JPH0719871B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0719871B2 JPH0719871B2 JP59116374A JP11637484A JPH0719871B2 JP H0719871 B2 JPH0719871 B2 JP H0719871B2 JP 59116374 A JP59116374 A JP 59116374A JP 11637484 A JP11637484 A JP 11637484A JP H0719871 B2 JPH0719871 B2 JP H0719871B2
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- semiconductor device
- semiconductor
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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-
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/90—Bond pads, in general
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、半導体装置に係り、特に、半導体装置用リー
ドに適用して有効な技術に関するものである。
ドに適用して有効な技術に関するものである。
〔背景技術〕 近年、半導体装置の高集積化，高機能化が進み、半導体
素子（半導体ペレット）が大型化してきている。一方、
システムの小型化のため、パッケージは小型化しなけれ
ばならない。この結果、少なくとも従来のパッケージに
大きな半導体素子を収納しなければならない。
素子（半導体ペレット）が大型化してきている。一方、
システムの小型化のため、パッケージは小型化しなけれ
ばならない。この結果、少なくとも従来のパッケージに
大きな半導体素子を収納しなければならない。
これらの目的を達成するため、実装基板に実装するため
のリード間隔は規定の寸法のままとする一方、樹脂封止
部を大きくする手法が考えられる。
のリード間隔は規定の寸法のままとする一方、樹脂封止
部を大きくする手法が考えられる。
しかし、この手法では、第１図に示すように、封止材１
とリード２との間に、リード２の折の曲げ時の応力（ス
トレス）が作用してパッケージにダメージを与え、リー
ド２の封止材１に覆われているインナー部（以下、イン
ナーリードという）2Aと封止材１との界面に隙間Ｓが発
生し、耐湿性の信頼度に重大な影響を及ぼすことがわか
った。
とリード２との間に、リード２の折の曲げ時の応力（ス
トレス）が作用してパッケージにダメージを与え、リー
ド２の封止材１に覆われているインナー部（以下、イン
ナーリードという）2Aと封止材１との界面に隙間Ｓが発
生し、耐湿性の信頼度に重大な影響を及ぼすことがわか
った。
これらの改善策として、第２図に示すように、リード２
の封止材１に覆われていない部分（以下、アウターリー
ドという）2Bの折り曲げ部2Cを曲げ易くするために、ア
ウターリード2Bに切り欠き又は貫通孔等の応力集中部2D
を設けことが考えられる。これは特開昭52-52370号公報
に示されるように、ガラス封止型半導体装置において用
いられるリードフレームである。あるいは、インナーリ
ード2Aのアウターリード2Bに近い部分に、突起部2Eを設
けている。なお、第２図において、３は半導体ペレッ
ト、４はボンディングパッド、５は金（Au）線等のボン
ディングワイヤ、６はタブ、6Aはタブ吊りリードであ
る。
の封止材１に覆われていない部分（以下、アウターリー
ドという）2Bの折り曲げ部2Cを曲げ易くするために、ア
ウターリード2Bに切り欠き又は貫通孔等の応力集中部2D
を設けことが考えられる。これは特開昭52-52370号公報
に示されるように、ガラス封止型半導体装置において用
いられるリードフレームである。あるいは、インナーリ
ード2Aのアウターリード2Bに近い部分に、突起部2Eを設
けている。なお、第２図において、３は半導体ペレッ
ト、４はボンディングパッド、５は金（Au）線等のボン
ディングワイヤ、６はタブ、6Aはタブ吊りリードであ
る。
しかしながら、前記のようにリード２を構成しても、リ
ード２が剛体が高く、かつ、直線部分が多いために、リ
ード２に外部応力や温度サイクル等の熱応力が加わる
と、封止材１とリード２との境界面に隙間ができたり、
封止部に亀裂ができることが、発明者の検討の結果、明
らかになった。
ード２が剛体が高く、かつ、直線部分が多いために、リ
ード２に外部応力や温度サイクル等の熱応力が加わる
と、封止材１とリード２との境界面に隙間ができたり、
封止部に亀裂ができることが、発明者の検討の結果、明
らかになった。
本発明の目的は、半導体装置用リードにおいて、該リー
ドに外部応力や温度サイクル等の熱応力が加わっても、
封止材とリードとの境界面に隙間が発生したり、封止材
に亀裂が発生したりすることを防止することにより、半
導体装置の信頼性の向上及び長寿命化をはかることがで
きる技術手段を提供することにある。
ドに外部応力や温度サイクル等の熱応力が加わっても、
封止材とリードとの境界面に隙間が発生したり、封止材
に亀裂が発生したりすることを防止することにより、半
導体装置の信頼性の向上及び長寿命化をはかることがで
きる技術手段を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、リードフレームに半導体ペレットを固定し、
リードフレームのリードを半導体ペレットの電極にワイ
ヤで電気的接続し、前記半導体ペレット、前記ワイヤお
よび前記リードのインナー部を樹脂封止してなる半導体
装置において、前記リードのインナー部の先端部をボン
ディング部とし、その近傍にひっかけ部を設け、前記リ
ードのインナー部のアウター部に近い部分において、ア
ウター部のリードの幅より狭くしたくびれ部を設けてな
ることを特徴とする。これにより、リードに外部応力や
温度サイクル等の熱応力が加わっても、封止材とリード
との境界面に隙間が発生したり、封止部に亀裂が発生し
たりすることを防止し、半導体装置の信頼性の向上およ
び長寿命化をはかったものである。
リードフレームのリードを半導体ペレットの電極にワイ
ヤで電気的接続し、前記半導体ペレット、前記ワイヤお
よび前記リードのインナー部を樹脂封止してなる半導体
装置において、前記リードのインナー部の先端部をボン
ディング部とし、その近傍にひっかけ部を設け、前記リ
ードのインナー部のアウター部に近い部分において、ア
ウター部のリードの幅より狭くしたくびれ部を設けてな
ることを特徴とする。これにより、リードに外部応力や
温度サイクル等の熱応力が加わっても、封止材とリード
との境界面に隙間が発生したり、封止部に亀裂が発生し
たりすることを防止し、半導体装置の信頼性の向上およ
び長寿命化をはかったものである。
以下、本発明の構成について、実施例とともに説明す
る。
る。
第３図は、本発明を樹脂封止型半導体装置に適用した一
実施例の構成を説明するための平面図であり、リード形
状を示している。第３図において、第２図と同一機能を
有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省
略する。
実施例の構成を説明するための平面図であり、リード形
状を示している。第３図において、第２図と同一機能を
有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省
略する。
第３図において、６は長辺および短辺を有する矩形のタ
ブであり、タブ６にそれらの辺に対応する長辺および短
辺を有する半導体ペレット（図示せず）が固定される。
複数のリード２を有し、タブ６に近接したそれらリード
２の先端に位置するボンディング領域13と半導体ペレッ
トの電極とがワイヤで電気的に接続される。タブ６はタ
ブ吊りリード6Aによってリードフレーム（図示せず）に
支持されている。
ブであり、タブ６にそれらの辺に対応する長辺および短
辺を有する半導体ペレット（図示せず）が固定される。
複数のリード２を有し、タブ６に近接したそれらリード
２の先端に位置するボンディング領域13と半導体ペレッ
トの電極とがワイヤで電気的に接続される。タブ６はタ
ブ吊りリード6Aによってリードフレーム（図示せず）に
支持されている。
タブ６、半導体ペレット、前記ワイヤおよびリード２の
先端部を含むインナー部であるインナーリード2Aが封止
体である樹脂体により封止され、前記樹脂体の外部にリ
ード２のアウター部であるアウターリードが導出され
る。
先端部を含むインナー部であるインナーリード2Aが封止
体である樹脂体により封止され、前記樹脂体の外部にリ
ード２のアウター部であるアウターリードが導出され
る。
タブ６の長辺に近接するリード２のインナーリード2Aの
アウターリード側に近い部分には、その部分のリード２
両側から相対向する円弧状の凹部を設けることによって
リード２の幅を狭くしたくびれ部10が設けられている。
アウターリード側に近い部分には、その部分のリード２
両側から相対向する円弧状の凹部を設けることによって
リード２の幅を狭くしたくびれ部10が設けられている。
このくびれ部10では剛性が低下し、リード２に外力や温
度サイクル等による応力が加わると、該応力がくびれ部
10に集中する。その結果インナーリード2Aのくびれ部10
が伸長・収縮等の変形をすることによって、加わった応
力を吸収する。
度サイクル等による応力が加わると、該応力がくびれ部
10に集中する。その結果インナーリード2Aのくびれ部10
が伸長・収縮等の変形をすることによって、加わった応
力を吸収する。
また、タブ６の長辺に近接するそのリード２のインナー
リード2Aに、タブ６の近傍にてアウターリードとは略直
交する方向にタブ６の周縁に沿ってアウターリードの側
面の位置より突出させた延設部が設けられ、その延設部
の先端をタブ６の周縁側とは反対の方向へ突出するよう
に幅広にしてひっかけ部11を成すボンディング領域13が
設けられている。
リード2Aに、タブ６の近傍にてアウターリードとは略直
交する方向にタブ６の周縁に沿ってアウターリードの側
面の位置より突出させた延設部が設けられ、その延設部
の先端をタブ６の周縁側とは反対の方向へ突出するよう
に幅広にしてひっかけ部11を成すボンディング領域13が
設けられている。
また、タブ６の短辺に近接するリード２のボンディング
領域13近傍には、ひっかけ部11が設けられ、リード２の
インナーリード2Aのアウター側に近い部分のリード２に
リード２の幅を狭くしたくびれ部10が設けられる。
領域13近傍には、ひっかけ部11が設けられ、リード２の
インナーリード2Aのアウター側に近い部分のリード２に
リード２の幅を狭くしたくびれ部10が設けられる。
このひっかけ部11は、くびれ部10の前記変形の際にひっ
かけ部11が封止体にひっかかることによって、少なくと
もリード２の先端のボンディング領域13の移動を防止す
るためのものである。更に、ひっかけ部11は、くびれ部
10よりもボンディング領域13側であるボンディング領域
13の近傍に設けられ、インナーリード2Aと封止体との界
面に隙間が生じないようにする。
かけ部11が封止体にひっかかることによって、少なくと
もリード２の先端のボンディング領域13の移動を防止す
るためのものである。更に、ひっかけ部11は、くびれ部
10よりもボンディング領域13側であるボンディング領域
13の近傍に設けられ、インナーリード2Aと封止体との界
面に隙間が生じないようにする。
尚、くびれ部10或いはひっかけ部11はインナーリード2A
の夫々１箇所以上に設ける。
の夫々１箇所以上に設ける。
以上説明したように、本願で開示した新規な技術手段に
よれば、次のような効果を得ることができる。
よれば、次のような効果を得ることができる。
（１）半導体装置におけるリードのインナー部の複数個
所にくびれ等のくびれ部及びひっかけ部を設けたことに
より、該リードに外部応力や温度サイクル等の熱応力が
加わっても、くびれ部が延びたり縮んだりしてその応力
を吸収し、ひっかけ部が封止材にひっかかり、少なくと
もボンディング領域が動かないようにしたので、封止材
とリードとの境界面に隙間が発生したり、封止部に亀裂
が発生したりすることを防止することができる。
所にくびれ等のくびれ部及びひっかけ部を設けたことに
より、該リードに外部応力や温度サイクル等の熱応力が
加わっても、くびれ部が延びたり縮んだりしてその応力
を吸収し、ひっかけ部が封止材にひっかかり、少なくと
もボンディング領域が動かないようにしたので、封止材
とリードとの境界面に隙間が発生したり、封止部に亀裂
が発生したりすることを防止することができる。
（２）前記（１）により、半導体装置の信頼性の向上及
び長寿命化をはかることができる。
び長寿命化をはかることができる。
（３）くびれ部を円弧状の凹部によって形成し角部とな
らない構成としたので、角部の応力集中によるパッケー
ジの損傷を防止することができる。
らない構成としたので、角部の応力集中によるパッケー
ジの損傷を防止することができる。
（４）ボンディング部をタブの周縁に沿って延設したの
で、リークパスが長くなり、耐湿性が向上する。
で、リークパスが長くなり、耐湿性が向上する。
以上、本発明を実施例にもとずき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
はいうまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
はいうまでもない。
例えば、前記くびれ部及びひっかけ部の形状は、前記説
明した機能を果すものであればどのようなものでもよ
い。また、これらを設ける位置は必要に応じて決定され
るものである。
明した機能を果すものであればどのようなものでもよ
い。また、これらを設ける位置は必要に応じて決定され
るものである。
第１図は、従来の半導体装置におけるリードの問題点を
説明するための一部断面図、 第２図は、本発明に係る半導体装置用リードの問題点を
説明するための要部平面図、 第３図は、本発明を封止型半導体装置に適用した一実施
例の構成を説明するための平面図である。 図中、１……封止材、２……リード、2A……インナーリ
ード、３……半導体ペレット、４……ボンディングパッ
ド、５……ボンディングワイヤ、６……タブ、6A……タ
ブ吊りリード、10……くびれ部、11……ひっかけ部であ
る。
説明するための一部断面図、 第２図は、本発明に係る半導体装置用リードの問題点を
説明するための要部平面図、 第３図は、本発明を封止型半導体装置に適用した一実施
例の構成を説明するための平面図である。 図中、１……封止材、２……リード、2A……インナーリ
ード、３……半導体ペレット、４……ボンディングパッ
ド、５……ボンディングワイヤ、６……タブ、6A……タ
ブ吊りリード、10……くびれ部、11……ひっかけ部であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 若島 喜昭 東京都小平市上水本町1450番地 株式会社 日立製作所武蔵工場内 (72)発明者 川越 紘人 東京都小平市上水本町1450番地 株式会社 日立製作所武蔵工場内 (56)参考文献 特開 昭57−192055（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−188857（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−65566（ＪＰ，Ａ) 実開 昭48−38769（ＪＰ，Ｕ)
Claims (2)
- 【請求項１】長辺および短辺を有する矩形のタブにそれ
