JPH07199385A - X線撮影装置 - Google Patents
X線撮影装置Info
- Publication number
- JPH07199385A JPH07199385A JP5336658A JP33665893A JPH07199385A JP H07199385 A JPH07199385 A JP H07199385A JP 5336658 A JP5336658 A JP 5336658A JP 33665893 A JP33665893 A JP 33665893A JP H07199385 A JPH07199385 A JP H07199385A
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- Japan
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- light
- optical
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- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Closed-Circuit Television Systems (AREA)
- Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光減衰器を設けることにより、光量の強弱に
関係なくX線検出が可能なX線撮影装置を提供する。 【構成】 透視と撮影の異なる強度のX線を被検体に対
して曝射するX線管3と、被検体を透過したX線透過像
を光学像に変換するX線−光学像変換部5と、X線−光
学像変換部5のX線入射面の反対面に設けられ、X線−
光学像変換部5と略同程度の面積を有し、入射するX線
強度に応じて光透過率を可変させ、前記X線強度に依ら
ず所定の光量の光学像に減衰させる液晶ユニット7と、
液晶ユニット7と略同程度の面積を有し、液晶ユニット
7からの光学像をその光量に応じたアナログ信号に変換
する光センサー部9と、から構成されている。
関係なくX線検出が可能なX線撮影装置を提供する。 【構成】 透視と撮影の異なる強度のX線を被検体に対
して曝射するX線管3と、被検体を透過したX線透過像
を光学像に変換するX線−光学像変換部5と、X線−光
学像変換部5のX線入射面の反対面に設けられ、X線−
光学像変換部5と略同程度の面積を有し、入射するX線
強度に応じて光透過率を可変させ、前記X線強度に依ら
ず所定の光量の光学像に減衰させる液晶ユニット7と、
液晶ユニット7と略同程度の面積を有し、液晶ユニット
7からの光学像をその光量に応じたアナログ信号に変換
する光センサー部9と、から構成されている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、被検体を透視したX線
を電気信号に変換し、被検体のX線透過像を検出してX
線検出を行うX線撮影装置に関する。
を電気信号に変換し、被検体のX線透過像を検出してX
線検出を行うX線撮影装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、被検体のX線透過像を検出す
るX線撮影装置によるX線検出は、フィルムと増感紙を
組み合わせたもの、イメージインテンシファイヤー
(I.I.)とTVカメラを組み合わせたもの、イメー
ジングプレートを用いたものによって行われている。
るX線撮影装置によるX線検出は、フィルムと増感紙を
組み合わせたもの、イメージインテンシファイヤー
(I.I.)とTVカメラを組み合わせたもの、イメー
ジングプレートを用いたものによって行われている。
【0003】また、これらの問題点であるI.I.によ
る糸まきひずみやシェーディング等を改善した固体の薄
型平面X線検出器が提案されている(Demonstration of
megavoltage and diagnostic x-ray imaging with hyd
rogenated amorphous silicon arrays(Med Phys.19
(6),Nov/Dec 1992 ;P.1455-1466)、特開昭61−62
283「X線/電気変換装置」、特開昭61−2441
76「デジタルラジオグラフイ装置」等)。
る糸まきひずみやシェーディング等を改善した固体の薄
型平面X線検出器が提案されている(Demonstration of
megavoltage and diagnostic x-ray imaging with hyd
