JPH07201813A - 半導体装置の製造方法およびその製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法およびその製造装置Info
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- JPH07201813A JPH07201813A JP5334014A JP33401493A JPH07201813A JP H07201813 A JPH07201813 A JP H07201813A JP 5334014 A JP5334014 A JP 5334014A JP 33401493 A JP33401493 A JP 33401493A JP H07201813 A JPH07201813 A JP H07201813A
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、半導体装置の製造プロセスにおけ
る、酸素プラズマを用いたダウンフロー式レジストアッ
シングの方法及び装置に関し、アッシングレートが経時
的に変化せず、且つ従来より高いアッシングレートを得
ることができる方法および装置を実現することを目的と
する。 【構成】酸素プラズマを使用するダウンフロー式レジス
トアッシングを行う際に、プラズマ発生室５内ではな
く、ダウンフロー室１１内であって電子温度が４eV以上
である領域に、CF4 等のフッ素系ガスを導入し、更に、
マイクロ波透過窓４に石英製のものを使用する構成とす
る。
る、酸素プラズマを用いたダウンフロー式レジストアッ
シングの方法及び装置に関し、アッシングレートが経時
的に変化せず、且つ従来より高いアッシングレートを得
ることができる方法および装置を実現することを目的と
する。 【構成】酸素プラズマを使用するダウンフロー式レジス
トアッシングを行う際に、プラズマ発生室５内ではな
く、ダウンフロー室１１内であって電子温度が４eV以上
である領域に、CF4 等のフッ素系ガスを導入し、更に、
マイクロ波透過窓４に石英製のものを使用する構成とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造プロ
セスにおけるレジストの剥離方法および剥離装置に関す
る。
セスにおけるレジストの剥離方法および剥離装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来技術による、酸素プラズマ
を用いるダウンフロー式レジストアッシング装置を示し
ている。マグネトロン１で発生したマイクロ波２が、導
波管３を伝わり、マイクロ波透過窓４Ａを透過してプラ
ズマ発生室５に導かれる。プラズマ発生室５には、O
2（酸素）ガス導入口６からO2ガスが導入されており、
ここで酸素プラズマ８が発生する。ここで解離した酸素
原子９は、シャワーヘッド１０を通ってダウンフロー室
１１へ流れ、試料台１２の上に載せられた半導体ウエハ
ー１３に到達する。一方、プラズマ８自体はシャワーヘ
ッド１０に遮られるので、半導体ウエハー１３に到達す
ることはない。従って、半導体ウエハー１３に悪影響を
及ぼす活性種は半導体ウエハー１３に到達せず、活性化
された酸素原子９のみによって、主に化学的反応によっ
てレジストがアッシングされる。
を用いるダウンフロー式レジストアッシング装置を示し
ている。マグネトロン１で発生したマイクロ波２が、導
波管３を伝わり、マイクロ波透過窓４Ａを透過してプラ
ズマ発生室５に導かれる。プラズマ発生室５には、O
2（酸素）ガス導入口６からO2ガスが導入されており、
ここで酸素プラズマ８が発生する。ここで解離した酸素
原子９は、シャワーヘッド１０を通ってダウンフロー室
１１へ流れ、試料台１２の上に載せられた半導体ウエハ
ー１３に到達する。一方、プラズマ８自体はシャワーヘ
ッド１０に遮られるので、半導体ウエハー１３に到達す
ることはない。従って、半導体ウエハー１３に悪影響を
及ぼす活性種は半導体ウエハー１３に到達せず、活性化
された酸素原子９のみによって、主に化学的反応によっ
てレジストがアッシングされる。
【０００３】なお、チャンバー１４内は、排気口１５か
ら真空排気されている。従来、酸素プラズマを用いるレ
ジストアッシングでは、速いアッシングレートを得るた
め、プラズマ発生室５内に CF4（四弗化炭素）又はC2F6
（六弗化エタン）等のカーボンを含むフッ素系ガス、ま
たは NF3（三弗化窒素）等のカーボンを含まないフッ素
系ガスを添加している。アッシングレートが速くなる理
由は、酸素プラズマ中に CF4等を添加するとO2分子の解
離率が増加すること、及び CF4等自身も解離してアッシ
ング種であるフッ素原子１６を生成することによる。
ら真空排気されている。従来、酸素プラズマを用いるレ
ジストアッシングでは、速いアッシングレートを得るた
め、プラズマ発生室５内に CF4（四弗化炭素）又はC2F6
（六弗化エタン）等のカーボンを含むフッ素系ガス、ま
たは NF3（三弗化窒素）等のカーボンを含まないフッ素
系ガスを添加している。アッシングレートが速くなる理
由は、酸素プラズマ中に CF4等を添加するとO2分子の解
離率が増加すること、及び CF4等自身も解離してアッシ
ング種であるフッ素原子１６を生成することによる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、O2と CF4等
のカーボンを含むフッ素系ガスとが混合したガスをマイ
クロ波又は高周波でプラズマ化すると、アッシング種の
ほかに、CF4 等の解離によってカーボン系のデポ成分が
大量に生成する。これは、プラズマ発生室５内に堆積し
やすく、このデポ成分が大量に堆積すると、アッシング
種の生成を不安定にし、その結果アッシングレートまで
不安定にしてしまうという問題があった。
のカーボンを含むフッ素系ガスとが混合したガスをマイ
クロ波又は高周波でプラズマ化すると、アッシング種の
ほかに、CF4 等の解離によってカーボン系のデポ成分が
大量に生成する。これは、プラズマ発生室５内に堆積し
やすく、このデポ成分が大量に堆積すると、アッシング
種の生成を不安定にし、その結果アッシングレートまで
不安定にしてしまうという問題があった。
【０００５】例えば、従来は、O2ガス導入口６からO2＋
CF4 混合ガスを流し、下記の条件でアッシング処理を行
っている。 圧力（ダウンフロー室）：１．０Ｔｏｒｒ O2ガス流量：９００ｓｃｃｍ CF4 ガス流量：１００ｓｃｃｍ ステージ温度：２５℃ マイクロ波出力：１．５ｋＷ この場合、当初１．４μｍ／ｍｉｎあったアッシングレ
ートが、ウエハー１３を１００００枚処理した頃から低
下しはじめ、２５０００枚目には０．７μｍ／ｍｉｎま
で低下してしまう。
CF4 混合ガスを流し、下記の条件でアッシング処理を行
っている。 圧力（ダウンフロー室）：１．０Ｔｏｒｒ O2ガス流量：９００ｓｃｃｍ CF4 ガス流量：１００ｓｃｃｍ ステージ温度：２５℃ マイクロ波出力：１．５ｋＷ この場合、当初１．４μｍ／ｍｉｎあったアッシングレ
ートが、ウエハー１３を１００００枚処理した頃から低
下しはじめ、２５０００枚目には０．７μｍ／ｍｉｎま
で低下してしまう。
【０００６】これを初期の状態に回復させるには、アッ
シング装置の内部を開いて、プラズマ発生室５内に堆積
したカーボンを取り除く作業、またはプラズマ発生室５
の部品を交換する作業が必要となり、これに半日程度の
時間が必要となる。そこで、本発明は、プラズマ発生室
５にカーボン系のデポ成分が生成せず、安定したアッシ
ングレートを得ることができるレジストの剥離方法を実
現することを第１の目的とする。
シング装置の内部を開いて、プラズマ発生室５内に堆積
したカーボンを取り除く作業、またはプラズマ発生室５
の部品を交換する作業が必要となり、これに半日程度の
時間が必要となる。そこで、本発明は、プラズマ発生室
５にカーボン系のデポ成分が生成せず、安定したアッシ
ングレートを得ることができるレジストの剥離方法を実
現することを第１の目的とする。
【０００７】更に、従来は、マイクロ波透過窓４Ａに、
マイクロ波の透過率の高い石英製のものを使うことがで
きないという問題点があった。プラズマ発生室５内でCF
4 等が解離して生じたフッ素原子が、石英を侵食してし
まうからである。従って、従来は、マイクロ波の透過率
が低いアルミナ製の透過窓４Ａを使わざるを得ず、ここ
で出力の損失が生じ、十分なアッシングレートを得るこ
とができなかった。
マイクロ波の透過率の高い石英製のものを使うことがで
きないという問題点があった。プラズマ発生室５内でCF
4 等が解離して生じたフッ素原子が、石英を侵食してし
まうからである。従って、従来は、マイクロ波の透過率
が低いアルミナ製の透過窓４Ａを使わざるを得ず、ここ
で出力の損失が生じ、十分なアッシングレートを得るこ
とができなかった。
【０００８】そこで、本発明は、石英製のマイクロ波透
過窓を使用できるようにして、十分なアッシングレート
を得ることを第２の目的とする。
過窓を使用できるようにして、十分なアッシングレート
を得ることを第２の目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明では、プラズマ発
生室５には、フッ素系ガスを添加しない。ダウンフロー
室１１内のアッシング種のダウンフロー領域に、フッ素
系ガスを添加する。これにより、プラズマ発生室５内に
カーボン系のデポ成分が付着しないので、アッシングレ
ートの経時的な低下は起こらない。更に、プラズマ発生
室５内にフッ素原子が存在しないため、石英製のプラズ
マ透過窓４を使用でき、十分なアッシングレートを得る
ことができる。
生室５には、フッ素系ガスを添加しない。ダウンフロー
室１１内のアッシング種のダウンフロー領域に、フッ素
系ガスを添加する。これにより、プラズマ発生室５内に
カーボン系のデポ成分が付着しないので、アッシングレ
ートの経時的な低下は起こらない。更に、プラズマ発生
室５内にフッ素原子が存在しないため、石英製のプラズ
マ透過窓４を使用でき、十分なアッシングレートを得る
ことができる。
【００１０】そもそもダウンフロー式レジストアッシン
グとは、プラズマ発生領域５から積極的に被処理物１３
を離して配置することにより、電子等の荷電粒子による
物理的ダメージを該被処理物１３に与えることなく、主
に化学的反応によってアッシングする方式である。従っ
て、一般に、プラズマから遠く離れたダウンフロー領域
には、プラズマから漏れ出した電子等の荷電粒子は存在
しないといわれている。実際、この領域にフッ素系ガス
を添加しても解離しない。
グとは、プラズマ発生領域５から積極的に被処理物１３
を離して配置することにより、電子等の荷電粒子による
物理的ダメージを該被処理物１３に与えることなく、主
に化学的反応によってアッシングする方式である。従っ
て、一般に、プラズマから遠く離れたダウンフロー領域
には、プラズマから漏れ出した電子等の荷電粒子は存在
しないといわれている。実際、この領域にフッ素系ガス
を添加しても解離しない。
【００１１】しかし、気圧が低い場合、プラズマ近傍の
ダウンフロー領域には荷電粒子が漏れ出していることが
知られている。我々は、この領域で、フッ素系ガスが解
離することを見出した。本発明は、この現象を利用し、
プラズマ近傍のダウンフロー領域にフッ素系ガスを添加
することを特徴とする。
ダウンフロー領域には荷電粒子が漏れ出していることが
知られている。我々は、この領域で、フッ素系ガスが解
離することを見出した。本発明は、この現象を利用し、
プラズマ近傍のダウンフロー領域にフッ素系ガスを添加
することを特徴とする。
【００１２】
【作用】プラズマ発生室５で生成された電子等の荷電粒
子は、そのエネルギー及び密度を減衰しながら、シャワ
ーヘッド１０を通ってダウンフロー室１１へ漏れ出して
くる。漏れ出した電子の電子温度分布の実測データを図
３に示す。シャワーヘッド１０からの距離が離れるにし
たがい、電子温度は急激に減衰している。
子は、そのエネルギー及び密度を減衰しながら、シャワ
ーヘッド１０を通ってダウンフロー室１１へ漏れ出して
くる。漏れ出した電子の電子温度分布の実測データを図
３に示す。シャワーヘッド１０からの距離が離れるにし
たがい、電子温度は急激に減衰している。
【００１３】この分布における電子温度が比較的高い領
域にフッ素系ガスを導入すると、解離してフッ素原子１
６が生成され、アッシングレートの向上に寄与する。な
お、この場合においては、プラズマ発生室５の酸素プラ
ズマ８中にフッ素系ガスを導入した場合のような酸素原
子の解離率を増加させる効果は無く、何ら対策を施さな
ければ、アッシングレートは従来例より２割程度低くな
ってしまう。しかし、マイクロ波透過窓４の材質にマイ
クロ波の透過率が高い石英を使うことができるため、結
果的に、アッシングレートは従来より向上する。
域にフッ素系ガスを導入すると、解離してフッ素原子１
６が生成され、アッシングレートの向上に寄与する。な
お、この場合においては、プラズマ発生室５の酸素プラ
ズマ８中にフッ素系ガスを導入した場合のような酸素原
子の解離率を増加させる効果は無く、何ら対策を施さな
ければ、アッシングレートは従来例より２割程度低くな
ってしまう。しかし、マイクロ波透過窓４の材質にマイ
クロ波の透過率が高い石英を使うことができるため、結
果的に、アッシングレートは従来より向上する。
【００１４】
【実施例】図１は、本発明の一実施例を表すダウンフロ
ー式レジストアッシング装置である。従来例に対して、
フッ素系ガス導入口７を新設し、マイクロ波透過窓４の
材質を石英に変更した構造となっている。O2ガス導入口
６からは、O2ガスのみを流し、フッ素系ガスは導入しな
い。フッ素系ガスは、フッ素系ガス導入口７のみから導
入する。
ー式レジストアッシング装置である。従来例に対して、
フッ素系ガス導入口７を新設し、マイクロ波透過窓４の
材質を石英に変更した構造となっている。O2ガス導入口
６からは、O2ガスのみを流し、フッ素系ガスは導入しな
い。フッ素系ガスは、フッ素系ガス導入口７のみから導
入する。
【００１５】フッ素系ガス導入口７は、シャワーヘッド
１０の下方１０ｍｍの位置に設けられている。図３よ
り、ダウンフロー室１１内のこの位置における、プラズ
マ発生室から漏れ出した電子の電子温度は４ｅＶであ
る。また、半導体ウエハー１３は、シャワーヘッド１０
の下方６０ｍｍの位置に設置されている。フッ素系ガス
導入口７からフッ素系ガスをこの領域に導入すると、フ
ッ素系ガスが解離してフッ素原子１６が生成され、これ
がウエハー１３に到達してアッシングレートの向上に寄
与する。つまり、従来はプラズマ発生室５内で生成され
ていたフッ素原子が、本実施例ではダウンフロー室１１
内で生成されることになる。
１０の下方１０ｍｍの位置に設けられている。図３よ
り、ダウンフロー室１１内のこの位置における、プラズ
マ発生室から漏れ出した電子の電子温度は４ｅＶであ
る。また、半導体ウエハー１３は、シャワーヘッド１０
の下方６０ｍｍの位置に設置されている。フッ素系ガス
導入口７からフッ素系ガスをこの領域に導入すると、フ
ッ素系ガスが解離してフッ素原子１６が生成され、これ
がウエハー１３に到達してアッシングレートの向上に寄
与する。つまり、従来はプラズマ発生室５内で生成され
ていたフッ素原子が、本実施例ではダウンフロー室１１
内で生成されることになる。
【００１６】先ず、下記のように従来例と同一の条件を
設定し、アッシング処理を行う。同一条件といっても、
マイクロ波透過窓４が石英製に変更され、O2ガス導入口
６にはO2ガスのみを流し、 CF4ガスはフッ素系ガス導入
口７から導入している点は、従来例と異なっている。 圧力（ダウンフロー室）：１．０Ｔｏｒｒ O2ガス流量：９００ｓｃｃｍ CF4 ガス流量：１００ｓｃｃｍ ステージ温度：２５℃ マイクロ波出力：１．５ｋＷ この場合、１．５μｍ／ｍｉｎのアッシングレートが得
られ、半導体ウエハー１３を２５０００枚処理した後
も、アッシングレートは１．５μｍ／ｍｉｎのまま変動
しなかった。
設定し、アッシング処理を行う。同一条件といっても、
マイクロ波透過窓４が石英製に変更され、O2ガス導入口
６にはO2ガスのみを流し、 CF4ガスはフッ素系ガス導入
口７から導入している点は、従来例と異なっている。 圧力（ダウンフロー室）：１．０Ｔｏｒｒ O2ガス流量：９００ｓｃｃｍ CF4 ガス流量：１００ｓｃｃｍ ステージ温度：２５℃ マイクロ波出力：１．５ｋＷ この場合、１．５μｍ／ｍｉｎのアッシングレートが得
られ、半導体ウエハー１３を２５０００枚処理した後
も、アッシングレートは１．５μｍ／ｍｉｎのまま変動
しなかった。
【００１７】アッシングレートが経時的に低下しないの
は、プラズマ発生室５に CF4を導入していないため、カ
ーボン系のデポ成分がプラズマ発生室５内に付着せず、
従って、プラズマ状態が安定しているためである。アッ
シングレートが従来例よりも向上しているのは、マイク
ロ波透過窓４が、マイクロ波の透過率の高い石英製のも
のに変更されていることによる。従来例においては、プ
ラズマ発生室５に導入された CF4が解離して生じるフッ
素原子が石英を侵食してしまうため、石英製のものは使
えなかった。本実施例では、 CF4をプラズマ発生室５内
に導入しておらず、プラズマ発生室５内にフッ素原子が
存在しないため、石英製のものが使用できる。
は、プラズマ発生室５に CF4を導入していないため、カ
ーボン系のデポ成分がプラズマ発生室５内に付着せず、
従って、プラズマ状態が安定しているためである。アッ
シングレートが従来例よりも向上しているのは、マイク
ロ波透過窓４が、マイクロ波の透過率の高い石英製のも
のに変更されていることによる。従来例においては、プ
ラズマ発生室５に導入された CF4が解離して生じるフッ
素原子が石英を侵食してしまうため、石英製のものは使
えなかった。本実施例では、 CF4をプラズマ発生室５内
に導入しておらず、プラズマ発生室５内にフッ素原子が
存在しないため、石英製のものが使用できる。
【００１８】なお、本実施例においては、プラズマ発生
室５に CF4を導入していないので、従来例のような CF4
によってO2分子の解離率を増加させる効果はない。この
ような不利益にもかかわらず、アッシングレートが従来
よりも向上するのは、上述の石英製のマイクロ波透過窓
４の効果が、かかる不利益を相殺して余りあるものだか
らである。
室５に CF4を導入していないので、従来例のような CF4
によってO2分子の解離率を増加させる効果はない。この
ような不利益にもかかわらず、アッシングレートが従来
よりも向上するのは、上述の石英製のマイクロ波透過窓
４の効果が、かかる不利益を相殺して余りあるものだか
らである。
【００１９】次に、カーボンを含むフッ素系ガスとして
C2F6を使用し、以下の条件でアッシング処理を行った。 圧力（ダウンフロー室）：１．０Ｔｏｒｒ O2ガス流量：９００ｓｃｃｍ C2F6ガス流量：１００ｓｃｃｍ ステージ温度：２５℃ マイクロ波出力：１．５ｋＷ この場合、１．４μｍ／ｍｉｎのアッシングレートが得
られ、半導体ウエハー１３を２５０００枚処理した後
も、アッシングレートは１．４μｍ／ｍｉｎのまま変動
しなかった。
C2F6を使用し、以下の条件でアッシング処理を行った。 圧力（ダウンフロー室）：１．０Ｔｏｒｒ O2ガス流量：９００ｓｃｃｍ C2F6ガス流量：１００ｓｃｃｍ ステージ温度：２５℃ マイクロ波出力：１．５ｋＷ この場合、１．４μｍ／ｍｉｎのアッシングレートが得
られ、半導体ウエハー１３を２５０００枚処理した後
も、アッシングレートは１．４μｍ／ｍｉｎのまま変動
しなかった。
【００２０】次に、カーボンを含まないフッ素系ガス N
F3を使用し、以下の条件でアッシング処理を行った。 圧力（ダウンフロー室）：１．０Ｔｏｒｒ O2ガス流量：９００ｓｃｃｍ NF3 ガス流量：１００ｓｃｃｍ ステージ温度：２５℃ マイクロ波出力：１．５ｋＷ この場合、２．０μｍ／ｍｉｎのアッシングレートが得
られた。
F3を使用し、以下の条件でアッシング処理を行った。 圧力（ダウンフロー室）：１．０Ｔｏｒｒ O2ガス流量：９００ｓｃｃｍ NF3 ガス流量：１００ｓｃｃｍ ステージ温度：２５℃ マイクロ波出力：１．５ｋＷ この場合、２．０μｍ／ｍｉｎのアッシングレートが得
られた。
【００２１】これに対し、従来の方法でプラズマ発生室
５に NF3を導入する方法では、アッシングレートは１．
８μｍ／ｍｉｎであった。本実施例においても、プラズ
マ発生室５に NF3を導入していないので、従来例のよう
な NF3によってO2分子の解離率を増加させる効果はな
い。このような不利益にもかかわらず、アッシングレー
トが従来よりも向上するのは、石英製のマイクロ波透過
窓４を使用する効果が、かかる不利益を相殺して余りあ
るものだからである。
５に NF3を導入する方法では、アッシングレートは１．
８μｍ／ｍｉｎであった。本実施例においても、プラズ
マ発生室５に NF3を導入していないので、従来例のよう
な NF3によってO2分子の解離率を増加させる効果はな
い。このような不利益にもかかわらず、アッシングレー
トが従来よりも向上するのは、石英製のマイクロ波透過
窓４を使用する効果が、かかる不利益を相殺して余りあ
るものだからである。
【００２２】ところで、以上の実施例においては、フッ
素系ガス導入口７が、シャワーヘッド１０の下方１０ｍ
ｍの位置に設けられており、従って、フッ素系ガスは、
ダウンフロー室１１内の、シャワーヘッド１０の下方１
０ｍｍの領域に導入されている。図３より、この領域に
おける、プラズマ発生室から漏れ出した電子の電子温度
は４ｅＶである。
素系ガス導入口７が、シャワーヘッド１０の下方１０ｍ
ｍの位置に設けられており、従って、フッ素系ガスは、
ダウンフロー室１１内の、シャワーヘッド１０の下方１
０ｍｍの領域に導入されている。図３より、この領域に
おける、プラズマ発生室から漏れ出した電子の電子温度
は４ｅＶである。
【００２３】図３に示されるように、電子温度はシャワ
ーヘッド１０からの距離が離れるに従って急激に減衰す
るため、フッ素系ガスを解離することができる領域を見
極めておくことが必要である。そこで、我々は、フッ素
系ガス導入口７をシャワーヘッド１０の下方２０ｍｍの
位置に設置し、ダウンフロー室１１内の、シャワーヘッ
ド１０の下方２０ｍｍの領域に、フッ素系ガスを導入す
るという比較実験を行った。他の条件は、下記の通り、
上述の実施例で最初に示したものに合わせた。
ーヘッド１０からの距離が離れるに従って急激に減衰す
るため、フッ素系ガスを解離することができる領域を見
極めておくことが必要である。そこで、我々は、フッ素
系ガス導入口７をシャワーヘッド１０の下方２０ｍｍの
位置に設置し、ダウンフロー室１１内の、シャワーヘッ
ド１０の下方２０ｍｍの領域に、フッ素系ガスを導入す
るという比較実験を行った。他の条件は、下記の通り、
上述の実施例で最初に示したものに合わせた。
【００２４】圧力（ダウンフロー室）：１．０Ｔｏｒｒ O2流量：９００ｓｃｃｍ CF4 流量：１００ｓｃｃｍ ステージ温度：２５℃ マイクロ波出力：１．５ｋＷ この結果は、０．１μｍ／ｍｉｎのアッシングレートし
か得られなかった。
か得られなかった。
【００２５】次に、他の条件は変更せずに、CF4 ガスを
ストップしてアッシング処理を行ったところ、アッシン
グレートは、０．１μｍ／ｍｉｎであった。この比較実
験より、シャワーヘッド１０の下方２０ｍｍ、即ち、電
子温度が３ｅＶの領域にフッ素系ガスを導入しても、導
入しない場合と同じアッシングレートしか得られないこ
とが判った。即ち、この領域においては、フッ素系ガス
は解離しないのである。
ストップしてアッシング処理を行ったところ、アッシン
グレートは、０．１μｍ／ｍｉｎであった。この比較実
験より、シャワーヘッド１０の下方２０ｍｍ、即ち、電
子温度が３ｅＶの領域にフッ素系ガスを導入しても、導
入しない場合と同じアッシングレートしか得られないこ
とが判った。即ち、この領域においては、フッ素系ガス
は解離しないのである。
【００２６】以上、この欄で述べた実施例および比較実
験から、従来以上のアッシングレートが得られ、かつそ
のレートが経時的に低下しないという本発明の効果を十
分に奏させるためには、フッ素系ガスを導入する領域の
電子温度が４ｅＶ以上あれば十分であり、３ｅＶでは足
りないと言える。
験から、従来以上のアッシングレートが得られ、かつそ
のレートが経時的に低下しないという本発明の効果を十
分に奏させるためには、フッ素系ガスを導入する領域の
電子温度が４ｅＶ以上あれば十分であり、３ｅＶでは足
りないと言える。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
プラズマ発生室５に CF4等のカーボンを含むフッ素系ガ
スを導入しないため、プラズマ発生室５にカーボン系の
デポ成分が堆積せず、アッシングレートの経時的な低下
が起こらない。更に、本発明によれば、プラズマ発生室
５にフッ素系ガスを導入しないため、石英製のマイクロ
波透過窓４を使用でき、アッシングレートを従来よりも
向上させることができる。
プラズマ発生室５に CF4等のカーボンを含むフッ素系ガ
スを導入しないため、プラズマ発生室５にカーボン系の
デポ成分が堆積せず、アッシングレートの経時的な低下
が起こらない。更に、本発明によれば、プラズマ発生室
５にフッ素系ガスを導入しないため、石英製のマイクロ
波透過窓４を使用でき、アッシングレートを従来よりも
向上させることができる。
【００２８】従って、集積回路等の半導体装置が完成す
るまでに幾度となく行われるアッシング処理工程のスル
ープットおよび設備稼働率を向上させ、半導体装置のコ
ストダウンに寄与するところが大きい。
るまでに幾度となく行われるアッシング処理工程のスル
ープットおよび設備稼働率を向上させ、半導体装置のコ
ストダウンに寄与するところが大きい。
【図１】本発明の実施例のダウンフロー式アッシング装
置の切断側面図である。
置の切断側面図である。
【図２】従来のダウンフロー式アッシング装置の切断側
面図である。
面図である。
【図３】ダウンフロー式アッシング装置内における電子
温度の分布を示す線図である。
温度の分布を示す線図である。
１ マグネトロン ２ マイクロ波 ３ 導波管 ４Ａ マイクロ波透過窓（アルミナ製） ４ マイクロ波透過窓（石英製） ５ プラズマ発生室 ６ O2ガス導入口 ７ フッ素系ガス導入口 ８ 酸素プラズマ ９ 酸素原子 １０ シャワーヘッド １１ ダウンフロー室 １２ 試料台 １３ 半導体ウエハー １４ チャンバー １５ 排気口 １６ フッ素原子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０５Ｈ 1/46 Ａ 9014−2Ｇ Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｆ
Claims (7)
- 【請求項１】 酸素プラズマを使用するダウンフロー式
レジストアッシングを行う際に、ダウンフロー室(11)内
であって、フッ素系ガスを解離するに十分なエネルギー
を有する荷電粒子が存在する領域に、フッ素系ガスを導
入することを特徴とする、半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 フッ素系ガスを導入する領域の電子温度
が４eV以上であることを特徴とする、請求項１の製造方
法。 - 【請求項３】 フッ素系ガスが、CF4, C2F6, NF3のうち
のいずれかであることを特徴とする、請求項１の製造方
法。 - 【請求項４】 石英よりなるマイクロ波透過窓(4) を使
用することを特徴とする、請求項１の製造方法。 - 【請求項５】 酸素プラズマを使用するダウンフロー式
レジストアッシング装置のダウンフロー室(11)内であっ
て、フッ素系ガスを解離するに十分なエネルギーを有す
る荷電粒子が存在する領域に、フッ素系ガスを導入する
ように、フッ素系ガス導入口(7) が設けられていること
を特徴とする、半導体装置の製造装置。 - 【請求項６】 電子温度が４eV以上の領域にフッ素系ガ
スを導入するように、導入口(7) が設けられていること
を特徴とする、請求項５の製造装置。 - 【請求項７】 マイクロ波透過窓(4) の材質が石英であ
ることを特徴とする、請求項５の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5334014A JPH07201813A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5334014A JPH07201813A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201813A true JPH07201813A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18272537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5334014A Pending JPH07201813A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07201813A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002083802A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Yac Co Ltd | エッチング装置やアッシング装置といったようなドライプロセッシング装置 |
| US8662010B2 (en) | 2002-06-19 | 2014-03-04 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Plasma processing apparatus, plasma processing method, plasma film deposition apparatus, and plasma film deposition method |
| US9726940B2 (en) | 2013-12-26 | 2017-08-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate manufacturing method, display apparatus manufacturing method, and display apparatus |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP5334014A patent/JPH07201813A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002083802A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Yac Co Ltd | エッチング装置やアッシング装置といったようなドライプロセッシング装置 |
| US8662010B2 (en) | 2002-06-19 | 2014-03-04 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Plasma processing apparatus, plasma processing method, plasma film deposition apparatus, and plasma film deposition method |
| US9726940B2 (en) | 2013-12-26 | 2017-08-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate manufacturing method, display apparatus manufacturing method, and display apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030520 |