JPH07201065A - 光学式記録再生装置 - Google Patents
光学式記録再生装置Info
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- JPH07201065A JPH07201065A JP5337930A JP33793093A JPH07201065A JP H07201065 A JPH07201065 A JP H07201065A JP 5337930 A JP5337930 A JP 5337930A JP 33793093 A JP33793093 A JP 33793093A JP H07201065 A JPH07201065 A JP H07201065A
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Landscapes
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄型で安価な光学式記録再生装置を提供す
る。 【構成】 レーザダイオード１ａからの出射光は、カッ
プラ２ａにより＃７０５９ガラス堆積層５ｂに結合され
る。＃７０５９ガラス堆積層５ｂの導波光は、カップラ
２ｂから出射されて、レンズ３で光ディスク４に集光さ
れる。光ディスク４の反射光は、同じ光路を逆向きに進
み、ビームスプリッタ２ｄで回折されて、カップラ２ｃ
からフォトダイオード１ｂに出射される。フォトダイオ
ード１ｂの出力電流から、フォーカス誤差信号はダブル
ナイフエッジ法により、トラック誤差信号はプッシュプ
ル法により検出される。
る。 【構成】 レーザダイオード１ａからの出射光は、カッ
プラ２ａにより＃７０５９ガラス堆積層５ｂに結合され
る。＃７０５９ガラス堆積層５ｂの導波光は、カップラ
２ｂから出射されて、レンズ３で光ディスク４に集光さ
れる。光ディスク４の反射光は、同じ光路を逆向きに進
み、ビームスプリッタ２ｄで回折されて、カップラ２ｃ
からフォトダイオード１ｂに出射される。フォトダイオ
ード１ｂの出力電流から、フォーカス誤差信号はダブル
ナイフエッジ法により、トラック誤差信号はプッシュプ
ル法により検出される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンパクトディスク、
相変化型光ディスクなどの光ディスクを記録再生するた
めのフォーカス誤差検出機構とトラック誤差検出機構、
情報信号検出機構を備えた光学式記録再生装置に関する
ものである。
相変化型光ディスクなどの光ディスクを記録再生するた
めのフォーカス誤差検出機構とトラック誤差検出機構、
情報信号検出機構を備えた光学式記録再生装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の光学式記録再生装置の例として、
ＩＳＯＭ／ＯＤＳ’９３会議要録（１８頁と１９頁）に
記載の光ヘッドがある。この光ヘッドの断面図を図４に
示し、そのキーデバイスである光学モジュールの構造を
図５に示す。
ＩＳＯＭ／ＯＤＳ’９３会議要録（１８頁と１９頁）に
記載の光ヘッドがある。この光ヘッドの断面図を図４に
示し、そのキーデバイスである光学モジュールの構造を
図５に示す。
【０００３】従来例の光ヘッドは、光学モジュール１０
０やレンズ１０１などのすべての光学系をホルダ１０５
に搭載し、このホルダ１０５を光ディスク１０６のフォ
ーカス方向とトラック方向に駆動することにより光ディ
スク１０６を再生する。レーザダイオード１０７からの
出射光は、ミラー１０８とミラー１０３、および、ミラ
ー１０４で反射され、レンズ１０１により光ディスク１
０６に集光される。光ディスク１０６で反射された光
は、同じ光路を逆向きに進み、ホログラム光学素子１０
２で回折され、フォトダイオード１０９で受光される。
０やレンズ１０１などのすべての光学系をホルダ１０５
に搭載し、このホルダ１０５を光ディスク１０６のフォ
ーカス方向とトラック方向に駆動することにより光ディ
スク１０６を再生する。レーザダイオード１０７からの
出射光は、ミラー１０８とミラー１０３、および、ミラ
ー１０４で反射され、レンズ１０１により光ディスク１
０６に集光される。光ディスク１０６で反射された光
は、同じ光路を逆向きに進み、ホログラム光学素子１０
２で回折され、フォトダイオード１０９で受光される。
【０００４】１つのパッケージにレーザダイオード１０
７とフォトダイオード１０９が気密封止された従来例の
光学モジュール１００は、小型化が図られ、信頼性も確
保されていた。また、従来例の光ヘッドは、ミラー１０
３とミラー１０４で光を折り返すことにより、薄型化が
図られていた。
７とフォトダイオード１０９が気密封止された従来例の
光学モジュール１００は、小型化が図られ、信頼性も確
保されていた。また、従来例の光ヘッドは、ミラー１０
３とミラー１０４で光を折り返すことにより、薄型化が
図られていた。
【０００５】従来例の光ヘッドは、それ以前の光ヘッド
に比較すれば、大幅に薄型化されていたものの、ハード
ディスクヘッドに比べると、またまだ厚かった。しか
し、レンズ１０１をさらに薄型化することは、レンズ１
０１の特性を悪化させるため困難であり、ミラー１０３
とミラー１０４とホログラム光学素子１０２からなる光
学系を薄型化することが求められていた。
に比較すれば、大幅に薄型化されていたものの、ハード
ディスクヘッドに比べると、またまだ厚かった。しか
し、レンズ１０１をさらに薄型化することは、レンズ１
０１の特性を悪化させるため困難であり、ミラー１０３
とミラー１０４とホログラム光学素子１０２からなる光
学系を薄型化することが求められていた。
【０００６】光導波路を用いることは、光学系を薄型化
する手段として非常に有効である。光導波路を備えた光
学式記録再生装置の例として、光メモリシンポジウム’
９２論文集（１０９頁と１１０頁）に記載の光集積ディ
スクピックアップがある。図６に光集積ディスクピック
アップを示す。
する手段として非常に有効である。光導波路を備えた光
学式記録再生装置の例として、光メモリシンポジウム’
９２論文集（１０９頁と１１０頁）に記載の光集積ディ
スクピックアップがある。図６に光集積ディスクピック
アップを示す。
【０００７】レーザダイオード１１０から出射された光
は、光ファイバ１１１で可動ヘッド部１１２に結合さ
れ、光導波路部１１２ａを導波する。この導波光は、集
光グレーティングカップラ１１２ｂで光ディスク１１４
に集光される。光ディスク１１４からの反射光は、同じ
光路を逆向きに進み、グレーティングビームスプリッタ
１１２ｃで回折されて、フォトダイオード１１２ｄで受
光される。
は、光ファイバ１１１で可動ヘッド部１１２に結合さ
れ、光導波路部１１２ａを導波する。この導波光は、集
光グレーティングカップラ１１２ｂで光ディスク１１４
に集光される。光ディスク１１４からの反射光は、同じ
光路を逆向きに進み、グレーティングビームスプリッタ
１１２ｃで回折されて、フォトダイオード１１２ｄで受
光される。
【０００８】光導波路部１１２ａは、フォトダイオード
１１２ｄが形成されたＳｉ基板１１３ａにＳｉＯ2バッ
ファ層１１３ｂと＃７０５９ガラス導波層１１３ｃとＳ
ｉＯ2 カバー層１１３ｄを順番に堆積することにより作
製された。さらに、集光グレーティングカップラ１１２
ｂとグレーティングビームスプリッタ１１２ｃは、光導
波路部１１２ａにＳｉＮ膜を堆積して形成された。ま
た、フォトダイオード１１２ｄは、Ａｌ膜を装荷するこ
とで迷光が遮断されている。
１１２ｄが形成されたＳｉ基板１１３ａにＳｉＯ2バッ
ファ層１１３ｂと＃７０５９ガラス導波層１１３ｃとＳ
ｉＯ2 カバー層１１３ｄを順番に堆積することにより作
製された。さらに、集光グレーティングカップラ１１２
ｂとグレーティングビームスプリッタ１１２ｃは、光導
波路部１１２ａにＳｉＮ膜を堆積して形成された。ま
た、フォトダイオード１１２ｄは、Ａｌ膜を装荷するこ
とで迷光が遮断されている。
【０００９】光集積ディスクピックアップは、光導波路
を用いることで、極限まで薄型化された光学式記録再生
装置の例である。しかし、レーザダイオード１１０を使
用して、実際に光集積ディスクピックアップを構成しよ
うとすれば、温度コントローラとアイソレータが不可欠
である。なぜならば、レーザダイオード１１０の発振波
長は、温度が変化したり、光ディスク１１４で反射され
た光が戻ると不安定になり、しかも、集光グレーティン
グカップラ１１２ｂは、光の波長に過敏なため、設計以
外の波長の光を集光することができないからである。事
実、光集積ディスクピックアップの動作の実験では、レ
ーザダイオード１１０の代わりに、発振波長の安定して
いるＴｉ：Ａｌ2Ｏ3レーザを用いることで確認されてい
る。
を用いることで、極限まで薄型化された光学式記録再生
装置の例である。しかし、レーザダイオード１１０を使
用して、実際に光集積ディスクピックアップを構成しよ
うとすれば、温度コントローラとアイソレータが不可欠
である。なぜならば、レーザダイオード１１０の発振波
長は、温度が変化したり、光ディスク１１４で反射され
た光が戻ると不安定になり、しかも、集光グレーティン
グカップラ１１２ｂは、光の波長に過敏なため、設計以
外の波長の光を集光することができないからである。事
実、光集積ディスクピックアップの動作の実験では、レ
ーザダイオード１１０の代わりに、発振波長の安定して
いるＴｉ：Ａｌ2Ｏ3レーザを用いることで確認されてい
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】光集積ディスクピック
アップは、レンズ１０１の代わりに、集光グレーティン
グカップラ１１２ｂを用いるため、光源の波長を一定に
保つ必要があるが、それは、光学式記録再生装置の価格
の上昇を招く原因になる。さらに、光集積ディスクピッ
クアップは、フォトダイオード１１２ｄを形成できるく
らい高価なＳｉ基板１１３ａを、光電変換を伴わない光
導波路部１１２ａの基板としても用いているが、これ
も、光学式記録再生装置の価格の上昇を招く。
アップは、レンズ１０１の代わりに、集光グレーティン
グカップラ１１２ｂを用いるため、光源の波長を一定に
保つ必要があるが、それは、光学式記録再生装置の価格
の上昇を招く原因になる。さらに、光集積ディスクピッ
クアップは、フォトダイオード１１２ｄを形成できるく
らい高価なＳｉ基板１１３ａを、光電変換を伴わない光
導波路部１１２ａの基板としても用いているが、これ
も、光学式記録再生装置の価格の上昇を招く。
【００１１】本発明の目的は薄型で安価な光学式記録再
生装置を提供することにある。
生装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めに、本発明の光学式記録再生装置は、半導体発光素子
と半導体受光素子を気密封止したモジュールと、前記半
導体発光素子からの出射光を記録媒体に集光するレンズ
と、前記モジュールと前記レンズの間にあり、前記出射
光を前記レンズに導くとともに、前記記録媒体からの反
射光を前記出射光の光軸外へ偏向させて、この偏向光を
前記半導体受光素子へ導く導光素子とを備えた光学式記
録再生装置において、前記導光素子が平板状の光導波路
であり、この光導波路に前記出射光と前記反射光と前記
偏向光を結合する結合器を備えていることと、前記モジ
ュールと前記レンズが前記導光素子の同じ面に実装され
ていることとを特徴とする構成である。
めに、本発明の光学式記録再生装置は、半導体発光素子
と半導体受光素子を気密封止したモジュールと、前記半
導体発光素子からの出射光を記録媒体に集光するレンズ
と、前記モジュールと前記レンズの間にあり、前記出射
光を前記レンズに導くとともに、前記記録媒体からの反
射光を前記出射光の光軸外へ偏向させて、この偏向光を
前記半導体受光素子へ導く導光素子とを備えた光学式記
録再生装置において、前記導光素子が平板状の光導波路
であり、この光導波路に前記出射光と前記反射光と前記
偏向光を結合する結合器を備えていることと、前記モジ
ュールと前記レンズが前記導光素子の同じ面に実装され
ていることとを特徴とする構成である。
【００１３】
【作用】半導体発光素子と半導体受光素子を気密封止し
たモジュールが、導光素子のレンズと同じ面に実装され
ているため、本発明の光学式記録再生装置は、前記導光
素子の厚さと前記レンズの厚さの和よりも厚くならな
い。また、本発明の光学式記録再生装置は、結合器と前
記レンズを併用しており、前記結合器に集光作用を与え
ていないため、たとえ光源の波長が変動しても、光ディ
スクに集光した光に波面収差を生じない。
たモジュールが、導光素子のレンズと同じ面に実装され
ているため、本発明の光学式記録再生装置は、前記導光
素子の厚さと前記レンズの厚さの和よりも厚くならな
い。また、本発明の光学式記録再生装置は、結合器と前
記レンズを併用しており、前記結合器に集光作用を与え
ていないため、たとえ光源の波長が変動しても、光ディ
スクに集光した光に波面収差を生じない。
【００１４】
【実施例】本発明の光学式記録再生装置の第１実施例を
図１により説明する。ここで、同図（ａ）は本実施例の
斜視図、同図（ｂ）は本実施例の断面図、同図（ｃ）は
光導波路２の側から見た本実施例の平面図である。本実
施例は、レーザダイオード１ａとフォトダイオード１ｂ
が気密封止されたモジュール１と、光導波路２と、ンズ
３で構成されている。
図１により説明する。ここで、同図（ａ）は本実施例の
斜視図、同図（ｂ）は本実施例の断面図、同図（ｃ）は
光導波路２の側から見た本実施例の平面図である。本実
施例は、レーザダイオード１ａとフォトダイオード１ｂ
が気密封止されたモジュール１と、光導波路２と、ンズ
３で構成されている。
【００１５】光導波路２は、ＳｉＯ2基板５ａに＃７０
５９ガラスをスパッタで堆積した後、＃７０５９ガラス
堆積層５ｂにカップラ２ａ、２ｂ、２ｃ、および、ビー
ムスプリッタ２ｄをエッチングで作製したものである。
５９ガラスをスパッタで堆積した後、＃７０５９ガラス
堆積層５ｂにカップラ２ａ、２ｂ、２ｃ、および、ビー
ムスプリッタ２ｄをエッチングで作製したものである。
【００１６】レーザダイオード１ａから出射された光
は、カップラ２ａにより＃７０５９ガラス堆積層５ｂに
結合される。この＃７０５９ガラス堆積層５ｂの導波光
は、カップラ２ｂから出射されて、レンズ３で光ディス
ク４に集光される。光ディスク４で反射された光は、同
じ光路を逆向きにたどり、光導波路２のビームスプリッ
タ２ｄで回折されて、カップラ２ｃからフォトダイオー
ド１ｂに出射される。
は、カップラ２ａにより＃７０５９ガラス堆積層５ｂに
結合される。この＃７０５９ガラス堆積層５ｂの導波光
は、カップラ２ｂから出射されて、レンズ３で光ディス
ク４に集光される。光ディスク４で反射された光は、同
じ光路を逆向きにたどり、光導波路２のビームスプリッ
タ２ｄで回折されて、カップラ２ｃからフォトダイオー
ド１ｂに出射される。
【００１７】モジュール１の平面図を図２に示す。フォ
トダイオード１ｂは、分割線１ｄで分割された受光部１
ｃと受光部１ｅ、および、分割線１ｇで分割された受光
部１ｆと受光部１ｈを備えている。カップラ２ｃからの
２本の出射光は、それぞれ、分割線１ｄと分割線１ｇに
集光される。受光部１ｃ、１ｅ、１ｆ、１ｈから出力さ
れた電流を、それぞれ、出力電流Ｉｃ、Ｉｅ、Ｉｆ、Ｉ
ｈとすれば、フォーカス誤差信号はダブルナイフエッジ
法により（Ｉｃ−Ｉｅ）−（Ｉｆ−Ｉｈ）から検出さ
れ、トラック誤差信号はプッシュプル法により（Ｉｃ＋
Ｉｅ）−（Ｉｆ＋Ｉｈ）から検出される。また、情報信
号は（Ｉｃ＋Ｉｅ）＋（Ｉｆ＋Ｉｈ）から検出される。
トダイオード１ｂは、分割線１ｄで分割された受光部１
ｃと受光部１ｅ、および、分割線１ｇで分割された受光
部１ｆと受光部１ｈを備えている。カップラ２ｃからの
２本の出射光は、それぞれ、分割線１ｄと分割線１ｇに
集光される。受光部１ｃ、１ｅ、１ｆ、１ｈから出力さ
れた電流を、それぞれ、出力電流Ｉｃ、Ｉｅ、Ｉｆ、Ｉ
ｈとすれば、フォーカス誤差信号はダブルナイフエッジ
法により（Ｉｃ−Ｉｅ）−（Ｉｆ−Ｉｈ）から検出さ
れ、トラック誤差信号はプッシュプル法により（Ｉｃ＋
Ｉｅ）−（Ｉｆ＋Ｉｈ）から検出される。また、情報信
号は（Ｉｃ＋Ｉｅ）＋（Ｉｆ＋Ｉｈ）から検出される。
【００１８】本実施例は、Ｓｉ基板でなければならない
フォトダイオード１ｂにのみＳｉ基板を用い、安価なＳ
ｉＯ2基板を光導波路に用いることで低価格化されてい
る。
フォトダイオード１ｂにのみＳｉ基板を用い、安価なＳ
ｉＯ2基板を光導波路に用いることで低価格化されてい
る。
【００１９】本発明の光学式記録再生装置の第２実施例
を図３により説明する。本実施例は、第１実施例の光導
波路２を図３に断面図を示す光導波路６に置き換えた装
置である。図３（ａ）は光導波路６全体を示す断面図、
図３（ｂ）は光導波路６のカップラ６ｃを拡大して示し
た断面図、図３（ｃ）は光導波路６のカップラ６ａを拡
大して示した断面図、図３（ｄ）は光導波路６のカップ
ラ６ｂを拡大して示した断面図である。
を図３により説明する。本実施例は、第１実施例の光導
波路２を図３に断面図を示す光導波路６に置き換えた装
置である。図３（ａ）は光導波路６全体を示す断面図、
図３（ｂ）は光導波路６のカップラ６ｃを拡大して示し
た断面図、図３（ｃ）は光導波路６のカップラ６ａを拡
大して示した断面図、図３（ｄ）は光導波路６のカップ
ラ６ｂを拡大して示した断面図である。
【００２０】Ａｓ2Ｓ3などのアモルファス半導体は、感
光すると屈折率が変化する性質があるため、２光束干渉
露光により表面に対して傾斜した正弦的屈折率変化を実
現できる。したがって、アモルファス半導体を用いたカ
ップラは、ブラッグ回折の条件を満足するように屈折率
変化の傾斜角を設計することで、結合効率を最大で１０
０％にすることができる。結合効率が高ければ、光源の
発光強度を低くできるので、光源の消費電力と寿命を改
善できる。また、ブラッグ回折を利用したカップラは、
光の波長が変化しても結合角度が変化しないので、光学
式記録再生装置に用いると集光したスポットに波面収差
を生じない。
光すると屈折率が変化する性質があるため、２光束干渉
露光により表面に対して傾斜した正弦的屈折率変化を実
現できる。したがって、アモルファス半導体を用いたカ
ップラは、ブラッグ回折の条件を満足するように屈折率
変化の傾斜角を設計することで、結合効率を最大で１０
０％にすることができる。結合効率が高ければ、光源の
発光強度を低くできるので、光源の消費電力と寿命を改
善できる。また、ブラッグ回折を利用したカップラは、
光の波長が変化しても結合角度が変化しないので、光学
式記録再生装置に用いると集光したスポットに波面収差
を生じない。
【００２１】光導波路６は、ＳｉＯ2基板７ａに＃７０
５９ガラスをスパッタで堆積し、この＃７０５９ガラス
堆積層７ｂにＡｓ2Ｓ3装荷した後、Ａｓ2Ｓ3装荷層７ｃ
にカップラ６ａ、６ｂ、６ｃ、および、ビームスプリッ
タ６ｄを２光束干渉露光で作製したものである。ここ
で、Ａｓ2Ｓ3装荷層７ｃの厚さと屈折率変化は、カップ
ラ６ａ、６ｂ、６ｃの結合効率を１００％にするように
設計されている。
５９ガラスをスパッタで堆積し、この＃７０５９ガラス
堆積層７ｂにＡｓ2Ｓ3装荷した後、Ａｓ2Ｓ3装荷層７ｃ
にカップラ６ａ、６ｂ、６ｃ、および、ビームスプリッ
タ６ｄを２光束干渉露光で作製したものである。ここ
で、Ａｓ2Ｓ3装荷層７ｃの厚さと屈折率変化は、カップ
ラ６ａ、６ｂ、６ｃの結合効率を１００％にするように
設計されている。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、光
源の波長が変動しても、集光スポットに波面収差を生じ
ない、薄型で安価な光学式記録再生装置を実現できる。
源の波長が変動しても、集光スポットに波面収差を生じ
ない、薄型で安価な光学式記録再生装置を実現できる。
【図１】本発明の第１実施例の光学式記録再生装置を示
す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図、（ｃ）
は平面図である。
す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図、（ｃ）
は平面図である。
【図２】本発明の第１実施例の光学式記録再生装置を構
成するモジュール１を示す平面図である。
成するモジュール１を示す平面図である。
【図３】本発明の第２実施例の光学式記録再生装置を構
成する光導波路６を示す断面図であり、（ａ）は全体
図、（ｂ）はカップラ６ｃ近傍の拡大図、（ｃ）はカッ
プラ６ａ近傍の拡大図、（ｄ）はカップラ６ｂ近傍の拡
大図である。
成する光導波路６を示す断面図であり、（ａ）は全体
図、（ｂ）はカップラ６ｃ近傍の拡大図、（ｃ）はカッ
プラ６ａ近傍の拡大図、（ｄ）はカップラ６ｂ近傍の拡
大図である。
【図４】光学式記録再生装置の従来例である。光ヘッド
の断面図である。
の断面図である。
【図５】従来例の光ヘッドを構成する光学モジュールの
構造図である。
構造図である。
【図６】光学式記録再生装置の従来例である光集積ディ
スクピックアップの斜視図である。
スクピックアップの斜視図である。
１ モジュール １ａ レーザダイオード １ｂ フォトダイオード １ｃ 受光部 １ｄ 分割線 １ｅ 受光部 １ｆ 受光部 １ｇ 分割線 １ｈ 受光部 ２ 光導波路 ２ａ カップラ ２ｂ カップラ ２ｃ カップラ ２ｄ ビームスプリッタ ３ レンズ ４ 光ディスク ５ａ ＳｉＯ2基板 ５ｂ ＃７０５９ガラス堆積層 ６ 光導波路 ６ａ カップラ ６ｂ カップラ ６ｃ カップラ ６ｄ ビームスプリッタ ７ａ ＳｉＯ2基板 ７ｂ ＃７０５９ガラス堆積層 ７ｃ Ａｓ2Ｓ3装荷層 １００ 光学モジュール １０１ レンズ １０２ ホログラム光学素子 １０３ ミラー １０４ ミラー １０５ ホルダ １０６ 光ディスク １０７ レーザダイオード １０８ ミラー １０９ フォトダイオード １１０ レーザダイオード １１１ 光ファイバ １１２ 可動ヘッド部 １１２ａ 光導波路部 １１２ｂ 集光グレーティングカップラ １１２ｃ グレーティングビームスプリッタ １１２ｄ フォトダイオード １１３ａ Ｓｉ基板 １１３ｂ ＳｉＯ2バッファ層 １１３ｃ ＃７０５９ガラス導波層 １１３ｄ ＳｉＯ2カバー層 １１４ 光ディスク
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年９月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】Ａｓ2 Ｓ3 などのアモルファス半導体は、
感光すると屈折率が変化する性質があるため、２光束干
渉露光により表面に対して傾斜した正弦的屈折率変化を
実現できる。したがって、アモルファス半導体を用いた
カップラは、ブラッグ回折の条件を満足するように屈折
率変化の傾斜角を設計することで、結合効率を最大で１
００％にすることができる。結合効率が高ければ、光源
の発光強度を低くできるので、光源の消費電力と寿命を
改善できる。
感光すると屈折率が変化する性質があるため、２光束干
渉露光により表面に対して傾斜した正弦的屈折率変化を
実現できる。したがって、アモルファス半導体を用いた
カップラは、ブラッグ回折の条件を満足するように屈折
率変化の傾斜角を設計することで、結合効率を最大で１
００％にすることができる。結合効率が高ければ、光源
の発光強度を低くできるので、光源の消費電力と寿命を
改善できる。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体発光素子と半導体受光素子を気密
封止したモジュールと、前記半導体発光素子からの出射
光を記録媒体に集光するレンズと、前記モジュールと前
記レンズの間にあり、前記出射光を前記レンズに導くと
ともに、前記記録媒体からの反射光を前記出射光の光軸
外へ偏向させて、この偏向光を前記半導体受光素子へ導
く導光素子とを備えた光学式記録再生装置において、 前記導光素子が平板の光導波路であり、この光導波路に
前記出射光と前記反射光と前記偏向光を結合する結合器
を備え、前記モジュールと前記レンズが前記導光素子の
同じ面に実装されていることを特徴とする光学式記録再
生装置。 - 【請求項２】 前記結合器が、光波をブラッグ回折の条
件を満足するように結合させるような屈折率変化を備え
たアモルファス半導体であることを特徴とする請求項１
記載の光学式記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5337930A JPH07201065A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 光学式記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5337930A JPH07201065A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 光学式記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201065A true JPH07201065A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18313339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5337930A Pending JPH07201065A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 光学式記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07201065A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7428194B2 (en) | 2003-11-13 | 2008-09-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated optical pickup and optical recording and/or reproducing apparatus using the same |
| US7558161B2 (en) | 2004-06-01 | 2009-07-07 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd | Integrated optical system and method of manufacturing the same and information recording and/or reproducing apparatus using the integrated optical system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63244333A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-11 | Hitachi Ltd | 導波路形光ヘツド |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP5337930A patent/JPH07201065A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63244333A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-11 | Hitachi Ltd | 導波路形光ヘツド |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7428194B2 (en) | 2003-11-13 | 2008-09-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated optical pickup and optical recording and/or reproducing apparatus using the same |
| US7558161B2 (en) | 2004-06-01 | 2009-07-07 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd | Integrated optical system and method of manufacturing the same and information recording and/or reproducing apparatus using the integrated optical system |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970924 |