rogenated amorphous silicon arrays(Med Phys.19
(6),Nov/Dec 1992 ;P.1455-1466)、特開昭61−62
283「X線/電気変換装置」、特開昭61−2441
76「デジタルラジオグラフイ装置」等)。
【0004】図4にその代表的な薄型平面X線検出器の
断面を示す。
断面を示す。
【0005】薄型平面X線検出器101は、X線を吸収
して光学像に変換するX線−光学像変換部103と、こ
のX線−光学像変換部103と同程度の面積を有し、か
つ、アモルファスシリコンを材料として作成され、平滑
化部105を介して前記X線−光学像変換部103と密
着して設けられ、このX線−光学像変換部103によっ
て変換された可視光に応じて電荷を蓄積する複数の光セ
ンサー107と、前記蓄積された電荷を外部に読み出す
スイッチの役割を果たす電界効果トランジスタ(FE
T)109とを備えている。
して光学像に変換するX線−光学像変換部103と、こ
のX線−光学像変換部103と同程度の面積を有し、か
つ、アモルファスシリコンを材料として作成され、平滑
化部105を介して前記X線−光学像変換部103と密
着して設けられ、このX線−光学像変換部103によっ
て変換された可視光に応じて電荷を蓄積する複数の光セ
ンサー107と、前記蓄積された電荷を外部に読み出す
スイッチの役割を果たす電界効果トランジスタ(FE
T)109とを備えている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、X線撮
影装置は、動画像を撮影する透視モードと、静止画像を
撮影するための撮影モードの2つのモードを有してお
り、透視モードでは長い時間X線を曝射するため弱いX
線が用いられ、撮影モードではノイズの少ない画像得る
ために強いX線を曝射する。
影装置は、動画像を撮影する透視モードと、静止画像を
撮影するための撮影モードの2つのモードを有してお
り、透視モードでは長い時間X線を曝射するため弱いX
線が用いられ、撮影モードではノイズの少ない画像得る
ために強いX線を曝射する。
【0007】従来のX線の検出方法では、アモルファス
シリコンから成る光センサーのダイナミックレンジが不
十分で弱いX線を用いるために弱い光量が光センサーに
入射する透視、強いX線を用いるために強い光量が光セ
ンサーに入射する撮影の両方に対応させることは困難で
あるという問題がある。
シリコンから成る光センサーのダイナミックレンジが不
十分で弱いX線を用いるために弱い光量が光センサーに
入射する透視、強いX線を用いるために強い光量が光セ
ンサーに入射する撮影の両方に対応させることは困難で
あるという問題がある。
【0008】本発明は上記事情に鑑みて成されたもので
あり、その目的は、固体の薄型平面X線検出器におい
て、光減衰器を設けることにより、光量の強弱に関係な
くX線検出が可能なX線撮影装置を提供することにあ
る。
あり、その目的は、固体の薄型平面X線検出器におい
て、光減衰器を設けることにより、光量の強弱に関係な
くX線検出が可能なX線撮影装置を提供することにあ
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、透視と撮影の異なる強度のX線を被検体
に対して曝射するX線源と、被検体を透過したX線透過
像を光像に変換するX線−光学像変換手段と、前記X線
−光学像変換手段のX線入射面の反対面に設けられ、前
記X線−光学像変換手段と略同程度の面積を有し、入射
するX線強度に応じて光透過率を可変させ、前記X線強
度に依らず所定の光量の光像に減衰させる光減衰器と、
前記光減衰器と略同程度の面積を有し、前記光減衰器か
らの光像をその光量に応じた電気信号に変換する光検出
器と、を備えたことを特徴としている。
めに本発明は、透視と撮影の異なる強度のX線を被検体
に対して曝射するX線源と、被検体を透過したX線透過
像を光像に変換するX線−光学像変換手段と、前記X線
−光学像変換手段のX線入射面の反対面に設けられ、前
記X線−光学像変換手段と略同程度の面積を有し、入射
するX線強度に応じて光透過率を可変させ、前記X線強
度に依らず所定の光量の光像に減衰させる光減衰器と、
前記光減衰器と略同程度の面積を有し、前記光減衰器か
らの光像をその光量に応じた電気信号に変換する光検出
器と、を備えたことを特徴としている。
【0010】また、前記光減衰器は、複数の領域に区切
られ、前記領域毎に光透過率を可変させ、X線強度に依
