JPH07201040A

JPH07201040A - 磁気記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JPH07201040A
Application number: JP35322193A
Authority: JP
Inventors: Makoto Mizukami; 誠水上
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 1993-12-28
Filing date: 1993-12-28
Publication date: 1995-08-04

Abstract

(57)【要約】【目的】ＣｏＳｍ（コバルト・サマリウム）合金膜を
利用した高密度な磁気記録媒体の製造方法であり、保磁
力の経時変化が少ない磁気記録媒体の製造方法を提供す
る。【構成】非磁性基板（ガラス基板や，耐熱性の低いＰ
ＥＴ基板）上に、Ｃｒ（クロム），Ｗ（タングステ
ン），Ｍｏ（モリブデン），Ｔｉ（チタン），Ａｌ（ア
ルミニウム）のいずれかの下地膜を形成し、この下地膜
上にＣｏＳｍ合金膜をスパッタ形成する。ＣｏＳｍ合金
膜を形成するときのスパッタガス圧を、ほぼ１〜４ｍＴ
ｏｒｒ（特に、３ｍＴｏｒｒ）に設定して製造する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク等の磁気記
録媒体の製造方法に係り、特に基板加熱を必要とせずに
高い保磁力Ｈｃが得られるＣｏＳｍ（コバルト・サマリ
ウム）合金膜を使用した磁気記録媒体の製造方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録の高密度化により、より高い保
磁力（Ｈｃ）をもつ面内型磁気記録媒体が望まれてき
た。こうした要求に答えるものとして、Ｃｒ（クロム）
を下地膜したＣｏＣｒＴａ／Ｃｒ，ＣｏＣｒＰｔ／Ｃ
ｒ，ＣｏＣｒＴａＰｔ／Ｃｒなどの合金膜を使用した磁
気記録媒体が開発されてきている。これらの磁気記録媒
体（膜）は、基板の加熱温度を２００°Ｃ程度に高める
ことにより下地膜Ｃｒにおける特定面の結晶性を上げ、
それにともない下地膜上に成長するＣｏの磁化容易軸で
あるＣ軸を面内により強く向けることができ、その結果
より高い保磁力Ｈｃが得られる特徴がある。

【０００３】しかし、プラスティックやフィルムの様な
耐熱性の低い基板に対しては、こうした磁性材料構成で
は不向きである。そこで、本出願人は、基板加熱を必要
とせず十分に高い保磁力Ｈｃが得られる膜として、Ｃｒ
（クロム）を下地膜したＣｏＳｍ（コバルト・サマリウ
ム）合金膜であるＣｏＳｍ／Ｃｒを、発明開発してい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような低
温成膜のＣｏＳｍ／Ｃｒ媒体を詳しく調べてみると、ス
パッタ直後では保磁力Ｈｃが高いが、徐々に保磁力Ｈｃ
が低下してしまう経時変化がみられることがわかった。
そこで、本発明はＣｏＳｍ／Ｃｒを利用した磁気記録媒
体において、経時変化の少ない磁気記録媒体の製造方法
を試行開発したものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、非磁性基板上に、Ｃｒ（クロム），Ｔｉ（チタ
ン），Ａｌ（アルミニウム）のいずれかの下地膜を形成
し、この形成した下地膜上に、ＣｏＳｍ（コバルト・サ
マリウム）合金膜をスパッタ形成する磁気記録媒体の製
造方法において、合金膜を形成するときのスパッタガス
圧を、ほぼ１〜４ｍＴｏｒｒに設定したことを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法を提供するものである。

【０００６】さらに、合金膜を形成するときのスパッタ
ガス圧を、ほぼ３ｍＴｏｒｒに設定したことを特徴とす
る前記に記載の磁気記録媒体の製造方法を提供するもの
である。

【０００７】さらに、非磁性基板は耐熱性の低い基板で
あることを特徴とする前記に記載の磁気記録媒体の製造
方法を提供するものである。

【０００８】

【作用】ほぼ１〜４ｍＴｏｒｒ（３ｍＴｏｒｒ付近）で
成膜することにより、熱に対してより安定な構造にな
る。

【０００９】

【実施例】本発明になる磁気記録媒体の製造方法の一実
施例を以下図面と共に詳細に説明する。

【００１０】（実施例１）６インチのＤＣマグネトロン
スパッタ装置に、３．５インチのガラス基板（表面粗さ
Ｒａ＝１５オングストローム）を取り付け、到達真空度
２．５＊１０-7Ｔｏｒｒまで排気する。基板・タ−ゲッ
ト間は距離９０ｍｍ、アルゴンスパッタ圧は３ｍＴｏｒ
ｒ、基板温度は１７℃とする。このガラス基板上に、Ｃ
ｒ（クロム）を１０００オングストローム成膜する。続
いて、Ｃｏ₇₆Ｓｍ₂₄（コバルト・サマリウムａｔ％表
示）を４００オングストローム成膜（スパッタ形成）し
て、磁気記録媒体とする。

【００１１】（実施例２）アルゴンスパッタガス圧を
１，２，４ｍＴｏｒｒとする以外は実施例１と同じとす
る。

【００１２】（実施例３）基板をＰＥＴ（ポリエチレン
テレフタレート）とする以外は実施例１と同じである。

【００１３】（比較例１）アルゴンスパッタガス圧を
５，６ｍＴｏｒｒとする以外は実施例１と同じである。

【００１４】以上の条件で磁気記録媒体を製造して、直
ちに振動試料型磁力計（ＶＳＭ）により磁気記録媒体の
磁気特性を測定した。さらに、この磁気記録媒体を通常
の環境で保持し、磁気特性の経時変化について調べた。
但し、磁気特性測定時の磁界の印加方向はディスク基板
の円周方向と等しい方向とした。

【００１５】図１は実施例１，２，比較例１におけるア
ルゴンスパッタ圧（ＰＡｒ）と保磁力比Ｈｃ´（７日後
の保磁力Ｈｃ／スパッタ直後の保磁力Ｈｃ）の関係であ
る。経時変化が起こらないものは、保磁力比Ｈｃ´＝１
である。同図から明らかなように、３ｍＴｏｒｒ時のア
ルゴンスパッタ圧では経時変化は殆ど見られていない。
しかし、３ｍＴｏｒｒ以下では保磁力Ｈｃは増加し、３
ｍＴｏｒｒ以上では保磁力Ｈｃが低下している。これ
は、３ｍＴｏｒｒ付近で成膜したものは、熱に対してよ
り安定なアモルファス構造になっていることが起因して
と思われる。

【００１６】これらの結果から、保磁力Ｈｃの変化が少
ないアルゴンスパッタガス圧範囲は、ほぼ１〜４ｍＴｏ
ｒｒであり、この時の保磁力Ｈｃ変化量は１５％以下で
ある。４ｍＴｏｒｒを越えると、保磁力Ｈｃの変化率は
２０％以上にも達し６ｍＴｏｒｒでは７５％以上の変化
がみられる。また、１ｍＴｏｒｒに満たないと、保磁力
Ｈｃが１０００（Ｏｅ）以下となり、高密度な磁気記録
媒体として不適当となる。

【００１７】また図示しないが、実施例３で基板をＰＥ
Ｔとしたものの経時変化は、実施例１（ガラス基板のも
の）と同様で、ほとんどなかった。このように、非磁性
基板は、ガラス基板に限られず、耐熱性の低いプラスチ
ィク基板，ＰＥＴのフィルム状基板でも、同様の効果が
得られる。

【００１８】なお、本実施例ではスパッタガスとしてア
ルゴンを用いたが、不活性ガスであればＡｒ（アルゴ
ン）に限定されるものではなく、Ｋｒ（クリプトン）、
Ｘｅ（キセノン）でも良い。また、下地膜はＣｒ（クロ
ム）以外の膜で、Ｔｉ（チタン）、Ａｌ（アルミニウ
ム）や、Ｗ（タングステン）、Ｍｏ（モリブデン）など
でも良い。

【００１９】

【発明の効果】以上詳述したように、低温成膜に適した
磁気記録媒体として、ＣｏＳｍ（コバルト・サマリウ
ム）合金膜を利用した磁気記録媒体の製造時に、スパッ
タガス圧をほぼ１〜４ｍＴｏｒｒに設定することによ
り、保磁力の経時変化が少ない高密度な磁気記録媒体を
製造できる。

【００２０】また、この結果、プラスティックやフィル
ムの様な耐熱性の低いものも、磁気記録媒体の基板とし
て利用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明になる磁気記録媒体の製造方法の一実施
例を示す図で、アルゴンスパッタ圧（ＰＡｒ）と保磁力
比（Ｈｃ´）との関係を示す図である。

【符号の説明】

ＰＡｒアルゴンスパッタ圧Ｈｃ保磁力Ｈｃ´ 保磁力比

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所 // Ｈ０１Ｆ 10/16

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基板上に、Ｃｒ（クロム），Ｔｉ
（チタン），Ａｌ（アルミニウム）のいずれかの下地膜
を形成し、この形成した下地膜上に、ＣｏＳｍ（コバルト・サマリ
ウム）合金膜をスパッタ形成する磁気記録媒体の製造方
法において、合金膜を形成するときのスパッタガス圧を、ほぼ１〜４
ｍＴｏｒｒに設定したことを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法。
【請求項２】合金膜を形成するときのスパッタガス圧
を、ほぼ３ｍＴｏｒｒに設定したことを特徴とする請求
項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】非磁性基板は耐熱性の低い基板であること
を特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方
法。