JPH0720064B2 - トランジスタ電力増幅器 - Google Patents
トランジスタ電力増幅器Info
- Publication number
- JPH0720064B2 JPH0720064B2 JP63206063A JP20606388A JPH0720064B2 JP H0720064 B2 JPH0720064 B2 JP H0720064B2 JP 63206063 A JP63206063 A JP 63206063A JP 20606388 A JP20606388 A JP 20606388A JP H0720064 B2 JPH0720064 B2 JP H0720064B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- power amplifier
- detector
- transistor power
- capacitor
- Prior art date
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- Transmitters (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、AM変調波を増幅するトランジスタ電力増幅器
に関し、特にテレビジョン放送機に用いるトランジスタ
電力増幅器に関する。
に関し、特にテレビジョン放送機に用いるトランジスタ
電力増幅器に関する。
従来、この種のテレビジョン放送機に用いるトランジス
タ電力増幅器は、良好な直線性と高出力、低消費電力が
要求される為、トランジスタAB級動作で使用することが
多く、特に高出力が要求される終段のトランジスタ電力
増幅器ほどＢ級に近いAB級動作となっている。
タ電力増幅器は、良好な直線性と高出力、低消費電力が
要求される為、トランジスタAB級動作で使用することが
多く、特に高出力が要求される終段のトランジスタ電力
増幅器ほどＢ級に近いAB級動作となっている。
上述した従来のトランジスタ電力増幅器は、AB級動作で
あるためアベレージピクチュアレベル（以下APLと呼
ぶ）により直線性が変化する、所謂APL変動が大きいと
いう欠点を有していた。
あるためアベレージピクチュアレベル（以下APLと呼
ぶ）により直線性が変化する、所謂APL変動が大きいと
いう欠点を有していた。
APLは平均画像レベルのことであり、テレビジョン映像
信号は明（白）暗（黒）に応じたレベルをもっているた
め、明暗状態によってAPLが変わる。またテレビジョン
映像信号において、信号のとりうるレベル（０〜100
％）の範囲に対して、白レベルのAPL90％の点、黒レベ
ルのAPL10％の点、そしてその中間のAPL50％の点で送信
信号の特性を測定するようにしている。他方、テレビジ
ョン信号の送信においては、負極性の映像信号により搬
送波を振幅変調しており、従って、黒レベルでは搬送波
の振幅が大きく、白レベルでは搬送波の振幅が小さくな
ることになる。この様子を第５図に示す。
信号は明（白）暗（黒）に応じたレベルをもっているた
め、明暗状態によってAPLが変わる。またテレビジョン
映像信号において、信号のとりうるレベル（０〜100
％）の範囲に対して、白レベルのAPL90％の点、黒レベ
ルのAPL10％の点、そしてその中間のAPL50％の点で送信
信号の特性を測定するようにしている。他方、テレビジ
ョン信号の送信においては、負極性の映像信号により搬
送波を振幅変調しており、従って、黒レベルでは搬送波
の振幅が大きく、白レベルでは搬送波の振幅が小さくな
ることになる。この様子を第５図に示す。
一般に、バイポーラトランジスタを用いた終段のAB級電
力増幅器においては、APLの値によって出力における特
性が異なることが知られている。すなわち、APL50％以
下即ちテレビジョン放送波の振幅の平均値が一定レベル
以上でトランジスタに一定レベル以上の電流が流れる場
合には白レベル付近の直線性が良好で微分利得が平坦で
あるのに対し、APL90％即ちテレビジョン放送波の振幅
が小さく、トランジスタに流れる電流が少ない場合に
は、白レベル付近の直線性が悪くなり、利得が減少し、
その結果微分利得がつまるという傾向をもっている。
力増幅器においては、APLの値によって出力における特
性が異なることが知られている。すなわち、APL50％以
下即ちテレビジョン放送波の振幅の平均値が一定レベル
以上でトランジスタに一定レベル以上の電流が流れる場
合には白レベル付近の直線性が良好で微分利得が平坦で
あるのに対し、APL90％即ちテレビジョン放送波の振幅
が小さく、トランジスタに流れる電流が少ない場合に
は、白レベル付近の直線性が悪くなり、利得が減少し、
その結果微分利得がつまるという傾向をもっている。
本発明のトランジスタ電力増幅器は、入力信号の一部を
検波する検波器と検波器の出力をインピーダンス変換す
るトランジスタのエミッタフォロワ回路を有し、前述の
検波器の出力に応じてAB級動作トランジスタ電力増幅器
のベースバイアス電圧を制御している。このためAPL90
％でトランジスタ電力増幅器に流れる電流が減少し白レ
ベル側の微分利得がつまる場合には、ベースバイアス電
圧を上げ微分利得を伸ばす方向に動作し、APL変化によ
る微分利得の変化を減少させることを可能としている。
検波する検波器と検波器の出力をインピーダンス変換す
るトランジスタのエミッタフォロワ回路を有し、前述の
検波器の出力に応じてAB級動作トランジスタ電力増幅器
のベースバイアス電圧を制御している。このためAPL90
％でトランジスタ電力増幅器に流れる電流が減少し白レ
ベル側の微分利得がつまる場合には、ベースバイアス電
圧を上げ微分利得を伸ばす方向に動作し、APL変化によ
る微分利得の変化を減少させることを可能としている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は、本発明の一実施例の系統図である。
は、本発明の一実施例の系統図である。
第１図によると、トランジスタ電力増幅器の入力１から
入力された信号は方向性結合器２によって一部を取り出
され検波器７によって検波される。ここで検波器７は負
検波を採用しているため、APLが10％など低い場合即ち
搬送波の振幅が大きい場合には大きな負電圧が検出さ
れ、逆にAPL90％など高い場合に小さな負電圧が検出さ
れる。すなわちAPLが高い場合はAPLが低い場合に比べて
検波器７の出力が高くなる。次にこの検波器７の出力
は、トランジスタのエミッタフォロア回路８を通りイン
ピーダンス変換されベースバイアス抵抗9,RF阻止コイル
11を通りAB級動作トランジスタ４のベースにベースバイ
アスとして供給される。従ってAPL90％の場合で、AB級
動作のトランジスタ電力増幅器に流れる電流が少く、白
レベル側の利得が減少し、白側の微分利得がつまる場合
には、検波器７の出力電圧が上がり、ベースバイアス電
圧を上げAB級動作トランジスタに流れる電流を追加し白
側の微分利得を伸ばし平坦にすることが可能である。
入力された信号は方向性結合器２によって一部を取り出
され検波器７によって検波される。ここで検波器７は負
検波を採用しているため、APLが10％など低い場合即ち
搬送波の振幅が大きい場合には大きな負電圧が検出さ
れ、逆にAPL90％など高い場合に小さな負電圧が検出さ
れる。すなわちAPLが高い場合はAPLが低い場合に比べて
検波器７の出力が高くなる。次にこの検波器７の出力
は、トランジスタのエミッタフォロア回路８を通りイン
ピーダンス変換されベースバイアス抵抗9,RF阻止コイル
11を通りAB級動作トランジスタ４のベースにベースバイ
アスとして供給される。従ってAPL90％の場合で、AB級
動作のトランジスタ電力増幅器に流れる電流が少く、白
レベル側の利得が減少し、白側の微分利得がつまる場合
には、検波器７の出力電圧が上がり、ベースバイアス電
圧を上げAB級動作トランジスタに流れる電流を追加し白
側の微分利得を伸ばし平坦にすることが可能である。
第２図は及び第３図は第１図を更に具体的にした回路図
である。第２図においては、第１図の方向性供給器２の
代りに分圧抵抗21と終端抵抗22によって入力信号の一部
がとり出され検波ダイオード23により検波される。
である。第２図においては、第１図の方向性供給器２の
代りに分圧抵抗21と終端抵抗22によって入力信号の一部
がとり出され検波ダイオード23により検波される。
次に検波ダイオード23によって検波された信号は、高周
波バイパスコンデンサ24,抵抗25,直流阻止コンデンサ26
によって成形され、画成分の平均レベル即ちAPLに応じ
た電圧波形となる。そして前述のAPLに応じた電圧波形
は、クランプレベル設定用可変抵抗27及びクランプ用ダ
イオード28によってDC電圧をクランプされた後エミッタ
フォロアトランジスタ29によってインピーダンス変換さ
れ抵抗31,バイアス回路用ダイオード32,バイアス電圧設
定用変換抵抗33,ベースバイアス回路直列抵抗34から成
る従来のベースバイアス回路に加えられる。
波バイパスコンデンサ24,抵抗25,直流阻止コンデンサ26
によって成形され、画成分の平均レベル即ちAPLに応じ
た電圧波形となる。そして前述のAPLに応じた電圧波形
は、クランプレベル設定用可変抵抗27及びクランプ用ダ
イオード28によってDC電圧をクランプされた後エミッタ
フォロアトランジスタ29によってインピーダンス変換さ
れ抵抗31,バイアス回路用ダイオード32,バイアス電圧設
定用変換抵抗33,ベースバイアス回路直列抵抗34から成
る従来のベースバイアス回路に加えられる。
また、第３図においては、方向性結合器２により、入力
信号１の一部を取り出し、直流阻止コンデンサ26を通り
検波ダイオード23により検波される。検波された信号は
コンデンサ38に充放電される。またコンデンサ38の両端
に発生する電圧は画成分の平均レベル（APL）によって
変化するが、その変化する速度は抵抗39,40,41やコンデ
ンサ38の値により任意に選ぶことができ、APLが変動し
ても微分利得特性等の定常変化を追従することができ
る。また、更に、クランプレベル設定用可変抵抗27,抵
抗37によりDC電圧をクランプし、トランジスタエミッタ
フォロワ回路29によってインピーダンス変換され、AB級
動作トランジスタ４のベースバイアス回路に加えられ
る。
信号１の一部を取り出し、直流阻止コンデンサ26を通り
検波ダイオード23により検波される。検波された信号は
コンデンサ38に充放電される。またコンデンサ38の両端
に発生する電圧は画成分の平均レベル（APL）によって
変化するが、その変化する速度は抵抗39,40,41やコンデ
ンサ38の値により任意に選ぶことができ、APLが変動し
ても微分利得特性等の定常変化を追従することができ
る。また、更に、クランプレベル設定用可変抵抗27,抵
抗37によりDC電圧をクランプし、トランジスタエミッタ
フォロワ回路29によってインピーダンス変換され、AB級
動作トランジスタ４のベースバイアス回路に加えられ
る。
従って、第２図及び第３図の回路によりベースバイアス
電圧は、従来と異なり画成分の平均レベル（ALP）に応
じて変化し、ALP変動を減少させる事が可能である。
電圧は、従来と異なり画成分の平均レベル（ALP）に応
じて変化し、ALP変動を減少させる事が可能である。
以上説明したように、本発明はテレビジョン放送波を増
幅するAB級動作のトランジスタ電力増幅器において入力
信号の一部を検波器を用いて検波し、波形成形後トラン
ジスタのエミッタフォロア回路によりインピーダンス変
換した後ベースバイアス回路に加えることにより、ベー
スバイアス電圧をAPL変動による特性の変動を抑制する
ように制御し、微分利得特性等のAPL変動を減少させる
効果を有する。
幅するAB級動作のトランジスタ電力増幅器において入力
信号の一部を検波器を用いて検波し、波形成形後トラン
ジスタのエミッタフォロア回路によりインピーダンス変
換した後ベースバイアス回路に加えることにより、ベー
スバイアス電圧をAPL変動による特性の変動を抑制する
ように制御し、微分利得特性等のAPL変動を減少させる
効果を有する。
また、入力信号の一部を検波する検波器と検波器出力を
インピーダンス変換するトランジスタのエミッタフォロ
ア回路との間に、抵抗やコンデンサから成る回路を組み
込み、これら抵抗やコンデンサの値を任意に定めること
によりAPLが変動しても微分利得特性等の定常変化を追
従できる効果を有する。
インピーダンス変換するトランジスタのエミッタフォロ
ア回路との間に、抵抗やコンデンサから成る回路を組み
込み、これら抵抗やコンデンサの値を任意に定めること
によりAPLが変動しても微分利得特性等の定常変化を追
従できる効果を有する。
第１図は、本発明の一実施例の系統図、第２図及び第３
図は第１図の具体化した回路図、第４図は従来の回路図
である。 第５図は本願発明のトランジスタ電力増幅器によって増
幅される変調波を示す図である。 １……トランジスタ電力増幅器の入力、２……方向性結
合器、３……トランジスタ電力増幅器の入力整合回路、
４……AB級動作トランジスタ、５……トランジスタ電力
増幅器の出力整合回路、６……トランジスタ電力増幅器
の出力、７……検波器、８……トランジスタのエミッタ
フォロア回路、９……ベースバイアス回路直列抵抗、10
……バイパスコンデンサ、11……バイアス回路のRF阻止
コイル、21……分圧抵抗、22……終端抵抗、23……検波
ダイオード、24……高周波バイパスコンデンサ、25……
抵抗、26……直流阻止コンデンサ、27……クランプレベ
ル設定用可変抵抗、28……クランプ用ダイオード、29…
…エミッタフォロアトランジスタ、30,31……抵抗,32…
…バイアス回路用ダイオード、33……バイアス電圧設定
用可変抵抗、34……ベースバイアス回路直列抵抗、35,3
6……ベースバイアス用直流電圧入力端子、37……クラ
ンプレベル設定用抵抗、38……コンデンサ、39,40,41…
…抵抗、42……可変抵抗、43……高周波バイパスコンデ
ンサ。
図は第１図の具体化した回路図、第４図は従来の回路図
である。 第５図は本願発明のトランジスタ電力増幅器によって増
幅される変調波を示す図である。 １……トランジスタ電力増幅器の入力、２……方向性結
合器、３……トランジスタ電力増幅器の入力整合回路、
４……AB級動作トランジスタ、５……トランジスタ電力
増幅器の出力整合回路、６……トランジスタ電力増幅器
の出力、７……検波器、８……トランジスタのエミッタ
フォロア回路、９……ベースバイアス回路直列抵抗、10
……バイパスコンデンサ、11……バイアス回路のRF阻止
コイル、21……分圧抵抗、22……終端抵抗、23……検波
ダイオード、24……高周波バイパスコンデンサ、25……
抵抗、26……直流阻止コンデンサ、27……クランプレベ
ル設定用可変抵抗、28……クランプ用ダイオード、29…
…エミッタフォロアトランジスタ、30,31……抵抗,32…
…バイアス回路用ダイオード、33……バイアス電圧設定
用可変抵抗、34……ベースバイアス回路直列抵抗、35,3
6……ベースバイアス用直流電圧入力端子、37……クラ
ンプレベル設定用抵抗、38……コンデンサ、39,40,41…
…抵抗、42……可変抵抗、43……高周波バイパスコンデ
ンサ。
Claims (1)
- 【請求項１】AM変調波を増幅するAB級動作トランジスタ
電力増幅器において入力信号の一部を検波する検波器
と、前記検波器の出力をインピーダンス変換するトラン
ジスタのエミッタフォロア回路を有し、前記検波器の出
力に応じて該AB級動作トランジスタ電力増幅器のベース
バイアス電圧を制御するトランジスタ電力増幅器におい
て、入力信号の一部を検波する検波器と、検波器の出力
をインピーダンス変換するトランジスタのエミッタフォ
ロア回路との間に検波された信号を充放電するコンデン
サと、前記コンデンサにつながる抵抗やコンデンサ等か
ら成る回路を組み込み、前記検波信号を充放電するコン
デンサの両端に発生する電圧が変化する速度を前記組み
込んだ回路の各素子の値により任意に設定し微分利得特
性等の定常変化を追従できることを特徴とするトランジ
スタ電力増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63206063A JPH0720064B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | トランジスタ電力増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63206063A JPH0720064B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | トランジスタ電力増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254629A JPH0254629A (ja) | 1990-02-23 |
| JPH0720064B2 true JPH0720064B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=16517235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63206063A Expired - Lifetime JPH0720064B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | トランジスタ電力増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0720064B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5165050B2 (ja) * | 2008-04-08 | 2013-03-21 | 三菱電機株式会社 | 高周波増幅器 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0454007A (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-21 | Nec Corp | 高周波パルス電力増幅器 |
| JP3471648B2 (ja) | 1999-02-26 | 2003-12-02 | 富士通カンタムデバイス株式会社 | パワーアンプ回路及びそのバイアス回路 |
| JP4609300B2 (ja) * | 2005-12-12 | 2011-01-12 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅器および無線機 |
-
1988
- 1988-08-19 JP JP63206063A patent/JPH0720064B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5165050B2 (ja) * | 2008-04-08 | 2013-03-21 | 三菱電機株式会社 | 高周波増幅器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0254629A (ja) | 1990-02-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080306 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090306 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090306 Year of fee payment: 14 |