らず所定の光量の光像に減衰させることを特徴としてい
る。
られ、前記領域毎に光透過率を可変させ、X線強度に依
らず所定の光量の光像に減衰させることを特徴としてい
る。
【0011】さらに、前記光減衰器は、液晶から成るこ
とを特徴としている。
とを特徴としている。
【0012】さらに、前記光検出器は、アモルファスシ
リコンを含むことを特徴としている。
リコンを含むことを特徴としている。
【0013】さらに、前記光検出器は、多結晶シリコン
を含むことを特徴としている。
を含むことを特徴としている。
【0014】
【作用】上記構成によれば、X線源から曝射され、被検
体を透過したX線透過像をX線−光学像変換手段によ
り、光像に変換し、光減衰器により、入射するX線強度
に応じて光透過率を可変させ、前記X線強度に依らず所
定の光量の光像に減衰させ、光検出器により、前記光減
衰器からの光像をその光量に応じた電気信号に変換させ
る。そのため、弱いX線を用いるために弱い光量が光セ
ンサーに入射する透視、強いX線を用いるために強い光
量が光センサーに入射する撮影に関係なくX線検出が可
能となる。
体を透過したX線透過像をX線−光学像変換手段によ
り、光像に変換し、光減衰器により、入射するX線強度
に応じて光透過率を可変させ、前記X線強度に依らず所
定の光量の光像に減衰させ、光検出器により、前記光減
衰器からの光像をその光量に応じた電気信号に変換させ
る。そのため、弱いX線を用いるために弱い光量が光セ
ンサーに入射する透視、強いX線を用いるために強い光
量が光センサーに入射する撮影に関係なくX線検出が可
能となる。
【0015】
【実施例】図1は、本発明に係るX線撮影装置の一実施
例を示すブロック図である。
例を示すブロック図である。
【0016】図1に示すように、本実施例のX線撮影装
置1は、X線を被検体に対して曝射するX線管3と、X
線管3から曝射され被検体を透過したX線透過像を光学
像に変換するX線−光学像変換部5と、X線−光学像変
換部5のX線入射面の反対面に設けられ、X線−光学像
変換部5と同程度の面積をし、入射するX線強度に応
じ、液晶駆動回路7aからの印加電圧により光透過率を
可変させ、前記X線強度に依らず所定の光量の光学像に
減衰させる液晶ユニット7と、液晶ユニット7と同程度
の面積を有し、液晶ユニット7からの光学像をその光量
に応じたアナログ信号(電荷)に変換する光センサー部
9と、X線管3のX線の曝射時間とX線量を制御するX
線制御部11と、キーボード等の入力部(図示せず)を
備え、X線制御部11と液晶駆動回路7aに対し、オペ
レータから入力される透視または撮影開始の指示によ
り、その旨の命令を出力するシステム制御部13と、光
センサー部9によって変換されたアナログ信号をデジタ
ル信号に変換するA/D変換部15と、前記変換された
デジタル信号を一時記憶する画像メモリ17と、画像メ
モリ17に蓄積されているデジタル信号に対し、デジタ
ルサブトラクション等のデジタル画像処理を行う画像処
理部19と、前記デジタル画像処理されたデジタル信号
をアナログ信号に変換するD/A変換部21と、前記ア
ナログ信号を画面表示するTVモニタ23と、を備えて
いる。
置1は、X線を被検体に対して曝射するX線管3と、X
線管3から曝射され被検体を透過したX線透過像を光学
像に変換するX線−光学像変換部5と、X線−光学像変
換部5のX線入射面の反対面に設けられ、X線−光学像
変換部5と同程度の面積をし、入射するX線強度に応
じ、液晶駆動回路7aからの印加電圧により光透過率を
可変させ、前記X線強度に依らず所定の光量の光学像に
減衰させる液晶ユニット7と、液晶ユニット7と同程度
の面積を有し、液晶ユニット7からの光学像をその光量
に応じたアナログ信号(電荷)に変換する光センサー部
9と、X線管3のX線の曝射時間とX線量を制御するX
線制御部11と、キーボード等の入力部(図示せず)を
備え、X線制御部11と液晶駆動回路7aに対し、オペ
レータから入力される透視または撮影開始の指示によ
り、その旨の命令を出力するシステム制御部13と、光
センサー部9によって変換されたアナログ信号をデジタ
ル信号に変換するA/D変換部15と、前記変換された
デジタル信号を一時記憶する画像メモリ17と、画像メ
モリ17に蓄積されているデジタル信号に対し、デジタ
ルサブトラクション等のデジタル画像処理を行う画像処
理部19と、前記デジタル画像処理されたデジタル信号
をアナログ信号に変換するD/A変換部21と、前記ア
ナログ信号を画面表示するTVモニタ23と、を備えて
いる。
【0017】また、X線−光学像変換部5、液晶ユニッ
ト7および光センサー部9の断面を簡略化して表すと図
2のようになり、X線入射側(図2の上部側)から順番
に、X線−光学像変換部5と、X線−光学像変換部5の
光入射面の反対面に接合させて設けられた上部透明電極
25と、外部に設けられた液晶駆動回路7aから上部透
明電極25と後記する下部透明電極29に印加された電
圧によって光透過率を変化させる液晶27と、下部透明
電極29と、後述の光センサー33と電界効果トランジ
スタ35の凹凸を平滑化する例えばポリイミドから成る
平滑化部31と、アモルファスシリコンによって作成さ
れ、光学像をアナログ信号に変換する光センサー33
と、前記アモルファスシリコンによって作成され、前記
アナログ信号を読み出す電界効果トランジスタ35とか
ら構成される。
ト7および光センサー部9の断面を簡略化して表すと図
2のようになり、X線入射側(図2の上部側)から順番
に、X線−光学像変換部5と、X線−光学像変換部5の
光入射面の反対面に接合させて設けられた上部透明電極
25と、外部に設けられた液晶駆動回路7aから上部透
明電極25と後記する下部透明電極29に印加された電
圧によって光透過率を変化させる液晶27と、下部透明
電極29と、後述の光センサー33と電界効果トランジ
スタ35の凹凸を平滑化する例えばポリイミドから成る
平滑化部31と、アモルファスシリコンによって作成さ
れ、光学像をアナログ信号に変換する光センサー33
と、前記アモルファスシリコンによって作成され、前記
アナログ信号を読み出す電界効果トランジスタ35とか
ら構成される。
【0018】なお、下部透明電極29の下部に偏光フィ
ルター37を設けて、液晶を通過した光を偏光させるよ
うにしても良い。また、この偏光フィルター37は設け
なくても良い。
ルター37を設けて、液晶を通過した光を偏光させるよ
うにしても良い。また、この偏光フィルター37は設け
なくても良い。
【0019】さらに、光センサー部9は、光センサー3
3と電界効果トランジスタ35とにより構成され、それ
を回路上に表すと図3に示すようになり、電界効果トラ
ンジスタ35をスイッチングすることによって光センサ
ー33に蓄積されているアナログ信号が順次読み出され
る。
3と電界効果トランジスタ35とにより構成され、それ
を回路上に表すと図3に示すようになり、電界効果トラ
ンジスタ35をスイッチングすることによって光センサ
ー33に蓄積されているアナログ信号が順次読み出され
る。
【0020】次に、本実施例のX線撮影装置1の動作を
図1を用いて説明する。
図1を用いて説明する。
【0021】まず、オペレータは、動画観察等で弱いX
線を長時間曝射する透視、または、記録等で強いX線を
短時間曝射する撮影開始の指示をシステム制御部13の
入力部(図示せず)から入力する。
線を長時間曝射する透視、または、記録等で強いX線を
短時間曝射する撮影開始の指示をシステム制御部13の
入力部(図示せず)から入力する。
【0022】システム制御部13では、透視または撮影
を行う旨の命令をX線制御部11と液晶駆動回路7aに
対して出力する。
を行う旨の命令をX線制御部11と液晶駆動回路7aに
対して出力する。
【0023】X線制御部11では、X線管3に対し、前
記命令に応じた透視または撮影に対応する予め決められ
たX線の曝射時間とX線量を設定する。一方、液晶駆動
回路7aでは、透視または撮影に対応した光透過率とな
るように上部透明電極25と下部透明電極29に印加す
る電圧値を設定する。
記命令に応じた透視または撮影に対応する予め決められ
たX線の曝射時間とX線量を設定する。一方、液晶駆動
回路7aでは、透視または撮影に対応した光透過率とな
るように上部透明電極25と下部透明電極29に印加す
る電圧値を設定する。
【0024】例えば、透視の場合は光透過率100%、
撮影の場合は光透過率1%となるように予め電圧値を決
めておく。なお、この光透過率は前記の値に限らず、例
えば撮影の場合は光透過率0.1%としても良い。
撮影の場合は光透過率1%となるように予め電圧値を決
めておく。なお、この光透過率は前記の値に限らず、例
えば撮影の場合は光透過率0.1%としても良い。
【0025】また、この電圧値は可変であるため、X線
検出中でも光透過率を可変させることができ、例えば、
TVモニタ23に表示される画像状況に応じて光透過率
を変化させることにより、より見易い画像に調整するこ
とができる。
検出中でも光透過率を可変させることができ、例えば、
