JPH0719772B2 - 反応性イオンエツチング装置 - Google Patents
反応性イオンエツチング装置Info
- Publication number
- JPH0719772B2 JPH0719772B2 JP22680486A JP22680486A JPH0719772B2 JP H0719772 B2 JPH0719772 B2 JP H0719772B2 JP 22680486 A JP22680486 A JP 22680486A JP 22680486 A JP22680486 A JP 22680486A JP H0719772 B2 JPH0719772 B2 JP H0719772B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- exhaust
- container
- wafer
- reactive ion
- Prior art date
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の微細加工に用いる反応性イオン
エッチング装置、特に、エッチング進行中の反応性ガス
の流れを均一に制御できるようにしたエッチング装置に
関する。
エッチング装置、特に、エッチング進行中の反応性ガス
の流れを均一に制御できるようにしたエッチング装置に
関する。
第２図は従来の反応性エッチング装置の斜視断面図であ
る。第２図において、円筒状の真空容器11内の上部にア
ノード電極３が設けられ、アノード電極３には反応性ガ
ス導入管４が接続され、またアノード電極３は導線によ
り接地されているこのアノード電極３に対向して円形の
カソード電極２が設けられ、その上にエッチング加工さ
れる半導体ウエーハ10が載置されている。そして、カソ
ード２は導線により高周波電源９に接続されて、アノー
ド３との間に高周波電圧が加えられ、ガス導入管４によ
り導入された反応性ガスがイオン化されて、ウエーハ10
に対するエッチングが行なわれる。同時に容器11内のガ
スは容器11の側面下部にあけられた排気口12から排気ポ
ンプ７を有する排気管６を通じ排気される。
る。第２図において、円筒状の真空容器11内の上部にア
ノード電極３が設けられ、アノード電極３には反応性ガ
ス導入管４が接続され、またアノード電極３は導線によ
り接地されているこのアノード電極３に対向して円形の
カソード電極２が設けられ、その上にエッチング加工さ
れる半導体ウエーハ10が載置されている。そして、カソ
ード２は導線により高周波電源９に接続されて、アノー
ド３との間に高周波電圧が加えられ、ガス導入管４によ
り導入された反応性ガスがイオン化されて、ウエーハ10
に対するエッチングが行なわれる。同時に容器11内のガ
スは容器11の側面下部にあけられた排気口12から排気ポ
ンプ７を有する排気管６を通じ排気される。
上述した従来の反応性イオンエッチング装置の反応性ガ
スの排気口は、円筒状エッチング室内のウエーハに対し
て非対称に一定口径の排気口が固定されているため、エ
ッチング進行中の反応性ガスの流れは、ウエーハに対し
て不均一であり、エッチング進行中の反応性ガスの流れ
を制御することはできないので、所望のエッチング形状
が得られないことから、安定した高い歩留りを得ること
ができないという欠点がある。
スの排気口は、円筒状エッチング室内のウエーハに対し
て非対称に一定口径の排気口が固定されているため、エ
ッチング進行中の反応性ガスの流れは、ウエーハに対し
て不均一であり、エッチング進行中の反応性ガスの流れ
を制御することはできないので、所望のエッチング形状
が得られないことから、安定した高い歩留りを得ること
ができないという欠点がある。
本発明による反応性イオンエッチング装置は、円筒状の
真空容器を２重にし、内側のエッチング室と外側の排気
予備室との間に、同心円帯状に排気口を２箇所以上に設
け、更に、独立制御可能なスロットル・バルブを設け、
また、排気予備室の底部に排気管を接続し、エッチング
室内のエッチングすべき半導体ウエーハに対し、ガスの
流れを均一なものにしている。また、ガスの流れの制御
がスロットルバルブで連続的に行なえることから、エッ
チングに寄与する反応性ラジカルやイオンがウエーハ面
内で均一になり、更に密度分布の制御が可能になるの
で、所望のエッチング形状を得ることができる。
真空容器を２重にし、内側のエッチング室と外側の排気
予備室との間に、同心円帯状に排気口を２箇所以上に設
け、更に、独立制御可能なスロットル・バルブを設け、
また、排気予備室の底部に排気管を接続し、エッチング
室内のエッチングすべき半導体ウエーハに対し、ガスの
流れを均一なものにしている。また、ガスの流れの制御
がスロットルバルブで連続的に行なえることから、エッ
チングに寄与する反応性ラジカルやイオンがウエーハ面
内で均一になり、更に密度分布の制御が可能になるの
で、所望のエッチング形状を得ることができる。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第１図は本発明の一実施例の斜視断面図である。第１図
において、円筒状の真空容器１に内側のエッチング室1a
と外側の排気予備室1bの２重になっており、エッチング
室1aの下部にはエッチング加工すべき半導体ウエーハが
記載されたカソード２が配置され、また、カソード２に
対向して、ガス導入管４が接続されたアノード３が配置
されている。そして、アノード３とカソード２との間に
は高周波電源９によって高周波電圧が加えられ、ガス導
入管４により導入された反応性ガスはイオン化されて、
ウエーハ10のエッチングに寄与する。それから、外側の
排気予備室との間に同心円帯状に設けられた上中下の３
段の排気口5,5,5から導入ガスは外側の排気予備室1bに
流れ、排気予備室1bの底部の排気口から排気ポンプ７を
有する排気管６を通して反応性ガスは排気される。な
お。排気予備室1bにはスロットバルブ８が設けられて、
反応性ガスの流れは自由に制御される。
において、円筒状の真空容器１に内側のエッチング室1a
と外側の排気予備室1bの２重になっており、エッチング
室1aの下部にはエッチング加工すべき半導体ウエーハが
記載されたカソード２が配置され、また、カソード２に
対向して、ガス導入管４が接続されたアノード３が配置
されている。そして、アノード３とカソード２との間に
は高周波電源９によって高周波電圧が加えられ、ガス導
入管４により導入された反応性ガスはイオン化されて、
ウエーハ10のエッチングに寄与する。それから、外側の
排気予備室との間に同心円帯状に設けられた上中下の３
段の排気口5,5,5から導入ガスは外側の排気予備室1bに
流れ、排気予備室1bの底部の排気口から排気ポンプ７を
有する排気管６を通して反応性ガスは排気される。な
お。排気予備室1bにはスロットバルブ８が設けられて、
反応性ガスの流れは自由に制御される。
以上説明したように、本発明による反応性イオンエッチ
ング装置は、円筒状エッチング室真空容器に、２個以上
の排気口を同心円帯状に設けたことにより、反応性ガス
の流れは均一なものになり、更に各々排気ポンプと排気
口とを接続している配管に独立制御可能なスロットルバ
ルブを設けたことにより、エッチング進行中に反応性ガ
スの流れの連続的な制御が可能になり、エッチングに寄
与する反応性ラジカルやイオンがウエーハ面内で均一に
なり、更に密度分布の制御が可能なことにより、所望の
エッチング形状が得られるので、安定した高い歩留りを
得ることができる。
ング装置は、円筒状エッチング室真空容器に、２個以上
の排気口を同心円帯状に設けたことにより、反応性ガス
の流れは均一なものになり、更に各々排気ポンプと排気
口とを接続している配管に独立制御可能なスロットルバ
ルブを設けたことにより、エッチング進行中に反応性ガ
スの流れの連続的な制御が可能になり、エッチングに寄
与する反応性ラジカルやイオンがウエーハ面内で均一に
なり、更に密度分布の制御が可能なことにより、所望の
エッチング形状が得られるので、安定した高い歩留りを
得ることができる。
第１図は本発明の一実施例の斜視断面図、第２図は従来
の技術を用いた反応性イオンエッチング装置の斜視断面
図である。 1,11……真空容器、２……カソード、３……アノード、
４……ガス導入管、５……排気口、６……排気管、７…
…排気ポンプ、８……スロットルバルブ、９……高周波
電源、10……半導体ウエーハ。
の技術を用いた反応性イオンエッチング装置の斜視断面
図である。 1,11……真空容器、２……カソード、３……アノード、
４……ガス導入管、５……排気口、６……排気管、７…
…排気ポンプ、８……スロットルバルブ、９……高周波
電源、10……半導体ウエーハ。
Claims (1)
- 【請求項１】反応性ガスが導入された円筒状のエッチン
グ室容器内に、加工すべきウエーハを載置したカソード
電極とこれに対向したアノード電極とが配置され、前記
カソード電極と前記アノード電極との間に電圧を加えて
前記ウエーハのエッチングを行う反応性イオンエッチン
グ装置において、前記エッチング室容器の外側に前記エ
ッチング室容器との間に排気予備室を構成する真空容器
を設け、前記エッチング室容器に２箇所以上の同心円帯
状の排気口を有し、前記排気口によって分割された各エ
ッチング室容器の外側に前記真空容器との間に独立制御
可能なスロットルバルブを設け、前記排気予備室の底部
に排気ポンプを有する排気管が接続されていることを特
徴とする反応性イオンエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22680486A JPH0719772B2 (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 反応性イオンエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22680486A JPH0719772B2 (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 反応性イオンエツチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6380536A JPS6380536A (ja) | 1988-04-11 |
| JPH0719772B2 true JPH0719772B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=16850868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22680486A Expired - Lifetime JPH0719772B2 (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 反応性イオンエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719772B2 (ja) |
-
1986
- 1986-09-24 JP JP22680486A patent/JPH0719772B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6380536A (ja) | 1988-04-11 |
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