らの辺に対応する長辺および短辺を有する半導体ペレッ
トが固定され、複数のリードを有し、前記タブに近接し
たそれらリードの先端に位置するボンディング部と半導
体ペレットの電極とがワイヤで電気的に接続され、前記
タブ、半導体ペレット、前記ワイヤおよび前記リードの
先端部を含むインナー部が樹脂体により封止され、前記
樹脂体の外部に前記リードのアウター部が導出されてな
る半導体装置において、前記タブの長辺に近接するリー
ドのインナー部のアウター部側に近い部分に、その部分
のリード両側から相対向する円弧状の凹部を設けること
によってリードの幅を狭くしたくびれ部が設けられ、か
つ前記タブの長辺に近接するそのリードのインナー部
に、前記タブの近傍にてアウター部とは略直交する方向
にタブの周縁に沿ってアウター部の側面の位置より突出
させた延設部が設けられ、その延設部の先端を前記タブ
の周縁側とは反対の方向へ突出するように幅広にしてひ
っかけ部を成すボンディング部が設けられてなることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】前記タブの短辺に近接するリードのボンデ
ィング部近傍にひっかけ部が設けられ、前記リードのイ
ンナー部のアウター側に近い部分のリードにリードの幅
を狭くしたくびれ部が設けられていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59116374A JPH0719871B2 (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59116374A JPH0719871B2 (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60261161A JPS60261161A (ja) | 1985-12-24 |
| JPH0719871B2 true JPH0719871B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=14685399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59116374A Expired - Lifetime JPH0719871B2 (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719871B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02143437A (ja) * | 1988-11-24 | 1990-06-01 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH02271561A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| EP1947703B1 (en) * | 2005-10-14 | 2019-08-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Interconnector, solar battery string using such interconnector |
| JP4040662B1 (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-30 | シャープ株式会社 | 太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール |
| JP4040659B2 (ja) * | 2006-04-14 | 2008-01-30 | シャープ株式会社 | 太陽電池、太陽電池ストリング、および太陽電池モジュール |
| US8440907B2 (en) | 2006-04-14 | 2013-05-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell, solar cell string and solar cell module |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57188857A (en) * | 1981-05-18 | 1982-11-19 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS57192055A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-26 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and leadframe used for assembling said semiconductor |
-
1984
- 1984-06-08 JP JP59116374A patent/JPH0719871B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60261161A (ja) | 1985-12-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |