JPH0719893B2 - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPH0719893B2 JPH0719893B2 JP61166895A JP16689586A JPH0719893B2 JP H0719893 B2 JPH0719893 B2 JP H0719893B2 JP 61166895 A JP61166895 A JP 61166895A JP 16689586 A JP16689586 A JP 16689586A JP H0719893 B2 JPH0719893 B2 JP H0719893B2
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- conversion element
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- H—ELECTRICITY
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- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は入射光を電気信号に変換する光電変換素子を光
透過性樹脂を用いて封止した光半導体装置に関する。
透過性樹脂を用いて封止した光半導体装置に関する。
従来、入射光を電気信号に変換する光電変換装置は第２
図に示すように構成されている。
図に示すように構成されている。
すなわち、光電変換素子１を光電変換素子支持部材２上
に固定保持し、光電変換素子１とリード端子２′の所定
の箇所に、極細金属線３を用いてワイヤボンディング
し、次に、光透過性樹脂４を用いて成形し、外形を形成
する。その後、リード端子２′の外部導出部２″を必要
長さに切断し、所望状態に曲げるなどして光半導体装置
を構成していた。
に固定保持し、光電変換素子１とリード端子２′の所定
の箇所に、極細金属線３を用いてワイヤボンディング
し、次に、光透過性樹脂４を用いて成形し、外形を形成
する。その後、リード端子２′の外部導出部２″を必要
長さに切断し、所望状態に曲げるなどして光半導体装置
を構成していた。
ところが、上記構成の従来の光半導体装置には、下述の
ごとき諸問題が存在する。
ごとき諸問題が存在する。
すなわち、（ｉ）光電変換素子１の光受容部が複数個
（ｎ個）の光受容部から構成されている場合、光電変換
素子１のｎ個の光受容部に均一な光束を有する光６が入
射すると、該ｎ個の光受容部から得られる電気信号は、
すべて同一なレベルにならなければならないところ、実
際上は同一なレベルにならないという問題がある。ま
た、ｎ個の光受容部のうちのある１つの光受容部に光を
入射させ、その他の光受容部には光を入射させない場合
においては、光を入射させない光受容部にも暗電流より
も大なる電気信号出力が得られてしまうという問題もあ
る。
（ｎ個）の光受容部から構成されている場合、光電変換
素子１のｎ個の光受容部に均一な光束を有する光６が入
射すると、該ｎ個の光受容部から得られる電気信号は、
すべて同一なレベルにならなければならないところ、実
際上は同一なレベルにならないという問題がある。ま
た、ｎ個の光受容部のうちのある１つの光受容部に光を
入射させ、その他の光受容部には光を入射させない場合
においては、光を入射させない光受容部にも暗電流より
も大なる電気信号出力が得られてしまうという問題もあ
る。
更にまた、（ii）光透過性樹脂４の表面９にキズ等の欠
陥がある場合、該欠陥より入射した光の光電変換素子１
上の光到達部10近傍の光受容部からの電気信号出力が低
下してしまうという問題がある。
陥がある場合、該欠陥より入射した光の光電変換素子１
上の光到達部10近傍の光受容部からの電気信号出力が低
下してしまうという問題がある。
本発明は、前述した従来の光半導体装置における上述の
諸問題を克服して、優れた特性を有する光半導体装置を
提供することを目的とする。
諸問題を克服して、優れた特性を有する光半導体装置を
提供することを目的とする。
即ち、本発明の主たる目的は、光透過性樹脂を用いて封
止した光半導体装置において、光電変換素子を構成する
複数個の光受容部から得られる電気信号が均一である光
半導体装置を提供することにある。
止した光半導体装置において、光電変換素子を構成する
複数個の光受容部から得られる電気信号が均一である光
半導体装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、光透過性樹脂を用いて封止した光
半導体装置において、光透過性樹脂の表面にキズ等の欠
陥があっても光受容部からの電気信号が低下することの
ない光半導体装置を提供することにある。
半導体装置において、光透過性樹脂の表面にキズ等の欠
陥があっても光受容部からの電気信号が低下することの
ない光半導体装置を提供することにある。
本発明は、前述の従来装置における諸問題を解決して上
記本発明の目的を達成すべく鋭意研究を重ねたところ、
前述の従来装置の諸問題は以下のごとき原因によるもの
であることが判明した。
記本発明の目的を達成すべく鋭意研究を重ねたところ、
前述の従来装置の諸問題は以下のごとき原因によるもの
であることが判明した。
前述の問題の発生原因について、第２図を用いて説明す
る。
る。
即ち、空気層11から光透過性樹脂４および光電変換素子
４に直角に光線６が入射した時光電変換素子１の表面12
で、光が反射散乱される。反射散乱された光強度は表面
12の材料、面積度にも依るが角度依存性を持つ。反射さ
れた散乱光は樹脂４から空気層11へ抜けるものもあれば
空気層11と樹脂４の界面で反射されるものもある。
４に直角に光線６が入射した時光電変換素子１の表面12
で、光が反射散乱される。反射散乱された光強度は表面
12の材料、面積度にも依るが角度依存性を持つ。反射さ
れた散乱光は樹脂４から空気層11へ抜けるものもあれば
空気層11と樹脂４の界面で反射されるものもある。
スネルの法則によればある角度θ1で全反射する。θ1は
光透過性樹脂４と空気層11の屈折率により決定される。
例えば光透過性樹脂４、空気層11の屈折率をそれぞれ1.
5、１とした時、θ1は略40度となり略40度以上になった
場合全反射する。従って光電変換素子１の受光部５の入
射光量Ａは、次式Ｉで表わされる。
光透過性樹脂４と空気層11の屈折率により決定される。
例えば光透過性樹脂４、空気層11の屈折率をそれぞれ1.
5、１とした時、θ1は略40度となり略40度以上になった
場合全反射する。従って光電変換素子１の受光部５の入
射光量Ａは、次式Ｉで表わされる。
Ａ＝（光線６の光量）＋（θｒ（θｒ≦θ1）をなす光
線の全反射光量の積分値）＋（θｒ（θｒ＜θ1）をな
す光線の反射光量の積分値）……Ｉ 式Ｉの第３項においてθｒの値がθ1より小さい時反射
光量は非常に小さく無視できる値であるが、θｒがθ1
にほぼ近い値になった時に反射光量は大になる。
線の全反射光量の積分値）＋（θｒ（θｒ＜θ1）をな
す光線の反射光量の積分値）……Ｉ 式Ｉの第３項においてθｒの値がθ1より小さい時反射
光量は非常に小さく無視できる値であるが、θｒがθ1
にほぼ近い値になった時に反射光量は大になる。
つまり受光部５の入射光量は光線６の光量と光電変換素
子１面上で受光部５を中心にｌ1を半径にして描いた円
の円周近傍および円外から反射した光の入射光量の和と
なり、後者の不要反射光が入射するために光学特性異常
が生じ、前述のごとき問題が生じることとなる。
子１面上で受光部５を中心にｌ1を半径にして描いた円
の円周近傍および円外から反射した光の入射光量の和と
なり、後者の不要反射光が入射するために光学特性異常
が生じ、前述のごとき問題が生じることとなる。
本発明は、上述の知見に基づいて更に研究を続けた結果
完成するに至ったものである。
完成するに至ったものである。
即ち、本発明の光半導体装置は、光電変換素子を光電変
換素子支持部材上に固定保持し、該素子とリード端子を
極細金属線を介して電気的に接続したのち、光透過性樹
脂を用いて封止した光半導体装置であって、ガラスまた
は光透過性樹脂等の部材が封止体外形の少なくとも光透
過面に、前記光透過性樹脂で接着されているかもしく
は、前記光透過性樹脂とは異なる種類の光透過性樹脂に
より貼り付けられていることを特徴とするものである。
換素子支持部材上に固定保持し、該素子とリード端子を
極細金属線を介して電気的に接続したのち、光透過性樹
脂を用いて封止した光半導体装置であって、ガラスまた
は光透過性樹脂等の部材が封止体外形の少なくとも光透
過面に、前記光透過性樹脂で接着されているかもしく
は、前記光透過性樹脂とは異なる種類の光透過性樹脂に
より貼り付けられていることを特徴とするものである。
