JPH07201743A

JPH07201743A - 気相堆積装置

Info

Publication number: JPH07201743A
Application number: JP5336431A
Authority: JP
Inventors: Toru Okamoto; 徹岡本; Satoshi Murakami; 聡村上; Kenji Maruyama; 研二丸山
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1993-12-28
Filing date: 1993-12-28
Publication date: 1995-08-04

Abstract

(57)【要約】【目的】基板を保持するサセプタに関し、基板清浄化
熱処理時にサセプタを反転して堆積室の汚染を防止する
ことを目的とする。【構成】垂直回転軸を有するシャフト６上端に固設さ
れたＵ字型の挟持部４を原動節とし，側面にシャフト６
の回転加速により上下移動する円筒カム１ｃ，１ｄを有
するサセプタ１を設ける。基板保持面１ａはサセプタ１
の一端に形成される。円筒カム１ｃ，１ｄは，２回対称
に設けられ，挟持部４に回動軸廻りに回動自在に挟持さ
れて垂直に垂下する。シャフト６の加速によりサセプタ
１は上昇し，回動軸より重心が高くなると反転して，基
板保持面の上下を逆転する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は基板からの蒸発に起因す
る汚染が少ない気相堆積装置に関し，特に堆積時以外は
基板保持面を堆積時の反対方向に向けることができるサ
セプタに関する。

【０００２】半導体基板上に半導体薄膜を堆積する気相
堆積装置，例えばＣＶＤ（化学気相堆積）装置，ＭＢＥ
（分子線エピタキシ）装置では，堆積前に基板表面を清
浄にするために基板を加熱する。

【０００３】しかし，この加熱により基板表面から蒸発
した基板の構成元素は，装置内壁に付着し，その後，半
導体薄膜の堆積時に原料ガス中に混入して薄膜を汚染
し，薄膜の品質を劣化させる。

【０００４】そこで，かかる基板からの汚染を防止でき
る気相堆積装置が希求されている。

【０００５】

【従来の技術】従来の気相堆積装置について，ＨｇＣｄ
Ｔｅ薄膜のＣＶＤ法による堆積例を参照しつつ説明す
る。

【０００６】赤外素子に用いられるＨｇＣｄＴｅ薄膜
は，格子不整の小さなＣｄＴｅ又はＣｄＺｎＴｅを基板
としてその上にエピタキシャル成長により堆積すること
ができる。しかし，ＣｄＴｅ及びＣｄＺｎＴｅは，高価
であり又大面積の基板を製造することができない。この
ため，安価で大面積の基板を容易に入手し得るＧａＡｓ
単結晶が基板として用いられる。

【０００７】ＧａＡｓをＨｇＣｄＴｅ薄膜の基板として
用いる場合に，基板中のＧａ元素がＨｇＣｄＴｅ堆積層
に拡散しｎ型不純物として作用すること，また基板と堆
積層との格子定数の不整が大きいため堆積層の結晶欠陥
密度が高いことが問題となる。この問題を解消するため
に，通常，ＣｄＴｅからなるバッファ層が基板とＨｇＣ
ｄＴｅ薄膜との間に設けられる。

【０００８】ところで，ＧａＡｓ基板表面にＣｄＴｅバ
ッファ層を堆積するためには，堆積前に，ＧａＡｓ基板
を６００℃程度の温度に加熱して基板表面を清浄化する
必要がある。しかし，この清浄化のための基板加熱によ
り，堆積室の内壁が汚染される。即ち，初めにＧａＡｓ
基板表面から解離圧の高いＡｓが蒸発し，次いでＡｓと
の結合を失ったＧａが飛散し，これらＡｓ及びＧａが堆
積室の内壁面に付着する。これら堆積室内壁に付着した
不純物元素は，堆積の際に原料ガスに混入し，又は直接
に飛来して，堆積する薄膜中に不純物として取り込まれ
る。

【０００９】例えば，ＧａＡｓ基板上に有機Ｃｄ( 例え
ばDMCd) を原料ガスに含むＣＶＤ法によりＨｇＣｄＴｅ
薄膜を堆積する場合，DMCd+Hg →DMHg↑+Cd ↓,3DMHg＋
2Ga(GaAs) →2TMGa ↑+Hg なる化学反応によって, 堆積
室の内壁面に付着したＧａが，有機Ｃｄと水銀との反応
生成物である有機水銀( 例えばDMHg) と反応して有機Ｇ
ａ( 例えばTMGa) を生ずる。この結果，原料ガス中に有
機Ｇａが混入して多量のＧａ不純物をＨｇＣｄＴｅ薄膜
中に取り込んでしまうことが，R.Korenstein等によりJ.
Vac.Sci.Technol.,A8,p1039(1990) 報告されている。

【００１０】従って，気相堆積装置において原料ガスに
暴露される堆積室内壁を，堆積前の加熱によって生ずる
基板の構成元素による汚染から防護する方法が，高純度
の堆積層を形成するために必要となる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上述したように，従来
の気相堆積装置では，基板の加熱処理の際に基板の構成
元素が堆積室内壁面に付着するため，これら基板の構成
元素が堆積薄膜中に不純物として取り込まれるという問
題があった。

【００１２】本発明は，サセプタの上下面を反転するこ
とにより，堆積室内を汚染するおそれがある基板加熱時
にはサセプタの基板保持面を堆積時と上下反対向きに
し，堆積室の汚染を減少して，高純度の薄膜を堆積する
気相堆積装置を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】図１は，本発明の実施例
サセプタ斜視図であり，気相堆積装置のサセプタの構造
とその支持構造を表している。図２は本発明の実施例気
相堆積装置断面図であり，気相堆積装置の主要部分の概
要を表している。

【００１４】上記課題を解決するための本発明の第一の
構成は，図１及び図２を参照して，堆積室内に，鉛直か
つ回転自在に設けられたシャフト６と，該シャフト６上
端に保持され，基板保持面１ａが形成されたサセプタ１
とを有する気相堆積装置において，該サセプタ１に形成
された円筒部１ｅと，該円筒部１ｅ側面に形成され，該
円筒部１ｅの中心軸を対称軸とする２回回転対称な２条
の円筒カム１ｃ，１ｄと，２条の該円筒カム１ｃ，１ｄ
に該円筒部１ｅの直径の両端でそれぞれ接触し，該円筒
部１ｅを挟持する２個の接触子３ｃ，３ｄと，該シャフ
ト６上端に形成された二股の各枝に各１つの該接触子３
ｃ，３ｄ）を水平直線上に保持し，該接触子３ｃ，３ｄ
により該二股の間に挟持された該円筒部１ｅを該水平直
線の廻りに回動自在に支持する挟持部４と，該シャフト
６に回転加速度を付加する回転駆動装置７とを有し，該
サセプタ１の重心は，該シャフト６の停止又は定速回転
時に該円筒部１ｅの中心線が鉛直に垂下する位置に設け
られ，該円筒カム１ｃ，１ｄと該挟持部４は，該円筒カ
ム１ｃ，１ｄを従属節とし該接触子３ｃ，３ｄを原動節
として，該シャフト６の回転加速度に応じて該サセプタ
１を上下直線運動させる円筒カム装置を構成することを
特徴として構成し，及び，第二の構成は，第一の構成の
気相堆積装置において，該Ｕ字部４の底辺４ａに，該サ
セプタ１からの熱輻射光を該シャフト６に導入し，下端
から導出するための温度観測用窓５を設けたことを特徴
として構成し，及び，第三の構成は，第一の構成の気相
堆積装置において，基板２の加熱洗浄時の該基板保持面
（１ａ）近傍に揮発成分供給用ガスのノズル８を設けた
ことを特徴として構成する。

【００１５】

【作用】本発明の構成では，サセプタはその一部に円筒
部を有し，この円筒部に直交又は斜交する基板保持面を
有する。かかる形状の一つに円柱状サセプタがある。こ
の場合は，サセプタ全体が円筒部を構成し，円柱の一端
面を基板保持面とすることができる。以下，説明の便宜
のために，サセプタ１が円柱状の例について説明する。

【００１６】先ず本発明の構成では，図１を参照して，
サセプタ１の円筒部１ｅに互いに２回回転対称の関係に
ある２条の円筒カム１ｃ，１ｄ，例えば円筒カム溝が設
けられている。この円筒カム１ｃ，１ｄには，それぞれ
接触子３ｃ，３ｄのうちの１個が接触し，２個の接触子
３ｃ，３ｄは円筒部１ｅの直径上の両端に対向して配置
される。

【００１７】これら２個の接触子３ｃ，３ｄは，二股を
なす挟持部４の垂直な枝４ｃ，４ｄの通常は先端近く
に，枝４ｃに円筒カム１ｃの接触子３ｃが，枝４ｄに円
筒カム１ｄの接触子３ｄが保持され，かつ，これら接触
子３ｃ，３ｄが水平直線上にあるように取付けられる。

【００１８】さらに，円筒カム１ｃ，１ｄは互いに２回
回転対称の関係にある。従って，円筒部１ｅは，その直
径を水平直線上に配置された２個の接触子３ｃ，３ｄで
挟持される。その結果，円筒部１ｅの直径は常に水平に
挟持されるから，円柱状サセプタ１の中心軸は，接触子
３ｃ，３ｄを結ぶ水平直線（以下，「水平回動軸」とい
う。）と常に直交するように，言い換えると挟持方向
（水平回動軸方向をいう。）に直交する鉛直面内にある
ように保持される。

【００１９】次に本発明の構成では，サセプタ１は，挟
持部４の枝４ｃ，４ｄの間に配置され，水平回動軸の廻
りに正逆回転自在に保持される。かかる機構は，例えば
接触子３ｃ，３ｄを円柱若しくは球形とすることで，又
は接触子３ｃ，３ｄを挟持部４の枝４ｃ，４ｄに回動自
在に支持することで実現できる。

【００２０】この構成において，シャフト６，即ち挟持
部４が停止又は定速回転している場合は，サセプタ１は
その重心を最下点にして垂下する。従って，重心が挟持
位置（水平回動軸の位置）より上にあるときは，重心が
最下点になるように，サセプタ１は速やかに水平回動軸
廻りに回転する。本構成では，サセプタ１が垂下したと
き円筒部４が垂直に位置して垂下するようにサセプタ１
の重心位置が定められている。従って，この回転により
サセプタ１は上下１８０°反転する。即ち，サセプタ１
の一端に形成された基板保持面１ａも，サセプタの反転
に伴いサセプタ１の反対側に移動する。

【００２１】さらに本発明の構成では，円筒部１ｅと挟
持部４とは，円筒カム１ｃ，１ｄを従属節とし，接触子
３ｃ，３ｄを原動節とする円筒カム機構を構成する。こ
の円筒カム機構を図１（ａ）〜（ｃ）を用いて説明す
る。図１（ａ）は，シャフト６が静止している当初の状
態を，図２（ｂ）は，シャフトに回転加速を与えた直後
の状態を，図３（ｃ）は，さらにその後の静止状態を表
している。

【００２２】先に述べたように，静止状態では，図１
（ａ）を参照して，円筒部１ｅは接触子３ｃ，３ｄによ
り垂直に挟持されている。この状態で，シャフト６に回
転が加わると，シャフト６上端の挟持部４の回転が加速
される一方，円筒部１ｅは慣性力により静止状態のまま
に留まる。このため，接触子３ｃ，３ｄは円筒カム１
ｃ，１ｄのカム曲線に沿って回転し，図１（ｂ）を参照
して，円筒部１ｅを上方に垂直に移動する。かかる機構
は，カム曲線を螺旋とする円筒カム，又は，かかる回転
を直線に変換する通常の円筒カムを用いて実現できる。
なお，当初にシャフト６が定速回転をしている場合は，
その回転速度が加速される以外は，上記例と同様の作
用，効果を生ずる。

【００２３】ついで，シャフト６の回転加速を零又はカ
ムが移動しない程度に小さくする。なお，接触子３ｃ，
３ｄの回転により円筒部１ｅの回転が加速されることが
あるが，この増加した回転速度を加速度を逆の小さな値
にして，回転を減速することもできる。

【００２４】このシャフト６の回転加速の減少後，又は
その以前に，上方に移動した円筒部１ｅは，図１（ｃ）
を参照して，その重心が水平回動軸を超えて上方に移動
しているため，既述のように水平回動軸廻りに反転す
る。その結果，当初はサセプタ１の上端面にあり上方を
向いていた基板保持面１ａは，反転後はサセプタ１の下
面となり下方を向く。

【００２５】反転したサセプタ１は，シャフト６に同様
の加速を加えることで，再び反転させ当初の状態を回復
することができる。従って，堆積室を気相成長装置の上
方又は下方に設け，堆積時には基板保持面１ａに保持さ
れた基板２表面を堆積室内に暴露し，基板２の加熱洗浄
時にはサセプタ１を反転することで基板２を堆積室から
隔離することができる。このため，本構成により，基板
２から飛散する元素による堆積室壁面及び堆積室内の汚
染を防止することができる。従って，不純物の少ない薄
膜が堆積される。

【００２６】なお，堆積室を気相成長装置の左右何れか
に設け，サセプタ１の側面に基板保持面を形成しても同
様の作用，効果を生ずる。第二の構成では，図１を参照
して，挟持部４の底辺４ａに窓５が設けられる。この窓
５は，サセプタ１からの熱輻射光をシャフト６に導入
し，図２を参照して，シャフト６下端から導出するため
の温度観測用窓５であり，シャフト６下端から温度計，
例えば放射温度計によりサセプタ６の温度を観測するこ
とができる。従って，基板温度の制御を容易に精密にな
すことができる。

【００２７】第三の構成では，基板２の加熱洗浄時の該
基板保持面１ａ近傍に，例えば堆積室が装置上部に設け
られている場合は下方を向いている基板保持面１ａの近
くに，ノズル８を設け，基板の加熱洗浄の際に基板を構
成する揮発性の成分元素を供給する。これにより，基板
表面近くの雰囲気中の揮発性元素の分圧を高め，基板か
らの元素の蒸発を防止することができる。従って，基板
の分解に起因する汚染を減少し，また，結晶性のよい薄
膜を堆積することができる。

【００２８】なお，本発明において，螺旋状の円筒カム
曲線を逆巻きにすることで，原動節である挟持部の回転
方向を逆向きにできることはいうまでもない。

【００２９】

【実施例】本発明を，ＧａＡｓ基板上にＨｇＣｄＴｅ薄
膜を堆積するＣＶＤ装置の実施例を参照して，詳細に説
明する。

【００３０】図１を参照して，サセプタ１は直径１０．
５cm, 高さ１０cmの炭素円柱からなり，その一端に円柱
軸に垂直な基板保持面１ａが形成され，側面に２条の円
筒カム１ｃ，１ｄが形成されている。

【００３１】基板保持面１ａは，基板２を載置する円柱
軸に垂直な平面からなり，その平面上にサセプタ１と螺
合し基板２周辺を押止するリング状の基板保持具１ｂを
有する。

【００３２】円筒カム１ｃ，１ｄは，螺旋状のカム溝と
して形成される。なお，他のカム曲線を用いることがで
きるのは既述の通りである。接触子３ｃ，３ｄは，石英
ガラス軸の先端に円，球又は舟形の石英ガラスからなる
接触端が形成されて構成され，石英ガラス軸は挟持部４
に取り付けられ，接触端はカム溝に嵌挿され抱持され
る。

【００３３】挟持部４は，石英シャフト６の上端に形成
され，Ｕ字型の底辺４ａ中央でシャフト６上端に載設さ
れた石英部材からなる。２個の接触子３ｃ，３ｄは，挟
持部４の２枝４ｃ，４ｄの先端の互いに水平位置に設け
られた孔に接触子３ｃ，３ｄのガラス軸を挿入して取り
付けられる。この取り付けは，接触子３ｃ，３ｄの接触
端が舟形のときは回動自在に軸支する。円又は球形の接
触端では，接触端がサセプタを回動自在に保持するか
ら，ガラス軸を固設することもできる。

【００３４】挟持部４には，その底辺４ａ上面中央，即
ちシャフト６上端面の直上に光学的平坦面からなる窓５
が設けられる。他方，シャフト６の下端にも同様の窓が
設けられており，シャフト６下端からシャフト６直上に
位置するサセプタ１の温度を放射温度計１３（図２参
照）により観測できる。

【００３５】本実施例の気相成長装置は，図２を参照し
て，上端に原料ガス導入口１０を，側壁下部に排気口１
１を有する石英のチャンバ１２と，チャンバ１２底面中
央部に設けられた回転駆動装置７を貫通して，先端をチ
ャンバ１２内に嵌挿されたシャフト６と，シャフト６先
端に支持されたサセプタ１とを有する。

【００３６】ガス導入口１０は，チャンバ上面に例えば
８個のガス導入口を一列に設けられる。先ず堆積時の状
態を説明する。

【００３７】サセプタ１は，シャフト６先端の挟持部４
により支持され，堆積中は基板保持面１ａを水平にかつ
上に向けて保持される。このとき，基板２とチャンパ１
２上面との間を例えば２cmと近接することで，列設され
たガス導入口１０と共に，基板上に一様な流れを形成す
る。本実施例の装置では，このチャンバ１２上部が堆積
室９となる。なお，堆積中のサセプタ１は，駆動回転装
置７により一定の速さ，例えば２０ｒｐｍで回転され
る。

【００３８】基板２は，直径７５cmのＧａＡｓ結晶ウエ
ーハを用い，初めにＣｄＴｅバッファ層を堆積し，次い
でＨｇＣｄＴｅ薄膜を堆積した。原料ガスは１気圧の水
素ガスをキャアガスとし，ＣｄＴｅバッファ層の堆積に
はＤＭＣｄ（ジメチルカドミウム）を１０^-5気圧及びＤ
ＩＰＴｅ（ジイソプロピルテルル）を１０^-3気圧の分圧
で混合して用いた。続いてなされるＨｇＣｄＴｅ薄膜の
堆積には，ＣｄＴｅバッファ層の堆積の原料ガスに加え
て，金属水銀を３００℃に加熱して水銀蒸気を供給し，
チャンバ内に１０^-2気圧のＨｇ分圧を付与した。基板２
の加熱は，チャンバ１２外部に設けられた高周波コイル
によりサセプタ１を誘導加熱することでなされ，堆積中
は例えば３６０℃に維持される。

【００３９】かかる条件下で，ＣｄＴｅバッファ層及び
ＨｇＣｄＴｅ薄膜のいずれも略２．５μｍ／時の成長速
度で堆積された。次に，堆積前の予備的処理及び堆積後
の処理について説明する。

【００４０】ＧａＡｓ基板２は，サセプタ１の基板保持
面１ａ上に基板保持具１ｂにより固定される。次いで，
チャンバ１２内でサセプタ１を基板保持面１ａが下向き
になるように反転する。かかる操作は，基板２の取り付
けをサセプタ１上面で行い，その後サセプタを反転する
ので，基板の操作を容易にし，かつ塵埃の付着を減少す
る。なお，サセプタ１の反転は，既述したように，回転
駆動装置７によりシャフト６に回転加速を加えて行うこ
とができる。また，下を向く基板保持面の近くにはノズ
ル８が設けられている。

【００４１】次いで，サセプタ１を回転駆動装置７によ
り例えば２０ｒｐｍで回転し，ガス導入口から１気圧の
水素ガスを供給する。次いで，高周波誘導加熱によりサ
セプタ１を加熱し，基板２を６００℃，３０分間清浄化
のための熱処理を行う。このとき，基板２表面は下方を
向いているため，その表面から蒸発する元素は，堆積室
９であるチャンバ１２上部には到達することがない。従
って，堆積室９内壁面及び堆積室内に表出する部材は汚
染されない。

【００４２】この熱処理において，基板２温度が６００
℃に昇温してから継続して，基板保持面の近くに設けら
れたノズル８から，分圧１０^-3気圧のＴＢＡｓ（ターシ
ャリーブチルアルシン）を基板２表面に照射する。

【００４３】次いで，基板温度を堆積温度，例えば３６
０℃に降温し，維持する。これらの温度調整は，基板表
面からの熱輻射を，窓６を通しシャフト６下端に設けら
れた放射温度形１３により観測して，その結果を高周波
出力に帰還することでなされる。

【００４４】次いで，ＴＢＡｓの照射を停止し，シャフ
ト６の回転を略１００ｒｐｍまで加速してサセプタ１を
反転させ，基板保持面１ａを上方に向ける。反転の操作
は既述と同じである。その後，除々に減速して再び２０
ｒｐｍとする。

【００４５】反転後，温度が安定した後，既述したＣｄ
Ｔｅバッファ層とＨｇＣｄＴｅ薄膜との堆積を行う。次
いで，再びシャフト６回転を加速して，サセプタ１を反
転し，基板保持面１ａを下方に向ける。これにより，堆
積後に塵埃が基板２表面に降積することを回避すること
ができる。

【００４６】図３は本発明の他の実施例気相堆積装置断
面図であり，横型気相堆積装置を表している。本実施例
の装置のチャンバーは，図３を参照して，左端閉管，右
端開管の石英ガラス製円筒管からなるチャンバー本体１
２Ａと，その開管部に嵌合する石英製キャップ１２Ｂか
ら構成される。チャンバー本体１２Ａの左方封管部の中
心には原料ガスを導入するガス導入口１０Ａが開口す
る。キャップ１２Ｂの下端には排気口１１Ａが開設され
ている。

【００４７】基板２を保持するサセプタ１，シャフト６
上端にサセプタ１を支持する挟持部４，及びシャフト６
の回転駆動部７は既述した第一実施例と同様に配設され
る。なお，回転駆動部７は，チャンバ本体１２Ａの底面
の一部を平坦に加工した領域に設けられる。また，シャ
フト６下端から放射温度形１３によりサセプタ１の温度
を測定できることも第一実施例と同様である。

【００４８】堆積中の基板２は，サセプタ１の上端面に
保持され，チャンバ本体の上方におかれる。基板２の清
浄化熱処理時は，サセプタ１を反転し，基板２をサセプ
タ１の下面に下向きに保持する。この状態の基板２表面
近くに開口し，ＴＢＡｓを放出するノズル８Ａを有する
ガス導入管が，チャンバ本体１２Ａの左端下部から挿入
されている。

【００４９】本実施例の操作は，第一実施例と同様にな
される。なお，堆積条件も第一実施例と変わらない。

【００５０】

【発明の効果】本発明の気相堆積装置によれば，堆積時
とそれ以外の時とでサセプタの基板保持面を反転するこ
とができるので，基板表面から蒸発する不純物元素によ
る堆積室内の汚染を回避することができ，純物の高い薄
膜を堆積することができる。

【００５１】このため，半導体回路を含む電子機器の性
能向上に寄与するところが大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例サセプタ斜視図

【図２】本発明の実施例気相堆積装置断面図

【図３】本発明の他の実施例気相堆積装置断面図

【符号の説明】

１サセプタ１ａ基板保持面１ｂ基板保持具１ｃ，１ｄ円筒カム１ｅ円筒部２基板３ｃ，３ｄ接触子４Ｕ字部４ａ底辺４ｃ，４ｄ枝５窓６シャフト７回転駆動装置８，８Ａノズル９堆積室１０，１０Ａガス導入口１１，１１Ａ排気口１２チャンバ１２Ａチャンバ本体１２Ｂキャップ１３放射温度計１４，１４Ａ高周波コイル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 27/12 Ｇ 31/0264

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】堆積室内に，鉛直かつ回転自在に設けら
れたシャフト（６）と，該シャフト（６）上端に保持さ
れ，基板保持面（１ａ）が形成されたサセプタ（１）と
を有する気相堆積装置において，該サセプタ（１）に形
成された円筒部（１ｅ）と，該円筒部（１ｅ）側面に形
成され，該円筒部（１ｅ）の中心軸を対称軸とする２回
回転対称な２条の円筒カム（１ｃ，１ｄ）と，２条の該
円筒カム（１ｃ，１ｄ）に該円筒部（１ｅ）の直径の両
端でそれぞれ接触し，該円筒部（１ｅ）を挟持する２個
の接触子（３ｃ，３ｄ）と，該シャフト（６）上端に形
成された二股の各枝に各１つの該接触子（３ｃ，３ｄ）
を水平直線上に保持し，該接触子（３ｃ，３ｄ）により
該二股の間に挟持された該円筒部（１ｅ）を該水平直線
の廻りに回動自在に支持する挟持部（４）と，該シャフ
ト（６）に回転加速度を付加する回転駆動装置（７）と
を有し，該サセプタ（１）の重心は，該シャフト（６）
の停止又は定速回転時に該円筒部（１ｅ）の中心線が鉛
直に垂下する位置に設けられ，該円筒カム（１ｃ，１
ｄ）と該挟持部（４）は，該円筒カム（１ｃ，１ｄ）を
従属節とし該接触子（３ｃ，３ｄ）を原動節として，該
シャフト（６）の回転加速度に応じて該サセプタ（１）
を上下直線運動させる円筒カム装置を構成することを特
徴とする気相堆積装置。
【請求項２】請求項１記載の気相堆積装置において，
該Ｕ字部（４）の底辺（４ａ）に，該サセプタ（１）か
らの熱輻射光を該シャフト（６）に導入し，下端から導
出するための温度観測用窓（５）を設けたことを特徴と
する気相堆積装置。
【請求項３】請求項１記載の気相堆積装置において，
基板（２）の加熱洗浄時の該基板保持面（１ａ）近傍に
揮発成分供給用ガスのノズル（８）を設けたことを特徴
とする気相堆積装置。