものである。また、シャトル耐久性は、１
回につき２分間のシャトル走行を行い、出力が−3dB低
下までのシャトル回数で評価した。なお、比較例とし
て、全く潤滑剤を被着しないブランクテープについても
測定した。結果を次表に示す。
温度25℃，相対湿度（RH）50％、および−５℃の各条件
下での動摩擦係数及びシャトル耐久性を測定した。この
動摩擦係数は、材質がステンレス（SUS304）のガイドピ
ンを用い、一定のテンションをかけ5mm/secの速度で送
り、試験したものである。また、シャトル耐久性は、１
回につき２分間のシャトル走行を行い、出力が−3dB低
下までのシャトル回数で評価した。なお、比較例とし
て、全く潤滑剤を被着しないブランクテープについても
測定した。結果を次表に示す。
この表からも明らかなように、本発明の各実施例は、常
温，高温高湿，低温の各条件下で動摩擦係数が小さく、
走行が極めて安定しており、また100回往復走行後もテ
ープ表面の損傷は全く見られなかった。また、耐久性も
極めて良く、150回シャトル走行を行っても出力の−3dB
低下は見られなかった。これに対して、潤滑剤層のない
比較例のテープでは、摩擦係数が往復走行回数が多くな
るにつれて大となり、走行も不安定でテープの摩耗が見
られ、耐久性も悪いものであった。
温，高温高湿，低温の各条件下で動摩擦係数が小さく、
走行が極めて安定しており、また100回往復走行後もテ
ープ表面の損傷は全く見られなかった。また、耐久性も
極めて良く、150回シャトル走行を行っても出力の−3dB
低下は見られなかった。これに対して、潤滑剤層のない
比較例のテープでは、摩擦係数が往復走行回数が多くな
るにつれて大となり、走行も不安定でテープの摩耗が見
られ、耐久性も悪いものであった。
以上の説明からも明らかなように、本発明においては強
磁性金属薄膜型の磁気記録媒体の潤滑剤としてパーフル
オロカルボン酸エステルを用いているので、如何なる条
件下においても動摩擦係数を小さくすることができ、走
行安定性や耐摩耗性に優れた磁気記録媒体とすることが
できる。
磁性金属薄膜型の磁気記録媒体の潤滑剤としてパーフル
オロカルボン酸エステルを用いているので、如何なる条
件下においても動摩擦係数を小さくすることができ、走
行安定性や耐摩耗性に優れた磁気記録媒体とすることが
できる。
特に、凝固点温度が低いことから、低温下での使用時に
効果が大きい。
効果が大きい。
Claims (1)
- 【請求項１】非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成
し、この強磁性金属薄膜に一般式 CnF2n+1COOR （ただし、式中ｎは６〜10の整数を表し、Ｒは炭素数９
〜25の炭化水素基を表す。） で示されるパーフルオロカルボン酸エステルを被着した
ことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60185181A JPH0719368B2 (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60185181A JPH0719368B2 (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 磁気記録媒体 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1099586A Division JPS6245562A (ja) | 1986-01-23 | 1986-01-23 | パ−フルオロカルボン酸エステル及びパ−フルオロカルボン酸エステルを含有する潤滑剤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6246431A JPS6246431A (ja) | 1987-02-28 |
| JPH0719368B2 true JPH0719368B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=16166256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60185181A Expired - Fee Related JPH0719368B2 (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719368B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01169087U (ja) * | 1988-05-18 | 1989-11-29 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2991407B2 (ja) * | 1995-02-24 | 1999-12-20 | 日本電気株式会社 | 液晶表示素子及びその製造方法 |
| KR100339985B1 (ko) | 1997-07-16 | 2002-06-08 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 윤활제 조성물 및 자기기록 매체와 자기기록 매체의제조방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0610868B2 (ja) * | 1984-10-22 | 1994-02-09 | 日本電気株式会社 | 磁気記憶体 |
-
1985
- 1985-08-23 JP JP60185181A patent/JPH0719368B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01169087U (ja) * | 1988-05-18 | 1989-11-29 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6246431A (ja) | 1987-02-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |