JPH0719400B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0719400B2 JPH0719400B2 JP59151495A JP15149584A JPH0719400B2 JP H0719400 B2 JPH0719400 B2 JP H0719400B2 JP 59151495 A JP59151495 A JP 59151495A JP 15149584 A JP15149584 A JP 15149584A JP H0719400 B2 JPH0719400 B2 JP H0719400B2
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- Japan
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- recording medium
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- optical recording
- hexagonal
- magnetic
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はハードデイスク、フロツピーデイスタ、光磁気
メモリ等に使用される光磁気記録媒体に関する。
メモリ等に使用される光磁気記録媒体に関する。
従来技術 従来、磁気記録媒体の磁性体として六方晶型酸化物を用
いたものが知られている。これら六方晶型酸化物磁性体
を用いた磁気記録媒体は、例えばBaフエライトの六角板
状の粉末粒子をバインダー中に分散してこれを支持体上
に塗布し、磁場配向して垂直磁化配向膜を作成してい
た。この場合に得られる記録媒体の記録密度は76KBI程
度であり、これ以上の高密度記録を行うためにはBaフエ
ライト六角板状の粉末の粒子径をより小さくする必要が
ある。しかし、この粒子径が小さくなると、面方向と層
方向の軸比が小さくなり、磁場配向が困難となる。ま
た、配向した六角板状のすき間に非磁性体のバインダー
があるので、この領域の分だけ記録密度が減じることに
なる。本発明はバインダーを用いることなしに基板上に
直接六方晶Ｗ型酸化物磁性体薄膜をスパツタリング、蒸
着法、イオンプレーテイング法によつて作成し、非磁性
領域の無い高密度光磁気記録媒体とする。六方晶Ｗ型酸
化物磁性体はキュリー温度が高く、半導体レーザーで記
録できない。そこでFeの１部を他の金属で置換してキュ
リー温度を下げて光磁気記録媒体に適用した。
いたものが知られている。これら六方晶型酸化物磁性体
を用いた磁気記録媒体は、例えばBaフエライトの六角板
状の粉末粒子をバインダー中に分散してこれを支持体上
に塗布し、磁場配向して垂直磁化配向膜を作成してい
た。この場合に得られる記録媒体の記録密度は76KBI程
度であり、これ以上の高密度記録を行うためにはBaフエ
ライト六角板状の粉末の粒子径をより小さくする必要が
ある。しかし、この粒子径が小さくなると、面方向と層
方向の軸比が小さくなり、磁場配向が困難となる。ま
た、配向した六角板状のすき間に非磁性体のバインダー
があるので、この領域の分だけ記録密度が減じることに
なる。本発明はバインダーを用いることなしに基板上に
直接六方晶Ｗ型酸化物磁性体薄膜をスパツタリング、蒸
着法、イオンプレーテイング法によつて作成し、非磁性
領域の無い高密度光磁気記録媒体とする。六方晶Ｗ型酸
化物磁性体はキュリー温度が高く、半導体レーザーで記
録できない。そこでFeの１部を他の金属で置換してキュ
リー温度を下げて光磁気記録媒体に適用した。
目的 本発明は上記した従来の六方晶型酸化物磁性体を用いた
場合の問題点を解消し、高密度記録可能な磁気記録媒
体、構成によつては光磁気記録媒体を提供することを目
的とするものである。
場合の問題点を解消し、高密度記録可能な磁気記録媒
体、構成によつては光磁気記録媒体を提供することを目
的とするものである。
構成 本発明は一般式▲AMe2+ 2▼〔MxFe16-x〕O27（但しＡはB
a,Sr,Pb,Caの１種、Me2+はFe,Zn,Ni,Mg,Co,Cuの１種又
は２種、ＭはAl,Ga,Cr,In,Tiの１種又は２種、Ｏ＜Ｘ≦
５）で示される六方晶Ｗ型酸化物磁性体の垂直磁化膜を
有する光磁気記録媒体である。本発明の六方晶Ｗ型酸化
物磁性体はマグネツトプランバイト型と似た構造、O2-