TVモニタ23に表示される画像状況に応じて光透過率
を変化させることにより、より見易い画像に調整するこ
とができる。
【0026】そして、この状態でX線管3によるX線の
曝射が開始され、X線−光学像変換部5では、被検体を
透過したX線透過像を光学像に変換する。その後、光セ
ンサー部9では、液晶ユニット7を通過した光学像をそ
の光量に応じたアナログ信号に変換する。なお、液晶ユ
ニット7を通過した光学像の光量は、透視の場合はその
まま、撮影の場合は1/100となる。
曝射が開始され、X線−光学像変換部5では、被検体を
透過したX線透過像を光学像に変換する。その後、光セ
ンサー部9では、液晶ユニット7を通過した光学像をそ
の光量に応じたアナログ信号に変換する。なお、液晶ユ
ニット7を通過した光学像の光量は、透視の場合はその
まま、撮影の場合は1/100となる。
【0027】そして、A/D変換部15では、光センサ
ー部9によって得られたアナログビデオを信号をデジタ
ル信号に変換し、画像メモリ17に一時蓄積する。その
後、画像処理部19では、画像メモリ17に蓄積されて
いるデジタル信号に対し、デジタルサブトラクション等
のデジタル画像処理を行う。
ー部9によって得られたアナログビデオを信号をデジタ
ル信号に変換し、画像メモリ17に一時蓄積する。その
後、画像処理部19では、画像メモリ17に蓄積されて
いるデジタル信号に対し、デジタルサブトラクション等
のデジタル画像処理を行う。
【0028】そして、D/A変換部21では、デジタル
画像処理されたデジタル信号をアナログ信号に変換す
る。その後、TVモニタ23にその変換されたアナログ
信号が表示される。
画像処理されたデジタル信号をアナログ信号に変換す
る。その後、TVモニタ23にその変換されたアナログ
信号が表示される。
【0029】このように、本実施例のX線撮影装置1で
は、液晶ユニット7の液晶27を通過する光学像の光透
過率を透視の場合は100%、撮影の場合は1%にして
いるので、弱いX線を用いる透視、強いX線を用いる撮
影に関係なく安定した画像を得ることができる。
は、液晶ユニット7の液晶27を通過する光学像の光透
過率を透視の場合は100%、撮影の場合は1%にして
いるので、弱いX線を用いる透視、強いX線を用いる撮
影に関係なく安定した画像を得ることができる。
【0030】なお、本実施例では、液晶ユニット7の液
晶27の光透過率は、全範囲で同一の値としているがこ
れに限らず、液晶27、上部透明電極25、下部透明電
極29を複数の領域、例えば光センサー部9の光センサ
ー33の各画素に対応する領域に区切り、この領域毎に
前記上部透明電極25、下部透明電極29に印加する電
圧を可変にし、光透過率を前記領域毎に可変させるよう
にしても良い。
晶27の光透過率は、全範囲で同一の値としているがこ
れに限らず、液晶27、上部透明電極25、下部透明電
極29を複数の領域、例えば光センサー部9の光センサ
ー33の各画素に対応する領域に区切り、この領域毎に
前記上部透明電極25、下部透明電極29に印加する電
圧を可変にし、光透過率を前記領域毎に可変させるよう
にしても良い。
【0031】この場合、光センサー33の全画素または
任意の画素に蓄積されるアナログ信号をモニターし(例
えば光センサー33からアナログ信号が出力されたとき
にそのアナログ信号量をモニターする)、その値が予め
設定したしきい値以上となったときにその画素に対応す
る前記領域の光透過率を低くする。
任意の画素に蓄積されるアナログ信号をモニターし(例
えば光センサー33からアナログ信号が出力されたとき
にそのアナログ信号量をモニターする)、その値が予め
設定したしきい値以上となったときにその画素に対応す
る前記領域の光透過率を低くする。
【0032】このため、透視中に一部の範囲で強いX線
がX線−光学像変換部5に入射することによる光センサ
ー部9の蓄積アナログ信号の飽和を防止することができ
る。
がX線−光学像変換部5に入射することによる光センサ
ー部9の蓄積アナログ信号の飽和を防止することができ
る。
【0033】また、本実施例の光センサー部9は、アモ
ルファスシリコンによって作成されるが、これに限ら
ず、他の薄型平面X線検出器、例えば多結晶シリコンを
用いた薄型平面X線検出器を用いても良い。
ルファスシリコンによって作成されるが、これに限ら
ず、他の薄型平面X線検出器、例えば多結晶シリコンを
用いた薄型平面X線検出器を用いても良い。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、光
減衰器により、入射するX線強度に応じて光減衰率を可
変させ、前記X線強度に依らず所定の光量の光像に減衰
させるようにしているので、弱いX線を用いるために弱
い光量が光センサーに入射する透視、強いX線を用いる
ために強い光量が光センサーに入射する撮影に関係なく
X線検出が可能となる。
減衰器により、入射するX線強度に応じて光減衰率を可
変させ、前記X線強度に依らず所定の光量の光像に減衰
させるようにしているので、弱いX線を用いるために弱
い光量が光センサーに入射する透視、強いX線を用いる
ために強い光量が光センサーに入射する撮影に関係なく
X線検出が可能となる。
【図1】本発明に係るX線撮影装置の一実施例を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
【図2】液晶ユニットおよび光センサー部の断面を簡略
化して表す説明図である。
化して表す説明図である。
【図3】光センサー部を回路で表す説明図である。
【図4】従来の代表的な薄型平面X線検出器の断面を示
す説明図である。
す説明図である。
1 X線撮影装置 3 X線管(X線源) 5 X線−光学像変換部(X線−光学像変換手段) 7 液晶ユニット(光減衰器) 7a 液晶駆動回路 9 光センサー部(光検出器) 11 X線制御部 13 システム制御部 15 A/D変換部 17 画像メモリ 19 画像処理部 21 D/A変換部 23 TVモニタ 25 上部透明電極 27 液晶 29 下部透明電極 31 平滑化部 33 光センサー 35 電界効果トランジスタ 37 偏光フィルター
Claims (5)
- 【請求項1】 透視と撮影の異なる強度のX線を被検体
に対して曝射するX線源と、 被検体を透過したX線透過像を光像に変換するX線−光
学像変換手段と、 前記X線−光学像変換手段のX線入射面の反対面に設け
られ、前記X線−光学像変換手段と略同程度の面積を有
し、入射するX線強度に応じて光透過率を可変させ、前
記X線強度に依らず所定の光量の光像に減衰させる光減
衰器と、 前記光減衰器と略同程度の面積を有し、前記光減衰器か
らの光像をその光量に応じた電気信号に変換する光検出
器と、 を備えたことを特徴とするX線撮影装置。 - 【請求項2】 前記光減衰器は、複数の領域に区切ら
れ、前記領域毎に光透過率を可変させ、X線強度に依ら
ず所定の光量の光像に減衰させることを特徴とする請求
項1記載のX線撮影装置。 - 【請求項3】 前記光減衰器は、液晶から成ることを特
徴とする請求項1又は2記載のX線撮影装置。 - 【請求項4】 前記光検出器は、アモルファスシリコン
を含むことを特徴とする請求項1乃至3記載のX線撮影
装置。 - 【請求項5】 前記光検出器は、多結晶シリコンを含む
ことを特徴とする請求項1乃至3記載のX線撮影装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5336658A JPH07199385A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | X線撮影装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5336658A JPH07199385A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | X線撮影装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07199385A true JPH07199385A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18301454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5336658A Pending JPH07199385A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | X線撮影装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07199385A (ja) |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP5336658A patent/JPH07199385A/ja active Pending
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