本発明の光半導体装置は下述する態様を包含する。
態様の１つは下記の構成の光半導体装置である。
即ち、光電変換素子と、該光電変換素子とリード端子と
を接続する細線と、を光透過性樹脂を用いて封止してな
る光半導体装置であって、ガラスまたは光透過性樹脂か
らなる部材が封止体の表面に貼合わされており、前記部
材の光透過面と前記光電変換素子との間の距離をＤ、前
記光透過面における全反射角度をθ1、としたときに、
前記光電変換素子の表面において２・Ｄ・tanθ1を半径
にして描いた円内の領域に前記光電変換素子の受光部が
位置していることを特徴とする。
を接続する細線と、を光透過性樹脂を用いて封止してな
る光半導体装置であって、ガラスまたは光透過性樹脂か
らなる部材が封止体の表面に貼合わされており、前記部
材の光透過面と前記光電変換素子との間の距離をＤ、前
記光透過面における全反射角度をθ1、としたときに、
前記光電変換素子の表面において２・Ｄ・tanθ1を半径
にして描いた円内の領域に前記光電変換素子の受光部が
位置していることを特徴とする。
他の態様は下記の構成の焦点検出装置である。
即ち、結像レンズと測距用センサーとを具備する焦点検
出装置であって、前記測距用センサーが、光電変換素
子、該光電変換素子とリード端子とを接続する細線と、
を光透過性樹脂を用いて封止してなるとともに、ガラス
または光透過性樹脂からなる部材が、封止体の表面に貼
合わされており、前記部材の光透過面と前記光電変換素
子との間の距離をＤ、前記光透過面における全反射角度
をθとしたときに、前記光電変換素子の表面において２
・Ｄ・tanθ1を半径にして描いた円内の領域に前記光電
変換素子の受光部が位置していることを特徴とする。
出装置であって、前記測距用センサーが、光電変換素
子、該光電変換素子とリード端子とを接続する細線と、
を光透過性樹脂を用いて封止してなるとともに、ガラス
または光透過性樹脂からなる部材が、封止体の表面に貼
合わされており、前記部材の光透過面と前記光電変換素
子との間の距離をＤ、前記光透過面における全反射角度
をθとしたときに、前記光電変換素子の表面において２
・Ｄ・tanθ1を半径にして描いた円内の領域に前記光電
変換素子の受光部が位置していることを特徴とする。
以下、図示の実施例により本発明を詳しく説明するが、
本発明はこれにより何ら制限されるものではない。
本発明はこれにより何ら制限されるものではない。
第１図は、本発明の光半導体装置の１実施例を模式的に
示す断面略図である。なお、第１図において、前述の第
２図と同一符号を付したものは、第２図と同一のものを
示している。すなわち光電変換素子１を光電変換素子支
持部材２に固定保持し、光電変換素子１とリード端子
２′の所定箇所に極細金属線３を用いてワイヤボンディ
ングし、次に光透過性樹脂４を用いて、トランスファー
モールド法等の成形手段により成形し、外形を形成す
る。その後、成形体の少なくとも光透過面にガラス７を
光透過性樹脂８を用いて貼り付け光透過性樹脂８を硬化
させて接着させる。
示す断面略図である。なお、第１図において、前述の第
２図と同一符号を付したものは、第２図と同一のものを
示している。すなわち光電変換素子１を光電変換素子支
持部材２に固定保持し、光電変換素子１とリード端子
２′の所定箇所に極細金属線３を用いてワイヤボンディ
ングし、次に光透過性樹脂４を用いて、トランスファー
モールド法等の成形手段により成形し、外形を形成す
る。その後、成形体の少なくとも光透過面にガラス７を
光透過性樹脂８を用いて貼り付け光透過性樹脂８を硬化
させて接着させる。
第１図の本発明の光半導体装置において、ガラス７、光
透過性樹脂８、４の屈折率が略同一であり、d1を光透過
性樹脂４の表面から光電変換素子１のセンサー面までの
距離、そしてd2をガラス７の厚味と光透過性樹脂８の厚
味の和とし、光線６がガラス７および光電変換素子１に
直角に入射した時、θ1をスネルの法則に従う全反射角
度とすると、光電変換素子１の受光部５に入射する光量
Ａは、従来の光半導体装置（d2＝０）の場合、次式IIで
表わされるものとなる。
透過性樹脂８、４の屈折率が略同一であり、d1を光透過
性樹脂４の表面から光電変換素子１のセンサー面までの
距離、そしてd2をガラス７の厚味と光透過性樹脂８の厚
味の和とし、光線６がガラス７および光電変換素子１に
直角に入射した時、θ1をスネルの法則に従う全反射角
度とすると、光電変換素子１の受光部５に入射する光量
Ａは、従来の光半導体装置（d2＝０）の場合、次式IIで
表わされるものとなる。
Ａ＝（光線６の光量）＋（光電変換素子１面上でl1を半
径にして描いた円の円周近傍と円外から反射した光の入
射光量の和） ……II これに対し、本発明の光半導体装置（d2≠０）の場合、
次式IIIで表わされるものとなる。
径にして描いた円の円周近傍と円外から反射した光の入
射光量の和） ……II これに対し、本発明の光半導体装置（d2≠０）の場合、
次式IIIで表わされるものとなる。
Ａ＝（光線６の光量）＋（光電変換素子１面上でl2を半
径にして描いた円の円周近傍と円外から反射した光の入
射光量の和） ……III 式IIIにおいて、l1＝2d1tanθ1 l2＝2(d1+d2)tanθ1 l2−l1＝2d2tanθ1 （θ1、l1は一定） となる。従ってd2（＝ガラス７の厚さと光透過性樹脂８
の厚さの和）を大きくすればする程l2−l1の値が大にな
ることにより反射光の入射する領域が狭くなり反射によ
る影響が少なくなる。また光の強度は光路長の二乗に反
比例することから、本発明の光半導体装置の場合、光路
長が長くなるゆえに、反射光の入射する強度の絶対値も
減少し影響が少なくなる。つまり反射光の影響を少なく
するためには、光電変換素子１の受光部以外からの反射
光の影響を少なくするため受光部以外は光到達できない
ようにマスキングすることと、光電変換素子１の任意の
受光部が略l2を半径にして描いた円内に入るようにガラ
ス７の厚さおよび形状を設計すればよい。またマスキン
グしても光電変換素子１面の受光部部以外にも光到達す
る場合、また任意の受光部が略l2を半径にして描いた円
外に存在せざるを得ない場合は予め影響の程度を把握し
ガラス７の厚さおよび形状を設計すれば良い。
径にして描いた円の円周近傍と円外から反射した光の入
射光量の和） ……III 式IIIにおいて、l1＝2d1tanθ1 l2＝2(d1+d2)tanθ1 l2−l1＝2d2tanθ1 （θ1、l1は一定） となる。従ってd2（＝ガラス７の厚さと光透過性樹脂８
の厚さの和）を大きくすればする程l2−l1の値が大にな
ることにより反射光の入射する領域が狭くなり反射によ
る影響が少なくなる。また光の強度は光路長の二乗に反
比例することから、本発明の光半導体装置の場合、光路
長が長くなるゆえに、反射光の入射する強度の絶対値も
減少し影響が少なくなる。つまり反射光の影響を少なく
するためには、光電変換素子１の受光部以外からの反射
光の影響を少なくするため受光部以外は光到達できない
ようにマスキングすることと、光電変換素子１の任意の
受光部が略l2を半径にして描いた円内に入るようにガラ
ス７の厚さおよび形状を設計すればよい。またマスキン
グしても光電変換素子１面の受光部部以外にも光到達す
る場合、また任意の受光部が略l2を半径にして描いた円
外に存在せざるを得ない場合は予め影響の程度を把握し
ガラス７の厚さおよび形状を設計すれば良い。
また光透過性樹脂４の表面９にキズ等の異形が存在した
場合、光透過性樹脂４とほぼ同等の屈折率を持つ光透過
性樹脂８でキズ等が埋められ光学特性上影響が少なくな
る。
場合、光透過性樹脂４とほぼ同等の屈折率を持つ光透過
性樹脂８でキズ等が埋められ光学特性上影響が少なくな
る。
なお、本例においてはガラス７を用いた例をあげたが、
ガラス７のかわりに光透過性樹脂を用いることもでき
る。また、ガラス７を光透過性樹脂８で貼り付ける例を
記載したが、光透過性樹脂４をトランスファーモールド
法等により成形する際にガラス７を同時形成し、光透過
性樹脂４そのものでガラス７を接着保持することもでき
る。
ガラス７のかわりに光透過性樹脂を用いることもでき
る。また、ガラス７を光透過性樹脂８で貼り付ける例を
記載したが、光透過性樹脂４をトランスファーモールド
法等により成形する際にガラス７を同時形成し、光透過
性樹脂４そのものでガラス７を接着保持することもでき
る。
次に本発明の効果について第１図を用いて説明する。本
発明の光半導体装置において、d2が大になればなる程反
射の影響が少なくなるとともに、光路長が長くなること
による反射光量の絶対値が小さくなりさらに影響が少な
くなる。また、本発明の光半導体装置においては、光透
過性樹脂４の表面９にキズ等の異形が存在しても光透過
性樹脂４、８が略同一屈折率のため光学特性上影響され
ない。本発明の光半導体装置は、光電変換素子がCCD等
受光面が多分割化されているラインセンサー、エリアセ
ンサー等反射の影響がシビアに問われるセンサーに有効
である。
発明の光半導体装置において、d2が大になればなる程反
射の影響が少なくなるとともに、光路長が長くなること
による反射光量の絶対値が小さくなりさらに影響が少な
くなる。また、本発明の光半導体装置においては、光透
過性樹脂４の表面９にキズ等の異形が存在しても光透過
性樹脂４、８が略同一屈折率のため光学特性上影響され
ない。本発明の光半導体装置は、光電変換素子がCCD等
受光面が多分割化されているラインセンサー、エリアセ
ンサー等反射の影響がシビアに問われるセンサーに有効
である。
第３〜４図を用いて、本発明の光半導体装置をカメラの
オートフォーカスセンサーとして用いた時の光学特性向
上効果について説明する。
オートフォーカスセンサーとして用いた時の光学特性向
上効果について説明する。
第３図は本発明の光半導体装置をカメラのAFセンサーと
して用いた場合の光学系展開図を示す。図中、13〜18は
焦点検出装置（AFu）を構成する部品を夫々示してい
る。即ち、13はピント面近傍に置かれた視野マスク、14
はフィールドレンズ、15は開口15a、15bを持つ測距光束
分割用マスク、16は二次結像レンズで、16a、16bがレン
ズ部である。17は測距用センサー（本発明の光半導体装
置）で、多数の画素が一直線上に並んだ一対のラインセ
ンサー17a、17bを有している。
して用いた場合の光学系展開図を示す。図中、13〜18は
焦点検出装置（AFu）を構成する部品を夫々示してい
る。即ち、13はピント面近傍に置かれた視野マスク、14
はフィールドレンズ、15は開口15a、15bを持つ測距光束
分割用マスク、16は二次結像レンズで、16a、16bがレン
ズ部である。17は測距用センサー（本発明の光半導体装
置）で、多数の画素が一直線上に並んだ一対のラインセ
ンサー17a、17bを有している。
18a、18bは各々二次結像レンズ16のレンズ部16a、16bに
よって投影された13aの像で、該18a、18bは境界部がぴ
ったり隣接する様に15aの大きさが決められている。14
は通過した光束を有効に測距光束分割用マスク15および
二次結像レンズ16に導くためのレンズである。
よって投影された13aの像で、該18a、18bは境界部がぴ
ったり隣接する様に15aの大きさが決められている。14
は通過した光束を有効に測距光束分割用マスク15および
二次結像レンズ16に導くためのレンズである。
従って当光学系において撮影レンズを通った光束は13の
上で結像し、更に開口15a、15bを通過して、レンズ部16
a、16bによりラインセンサー17a、17b上の18a、18b内に
再結像される。そしてラインセンサー17a、17b上の２像
の相対位置を検出して合焦状態を判別する様になってい
る。
上で結像し、更に開口15a、15bを通過して、レンズ部16
a、16bによりラインセンサー17a、17b上の18a、18b内に
再結像される。そしてラインセンサー17a、17b上の２像
の相対位置を検出して合焦状態を判別する様になってい
る。
第４図にその原理を示す。ラインセンサー17a17b上に投
影された像の各々の出力をEa、Ebとすると、合焦状態で
は２像の距離Ｓがある値S0となるように設定されている
ものとする。そして撮影レンズが非合焦の状態ではＳ≠
S0となるが、これを検出するためにはEaとEbを相対的に
bitシフトさせて２像の相関をとるという手法が用いら
れる。
影された像の各々の出力をEa、Ebとすると、合焦状態で
は２像の距離Ｓがある値S0となるように設定されている
ものとする。そして撮影レンズが非合焦の状態ではＳ≠
S0となるが、これを検出するためにはEaとEbを相対的に
bitシフトさせて２像の相関をとるという手法が用いら
れる。
ここでもし18a上の像が前述した反射により18a上自体の
像に反射の影響を及ぼすとか、18b上の像が前述した反
射により18b上自体の像に反射の影響を及ぼすとか、ま
た18a上の像が前述した反射により18b上の像に反射の影
響を及ぼすとか、18b上の像が前述した反射により18a上
の像に反射の影響を及ぼすとEaとEbは本来の被写体輝度
分布とは異なった形状となるので真の被写体情報とは異
なった情報で相関演算をしていることになり、その結果
として検出されたピント情報に誤差を生ずることとな
る。
像に反射の影響を及ぼすとか、18b上の像が前述した反
射により18b上自体の像に反射の影響を及ぼすとか、ま
た18a上の像が前述した反射により18b上の像に反射の影
響を及ぼすとか、18b上の像が前述した反射により18a上
の像に反射の影響を及ぼすとEaとEbは本来の被写体輝度
分布とは異なった形状となるので真の被写体情報とは異
なった情報で相関演算をしていることになり、その結果
として検出されたピント情報に誤差を生ずることとな
る。
本発明の光半導体装置を用いると反射の影響が減少し正
確なピント情報を与えることになり、特にAFとして有利
なものである。
確なピント情報を与えることになり、特にAFとして有利
なものである。
第１図は本発明の光半導体装置の一実施例を模式的に示
す断面略図であり、第２図は従来の光半導体装置を模式
的に示す断面略図である。第３図は、本発明の光半導体
装置をカメラのAFセンサーとして用いた場合の光学系展
開図であり、第４図は、その原理を説明するための図で
ある。 １……光電変換素子、２……光電変換素子支持部材、
２′……リード端子、２″……リード端子の外部導出
部、３……極細金属線、４……光透過性樹脂、５……光
電変換素子の光受容部、６……光線、７……ガラス、８
……光透過性樹脂、９……光透過性樹脂の表面、10……
光到達部、11……空気層、12……光変換素子の表面、13
……視野マスク、14……フィールドレンズ、15……測距
光束分割用マスク、15a、15b……開口、16……二次結像
レンズ、16a、16b……レンズ部、17……測距用センサ
ー、17a、17b……ラインセンサー、18a、18b……投影さ
れた13aの像
す断面略図であり、第２図は従来の光半導体装置を模式
的に示す断面略図である。第３図は、本発明の光半導体
装置をカメラのAFセンサーとして用いた場合の光学系展
開図であり、第４図は、その原理を説明するための図で
ある。 １……光電変換素子、２……光電変換素子支持部材、
２′……リード端子、２″……リード端子の外部導出
部、３……極細金属線、４……光透過性樹脂、５……光
電変換素子の光受容部、６……光線、７……ガラス、８
……光透過性樹脂、９……光透過性樹脂の表面、10……
光到達部、11……空気層、12……光変換素子の表面、13
……視野マスク、14……フィールドレンズ、15……測距
光束分割用マスク、15a、15b……開口、16……二次結像
レンズ、16a、16b……レンズ部、17……測距用センサ
ー、17a、17b……ラインセンサー、18a、18b……投影さ
れた13aの像
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大貫 一朗 神奈川県川崎市高津区下野毛770番地 キ ヤノン株式会社玉川事業所内 (72)発明者 須田 康夫 神奈川県川崎市高津区下野毛770番地 キ ヤノン株式会社玉川事業所内 (72)発明者 大高 圭史 神奈川県川崎市高津区下野毛770番地 キ ヤノン株式会社玉川事業所内
Claims (2)
- 【請求項１】光電変換素子と、該光電変換素子とリード
端子とを接続する細線と、を光透過性樹脂を用いて封止
してなる光半導体装置であって、ガラスまたは光透過性
樹脂からなる部材が封止体の表面に貼合わされており、
前記部材の光透過面と前記光電変換素子との間の距離を
Ｄ、前記光透過面における全反射角度をθ1としたとき
に、前記光電変換素子の表面において２・Ｄ・tanθ1を
半径にして描いた円内の領域に前記光電変換素子の受光
部が位置していることを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】結像レンズと測距用センサーとを具備する
焦点検出装置であって、前記測距用センサーが、光電変
換素子と、該光電変換素子とリード端子とを接続する細
線と、を光透過性樹脂を用いて封止してなるとともに、
ガラスまたは光透過性樹脂からなる部材が、封止体の表
面に貼合わされており、前記部材の光透過面と前記光電
変換素子との間の距離をＤ、前記光透過面における全反
射角度をθとしたときに、前記光電変換素子の表面にお
いて２・Ｄ・tanθ1を半径にして描いた円内の領域に前
記光電変換素子の受光部が位置していることを特徴とす