によつて稠密に充填された六方晶型で陽イオンはO2-の
間隙に介在する。マクネツトプランバイト型と比べて飽
和磁化が10％大きく、膜面に対して垂直方向の磁気異方
性を有し、光磁気記録媒体に適した垂直磁化磁性体であ
る。
a,Sr,Pb,Caの１種、Me2+はFe,Zn,Ni,Mg,Co,Cuの１種又
は２種、ＭはAl,Ga,Cr,In,Tiの１種又は２種、Ｏ＜Ｘ≦
５）で示される六方晶Ｗ型酸化物磁性体の垂直磁化膜を
有する光磁気記録媒体である。本発明の六方晶Ｗ型酸化
物磁性体はマグネツトプランバイト型と似た構造、O2-
によつて稠密に充填された六方晶型で陽イオンはO2-の
間隙に介在する。マクネツトプランバイト型と比べて飽
和磁化が10％大きく、膜面に対して垂直方向の磁気異方
性を有し、光磁気記録媒体に適した垂直磁化磁性体であ
る。
具体例としては次の如きものが挙げられる。
▲SrFe2+ 2▼〔▲Al3+ 4▼Fe12〕O27,SrCo2+Fe2+〔▲Al3+
2▼▲Fe3+ 14▼〕O27,SrZn2+Fe2+〔▲Al3+ 3▼▲Fe
3+ 13▼〕O27, ▲BaZn2+ 2▼〔▲Al3+ 2▼▲Fe3+ 14▼〕O27,▲SrZn2+ 2▼
〔▲Al3+ 4▼▲Fe3+ 12▼〕O27, ▲PbZn2+ 2▼〔Sc3+▲Fe3+ 15▼〕O27,▲BaZn2+ 2▼〔▲Ga
3+ 3▼▲Fe3+ 13▼〕O27, ▲BaZn2+ 2▼〔In3+▲Fe3+ 15▼〕O27,▲SrZn2+ 2▼〔▲Ga
3+ 3▼▲Fe3+ 13▼〕O27, ▲BaCu2+ 2▼〔▲Al3+ 3▼▲Fe3+ 13▼〕O27, BaNi2+Cu2+〔▲Ga3+ 3▼▲Fe3+ 13▼〕O27, ▲SrCu2+ 2▼〔▲Al3+ 3▼In3+▲Fe3+ 13▼〕O27, ▲BaFe2+ 2▼〔▲Al3+ 3▼▲Fe3+ 13▼〕O27, BaZn2+Fe2+〔▲Ga3+ 2▼In3+▲Fe3+ 13▼〕O27, ▲SrFe2+ 2▼〔▲Ga3+ 3▼▲Fe3+ 12▼〕O27, ▲PbFe2+ 2▼〔▲Ga3+ 3▼In3+▲Fe3+ 12▼〕O27, ▲SrCo2+ 2▼〔▲Co2+ 3▼Ti3/2▲Fe3+ 12▼〕O27, ▲PbFe2+ 2▼〔▲Al3+ 2▼▲Fe3+ 14▼〕O27, ▲BaCo2+ 2▼〔Co2+Ti4+▲Fe3+ 13▼〕O27, ▲BaMg2+ 2▼〔▲Al3+ 4▼▲Fe3+ 12▼〕O27, ▲SrZn2+ 2▼〔▲Zn2+ 2▼Sn4+▲Fe3+ 13▼〕O27, BiNi2+Fe2+〔▲Al3+ 3▼▲Fe3+ 13▼〕O27,▲BaFe2+ 2▼
〔▲Cr3+ 4▼▲Fe3+ 12▼〕O27, ▲BaZn2+ 2▼〔▲Zn2+ 2▼Ta4+▲Fe3+ 13▼〕O27,▲BaFe2+
2▼〔▲Bi3+ 3▼▲Fe3+ 13▼〕O27, BaCo2+Fe3+〔▲Ga2+ 2▼▲Fe3+ 14▼〕O27 上記のような本発明に係る六方晶Ｗ型酸化物磁性体は予
めターゲツトとされ、このターゲツトを用いて支持体上
にスパツタリング、イオンプレーテイング、イオン化ク
ラスタービーム法等の手段で支持体温度200〜650℃に維
持して膜厚1000〜30000Åの垂直磁化膜を得る。
2▼▲Fe3+ 14▼〕O27,SrZn2+Fe2+〔▲Al3+ 3▼▲Fe
3+ 13▼〕O27, ▲BaZn2+ 2▼〔▲Al3+ 2▼▲Fe3+ 14▼〕O27,▲SrZn2+ 2▼
〔▲Al3+ 4▼▲Fe3+ 12▼〕O27, ▲PbZn2+ 2▼〔Sc3+▲Fe3+ 15▼〕O27,▲BaZn2+ 2▼〔▲Ga
3+ 3▼▲Fe3+ 13▼〕O27, ▲BaZn2+ 2▼〔In3+▲Fe3+ 15▼〕O27,▲SrZn2+ 2▼〔▲Ga
3+ 3▼▲Fe3+ 13▼〕O27, ▲BaCu2+ 2▼〔▲Al3+ 3▼▲Fe3+ 13▼〕O27, BaNi2+Cu2+〔▲Ga3+ 3▼▲Fe3+ 13▼〕O27, ▲SrCu2+ 2▼〔▲Al3+ 3▼In3+▲Fe3+ 13▼〕O27, ▲BaFe2+ 2▼〔▲Al3+ 3▼▲Fe3+ 13▼〕O27, BaZn2+Fe2+〔▲Ga3+ 2▼In3+▲Fe3+ 13▼〕O27, ▲SrFe2+ 2▼〔▲Ga3+ 3▼▲Fe3+ 12▼〕O27, ▲PbFe2+ 2▼〔▲Ga3+ 3▼In3+▲Fe3+ 12▼〕O27, ▲SrCo2+ 2▼〔▲Co2+ 3▼Ti3/2▲Fe3+ 12▼〕O27, ▲PbFe2+ 2▼〔▲Al3+ 2▼▲Fe3+ 14▼〕O27, ▲BaCo2+ 2▼〔Co2+Ti4+▲Fe3+ 13▼〕O27, ▲BaMg2+ 2▼〔▲Al3+ 4▼▲Fe3+ 12▼〕O27, ▲SrZn2+ 2▼〔▲Zn2+ 2▼Sn4+▲Fe3+ 13▼〕O27, BiNi2+Fe2+〔▲Al3+ 3▼▲Fe3+ 13▼〕O27,▲BaFe2+ 2▼
〔▲Cr3+ 4▼▲Fe3+ 12▼〕O27, ▲BaZn2+ 2▼〔▲Zn2+ 2▼Ta4+▲Fe3+ 13▼〕O27,▲BaFe2+
2▼〔▲Bi3+ 3▼▲Fe3+ 13▼〕O27, BaCo2+Fe3+〔▲Ga2+ 2▼▲Fe3+ 14▼〕O27 上記のような本発明に係る六方晶Ｗ型酸化物磁性体は予
めターゲツトとされ、このターゲツトを用いて支持体上
にスパツタリング、イオンプレーテイング、イオン化ク
ラスタービーム法等の手段で支持体温度200〜650℃に維
持して膜厚1000〜30000Åの垂直磁化膜を得る。
ターゲツトの作製方法の一例を示せば次のようである。
すなわちACO3とFe2O3およびMeO,MOの粉末をポールミル
で50時間混合し、これを金型にプレスし、これをO2分圧
10-6〜10-12,1１分のN2気流中で1200〜1400℃で５時
間焼成する。次いでこれを粉砕し、ボールミルで100時
間粉砕した後、これを５％HCl水溶液にて酸処理し不純
物を除去する。これを乾燥し、金型に入れてプレスして
大気中にて1200〜1400℃にて焼成し、所望の六方晶Ｗ型
酸化物磁性体ターゲツトを得る。
すなわちACO3とFe2O3およびMeO,MOの粉末をポールミル
で50時間混合し、これを金型にプレスし、これをO2分圧
10-6〜10-12,1１分のN2気流中で1200〜1400℃で５時
間焼成する。次いでこれを粉砕し、ボールミルで100時
間粉砕した後、これを５％HCl水溶液にて酸処理し不純
物を除去する。これを乾燥し、金型に入れてプレスして
大気中にて1200〜1400℃にて焼成し、所望の六方晶Ｗ型
酸化物磁性体ターゲツトを得る。
本発明に適用し得る支持体としては耐熱ガラス、石英ガ
ラス、結晶化ガラス、GGG、リチウムタンタレート、単
結晶Si、アモルフアス無機SiO2、有機SiO2、セラミツク
（ZnO,MgO,Al2O3,SiC,Si3N4,TiN,TaN,CrN,AlN）、メタ
ル（Ni,Ni−Ｐ、ステンレス、銅、Al）、耐熱性プラス
チツク（ポリイミド、ポリアミド）等が好ましい。
ラス、結晶化ガラス、GGG、リチウムタンタレート、単
結晶Si、アモルフアス無機SiO2、有機SiO2、セラミツク
（ZnO,MgO,Al2O3,SiC,Si3N4,TiN,TaN,CrN,AlN）、メタ
ル（Ni,Ni−Ｐ、ステンレス、銅、Al）、耐熱性プラス
チツク（ポリイミド、ポリアミド）等が好ましい。
これらの支持体上に前述したスパツタリング法等の手段
で六方晶Ｗ型酸化物磁性体の垂直磁化膜を作製する。な
お、これら磁性体を垂直磁化膜にエピタキヤシヤル生成
させるためにはＷ型酸化物磁性体の結晶の六方晶Ｃ面と
の界面のミスフイツト率が小さいZnO,AlN,Ti,BaFe2O4,M
nZnFe2O4,αFe2O3,MgO,MnFe2O4等の下地層を設けること
が好ましい。
で六方晶Ｗ型酸化物磁性体の垂直磁化膜を作製する。な
お、これら磁性体を垂直磁化膜にエピタキヤシヤル生成
させるためにはＷ型酸化物磁性体の結晶の六方晶Ｃ面と
の界面のミスフイツト率が小さいZnO,AlN,Ti,BaFe2O4,M
nZnFe2O4,αFe2O3,MgO,MnFe2O4等の下地層を設けること
が好ましい。
また、支持体には反射層としてAl,Ag,Au,Pt,Cu等を設け
るようにしてもよく、このような反射層を設けた場合に
は光磁気記録媒体として使用するに好適である。その
他、磁性層の上面に所望により適宜の保護層、保護板を
設けるようにしてもよい。また磁性層の下にはパーマロ
イ等の軟磁性層を設けてもよい。
るようにしてもよく、このような反射層を設けた場合に
は光磁気記録媒体として使用するに好適である。その
他、磁性層の上面に所望により適宜の保護層、保護板を
設けるようにしてもよい。また磁性層の下にはパーマロ
イ等の軟磁性層を設けてもよい。
以下に実施例を示す。
実施例１ 単結晶シリコン（日立金属製）支持体１上に下地層２と
してZnOを膜厚500Å付着させ、この上に▲BaZn2+ 2▼
〔▲Ga3+ 3▼▲Fe3+ 13▼〕O27からなる磁性層３を3000Å
付着させ、保護板４として1mm厚のポリカーボネートを
エポキシ接着剤層５を介して接合し、第１図に示される
ような光磁気記録媒体を得た。
してZnOを膜厚500Å付着させ、この上に▲BaZn2+ 2▼
〔▲Ga3+ 3▼▲Fe3+ 13▼〕O27からなる磁性層３を3000Å
付着させ、保護板４として1mm厚のポリカーボネートを
エポキシ接着剤層５を介して接合し、第１図に示される
ような光磁気記録媒体を得た。
実施例２ バイコールガラス303（コーニング製）支持体１上に反
射層６としてAgを膜厚500Å付着させ、次に下地層２と
してAlNを膜厚500Å付着させ、この下地層２の上に磁性
層３としてSrZn2+Fe2+〔▲Al3+ 3▼▲Fe3+ 13▼〕O27を膜
厚5000Å付着させ、次にこの磁性層３の上にエポキシ接
着剤層５を介してプレグルーブ付メチルメタクリレート
樹脂からなる保護板４を接合して第２図に示されるよう
な光磁気記録媒体を得た。
射層６としてAgを膜厚500Å付着させ、次に下地層２と
してAlNを膜厚500Å付着させ、この下地層２の上に磁性
層３としてSrZn2+Fe2+〔▲Al3+ 3▼▲Fe3+ 13▼〕O27を膜
厚5000Å付着させ、次にこの磁性層３の上にエポキシ接
着剤層５を介してプレグルーブ付メチルメタクリレート
樹脂からなる保護板４を接合して第２図に示されるよう
な光磁気記録媒体を得た。
実施例３ プレグルーブ付Ni電鋳板の支持体１上に下地層としてZn
Oを膜厚1000Å付着させ、次いで磁性層３としてBaZn2+F
e2+〔▲Ga3+ 2▼In3+▲Fe3+ 13▼〕O27を膜厚3000Å付着
させ、この上にエポキシ接着剤層５を介して保護板４と
してポリメチルメタクリレール樹脂を接合し、第３図に
示されるような光磁気記録媒体を得た。
Oを膜厚1000Å付着させ、次いで磁性層３としてBaZn2+F
e2+〔▲Ga3+ 2▼In3+▲Fe3+ 13▼〕O27を膜厚3000Å付着
させ、この上にエポキシ接着剤層５を介して保護板４と
してポリメチルメタクリレール樹脂を接合し、第３図に
示されるような光磁気記録媒体を得た。
実施例４、５ 実施例１で得た第１図に示される光磁気記録媒体におい
て、磁性層３を次表に示す六方晶Ｗ型酸化物磁性体を用
いたこと以外は全く同様にして光磁気記録媒体を得た。
て、磁性層３を次表に示す六方晶Ｗ型酸化物磁性体を用
いたこと以外は全く同様にして光磁気記録媒体を得た。
実施例８〜15 実施例１で得た第１図に示される光磁気記録媒体におい
て、磁性層３を次表に示す六方晶Ｗ型酸化物磁性体を用
いたこと以外は全く同様にして光磁気記録媒体を得た。
て、磁性層３を次表に示す六方晶Ｗ型酸化物磁性体を用
いたこと以外は全く同様にして光磁気記録媒体を得た。
上記各実施例の記録媒体のうち、実施例1,2,3,8,9,10,1
1,12,13,14,15はキュリー温度が350℃以下であり、光レ
ーザーによつて記録再生するものである。
1,12,13,14,15はキュリー温度が350℃以下であり、光レ
ーザーによつて記録再生するものである。
上記実施例９の記録媒体を用い、830nmのレーザー光を8
mWの強さ、媒体の磁界と逆の外部磁界300エールステツ
ドをかけながら0.5メガヘルツの周波数で記録した結
果、約２μのビツト径が記録された。次に同じレーザー
2mWの強さで再生したところ、フアラデー回転角が約0.8
゜／μｍであつた。また第１表および第２表に示した各
実施例の記録媒体について同様にテストを行つたとこ
ろ、得られたビツト径は約１〜２μｍ、フアラデー回転
角は0.2〜0.9゜／μｍであつた。
mWの強さ、媒体の磁界と逆の外部磁界300エールステツ
ドをかけながら0.5メガヘルツの周波数で記録した結
果、約２μのビツト径が記録された。次に同じレーザー
2mWの強さで再生したところ、フアラデー回転角が約0.8
゜／μｍであつた。また第１表および第２表に示した各
実施例の記録媒体について同様にテストを行つたとこ
ろ、得られたビツト径は約１〜２μｍ、フアラデー回転
角は0.2〜0.9゜／μｍであつた。
効果 以上のような本発明によれば、六方晶Ｗ型酸化物磁性体
をバインダーを使用することなく、ターゲツトとし、こ
れを適宜の支持体上にスパツタリング、イオンプレーテ
イング、イオン化クラフトビーム法等によりエピタキシ
ヤル成長させるため、垂直磁化配向性に優れるとともに
記録密度が従来のものに比べて飛躍的に増大させること
が可能となる。
をバインダーを使用することなく、ターゲツトとし、こ
れを適宜の支持体上にスパツタリング、イオンプレーテ
イング、イオン化クラフトビーム法等によりエピタキシ
ヤル成長させるため、垂直磁化配向性に優れるとともに
記録密度が従来のものに比べて飛躍的に増大させること
が可能となる。
第１図〜第３図は本発明の実施例における記録媒体の構
成を示す概略説明図である。 １……支持体、２……下地層 ３……磁性層 ４……保護層、保護板、５……接合層 ６……反射層
成を示す概略説明図である。 １……支持体、２……下地層 ３……磁性層 ４……保護層、保護板、５……接合層 ６……反射層
Claims (1)
- 【請求項１】一般式 ▲AMe2+ 2▼〔MxFe16-x〕O27 （但し、ＡはBa,Sr,Pb,Caの１種、Me2+はFe,Zn,Ni,Mg,C
o,Cuの１種又は２種、ＭはAl,Ga,Cr,In,Tiの１種又は２
種、Ｏ＜Ｘ≦５）で示される六方晶Ｗ型酸化物磁性体の
垂直磁化膜を有する光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59151495A JPH0719400B2 (ja) | 1984-07-21 | 1984-07-21 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59151495A JPH0719400B2 (ja) | 1984-07-21 | 1984-07-21 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6129415A JPS6129415A (ja) | 1986-02-10 |
| JPH0719400B2 true JPH0719400B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=15519745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59151495A Expired - Lifetime JPH0719400B2 (ja) | 1984-07-21 | 1984-07-21 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719400B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009280498A (ja) * | 2003-12-09 | 2009-12-03 | Tdk Corp | フェライト磁性材料 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100393664C (zh) * | 2003-12-09 | 2008-06-11 | Tdk株式会社 | 铁氧体烧结磁体 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5660001A (en) * | 1979-10-19 | 1981-05-23 | Toshiba Corp | Magnetic recording medium |
| JPS56118305A (en) * | 1980-02-25 | 1981-09-17 | Dowa Mining Co Ltd | Manufacture of magnetic powder |
| JPS5945644A (ja) * | 1982-09-07 | 1984-03-14 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-07-21 JP JP59151495A patent/JPH0719400B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009280498A (ja) * | 2003-12-09 | 2009-12-03 | Tdk Corp | フェライト磁性材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6129415A (ja) | 1986-02-10 |
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