JPH07201736A

JPH07201736A - Ｃｖｄ薄膜形成方法

Info

Publication number: JPH07201736A
Application number: JP33468193A
Authority: JP
Inventors: Naoki Inoue; 直樹井上; Haruyuki Nakaoka; 春雪中岡; Hideki Azuma; 秀樹東; Toru Yanagisawa; 徹柳澤; Shigeru Morikawa; 茂森川; Takashi Kobayashi; 小林　　孝
Original assignee: Osaka Gas Co Ltd
Current assignee: Osaka Gas Co Ltd
Priority date: 1993-12-28
Filing date: 1993-12-28
Publication date: 1995-08-04
Anticipated expiration: 2016-09-17
Also published as: JP3210794B2

Abstract

(57)【要約】【目的】ＭＯＣＶＤをおこなう場合においても、薄膜
の均一度を確保でき、パーティクルの発生を起こすこと
がないＣＶＤ薄膜形成方法を得る。【構成】基板表面３ａに化学気相成長法により薄膜４
を形成する場合に、薄膜形成室５内の内圧を０．１〜１
００Ｔｏｒｒに設定するとともに、単一円管部材６の半
径ａ（ｃｍ）、原料ガスの単一円管部材６内でのレイノ
ルズ数Ｒｅと、基板表面から単一円管部材６の開口端部
６０までの鉛直離間距離Ｌ（ｃｍ）、基板保持台８の直
径Ｒ（ｃｍ）、単一円管部材６の直径Ｄ（ｃｍ）との関
係をＬ＝αＲ、Ｄ＝βＲ（但し、αは０．９〜１．２、
βは、前記レイノズル数Ｒｅが１０００以下の場合０．
０３以下、１０００より大きい場合０．０５以下）に維
持して成膜をおこなう。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、内部が減圧可能な薄膜
形成室内に概円盤状の基板保持台を配置し、基板保持台
の上部空間に開口する単一円管部材より、基板保持台上
に配設される基板上に原料ガスを供給して、基板表面に
化学気相成長法により薄膜を形成するＣＶＤ薄膜形成方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】気体状の物質を原料とするＣＶＤ法によ
る成膜において、均一な膜厚の薄膜や厚膜を得る場合、
薄膜形成室の上部や側壁から原料ガスを供給する、さら
には薄膜形成室に設けられている基板保持台を回転させ
るなどをして、均一な膜を得ることが試みられていた。
また、パーティクルの付着混入を防止するために、成膜
する基板を薄膜形成室の上ぶたに対し垂直にしたり（実
質上鉛直方向に配設されることとなる）、成膜面にパー
ティクルが落下してくることを想定して成膜面を鉛直下
方向きとしたものが、常圧ＣＶＤ装置だけでなく減圧Ｃ
ＶＤ装置でも採用されている。これらの原料ガス吹き出
し方法により、上記の均一膜形成、パーティクル防止の
目的に加えて、処理能力の向上やメンテナンスの容易
さ、大口径の基板に成膜が可能となることを目的とした
ものが検討され、気体状の物質を原料とする場合には、
良好な結果が報告されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
には、近年、原料系に有機金属化合物が用いられるよう
になり、それらは沸点が高いために気体状にしても保温
状態が悪ければ凝縮するなどの問題のため、大口径化し
た基板への均一な成膜は難しく、またパーティクルの問
題などが生じ、微細なパーティクルが膜内に混入して半
導体分野での技術の展開を困難にしている。そのために
ＭＯＣＶＤにおいてはこれまで種々工夫がなされ、複数
の原料ガスを混合し、多くの吹き出し口を有したジョウ
ロ形式、原料ガスの種類に応じて、その数だけ吹き出し
口を反応器内に設けた方式、また内側あるいは外側に原
料、外側または内側に酸化性ガスを吹き出すようにした
同心円状のガス供給管を設けたＭＯＣＶＤ装置が既往の
報文で認められるが、いずれも均一な成膜、成膜の大口
径化、短時間の成膜で原料ガス吹き出し口に閉塞をもた
らす固体状物質の沈着を招くなどの問題を解決できない
ままでいる。

【０００４】従って本発明の目的は、例えＭＯＣＶＤを
おこなう場合においても、薄膜の均一度を確保できると
ともに、パーティクルの発生を起こすことがないＣＶＤ
薄膜形成方法を得ることにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
の本発明によるＣＶＤ薄膜形成方法の特徴手段は、薄膜
形成室内の内圧を０．１〜１００Ｔｏｒｒに設定した
時、単一円管部材の半径ａ（ｃｍ）、原料ガスの単一円
管部材内での流速Ｖ（ｃｍ／ｍｉｎ）及び原料ガスの動
粘性係数ν（ｃｍ²／ｍｉｎ）との間で定義される原料
ガス流れのレイノルズ数Ｒｅ（Ｒｅ＝ａＶ／ν）と、基
板表面から単一円管部材の開口端部までの鉛直離間距離
Ｌ（ｃｍ）、基板保持台の直径Ｒ（ｃｍ）、単一円管部
材の直径Ｄ（ｃｍ）との関係を以下の関係Ｌ＝αＲＤ＝βＲ但し、αは０．９〜１．２ βは、前記レイノズル数Ｒｅが１０００以下の場合０．
０３以下、１０００より大きい場合０．０５以下に維持して成膜をおこなうことにより上記課題の解決を
図ったものである。その作用・効果は次の通りである。

【０００６】

【作用】つまり、本願のＣＶＤ薄膜形成方法において
は、原料ガスが単一円管部材より基板保持台に向けて供
給されるとともに、この単一円管部材内において、原料
物質は十分混合された状態で供給され、パーティクルの
混入のない、均一な成膜をおこなうことができる。ここ
で、成膜圧力が０．１Ｔｏｒｒから１００Ｔｏｒｒの範
囲にある場合は、後述するように、薄膜形成室の内径お
よび深さ（高さ）に依存せず、均一な膜の形成には基板
保持台の大きさと基板保持台中央部から原料ガス供給路
の開口端までの距離ならびにガス流速と原料ガス供給路
の直径によって決定されることが重要である。そして、
αに関しては、αを０．９より小さく選択すると、単一
円管部材の開口端部に、反応生成物が析出しパーティク
ル発生し、この部材の閉塞原因となる。従って、成膜面
積が狭くなったり、膜厚分布が悪くなったりする。一
方、αを１．２より大きくとると、成膜速度が遅くな
り、薄膜形成室の内壁に生成物が付着する場合があり、
また、設備を大きくしたり、真空排気時間を長くとる必
要が生じ、イニシャル・ランニングコストが高くなる。
一方、βに関しては、βを上記のように選択することに
より概円盤状と見なされる基板保持台に対して、単一円
管部材の開口端部から拡散する原料ガスが充分に基板保
持台を被覆するように原料ガスを拡散させることができ
る。本願のものと従来提案されてきたような、図３、図
４に示すような先端拡開型のジョウロ形式のものとを比
較すると、後者のものではジョウロ内での原料ガスの対
流によってジョウロ内に成膜したり、対流の結果、粉状
にまで成長し成膜中にその粉末が落下し膜中のパーティ
クルなどの発生が生じ、問題となる。さらに、原料ガス
の種類に応じた数だけ金属パイプを設ける場合は、原料
ガス送り速度を各パイプ毎に厳密に制御する必要がある
とともに、吹き出し量によって大口径になればなるほど
成膜部分の濃淡が生じる等の問題が発生する。

【０００７】

【発明の効果】本発明によるＣＶＤ薄膜形成方法を用い
れば、メンテナンスが容易で均一な膜厚で、均質な膜が
でき、パーティクルの発生なく成膜をおこなえる。また
薄膜形成室内で複雑な反応物質の供給管や回転機構を設
けないため、低廉なＣＶＤ装置を構成できるなどの利点
を有している。従って、この方法により、次世代の超Ｌ
ＳＩに適した記憶メモリなど８ｉｎφの大口径に進みつ
つある成膜の製造が可能となるだけでなく、半導体レー
ザーなどの膜厚制御の厳しい対象物にも適応できる。
特に、次世代に向けた材料に対する大口径化、多成分の
原料ガスを均一に混合する必要のある三元系以上の金属
化合物の合成に対しては、特殊な回転機構を必要とせず
装置形状も簡単であり、装置設計の費用も廉価ですむこ
とから、本発明は非常に有用である。

【０００８】さらに、レーザー光照射手段を備えてレー
ザー光からも成膜エネルギーを供給できるようにしてお
くと、熱エネルギーのみの場合に比べて低温で成膜をお
こなえる。

【０００９】

【実施例】本願のＣＶＤ薄膜形成方法を説明するにあた
り、先ず、成膜に使用されるＣＶＤ薄膜形成装置１の構
成について説明する。図１に示すものは、例えばＳｉＮ
（窒化珪素）等の酸化性ガスを必要としない二元系の成
膜に使用される装置１００を、図２には、酸化性ガスを
必要とする三元系ペロブスカイト化合物（ＰＺＴ薄膜）
等を成膜する場合に使用される装置１０１の構成が示さ
れている。

【００１０】ＣＶＤ薄膜形成装置１は所謂レーザーＣＶ
Ｄ薄膜形成装置であり、加熱体により供給される熱エネ
ルギーと、レーザー光２によって供給されるエネルギー
により原料ガスの分解・励起・膜形成をおこなうもので
ある。このような構成のレーザーＣＶＤ薄膜形成装置１
は、従来の単純なＣＶＤ薄膜形成装置より低温で薄膜形
成をおこなうことが可能であるため、基板３等に熱的ダ
メージを与えることが少なく、良好な薄膜４形成が行え
る利点を備えている。以下に、半導体（ＩＣ、ＬＳＩ
等）基板３上に、薄膜４を形成する場合を、例に採って
説明する。ここで、薄膜４の膜厚としてはほぼ５０オン
グストローム〜５μｍ程度の範囲のものが対象となり、
基板３上に凹凸のあるパターンを切った上にステップカ
バレッジの良好な薄膜４を成膜する場合に、膜厚の標準
偏差３％内の均一な成膜を行うことができる。

【００１１】ＣＶＤ薄膜形成装置１は、その内圧を調節
可能な薄膜形成室５（ステンレスまたはアルミニウム
製）を備えたものであり、原料ガスｇ１が供給される原
料ガス供給路と、成膜を終えたガスｇ２が排出されるガ
ス排出路７とを備え、薄膜形成室５の中央部に、薄膜形
成の対象となる基板３が載置される概円板形状の基板保
持台８が備えられている。さらに、ほぼ水平配置の基板
保持台８に対して、その上部空間に開口する原料ガス供
給路としての単一円管部材６である金属パイプが設けら
れている。そして、基板表面から単一円管部材６の開口
端部６０までの鉛直離間距離をＬ（ｃｍ）、基板保持台
８の直径をＲ（ｃｍ）、単一円管部材６の直径（内径）
をＤ（ｃｍ）とした場合に、前記３者の関係を以下の関
係に維持できるように装置は構成されている。Ｌ＝αＲＤ＝βＲ但し、αは０．９〜１．２ βは、単一円管部材６の半径ａ（ｃｍ）、原料ガスの単
一円管部材内での流速Ｖ（ｃｍ／ｍｉｎ）及び原料ガス
の動粘性係数ν（ｃｍ²／ｍｉｎ）との間で定義される
原料ガス流れのレイノルズ数ＲｅをＲｅ＝ａＶ／νと定
義た場合に、レイノズル数Ｒｅが１０００以下の層流の
時は０．０３以下、１０００より大きい乱流の時は０．
０５以下とする。即ち、このＣＶＤ薄膜形成装置１は、基板保持台径に応
じて、基板保持台表面から単一円管部材６の開口端部６
０までの鉛直離間距離Ｌと単一円管部材６の管径Ｄとが
変更可能に構成されている。

【００１２】単一円管部材６には、保温手段９が備えら
れており、この原料ガス供給路を原料ガスの気化温度よ
りも高く、酸素非共存下での原料ガスの熱分解温度より
も低い温度に維持する。一方、基板保持台８はセラミッ
クヒータ１０等の加熱手段を備えている。さらに、基板
３上の混合ガスｇ３を励起するレーザー光２が薄膜形成
室内に導入されるレーザー光照射用窓１１が設けられる
とともに、このレーザー光２を発振するレーザー光照射
手段としてのエキシマレーザー１２が装置１の側部に備
えられている。さらに、レーザー光２が、薄膜形成室６
外へ導出されるレーザー光出口窓１３が設けられてい
る。

【００１３】装置要件の概略を以下に箇条書きする。成膜対象となる基板寸法８インチ以下基板加熱最大７００℃ 到達圧力１０^-7Ｔｏｒｒ光源エキシマレーザー

【００１４】さらに、図２に示す装置１０１において
は、成膜に必要な酸化性ガスである酸素もしくはオゾン
が必要とされるため、酸化性ガス供給手段としての酸化
性ガス供給路１０２を備えるとともに、前述の単一円管
部材６の基端側に混合室１０３が備えられている。

【００１５】以上が、装置１の概要であるが、以下装置
１の使用状態について説明する。基板近傍部は基板保持
台８に備えられているセラミックヒータ１０により加熱
されて約４００℃程度の温度域に保持され、原料ガスｇ
１（あるいは原料ガスと酸化性ガス）が供給される。こ
の時、セラミックヒータ１０とエキシマレーザー１２は
常時、作動する。供給された原料ガスｇ１は基板上部域
に拡散供給され、基板保持台８からは、遠赤外線が前述
の原料ガスｇ１に向けて発っせられる。即ち、原料ガス
ｇ１は、この遠赤外線及び前述のレーザー光２よりエネ
ルギーを受けて、分解・励起され、基板３上に薄膜とな
って成長する。さて、以上が成膜の概要であるが、成膜
にあたっては、薄膜形成室５内の内圧は０．１〜１００
Ｔｏｒｒに設定されるとともに、原料ガス供給路をなす
単一円管部材６の半径ａ（ｃｍ）、原料ガスの単一円管
部材６内での流速Ｖ（ｃｍ／ｍｉｎ）及び原料ガスの動
粘性係数ν（ｃｍ²／ｍｉｎ）との間で定義される原料
ガス流れのレイノルズ数Ｒｅ（Ｒｅ＝ａＶ／ν）と、基
板表面から単一円管部材６の開口端部までの鉛直離間距
離をＬ（ｃｍ）、基板保持台８の直径をＲ（ｃｍ）、単
一円管部材６の直径をＤ（ｃｍ）との関係を以下の関係
に維持して成膜がおこなわれる。Ｌ＝αＲＤ＝βＲ但し、αは０．９〜１．２ βは、前記レイノズル数Ｒｅが１０００以下の層流の時
は０．０３以下、１０００より大きい乱流の時は０．０
５以下。そして、このような条件で成膜をおこなうと、パーティ
クルの発生を回避しながら、均一度の高い成膜をおこな
うことができる。

【００１６】以下、上記の方法で成膜をおこなった場合
の成膜結果を比較例とともに、説明する。例１窒化珪素（ＳｉＮ）薄膜（図１に示す装置使用）ＳｉＮは二元系金属窒化物であるため、原料ガスとして
は以下の二種のガスが採用される。原料ガスＳｉ源となるガスＳｉＨ₄（シラン）、Ｓｉ₂Ｈ₆（ジシラン）、ＳｉＣｌ₄
（四塩化珪素）等Ｎ源となるガスＮＨ₃（アンモニア）、Ｎ₂Ｈ₄（ヒドラジン）、Ｎ₂（窒
素）等上記ＳｉおよびＮ源となる原料ガスを組み合わせた混合
ガスを、前述の単一円管部材６より基板保持台８にむけ
て供給して、成膜をおこなった。成膜条件は上述の説明
の条件とした。さらに、その他の成膜条件を以下に示
す。レーザー光強度：９０ｍＪ／パルス×１００Ｈｚ基板温度：３３０℃、基板（Ｓiウェハ８inφ）基板保持台の直径は上記８inφウェハを載置できる８in
φ以上で最小の相当長さ（図面上理解を容易にするため
大きく描いている）一方、図３に示すジョウロ形式の原料ガス供給ノズル６
００を用いて、比較実験を試みた。このジョウロ形式の
原料ガス供給ノズル６００は、先端に複数の小孔６０１
を基板３に対向して備えたものであり、各小孔６０１
は、同図において上下方向に開口したものであり、複数
の小孔６０１の全開孔面積は、前記単一円管部材６の開
孔面積とほぼ同一に設定してある。さらに成膜にあって
は、成膜条件は比較のものと同一とした。

【００１７】比較結果を表１に示した。上段に示すもの
が本願のもの（表１において６mmφで示す）結果であ
り、下段に示すもの（表１において１２０mmφで示す）
がジョウロ形式の原料ガス供給ノズル６００の結果であ
る。さらに６mmφ、１２０mmφ夫々の例において、原料
ガスの流量比が同一のものでは上側の結果が基板保持台
８とノズルとの離間距離を２０ｃｍに設定したものを、
下側のものが４ｃｍに設定したものを示している。

【００１８】

【表１】

【００１９】結果、本願のように、単一円管部材６から
なる原料ガスを上述の条件で供給すると、半導体ＤＲＡ
Ｍキャパシタ等の仕様を満たす均一な膜厚さ分布となっ
ており、ジョウロ形式の原料ガス供給ノズル６００では
いずれも最適な状態でも膜厚分布が１０％以上であり、
繰り返し実験を３回以上行うと、基板保持台８からの輻
射熱もあり、ジョウロ６０２内に膜が形成され、繰り返
しとともにその膜や微粉が落下し、薄膜内にパーティク
ルの存在が認められた。

【００２０】例２鉛−ジルコニア−チタン金属酸化
物を含む３元系ペロブスカイト化合物（ＰＺＴ薄膜）薄
膜（図２に示す装置使用）成膜にあたっては、上記と同様な手法を採用したが、成
膜に酸化性ガスが必要であるため、前述の酸化性ガス供
給路１０２より、酸化性ガス（Ｏ₂またはオゾン−酸
素、あるいは原子状酸素を含むガス）を供給して成膜を
おこなった。この場合に、三種のガスは予混合室１０３
で混合した。さらに、比較のため前述のジョウロ形式の
原料ガス供給ノズル６００でも比較検討をおこなった。
比較結果を表２に示した。上段に示すものが本願のもの
（表２において１０mmφで示す）結果であり、下段に示
すもの（表２において２４mmφで示す）がジョウロ形式
の原料ガス供給ノズル６００の結果である。

【００２１】主な成膜条件基板温度：４５０℃、反応器内圧力２Ｔorr 原料ガス：Ｐb(ＤＰＭ)²，Ｚr(Ｏ−ｔ−Ｃ₄Ｈ₉)₄，Ｔi
(Ｏ-ｉ-Ｃ₃Ｈ₇)₄ 基板：５inφＳiウェハ（ｎ型低抵抗）Ｐt(100)配向膜／Ｓiウェハ基板保持台は、８inφウェハで採用したものと同等のも
の

【００２２】

【表２】

【００２３】結果、本願の単一円管部材６からなる原料
ガスを上述の条件で供給すると（表２中１０ｍｍφの項
で下段で示すもののみが上記の成膜条件を満たす）、半
導体ＤＲＡＭキャパシタ等の仕様を満たす均一な膜厚さ
分布となっており、ジョウロ式の原料ガス供給ノズル６
００ではいずれも最適な状態でも膜厚分布が１０％以上
であり、繰り返し実験を３回以上行うと、基板保持台８
からの輻射熱もあり、ジョウロ内に膜が形成され、繰り
返しとともにその膜や粉状が落下し、パーティクルの発
生が認められた。

【００２４】さらに、本願上記の課題を解決する手段に
記載の範囲の成膜条件で成膜をおこなったところ、パー
ティクルの発生、混入がなく、膜の均一度１０％以下の
成膜をおこなうことができた。膜厚の均一度の基準とし
ては、５ｉｎφ〜８ｉｎφの基板上に成膜後、自動エリ
プソメーター（自動偏光解析装置）にて基板全面に対し
て、膜厚の多点測定を行い、その標準偏差をもって膜厚
の均一性の評価基準とした。従って、単一円管部材６の
内径は、反応器内圧力が０．１Ｔｏｒｒから１００Ｔｏ
ｒｒの範囲にあれば薄膜形成室５の内径および深さ（高
さ）に依存せず、上記の均一な膜は基板保持台の大きさ
と基板中央部から単一円管部材６の開口端６０までの距
離ならびにガス流速と原料ガス供給路の直径によって決
定され、その関係が上記の条件をみたす場合に良好な成
膜がおこなえるといえる。

【００２５】〔別実施例〕以下、本願の別実施例につい
て説明する。（イ）上記の実施例においては、基板としてＳｉ基板の
例を示したが、これは、金属（Ｍ：金属元素）、金属酸
化物（Ｍ_xＯ_y）（Ｘ＝１〜３，Ｙ＝１〜７）、多元系金
属複合酸化物（Ｍ₁，Ｍ₂，Ｍ₃，Ｏ_y（Ｙ＝１〜７））、
さらには金属窒化物、金属ホウ化物、金属炭化物をシリ
コンやアルカリガラス、石英ガラス、またはガリウムヒ
素などの一種以上からなる基板であっても本願の方法を
採用することができる。さらに、基板の大きさは２ｉｎ
φ〜８ｉｎφ、程度まで適応できる。さらに断面方形の
基板においても、円盤相当品と見なすことが可能で、２
ｉｎ角以上、，８ｉｎ角までに適応することができる。（ロ）上記の実施例においては、鉛直配置の原料ガス供
給路にたいして基板保持台を水平に配設する例について
説明したが、常用０．１Ｔｏｒｒから１００Ｔｏｒｒで
使用する本願のＣＶＤ薄膜形成装置においては、基板保
持台を水平方向から５０°の範囲で傾斜させても、成膜
性能は大きく変化せず、上記の成膜条件をみたすことに
より良好に成膜をおこなえる。但し、基板保持台の中央
は原料ガス供給路直下にある必要がある。（ハ）原料ガス供給路を構成する金属パイプとしてはア
ルミニウム、ステンレス、銅またはタンタルなどででき
た一本の金属パイプを採用できる。（ニ）さらに、成膜対象の薄膜としては、二元系および
三元系の金属酸化物、金属窒化物薄膜を対象とすること
ができる。（ホ）反応物質としては、気体状のものはもとより、反
応物質が出発状態で液体状ならびに固体状のものにも対
応できる。

【００２６】尚、特許請求の範囲の項に図面との対照を
便利にするために符号を記すが、該記入により本発明は
添付図面の構成に限定されるものではない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願のレーザーＣＶＤ薄膜形成装置の構成を示
す図

【図２】酸化性ガス供給系を備えた本願のレーザーＣＶ
Ｄ薄膜形成装置の構成を示す図

【図３】開口端面が拡開した原料ガス供給ノズルの構成
を示す図

【図４】多数の小孔を備えた開口端面拡開型の原料ガス
供給ノズルの構成を示す図

【符号の説明】

２レーザー光３基板３ａ基板表面５薄膜形成室６単一円管部材８基板保持台１２レーザー光照射手段６０開口端部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者柳澤徹大阪府大阪市中央区平野町四丁目１番２号大阪瓦斯株式会社内 (72)発明者森川茂京都府京都市下京区中堂寺南町17 株式会社関西新技術研究所内 (72)発明者小林孝京都府京都市下京区中堂寺南町17 株式会社関西新技術研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】内部が減圧可能な薄膜形成室（５）内に
概円盤状の基板保持台（８）を配置し、前記基板保持台
（８）の上部空間に開口する単一円管部材（６）より、
前記基板保持台（８）上に配設される基板（３）上に原
料ガスを供給して、前記基板表面（３ａ）に化学気相成
長法により薄膜（４）を形成するＣＶＤ薄膜形成方法で
あって、前記薄膜形成室（５）内の内圧を０．１〜１００Ｔｏｒ
ｒに設定するとともに、前記単一円管部材（６）の半径
ａ（ｃｍ）、前記原料ガスの前記単一円管部材（６）内
での流速Ｖ（ｃｍ／ｍｉｎ）及び前記原料ガスの動粘性
係数ν（ｃｍ²／ｍｉｎ）との間で定義される前記原料
ガス流れのレイノルズ数Ｒｅ（Ｒｅ＝ａＶ／ν）と、基
板表面（３ａ）から前記単一円管部材（６）の開口端部
（６０）までの鉛直離間距離Ｌ（ｃｍ）、前記基板保持
台（８）の直径Ｒ（ｃｍ）、前記単一円管部材（６）の
直径Ｄ（ｃｍ）との関係を以下の関係Ｌ＝αＲＤ＝βＲ但し、αは０．９〜１．２ βは、前記レイノズル数Ｒｅが１０００以下の場合０．
０３以下、１０００より大きい場合０．０５以下に維持して成膜をおこなうＣＶＤ薄膜形成方法。
【請求項２】前記薄膜形成室（５）に、前記薄膜形成
対象の基板上方の空間にレーザー光（２）を照射するレ
ーザー光照射手段（１２）を備え、薄膜形成用のエネル
ギーを前記レーザー光（２）からも供給して成膜をおこ
なう請求項１に記載のＣＶＤ薄膜形成方法。