る焦点検出装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61166895A JPH0719893B2 (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 光半導体装置 |
| EP87306304A EP0253664B1 (en) | 1986-07-16 | 1987-07-16 | Semiconductor photo-sensor and method for manufacturing the same |
| DE8787306304T DE3782201T2 (de) | 1986-07-16 | 1987-07-16 | Halbleiterphotosensor und verfahren zu dessen herstellung. |
| US08/472,110 US5583076A (en) | 1986-07-16 | 1995-06-07 | Method for manufacturing a semiconductor photo-sensor |
| US09/013,031 US5912504A (en) | 1986-07-16 | 1998-01-26 | Semiconductor photo-sensor and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61166895A JPH0719893B2 (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6321878A JPS6321878A (ja) | 1988-01-29 |
| JPH0719893B2 true JPH0719893B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=15839615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61166895A Expired - Fee Related JPH0719893B2 (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719893B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07109898B2 (ja) * | 1988-10-06 | 1995-11-22 | 富士電機株式会社 | 透明樹脂封止形半導体装置 |
| JP3507251B2 (ja) * | 1995-09-01 | 2004-03-15 | キヤノン株式会社 | 光センサｉｃパッケージおよびその組立方法 |
| US8084563B2 (en) | 2006-07-07 | 2011-12-27 | Jsr Corporation | Cyclic olefin addition copolymer, process for production thereof, and retardation film obtained from the copolymer |
| CN117624555A (zh) | 2023-10-25 | 2024-03-01 | 杭州睿丰融创科技有限公司 | 一种光学材料 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59123259A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-17 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| JPS59228755A (ja) * | 1983-06-09 | 1984-12-22 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
-
1986
- 1986-07-16 JP JP61166895A patent/JPH0719893B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6321878A (ja) | 1988-01-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |