JPH07197210A - 磁歪材料 - Google Patents
磁歪材料Info
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- JPH07197210A JPH07197210A JP5353501A JP35350193A JPH07197210A JP H07197210 A JPH07197210 A JP H07197210A JP 5353501 A JP5353501 A JP 5353501A JP 35350193 A JP35350193 A JP 35350193A JP H07197210 A JPH07197210 A JP H07197210A
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- Japan
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- magnetostrictive
- magnetostrictive material
- argon
- rare earth
- iron
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、高周波領域での磁歪特性の劣化を
防止すると共に、低磁界振幅下での磁歪変化率の向上を
図ることのできる磁歪材料を提供することを目的とす
る。 【構成】 本発明は希土類−鉄系の磁歪材料であって、
前記磁歪材料中に含まれるアルゴン含有率が10ppm
〜1000ppmの範囲にあることを特徴とする。
防止すると共に、低磁界振幅下での磁歪変化率の向上を
図ることのできる磁歪材料を提供することを目的とす
る。 【構成】 本発明は希土類−鉄系の磁歪材料であって、
前記磁歪材料中に含まれるアルゴン含有率が10ppm
〜1000ppmの範囲にあることを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁歪が大きく、磁気−
変位変換デバイス等の磁歪素子に好適な希土類−鉄系の
磁歪材料に関する。
変位変換デバイス等の磁歪素子に好適な希土類−鉄系の
磁歪材料に関する。
【0002】
【従来の技術】磁性体に外部磁場を印加した際に、磁性
体が変型する磁歪を応用した素子或いは装置としては、
変位制御アクチュエータ、磁歪振動子、磁歪センサ、磁
歪フィルタ等が知られている。これら素子等に用いられ
る磁歪材料としては、従来、Ni基合金、Fe−Co合
金、フェライト系等が用いらてきた。
体が変型する磁歪を応用した素子或いは装置としては、
変位制御アクチュエータ、磁歪振動子、磁歪センサ、磁
歪フィルタ等が知られている。これら素子等に用いられ
る磁歪材料としては、従来、Ni基合金、Fe−Co合
金、フェライト系等が用いらてきた。
【0003】近年、計測工学の進歩及び精密機械分野の
発展に伴い、ミクロンオーダの微小変位制御に不可欠な
変位駆動部の開発が必要とされるに至っている。このよ
うな要求に応える変位駆動部の駆動機構の一つとして、
磁歪材料を用いた磁気−変位変換デバイスが有力であ
る。
発展に伴い、ミクロンオーダの微小変位制御に不可欠な
変位駆動部の開発が必要とされるに至っている。このよ
うな要求に応える変位駆動部の駆動機構の一つとして、
磁歪材料を用いた磁気−変位変換デバイスが有力であ
る。
【0004】しかし、従来の磁歪材料では変位の絶対量
が不十分であり、ミクロンオーダの精密変位制御駆動部
材として用いるには絶対変位量のみならず、精密制御の
点からも満足できるものではなかった。
が不十分であり、ミクロンオーダの精密変位制御駆動部
材として用いるには絶対変位量のみならず、精密制御の
点からも満足できるものではなかった。
【0005】一方、希土類−鉄系のラーベス型金属間化
合物で、飽和磁歪(λs)が1000×10-6を越える
ものが報告されており(特公昭61−33892号公報
等参照)、上記した磁気−変位変換デバイスをはじめと
して、磁歪を応用した各種変位制御アクチュエータ等に
利用することが検討されている。
合物で、飽和磁歪(λs)が1000×10-6を越える
ものが報告されており(特公昭61−33892号公報
等参照)、上記した磁気−変位変換デバイスをはじめと
して、磁歪を応用した各種変位制御アクチュエータ等に
利用することが検討されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】一方、上述したような
磁歪材料を使用した変位制御アクチュエータ等の駆動磁
界は、通常、ソレノイドコイル等を用いて印加してお
り、変位量は交流及び直流の電流で制御するようにして
いる。ここで、駆動磁界の大きさは、変位制御アクチュ
エータ等の構造及び制御回路により制限され、一般的に
は小さな磁界を用いている。
磁歪材料を使用した変位制御アクチュエータ等の駆動磁
界は、通常、ソレノイドコイル等を用いて印加してお
り、変位量は交流及び直流の電流で制御するようにして
いる。ここで、駆動磁界の大きさは、変位制御アクチュ
エータ等の構造及び制御回路により制限され、一般的に
は小さな磁界を用いている。
【0007】これに対して、希土類−鉄系の磁歪材料
は、駆動磁界に対する変位量にヒステリシスを有するこ
とから、磁歪材料の磁化状態を考えると、小さな駆動磁
界ではマイナーループで動作することになる。これによ
って、低磁界振幅下では磁歪の変化率が低減し、希土類
−鉄系の磁歪材料が本来有する大きな磁歪を十分に利用
することができないという問題があった。
は、駆動磁界に対する変位量にヒステリシスを有するこ
とから、磁歪材料の磁化状態を考えると、小さな駆動磁
界ではマイナーループで動作することになる。これによ
って、低磁界振幅下では磁歪の変化率が低減し、希土類
−鉄系の磁歪材料が本来有する大きな磁歪を十分に利用
することができないという問題があった。
【0008】本発明は、上述した課題に対処するために
なされたもので、低磁界振幅下での磁歪変化率の向上を
図ることによって、例えば変位制御アクチュエータの効
率を向上させることのできる磁歪材料を提供することを
目的としている。
なされたもので、低磁界振幅下での磁歪変化率の向上を
図ることによって、例えば変位制御アクチュエータの効
率を向上させることのできる磁歪材料を提供することを
目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、希土類−鉄系の磁歪材料であって、前記磁歪
材料中に含まれるアルゴン含有率が10ppm〜100
0ppmの範囲にあることを要旨とする。
本発明は、希土類−鉄系の磁歪材料であって、前記磁歪
材料中に含まれるアルゴン含有率が10ppm〜100
0ppmの範囲にあることを要旨とする。
【0010】好ましくは、前記希土類−鉄系の磁歪材料
を、アルゴン雰囲気中で熱処理すると良い。
を、アルゴン雰囲気中で熱処理すると良い。
【0011】また、好ましくは前記希土類−鉄系の磁歪
材料を、800〜1200℃で0.1〜100時間、熱
処理すると良い。特に、好ましくは700〜1100℃
で1〜50時間、熱処理すると良い。この熱処理温度
は、通常焼結温度である。また、図4のアルゴン含有率
と熱処理温度との関係から明らかなように、アルゴン含
有率は熱処理温度が1000℃を越えると、ほとんど飽
和状態となり、処理温度に比例しないことが判る。な
お、熱処理時間はある程度まではアルゴン含有率に比例
する。
材料を、800〜1200℃で0.1〜100時間、熱
処理すると良い。特に、好ましくは700〜1100℃
で1〜50時間、熱処理すると良い。この熱処理温度
は、通常焼結温度である。また、図4のアルゴン含有率
と熱処理温度との関係から明らかなように、アルゴン含
有率は熱処理温度が1000℃を越えると、ほとんど飽
和状態となり、処理温度に比例しないことが判る。な
お、熱処理時間はある程度まではアルゴン含有率に比例
する。
【0012】本発明に用いる希土類−鉄系の磁歪材料と
しては、磁歪変化率の大きい希土類−鉄系ラベース型金
属間化合物を主相とするものが好ましい。希土類−鉄系
ラーベス型金属間化合物は、RFe2 (Rは希土類元素
から選ばれた少なくとも1種の元素を示す)で表される
もので、主相として存在していればよい。なお、副相と
しては、希土類元素からなる希土類相(R相)やFRe
3相等が存在する。
しては、磁歪変化率の大きい希土類−鉄系ラベース型金
属間化合物を主相とするものが好ましい。希土類−鉄系
ラーベス型金属間化合物は、RFe2 (Rは希土類元素
から選ばれた少なくとも1種の元素を示す)で表される
もので、主相として存在していればよい。なお、副相と
しては、希土類元素からなる希土類相(R相)やFRe
3相等が存在する。
【0013】磁歪材料全体の組成としては、FRe
x (1.5≦X≦2.5)を満足する合金からなるもの
が好ましい。R元素としては、La、Ce,Pr、N
d、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、E
r、Tm、Yb、Lu等を用いることができる。また特
に、Pr、Nd、Sm、Tb、Dy、Ho、Er、T
m、Tb−Dy、Tb−Ho、Tb−Pr、Sm−Y
b、Tb−Dy−Ho、Tb−Dy−Pr、Tb−Pr
−Ho等の元素やその組み合わせが好ましい。
x (1.5≦X≦2.5)を満足する合金からなるもの
が好ましい。R元素としては、La、Ce,Pr、N
d、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、E
r、Tm、Yb、Lu等を用いることができる。また特
に、Pr、Nd、Sm、Tb、Dy、Ho、Er、T
m、Tb−Dy、Tb−Ho、Tb−Pr、Sm−Y
b、Tb−Dy−Ho、Tb−Dy−Pr、Tb−Pr
−Ho等の元素やその組み合わせが好ましい。
【0014】磁歪材料を構成する他の元素は主としてF
eであるが、低温での使用を可能にしたり、耐食性を改
善したりするために、Feの一部をCoで置換すること
もできる。ただし、あまり置換量が多いと磁歪特性の低
下を招くため、Coの置換量はFeの95atom%以
下が好ましい。
eであるが、低温での使用を可能にしたり、耐食性を改
善したりするために、Feの一部をCoで置換すること
もできる。ただし、あまり置換量が多いと磁歪特性の低
下を招くため、Coの置換量はFeの95atom%以
下が好ましい。
【0015】また、必要に応じてFeの一部をMnで置
換してもよい。希土類−鉄系の磁歪材料は、Mnを含有
させると、希土類元素の磁気異方性が変化し、高磁界の
みならず低磁界においても優れた磁歪特性が得られるよ
うになる。Mnによる置換量の上限はFeの50ato
m%程度であり、この上限値を超えるとキュリー温度が
低下し、磁歪特性が低下する。
換してもよい。希土類−鉄系の磁歪材料は、Mnを含有
させると、希土類元素の磁気異方性が変化し、高磁界の
みならず低磁界においても優れた磁歪特性が得られるよ
うになる。Mnによる置換量の上限はFeの50ato
m%程度であり、この上限値を超えるとキュリー温度が
低下し、磁歪特性が低下する。
【0016】この他に、Feは材料の機械的強度、耐食
性、飽和磁歪等の向上を目的として、Ni、Mg、A
l、Ga、Zn、V、Zr、Hf、Ti、Nb、Cu、
Ag、Sn、Mo、Cr、Ta、Pd、In、Sb、I
r、Pt、Au、Pb、W、Si、B等でさらに置換し
てもよい。ただし、これらFeを置換する元素の量は、
Mnによる置換量を含めてFeの50atom%程度ま
でが限界であり、これを超えると磁歪特性が低下する。
性、飽和磁歪等の向上を目的として、Ni、Mg、A
l、Ga、Zn、V、Zr、Hf、Ti、Nb、Cu、
Ag、Sn、Mo、Cr、Ta、Pd、In、Sb、I
r、Pt、Au、Pb、W、Si、B等でさらに置換し
てもよい。ただし、これらFeを置換する元素の量は、
Mnによる置換量を含めてFeの50atom%程度ま
でが限界であり、これを超えると磁歪特性が低下する。
【0017】R元素とFeとの元素比Xは、前述したよ
うに、1.5≦X≦2.5の範囲が好ましい。原子比X
が1.5未満または2.5を超えると十分な磁歪特性が
得られなくなるので、最も好ましい範囲は1.7≦X≦
2.2である。
うに、1.5≦X≦2.5の範囲が好ましい。原子比X
が1.5未満または2.5を超えると十分な磁歪特性が
得られなくなるので、最も好ましい範囲は1.7≦X≦
2.2である。
【0018】また、CoやMnによるFeの置換量は、
R(Fe1-a-b Coa Mnb )x としたとき、0≦a≦
0.5(室温下)、0.05≦b≦0.3の範囲が好ま
しい。
R(Fe1-a-b Coa Mnb )x としたとき、0≦a≦
0.5(室温下)、0.05≦b≦0.3の範囲が好ま
しい。
【0019】本発明の磁歪材料は、上述したような組成
及び構成相を有する希土類−鉄系磁歪材料中に含まれる
アルゴン含有率を10ppm〜1000ppmの範囲に
規定している。
及び構成相を有する希土類−鉄系磁歪材料中に含まれる
アルゴン含有率を10ppm〜1000ppmの範囲に
規定している。
【0020】本発明の磁歪材料は、アルゴン雰囲気中で
原料の溶解を行うことから、磁歪材料中にアルゴンが取
り込まれる。このように、アルゴンを含有すると、磁歪
材料の保磁力が増大し、この保磁力の増大に伴って、磁
歪特性のヒステリシスが大きくなり、結果として磁歪特
性、特に低磁界振幅下での磁歪変化率が大幅に低下す
る。
原料の溶解を行うことから、磁歪材料中にアルゴンが取
り込まれる。このように、アルゴンを含有すると、磁歪
材料の保磁力が増大し、この保磁力の増大に伴って、磁
歪特性のヒステリシスが大きくなり、結果として磁歪特
性、特に低磁界振幅下での磁歪変化率が大幅に低下す
る。
【0021】そこで、本発明の磁歪材料では、ヒステリ
シスの増大要因となるアルゴン含有率を1000ppm
以下と規定し、低磁界振幅下での磁歪変化率の向上を図
っている。すなわち、磁歪材料中のアルゴン含有率が1
000ppmを超えると、磁歪特性のヒステリシスが大
幅に増大し、低磁界振幅下での磁歪変化率が大きく低下
してしまう。
シスの増大要因となるアルゴン含有率を1000ppm
以下と規定し、低磁界振幅下での磁歪変化率の向上を図
っている。すなわち、磁歪材料中のアルゴン含有率が1
000ppmを超えると、磁歪特性のヒステリシスが大
幅に増大し、低磁界振幅下での磁歪変化率が大きく低下
してしまう。
【0022】また、希土類−鉄系の磁歪材料中に存在す
るアルゴンは、図3に示すように磁歪材料の周波数特性
にも影響を及ぼす。すなわち、アルゴンの含有率を極端
に減少させてしまうと、渦電流の影響により周波数特性
が劣化し、高い周波数領域での磁歪特性が低下する。従
って、本発明の磁歪材料においては、アルゴン含有率の
下限値を10ppmと規定する。
るアルゴンは、図3に示すように磁歪材料の周波数特性
にも影響を及ぼす。すなわち、アルゴンの含有率を極端
に減少させてしまうと、渦電流の影響により周波数特性
が劣化し、高い周波数領域での磁歪特性が低下する。従
って、本発明の磁歪材料においては、アルゴン含有率の
下限値を10ppmと規定する。
【0023】尚、磁歪材料中のアルゴン含有率を極端に
減少させる為には、原料の溶解を真空中やアルゴン以外
の不活性ガス雰囲気中で行なわなければならず、製造コ
ストの増大を招くと共に、アルゴン含有率を10ppm
未満としても、低磁界振幅下での磁歪変化率はほぼ一定
となり、それ以上の効果は得られない。
減少させる為には、原料の溶解を真空中やアルゴン以外
の不活性ガス雰囲気中で行なわなければならず、製造コ
ストの増大を招くと共に、アルゴン含有率を10ppm
未満としても、低磁界振幅下での磁歪変化率はほぼ一定
となり、それ以上の効果は得られない。
【0024】
【作用】本発明の希土類−鉄系の磁歪材料は、アルゴン
含有率を10ppm〜1000ppm、好ましくは10
ppm〜100ppmの範囲に規定することによって、
低磁界振幅下での磁歪変化率向上を図ると共に、高周波
領域での磁歪特性の低下を防止している。なお、本発明
で言うアルゴン含有率は、不活性ガス融解熱伝導度法を
用いて定量した値を示すものである。
含有率を10ppm〜1000ppm、好ましくは10
ppm〜100ppmの範囲に規定することによって、
低磁界振幅下での磁歪変化率向上を図ると共に、高周波
領域での磁歪特性の低下を防止している。なお、本発明
で言うアルゴン含有率は、不活性ガス融解熱伝導度法を
用いて定量した値を示すものである。
【0025】
【実施例】以下、本発明に係る一実施例を図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【0026】原子比で、Tb0.4 Dy0.6 (Fe0.9 M
n0.1 )1.95となるように、各元素を混合した。ここ
で、原料となる各元素は、アルゴン含有率が5ppm以
下のものを用いた。
n0.1 )1.95となるように、各元素を混合した。ここ
で、原料となる各元素は、アルゴン含有率が5ppm以
下のものを用いた。
【0027】次に、上記原子比の混合原料を真空溶解炉
内に配置した後、1×10-6Torrへの真空引きと、
高純度Arによる置換とを3回繰り返し行なった。溶解
は、約1350℃の温度に1時間保持することによって
行い、続いて、ブリッジマン法によって、結晶制御した
磁歪合金を作製した後、2×10-9Torrの真空中
で、950℃×5時間の熱処理を施して、目的とする磁
歪材料を得た。
内に配置した後、1×10-6Torrへの真空引きと、
高純度Arによる置換とを3回繰り返し行なった。溶解
は、約1350℃の温度に1時間保持することによって
行い、続いて、ブリッジマン法によって、結晶制御した
磁歪合金を作製した後、2×10-9Torrの真空中
で、950℃×5時間の熱処理を施して、目的とする磁
歪材料を得た。
【0028】このようにして得られた磁歪材料を、直径
6mm×長さ10mmに機械加工し、磁歪特性を歪ゲー
ジ法により評価した。なお、磁歪変化率の測定は、一定
負荷を試料に加えた状態で、図1に示すように、±50
Oeの低磁界振幅を連続的に加えた際の傾きを求め、磁
歪変化率としてppm/Oeに換算した。
6mm×長さ10mmに機械加工し、磁歪特性を歪ゲー
ジ法により評価した。なお、磁歪変化率の測定は、一定
負荷を試料に加えた状態で、図1に示すように、±50
Oeの低磁界振幅を連続的に加えた際の傾きを求め、磁
歪変化率としてppm/Oeに換算した。
【0029】上記磁歪特性の測定結果を図2に示す。な
お、図2の磁歪材料中のアルゴン含有率は、原料溶解時
のアルゴン圧力を変えて、微量のアルゴンを磁歪材料中
に含有させることにより変化させたものである。
お、図2の磁歪材料中のアルゴン含有率は、原料溶解時
のアルゴン圧力を変えて、微量のアルゴンを磁歪材料中
に含有させることにより変化させたものである。
【0030】図2から明らかなように、希土類−鉄系の
磁歪材料中のアルゴン含有率が1000ppmを超える
と、磁歪変化率d33が急激に低下し、アルゴン含有率
を1000ppm以下とすると、低磁界振幅下での磁歪
変化率の向上が図れることが分かる。
磁歪材料中のアルゴン含有率が1000ppmを超える
と、磁歪変化率d33が急激に低下し、アルゴン含有率
を1000ppm以下とすると、低磁界振幅下での磁歪
変化率の向上が図れることが分かる。
【0031】また、10ppm未満では、磁歪変化率は
一定となり、それ以上のアルゴン低減化効果は得られな
い。製造コスト等を考慮すると、希土類−鉄系の磁歪合
金に含まれるアルゴン含有率を、10ppm〜1000
ppmの範囲にすることによって、磁歪変化率に優れた
磁歪材料を安価に得られることが分かる。
一定となり、それ以上のアルゴン低減化効果は得られな
い。製造コスト等を考慮すると、希土類−鉄系の磁歪合
金に含まれるアルゴン含有率を、10ppm〜1000
ppmの範囲にすることによって、磁歪変化率に優れた
磁歪材料を安価に得られることが分かる。
【0032】上述したように、本実施例によれば、高周
波領域での磁歪特性の劣化を防止した上で、低磁界振幅
下での磁歪変化率の向上を図った磁歪材料を再現性よく
提供することが可能となる。これによって、例えば変位
制御アクチュエータの効率向上が達成できる。
波領域での磁歪特性の劣化を防止した上で、低磁界振幅
下での磁歪変化率の向上を図った磁歪材料を再現性よく
提供することが可能となる。これによって、例えば変位
制御アクチュエータの効率向上が達成できる。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば高
周波領域での磁歪特性の劣化を防止すると共に、低磁界
振幅下での磁歪変化率の向上を図ることができる。
周波領域での磁歪特性の劣化を防止すると共に、低磁界
振幅下での磁歪変化率の向上を図ることができる。
【図1】磁歪材料の磁歪変化率d33を説明するための
図である。
図である。
【図2】本発明の実施例により作製した希土類−鉄系の
磁歪材料のアルゴン含有率と磁歪特性との関係を示す図
である。
磁歪材料のアルゴン含有率と磁歪特性との関係を示す図
である。
【図3】本発明の実施例により作成した希土類−鉄系の
磁歪材料のアルゴン含有率と高周波領域での磁歪特性と
の関係を示す図である。
磁歪材料のアルゴン含有率と高周波領域での磁歪特性と
の関係を示す図である。
【図4】アルゴン含有率と熱処理温度との関係を示す図
である。
である。
Claims (1)
- 【請求項1】 希土類−鉄系の磁歪材料であって、前記
磁歪材料中に含まれるアルゴン含有率が10ppm〜1
000ppmの範囲にあることを特徴とする磁歪材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5353501A JPH07197210A (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 磁歪材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5353501A JPH07197210A (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 磁歪材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07197210A true JPH07197210A (ja) | 1995-08-01 |
Family
ID=18431275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5353501A Pending JPH07197210A (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 磁歪材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07197210A (ja) |
-
1993
- 1993-12-29 JP JP5353501A patent/JPH07197210A/ja active Pending
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