JPH07201752A - 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 薄膜形成装置及び薄膜形成方法を改良するこ
とにより、装置全体の小型化と製品の品質向上を図る。 【構成】 反応容器１０、排気手段３０、不活性ガス供
給手段４０、原料ガス供給手段５０、基板温度制御手
段、反応容器温度制御手段及び前記排気手段３０、不活
性ガス供給手段４０、原料ガス供給手段５０をそれぞれ
制御する制御手段（図示せず）とによって構成されてお
り、前記反応容器１０は、反応容器本体１１、被塗膜基
板Ａを載せる載置台１７、前記反応容器本体１１内に昇
降可能に収容され、降下した状態で被塗膜基板Ａを覆っ
て薄膜形成時の反応空間を小さくする収容凹部１９を備
えた内容積変更ブロック１８及びこの内容積変更ブロッ
ク１８の昇降手段としての昇降シリンダ２２とから構成
されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、反応容器内で触媒に
よる重合反応等により被処理物の表面に薄膜を形成する
ための薄膜形成装置及び薄膜形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の薄膜形成装置は、上述したよう
に、反応容器内に被塗膜基板を収容するとともに原料ガ
スを供給し、その反応容器内で重合反応等を起こして被
塗膜基板に薄膜を形成するものであり、例えば、真空
度、クリーン度、ガスの毒性等のプロセス上の制約や生
産効率の観点から、前記反応容器への被塗膜基板の供給
や反応容器からの被塗膜基板の取出しは自動的に行うの
が一般的である。

【０００３】従って、反応容器の設計は被塗膜基板の供
給や取出しを考慮して行われるため、一般的に反応容器
は薄膜そのものの形成に必要な最小限の容積をはるかに
上回る大きさを有している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし，上記のように
反応容器の大きさを実際の薄膜形成に必要な大きさ以上
に設定しておくと、原料ガスの使用料が必要以上に大き
くなるだけでなく、反応容器内の不要なガスを排出する
排気手段や不活性ガスを反応容器内に供給する不活性ガ
ス供給手段や原料ガスの除害装置の容量が必然的に大き
くなり、薄膜形成装置全体の小型化の障害となってい
る。

【０００５】また、反応容器の内容積を必要以上に大き
くすると、原料ガスの供給時に反応容器内のガス濃度分
布が大きくなって形成される膜厚にバラツキが生じた
り、原料ガス供給時の断熱膨張によって余剰ガスがミス
ト化して形成された薄膜上に付着したりして、製品の品
質低下を招くといった問題が生じる。

【０００６】そこで、この発明の課題は、この種の薄膜
形成装置及び薄膜形成方法を改良することにより、装置
全体の小型化と製品の品質向上を図ることにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、この発明は、反応容器内に被塗膜基板を収容すると
ともに原料ガスを供給し、この反応容器内で前記被塗膜
基板に薄膜を形成するようにした薄膜形成装置におい
て、前記反応容器の内容積を変化させる内容積可変手段
を設けたのである。

【０００８】また、（ａ）被塗膜基板の載置台を有する
反応容器と、（ｂ）前記反応容器内部の気体を排出して
所定の真空度にする排気手段と、（ｃ）前記反応容器内
部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、
（ｄ）前記反応容器内部に複数の原料ガスを供給する原
料ガス供給手段と、（ｅ）前記排気手段によって反応容
器内部の気体を排出して所定の真空度に調整した後、前
記原料ガス供給手段によって前記複数の原料ガスを順次
あるいは同時に反応容器内に供給し、最後に前記不活性
ガス供給手段によって反応容器内に不活性ガスを供給す
るように前記排気手段、原料ガス供給手段及び不活性ガ
ス供給手段をそれぞれ制御する制御手段とを備えている
薄膜形成装置に、前記反応容器の内容積を変化させる内
容積可変手段を設けることもできる。

【０００９】さらに、前記内容積可変手段としては、前
記反応容器内で昇降自在で、かつ、降下した状態で前記
反応容器内に収容された被塗膜基板を覆う収容凹部を備
えた内容積変更ブロックと、この内容積変更ブロックを
昇降させる昇降手段とによって構成したものが考えられ
る。

【００１０】また、薄膜形成装置を用いた薄膜形成方法
としては、（１）前記内容積可変手段によって前記反応
容器の内容積を大きくする工程と、（２）内容積が大き
くなった前記反応容器内に被塗膜基板をセットする工程
と、（３）前記内容積可変手段によって反応容器の内容
積を小さくする工程と、（４）内容積が小さくなった反
応容器内に原料ガスを供給する工程とを備えた方法や
（１）前記内容積可変手段によって前記反応容器の内容
積を大きくする工程と、（２）内容積が大きくなった反
応容器内部の前記載置台に被塗膜基板をセットする工程
と、（３）前記内容積可変手段によって前記反応容器の
内容積を小さくする工程と、（４）前記排気手段によっ
て反応容器内部の気体を排出して、反応容器内部を１Ｔ
ｏｒｒ以下の真空度に減圧する工程と、（５）前記原料
ガス供給手段によって反応容器内に複数の原料ガスを供
給する工程と、（６）前記被塗膜基板上に所定厚さの薄
膜を形成する工程と、（７）前記不活性ガス供給手段に
よって反応容器内に不活性ガスを供給する工程と、
（８）前記内容積可変手段によって前記反応容器の内容
積を大きくする工程と、（９）内容積が大きくなった前
記反応容器から薄膜が形成された前記被塗膜基板を取り
出す工程とを備えた方法等が挙げられる。

【００１１】

【作用】以上のように構成された薄膜形成装置及び薄膜
形成方法では、被塗膜基板を反応容器内にセットする際
に反応容器の内容積を大きくし、原料ガスを供給して薄
膜を形成する際には反応容器の内容積を小さくする。特
に、内容積変更手段として内容積変更ブロックと昇降手
段を設けたものにあっては、被塗膜基板供給時には前記
昇降手段によって前記内容積変更手段を持ち上げること
により反応容器の内容積を大きくし、薄膜形成時には昇
降手段によって内容積変更ブロックをおろすことにより
反応容器の内容積を小さくする。

【００１２】

【実施例】以下、実施例について図面を参照して説明す
る。図１に示すように、この薄膜形成装置１は、被塗膜
基板Ａとしてのシリコンウエハーの載置台１７を有する
反応容器１０と、この反応容器１０内部の気体を排出し
て所定の真空度にする排気手段３０と、前記反応容器１
０内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段４０
と、前記反応容器１０内部に原料ガスである触媒および
モノマーを供給する原料ガス供給手段５０と、前記被塗
膜基板Ａを所定の温度に制御する基板温度制御手段６０
と、前記反応容器１０を所定の温度に制御する反応容器
温度制御手段７０と、前記排気手段３０、不活性ガス供
給手段４０、原料ガス供給手段５０をそれぞれ、後述す
るように制御する制御手段（図示せず）とによって構成
されている。

【００１３】前記反応容器１０は、図２に示すように、
反応容器本体１１、被塗膜基板Ａを載せる載置台１７、
前記反応容器本体１１内に昇降可能に収容され、薄膜形
成時に反応空間を小さくする内容積変更ブロック１８、
この内容積変更ブロック１８の昇降手段としての昇降シ
リンダ２２とから構成されている。

【００１４】前記反応容器本体１１は、底部１２、胴部
１３、頭部１４から構成されており、前記胴部１３には
前記被塗膜基板Ａの供給及び取出用の開口１３ａが設け
られている。この開口１３ａには、開閉シリンダー１５
によって開口１３ａを閉塞したり、開放したりする扉１
３ｃが設けられており、この扉１３ｃによって閉塞され
た状態ではシール材１６によって前記開口１３ａが密閉
されるようになっている。

【００１５】この反応容器本体１１の断面形状は、矩形
状、円形状等いかなるものでもよいが、シリコンウエハ
ーが円形のものが多いことから、シリコンウエハー（概
略寸法例：６インチ外径×０．２ｍｍ厚さ）の外径より
１０ないし２０ｍｍ程度大きい円形の断面形状にするの
が好ましい。

【００１６】また、反応容器本体１１の内容積は、シリ
コンウエハーの成膜上小さい方が好ましく、最大でも７
００ｃｃ程度に設定しておくのがよい。従って、その高
さも極力低い方がよいが、シリコンウエハーの出し入れ
を考慮すると、２０ないし５０ｍｍの範囲で可変できる
のが好ましい。

【００１７】なお、前記被塗膜基板Ａの反応容器本体１
１への出し入れは、反応容器本体１１外からロボットハ
ンド等により行われるため、それに合わせた十分な開口
寸法が要求される。

【００１８】前記内容積変更ブロック１８は、その底面
に収容凹部１９が形成されていおり、降下した状態で
は、その収容凹部１９の外側の底面部が前記反応容器本
体１１に設けられたシール材２０に当接し、載せられた
被塗膜基板Ａを含めて載置台１７部分を密閉した状態で
覆うことにより薄膜の形成空間を小さくすることができ
るようになっている。また、この内容積変更ブロック１
８の頭部には外側に張り出すつば部１８ａが形成されて
おり、内容積変更ブロック１８が降下した状態で前記つ
ば部１８ａが前記反応容器本体１１の段部１３ｂに設け
られたシール材２１に当接して反応容器本体１１内部が
機密状態で上下に仕切られるようになっている。

【００１９】この内容積変更ブロック１３の材質は、耐
食性の理由から、アルミニウムやステンレスによって形
成するのが好ましく、前記シール材１６、２０、２１
は、原料ガス等に腐食性があるので、これらに対する耐
食性を有するフッ素ゴム系の「バイトン」やデュポン社
製の「カルレッツ」を用いるのが好ましい。

【００２０】前記昇降シリンダ２２は、前記反応容器本
体１１の上部に設けられており、そのピストンロッド２
２ａが前記反応容器本体１１の頭部１４を貫通して前記
内容積変更ブロック１８の上面に接続されている。な
お、ピストンロッド２２ａの貫通部は、前記シール材１
６，２０，２１と同様のシール材２３によって完全にシ
ールされており、反応容器本体１１の気密性は保たれて
いる。また、前記昇降シリンダ２２の駆動源は、エア、
油圧等のいずれでもよく、昇降手段としてはサーボモー
タ等の公知手段を用いることもできる。

【００２１】前記排気手段３０は、図１に示すように、
ドライポンプやロータリーポンプ等の公知の真空ポンプ
からなる排気装置３１を排気パイプ３２によって前記反
応容器１０に接続したものであり、前記排気パイプ３２
の途中には開閉バルブ３３が設けられている。

【００２２】また、前記排気パイプ３２は、図２に示す
ように、反応容器本体１１との接続部分が３つに分岐し
ており、それぞれの接続部３２ａ、３２ｂ、３２ｃには
切替用の自動弁３４ａ、３４ｂ、３４ｃが設けられてい
る。

【００２３】ひとつの接続部３２ａは、前記内容積変更
ブロック１８が降下した状態でその収容凹部１９によっ
て覆われる部分に接続されており、薄膜形成時にその収
容凹部１９内の気体を排出することができる。また、残
りのふたつの接続部３２ｂ、３２ｃは、降下した内容積
変更ブロック１８と反応容器本体１１との間に形成され
る隙間部分及び反応容器本体１１の上部にそれぞれ接続
されており、前記接続部分３２ｃの自動弁３４ｃより接
続端側には、前記自動弁３４ｃと逆動作する自動弁４３
ａを有する後述の前記不活性ガス供給手段４０の給気パ
イプ４２が接続されている。

【００２４】前記内容積変更ブロック１８が降下する場
合は、その降下動作を容易にするために、前記自動弁３
４ｃが閉じるとともに自動弁４３ａが開き、反応容器本
体１１の上部に不活性ガスが供給される。逆に、前記内
容積変更ブロック１８が上昇する場合は、その上昇動作
を容易にするために、前記自動弁３４ｃが開くとともに
自動弁４３ａが閉じ、反応容器本体１１の上部から気体
が排出される。なお、これらの動作は、全てコントロー
ラ９０によりあらかじめ入力されたプログラムにしたが
ってシーケンス制御される。

【００２５】前記不活性ガス供給手段４０は、窒素また
はヘリウム等の不活性ガスを充填したガスボンベ４１を
給気パイプ４２によって前記反応容器１０に接続したも
のであり、前記給気パイプ４２の途中には、開閉バルブ
４３が設けられている。

【００２６】前記原料ガス供給手段５０は、図１に示す
ように、触媒供給手段５０ａとモノマー供給手段５０ｂ
とから構成されており、それぞれ前記反応容器１０に接
続されている。

【００２７】前記触媒供給手段５０ａ及びモノマー供給
手段５０ｂは、それぞれ触媒容器５１ａ、モノマー容器
５１ｂを供給パイプ５２ａ、５２ｂによって前記反応容
器１０に接続したものであり、前記供給パイプ５２ａ、
５２ｂの途中には、触媒やモノマーの流量を制御する質
量流量制御器５３ａ、５３ｂ及び開閉バルブ５４ａ、５
４ｂが設けられている。なお、前記触媒容器５１ａ及び
モノマー容器５１ｂは、恒温層５５ａ、５５ｂ等で一定
温度に保つとともに蒸気圧を一定に保つことが成膜速度
を制御する上で好ましい。

【００２８】前記基板温度制御手段６０は、前記載置台
１７を冷却することにより被塗膜基板Ａを一定温度に保
つものであり、ウォーターチラー６１からの冷水を前記
載置台１７に供給するための配管６２を備えている。ま
た、載置台１７の温度としてはモノマーを基板上に吸着
させる上で低温に維持するのが好ましい。基板の温度が
高温では、成膜速度が著しく低下し、低すぎると触媒や
モノマーの凝縮が生じるため、設定温度は５ないし４０
℃が好ましい。

【００２９】前記反応容器温度制御手段７０は、前記反
応容器１０を加熱することにより、前記反応容器１０の
内表面への薄膜付着を防止するため、反応容器１０の外
表面に恒温装置７１からの温水を流すための温水配管７
２が付設されている。なお、前記反応容器１０の温度
は、前記載置台１７の温度より高くすることが望まし
く、使用するモノマーの沸点以上に設定しておくことが
より好ましい。

【００３０】上記のような反応容器１０内で被塗膜基板
Ａに重合体薄膜を形成すると、反応容器１０の内面にも
薄膜が付着するので、反応容器１０に放電電極を設ける
とともに、図１に示すように、酸素ガスボンベ８１、酸
素ガス供給パイプ８２及び開閉バルブ８３からなる酸素
ガス供給手段８０を接続しておくと、プラズマクリーニ
ングによって反応容器１０の内面に付着した薄膜を除去
することができる。

【００３１】以上のように構成された薄膜形成装置１で
は、まず、前記内容積変更ブロック１８を反応容器本体
１１内において上昇させた後、前記扉１３ｃを開けてロ
ボットハンドによって被塗膜基板Ａを開口１３ａから反
応容器本体１１内に供給し、前記載置台１７上にセット
する。

【００３２】次に、内容積変更ブロック１８を降下させ
てその収容凹部１９内によって被塗膜基板Ａを覆い、前
記排気手段３０によって収容凹部１９内の気体を排気
し、収容凹部１９内を減圧する。前記反応容器１０内が
所定の圧力に到達したら、前記開閉バルブ３３を閉じて
排気を停止する。

【００３３】次に、前記開閉バルブ５４ａを開けて触媒
を収容凹部１９内に供給を開始し、その供給量が所定量
に達したら、前記開閉バルブ５４ａを閉じて触媒の供給
を停止する。続いて開閉バルブ５４ｂを開けて所定量の
モノマーを収容凹部１９内に供給をすることにより前記
被塗膜基板Ａ上に重合体薄膜を形成させる。

【００３４】なお、この実施例では、排気を停止した状
態で重合体薄膜を形成する方法を述べたが、排気を継続
したまま重合体薄膜を形成することもできる。但し、そ
の場合には、前記触媒とモノマーを同時に収容凹部１９
内に供給する必要がある。

【００３５】前記触媒及びモノマーの供給前の収容凹部
１９の圧力は、１Ｔｏｒｒ以下が望ましく、さらに水分
などの雰囲気中の不純物が成膜速度に悪影響を与えない
ようにするためには、収容凹部１９内の圧力を０．１Ｔ
ｏｒｒ以下にしておくことが望ましい。

【００３６】また、触媒及びモノマー供給時の収容凹部
１９内圧力としては、成膜速度を考慮すると、１Ｔｏｒ
ｒを越えた圧力が好ましく、特に、１０Ｔｏｒｒないし
５００Ｔｏｒｒの範囲に設定しておくことが好ましい。
１Ｔｏｒｒ以下では、成膜速度が遅すぎて実用的ではな
いからである。

【００３７】重合体薄膜の形成後は、再び開閉バルブ３
３を開けて前記収容凹部１９内に残留している原料ガス
を排気する。所定時間排気した後、前記開閉バルブ３３
を閉じて排気を停止し、続いて開閉バルブ４３を開けて
前記収容凹部１９内に窒素ガス等の不活性ガスを供給す
ることより収容凹部１９内を常圧に戻す。

【００３８】最後に、前記内容積変更ブロック１８を上
昇させた後、前記扉１３ｃを開けて重合体薄膜が形成さ
れた基板を反応容器１０から取り出し、これに熱処理を
施す。熱処理は、リソグラフィー工程等において耐薬品
性を向上させる点で効果があり、不活性ガス雰囲気下あ
るいは真空下で行うことが好ましく、熱処理温度として
は２００℃以下が好ましい。

【００３９】基板を取り出した後の反応容器１０内をプ
ラズマクリーニングするには、まず、反応容器１０内に
残留している気体を前記排気手段３０によって排気し、
反応容器１０内を減圧する。このときの反応容器１０内
の圧力は、０．１Ｔｏｒｒ以下であることが好ましく、
特に、０．０１Ｔｏｒｒ以下がより好ましい。

【００４０】そして、排気を継続したまま反応容器１０
内圧力が１Ｔｏｒｒ程度になるまで前記酸素ガス供給手
段８０によって酸素ガスを供給する。このときの反応容
器１０内圧力は、０．５ないし３Ｔｏｒｒの範囲が好ま
しい。

【００４１】次いで、１３．５６ＭＨｚの高周波を前記
放電電極に印加することで反応容器１０内にプラズマを
発生させる。１分間放電を継続した結果、反応容器１０
の内表面等に付着していた重合体薄膜は、除去すること
ができた。

【００４２】なお、この実施例では、高周波の電力を５
００Ｗで実施したが、１００ないし１０００Ｗの範囲に
おいて適宜選択すれば良く、放電時間も反応容器１０内
に付着した重合体薄膜の膜厚に応じて選択すれば良い。
また、プラズマクリーニング時に使用する酸素ガスには
ＣＦ₄ ガスを混合して使用することも可能である。

【００４３】なお、この実施例においては、前記内容積
変更ブロック１８によって反応容器本体１１内の底面積
及び高さの双方を変えるようにしたが、これに限定され
るものでなく、底面積又は高さのいずれか一方を変える
ものであっても良い。

【００４４】モノマとしては、重合性不飽和結合を有す
るのエチレン系化合物やアセチレン系化合物が好ましく
用いられる。これらの化合物において、本方法における
重合（成膜）性の面から、シアノ基、アミド基、オキシ
カルボニル基、ニトロ基、ハロゲン原子などの電子吸引
性基が不飽和結合を有する炭素に結合しているものが好
ましく用いられる。

【００４５】さらにエチレン系化合物の中では、置換基
としてシアノ基を有する化合物が好ましく、ビニリデン
シアニド、α−クロロアクリロニトリル、シアノアクリ
レート系化合物およびそれらの誘導体が例示される。ま
た同様の理由から、アセチレン系化合物の中ではシアノ
基、アミド基、オキシカルボニル基を有する化合物が好
ましく用いられ、シアノアセチレン、プロピオール酸ア
ルキル、テトロール酸アルキル、Ｎ，Ｎ−ジアルキルプ
ロピオール酸アミド、ニトロアセチレンおよびそれらの
誘導体が例示される。

【００４６】触媒としては、上記モノマを重合し得るも
のであれば任意であるが、本方法での材料の気化性の面
および基材の（半導体特性への）悪影響回避の面から、
非金属化合物が好ましく用いられ、例えば窒素含有有機
化合物、エーテル系化合物、チオエーテル系化合物、リ
ン化合物、水などが挙げられ、なかでも、気化性および
重合（成膜）の効率の面から窒素含有有機化合物が好ま
しく用いられる。なかでもトリメチルアミン、トリエチ
ルアミン、トリブチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ
ピリジンなどの三級アミノ化合物が好ましく用いられ
る。

【００４７】さらに上記の組み合わせの中で、得られる
膜の光吸収性（反射防止性）の面から、モノマとしては
シアノアセチレン、触媒としては窒素含有有機化合物、
特に３級アミン化合物が好ましく用いられる。

【００４８】

【発明の効果】以上のように、この薄膜形成装置及び薄
膜形成方法では、反応容器の内容積を変化させる内容積
可変手段を設け、被塗膜基板を反応容器内にセットする
際に反応容器の内容積を大きくし、原料ガスを供給して
薄膜を形成する際には反応容器の内容積を小さくするよ
うにしたため、原料ガス等の供給量が少なくてすみ、装
置全体の小型化が可能になるとともに製造コストの低減
を図ることができる。

【００４９】また、薄膜形成時の反応容器の内容積が必
要以上に大きくないので、原料ガスの供給時に反応容器
内のガス濃度分布が大きくなって形成される膜厚にバラ
ツキが生じたり、原料ガス供給時の断熱膨張によって余
剰ガスがミスト化して形成された薄膜上に付着したりす
ることがなく、製品の品質向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る一実施例を示す概略図である。

【図２】同上の反応容器を示す概略図である。

【符号の説明】

１ 被塗膜形成装置 １０ 反応容器 １１ 反応容器本体 １２ 底部 １３ 胴部 １３ａ 開口 １３ｂ 段部 １３ｃ 扉 １４ 頭部 １５ 開閉シリンダー １７ 載置台 １８ 内容積変更ブロック １９ 収容凹部 ２２ 昇降シリンダ １６ 原料ガス供給ノズル ３０ 排気手段 ４０ 不活性ガス供給手段 ５０ 原料ガス供給手段 ６０ 基板温度制御手段 ７０ 反応容器温度制御手段 ８０ 酸素ガス供給手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/31

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 反応容器内に被塗膜基板を収容するとと
   もに原料ガスを供給し、この反応容器内で前記被塗膜基
   板に薄膜を形成するようにした薄膜形成装置において、 前記反応容器の内容積を変化させる内容積可変手段を設
   けた薄膜形成装置。
2. 【請求項２】 （ａ）被塗膜基板の載置台を有する反応
   容器と、 （ｂ）前記反応容器内部の気体を排出して所定の真空度
   にする排気手段と、 （ｃ）前記反応容器内部に不活性ガスを供給する不活性
   ガス供給手段と、 （ｄ）前記反応容器内部に複数の原料ガスを供給する原
   料ガス供給手段と、 （ｅ）前記排気手段によって反応容器内部の気体を排出
   して所定の真空度に調整した後、前記原料ガス供給手段
   によって前記複数の原料ガスを順次あるいは同時に反応
   容器内に供給し、最後に前記不活性ガス供給手段によっ
   て反応容器内に不活性ガスを供給するように前記排気手
   段、原料ガス供給手段及び不活性ガス供給手段をそれぞ
   れ制御する制御手段とを備えている薄膜形成装置であっ
   て、 前記反応容器の内容積を変化させる内容積可変手段を設
   けたことを特徴とする薄膜形成装置。
3. 【請求項３】 前記内容積可変手段を、前記反応容器内
   で昇降自在で、かつ、降下した状態で前記反応容器内に
   収容された被塗膜基板を覆う収容凹部を備えた内容積変
   更ブロックと、この内容積変更ブロックを昇降させる昇
   降手段とによって構成した請求項１又は２に記載の薄膜
   形成装置。
4. 【請求項４】 請求項１記載の薄膜形成装置を用いた薄
   膜形成方法であって、 （１）前記内容積可変手段に
   よって前記反応容器の内容積を大きくする工程と、 （２）内容積が大きくなった前記反応容器内に被塗膜基
   板をセットする工程と、 （３）前記内容積可変手段によって反応容器の内容積を
   小さくする工程と、 （４）内容積が小さくなった反応容器内に原料ガスを供
   給する工程とを備えた薄膜形成方法。
5. 【請求項５】 請求項２に記載された薄膜形成装置を用
   いた薄膜形成方法であって、 （１）前記内容積可変手段によって前記反応容器の内容
   積を大きくする工程と、 （２）内容積が大きくなった反応容器内部の前記載置台
   に被塗膜基板をセットする工程と、 （３）前記内容積可変手段によって前記反応容器の内容
   積を小さくする工程と、 （４）前記排気手段によって反応容器内部の気体を排出
   して、反応容器内部を１Ｔｏｒｒ以下の真空度に減圧す
   る工程と、 （５）前記原料ガス供給手段によって反応容器内に複数
   の原料ガスを供給する工程と、 （６）前記被塗膜基板上に所定厚さの薄膜を形成する工
   程と、 （７）前記不活性ガス供給手段によって反応容器内に不
   活性ガスを供給する工程と、 （８）前記内容積可変手段によって前記反応容器の内容
   積を大きくする工程と、 （９）内容積が大きくなった前記反応容器から薄膜が形
   成された前記被塗膜基板を取り出す工程とを備えた薄膜
   形成方法。