JPH07201838A - 半導体ウェーハ外周の液塗布方法とその装置 - Google Patents
半導体ウェーハ外周の液塗布方法とその装置Info
- Publication number
- JPH07201838A JPH07201838A JP33405093A JP33405093A JPH07201838A JP H07201838 A JPH07201838 A JP H07201838A JP 33405093 A JP33405093 A JP 33405093A JP 33405093 A JP33405093 A JP 33405093A JP H07201838 A JPH07201838 A JP H07201838A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- insulating liquid
- liquid
- outer peripheral
- peripheral edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】絶縁性液を短時間で気泡の発生がなく均一に塗
布できる半導体ウェーハ外周の液塗布方法とその装置を
得る。 【構成】半導体ウェーハ１の外周縁部１ａに絶縁性液４
を塗布する工程において、転写ローラー３の外周全周に
Ｕ字型溝部３ａを形成し、そのＵ字型溝部３ａに高粘度
の絶縁性液４を充填し、その絶縁性液４中に半導体ウェ
ーハ１の外周縁部１ａを浸漬し、半導体ウェーハ１の外
周縁部１ａに絶縁性液４を転写後、温風ノズル５より温
風５ａを吹きつけ絶縁性液４を仮硬化させる。なお前記
温風５ａは不活性ガスであることとする。
布できる半導体ウェーハ外周の液塗布方法とその装置を
得る。 【構成】半導体ウェーハ１の外周縁部１ａに絶縁性液４
を塗布する工程において、転写ローラー３の外周全周に
Ｕ字型溝部３ａを形成し、そのＵ字型溝部３ａに高粘度
の絶縁性液４を充填し、その絶縁性液４中に半導体ウェ
ーハ１の外周縁部１ａを浸漬し、半導体ウェーハ１の外
周縁部１ａに絶縁性液４を転写後、温風ノズル５より温
風５ａを吹きつけ絶縁性液４を仮硬化させる。なお前記
温風５ａは不活性ガスであることとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体ウェーハの外周
縁部に絶縁性液を塗布する工程に係わり、特に半導体ウ
ェーハ外周の液塗布方法とその装置に関する。
縁部に絶縁性液を塗布する工程に係わり、特に半導体ウ
ェーハ外周の液塗布方法とその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この半導体ウェーハはＰＮ接合を形成し
た大電力用半導体装置に用いられるものであり、縁面距
離を確保するために半導体ウェーハの外周縁部をベベル
形成し、この外周縁部に絶縁性液（ポリイミド液）を塗
布乾燥し保護膜を設けている。この半導体ウェーハの直
径は７５〜９０ｍｍ、厚さは８００μｍのものであり、
この直径方向を垂直にし２〜５回転させ、上部より外周
縁部に絶縁性液をディスペンサーにより極少量づつ滴下
して塗布している。
た大電力用半導体装置に用いられるものであり、縁面距
離を確保するために半導体ウェーハの外周縁部をベベル
形成し、この外周縁部に絶縁性液（ポリイミド液）を塗
布乾燥し保護膜を設けている。この半導体ウェーハの直
径は７５〜９０ｍｍ、厚さは８００μｍのものであり、
この直径方向を垂直にし２〜５回転させ、上部より外周
縁部に絶縁性液をディスペンサーにより極少量づつ滴下
して塗布している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述の方法によれば、
半導体ウェーハの外周縁部がベベル加工されているため
ディスペンサーの塗布位置の微妙なズレにより、絶縁性
液流れのバラツキを生じるため液の広がりにムラが発生
しやすく、気泡の発生も多く耐圧不良が多発している。
さらに半導体ウェーハを２〜５回転させ液を少量づつ滴
下しているため塗布時間が長いという問題もある。
半導体ウェーハの外周縁部がベベル加工されているため
ディスペンサーの塗布位置の微妙なズレにより、絶縁性
液流れのバラツキを生じるため液の広がりにムラが発生
しやすく、気泡の発生も多く耐圧不良が多発している。
さらに半導体ウェーハを２〜５回転させ液を少量づつ滴
下しているため塗布時間が長いという問題もある。
【０００４】この発明は前記の問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的は絶縁性液を短時間で気泡の発生
がなく均一に塗布できる半導体ウェーハ外周の液塗布方
法とその装置を提供することにある。
ものであり、その目的は絶縁性液を短時間で気泡の発生
がなく均一に塗布できる半導体ウェーハ外周の液塗布方
法とその装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明によれば前述の
目的は、半導体ウェーハの外周縁部に絶縁性液を塗布す
る工程において、転写ローラーの外周全周にＵ字型溝部
を形成し、そのＵ字型溝部に高粘度の絶縁性液を充填
し、その絶縁性液中に半導体ウェーハの外周縁部を浸漬
し、半導体ウェーハの外周縁部に絶縁性液を転写後、温
風ノズルより温風を吹きつけ絶縁性液を仮硬化させ、前
記温風は不活性ガスであることにより達成される。
目的は、半導体ウェーハの外周縁部に絶縁性液を塗布す
る工程において、転写ローラーの外周全周にＵ字型溝部
を形成し、そのＵ字型溝部に高粘度の絶縁性液を充填
し、その絶縁性液中に半導体ウェーハの外周縁部を浸漬
し、半導体ウェーハの外周縁部に絶縁性液を転写後、温
風ノズルより温風を吹きつけ絶縁性液を仮硬化させ、前
記温風は不活性ガスであることにより達成される。
【０００６】さらにこの半導体ウェーハ外周の液塗布装
置として、装置上面に半導体ウェーハを吸着する回転機
構を有する吸着チャックを配置し、この吸着チャックに
隣接して外周全周にＵ字型溝部を形成した回転機構を有
する転写ローラーを、半導体ウェーハ中心線を転写ロー
ラー中心線と同一高さに配置し、前記吸着チャックに近
接して少なくとも１箇所に温風ノズルを設け、前記Ｕ字
型溝部に近接して絶縁性液タンクと定量ポンプを結合し
てなる絶縁性液注入ノズルを設けた半導体ウェーハ外周
の液塗布装置を用いることが有効である。
置として、装置上面に半導体ウェーハを吸着する回転機
構を有する吸着チャックを配置し、この吸着チャックに
隣接して外周全周にＵ字型溝部を形成した回転機構を有
する転写ローラーを、半導体ウェーハ中心線を転写ロー
ラー中心線と同一高さに配置し、前記吸着チャックに近
接して少なくとも１箇所に温風ノズルを設け、前記Ｕ字
型溝部に近接して絶縁性液タンクと定量ポンプを結合し
てなる絶縁性液注入ノズルを設けた半導体ウェーハ外周
の液塗布装置を用いることが有効である。
【０００７】
【作用】この発明の構成によれば、転写ローラーの外周
全周にＵ字型溝部を形成し、そのＵ字型溝部に高粘度の
絶縁性液を充填することとしたため、高粘度の絶縁性液
の表面張力が高いのでＵ字型溝部より絶縁性液が流れ出
ることがない。さらに半導体ウェーハの外周縁部に絶縁
性液を転写後、温風ノズルより温風を吹きつけることに
より、温風吐出力で半導体ウェーハ上下面外周部に塗布
された絶縁性液が温風の熱により粘度が低下し拡散さ
れ、絶縁性液が外周縁部に寄せられ、同時に塗布された
絶縁性液内の気泡も拡散される。これと同時に温風の熱
により絶縁性液を仮硬化させることができる。さらには
温風を不活性ガスとすることにより絶縁性液に外部より
の影響を与えることがない。
全周にＵ字型溝部を形成し、そのＵ字型溝部に高粘度の
絶縁性液を充填することとしたため、高粘度の絶縁性液
の表面張力が高いのでＵ字型溝部より絶縁性液が流れ出
ることがない。さらに半導体ウェーハの外周縁部に絶縁
性液を転写後、温風ノズルより温風を吹きつけることに
より、温風吐出力で半導体ウェーハ上下面外周部に塗布
された絶縁性液が温風の熱により粘度が低下し拡散さ
れ、絶縁性液が外周縁部に寄せられ、同時に塗布された
絶縁性液内の気泡も拡散される。これと同時に温風の熱
により絶縁性液を仮硬化させることができる。さらには
温風を不活性ガスとすることにより絶縁性液に外部より
の影響を与えることがない。
【０００８】またこの半導体ウェーハ外周の液塗布装置
として、吸着チャックに近接して温風ノズルを設け、Ｕ
字型溝部に近接して絶縁性液と定量ポンプを結合してな
る絶縁性液注入ノズルを設けているため、前述の作業が
途中で間延びすることなく連続してできるので短時間で
均一な膜が塗布できる。
として、吸着チャックに近接して温風ノズルを設け、Ｕ
字型溝部に近接して絶縁性液と定量ポンプを結合してな
る絶縁性液注入ノズルを設けているため、前述の作業が
途中で間延びすることなく連続してできるので短時間で
均一な膜が塗布できる。
【０００９】
【実施例】図１および図２に基づき説明する。図１はこ
の実施例による半導体ウェーハ外周の液塗布装置の構成
図であり、（ａ）は構成を示す上面図、（ｂ）はａ−ａ
線拡大断面図、（ｃ）は絶縁性液仮硬化後の状態を示
す。図２は別の転写ローラーのａ−ａ線拡大断面図であ
り、溝部の底辺が傾斜したものである。
の実施例による半導体ウェーハ外周の液塗布装置の構成
図であり、（ａ）は構成を示す上面図、（ｂ）はａ−ａ
線拡大断面図、（ｃ）は絶縁性液仮硬化後の状態を示
す。図２は別の転写ローラーのａ−ａ線拡大断面図であ
り、溝部の底辺が傾斜したものである。
【００１０】位置決めされた半導体ウェーハ１が図示し
ない吸着ハンドにより、吸着チャック２上に自動搬送さ
れ吸着された後に、吸着チャック２に結合された回転機
構により時計方向に２〜４ｒｐｍの速度で回転する。温
風ノズル５を外周縁部１ａまで移動し半導体ウェーハ１
を回転させながら２００℃の温風で２〜３分プレヒート
したのち温風ノズル５を初期位置に後退させる。この実
施例では温風ノズル５を半導体ウェーハ１上下面２箇所
に設けた。これと同時に転写ローラー３は初期位置で結
合された回転機構により反時計方向に２〜４ｒｐｍの速
度で回転し、絶縁性液４（この実施例ではポリイミド液
を使用した）を絶縁性液タンク７より定量ポンプ８を通
りＵ字型溝部３ａに溝部が満杯になるまで絶縁性液注入
ノズル６より注入する。この実施例ではＵ字型溝部３ａ
の溝幅を２ｍｍ、溝深さを２ｍｍ、転写ローラー３の直
径を９０ｍｍとした。半導体ウェーハ１と転写ローラー
３との位置関係は図１（ｂ）に示すように半導体ウェー
ハ中心線を転写ローラー中心線と同一高さに配置してあ
る。その後転写ローラー３は外周縁部１ａ先端が１．３
ｍｍ浸漬する位置まで吸着チャック２側へ移動する。こ
の移動を容易にするため絶縁性液注入ノズル６と定量ポ
ンプ８との間はフレキシブルパイプ９で連結されてい
る。半導体ウェーハ１を１〜２回転させ外周縁部１ａに
絶縁性液４を転写後転写ローラー３を初期位置に戻す。
その後温風ノズル５を再び外周縁部１ａまで移動し半導
体ウェーハ１を回転させ約１５０〜２００℃の温風を１
〜２分間吐出させ、半導体ウェーハ１上下面外周部に塗
布された絶縁性液４が温風の熱により粘度が低下し絶縁
性液４が外周縁部１ａに寄せられ、塗布された絶縁性液
４内の気泡も拡散される。これと同時に図１（ｃ）に示
すように温風の熱により絶縁性液４を仮硬化させること
ができる。さらに不活性ガスとしてこの実施例では窒素
ガスを使用することにより絶縁性液４に外部よりの影響
を与えなくした。
ない吸着ハンドにより、吸着チャック２上に自動搬送さ
れ吸着された後に、吸着チャック２に結合された回転機
構により時計方向に２〜４ｒｐｍの速度で回転する。温
風ノズル５を外周縁部１ａまで移動し半導体ウェーハ１
を回転させながら２００℃の温風で２〜３分プレヒート
したのち温風ノズル５を初期位置に後退させる。この実
施例では温風ノズル５を半導体ウェーハ１上下面２箇所
に設けた。これと同時に転写ローラー３は初期位置で結
合された回転機構により反時計方向に２〜４ｒｐｍの速
度で回転し、絶縁性液４（この実施例ではポリイミド液
を使用した）を絶縁性液タンク７より定量ポンプ８を通
りＵ字型溝部３ａに溝部が満杯になるまで絶縁性液注入
ノズル６より注入する。この実施例ではＵ字型溝部３ａ
の溝幅を２ｍｍ、溝深さを２ｍｍ、転写ローラー３の直
径を９０ｍｍとした。半導体ウェーハ１と転写ローラー
３との位置関係は図１（ｂ）に示すように半導体ウェー
ハ中心線を転写ローラー中心線と同一高さに配置してあ
る。その後転写ローラー３は外周縁部１ａ先端が１．３
ｍｍ浸漬する位置まで吸着チャック２側へ移動する。こ
の移動を容易にするため絶縁性液注入ノズル６と定量ポ
ンプ８との間はフレキシブルパイプ９で連結されてい
る。半導体ウェーハ１を１〜２回転させ外周縁部１ａに
絶縁性液４を転写後転写ローラー３を初期位置に戻す。
その後温風ノズル５を再び外周縁部１ａまで移動し半導
体ウェーハ１を回転させ約１５０〜２００℃の温風を１
〜２分間吐出させ、半導体ウェーハ１上下面外周部に塗
布された絶縁性液４が温風の熱により粘度が低下し絶縁
性液４が外周縁部１ａに寄せられ、塗布された絶縁性液
４内の気泡も拡散される。これと同時に図１（ｃ）に示
すように温風の熱により絶縁性液４を仮硬化させること
ができる。さらに不活性ガスとしてこの実施例では窒素
ガスを使用することにより絶縁性液４に外部よりの影響
を与えなくした。
【００１１】この作業が完了すると半導体ウェーハ１が
前記吸着ハンドにより図示しないカセットに収納され
る。なお転写ローラー３の溝部形状については図２に示
すものについても実施し確認した。その結果半導体ウェ
ーハ１の直径および厚さ、絶縁性液の粘度、外周縁部の
角度などにより転写ローラー３の溝部形状を変えること
が有効であることが判明した。
前記吸着ハンドにより図示しないカセットに収納され
る。なお転写ローラー３の溝部形状については図２に示
すものについても実施し確認した。その結果半導体ウェ
ーハ１の直径および厚さ、絶縁性液の粘度、外周縁部の
角度などにより転写ローラー３の溝部形状を変えること
が有効であることが判明した。
【００１２】
【発明の効果】この発明によれば、半導体ウェーハを水
平にセットし側面より絶縁性液（ポリイミド液）を塗布
し、温風吐出力で半導体ウェーハ上下面外周部に塗布さ
れた絶縁性液を拡散し、液を外周縁部に集め同時に塗布
された絶縁性液内の気泡も拡散し、これと同時に温風の
熱により絶縁性液を仮硬化させることにより、短時間で
気泡の発生がなく均一に塗布できる。
平にセットし側面より絶縁性液（ポリイミド液）を塗布
し、温風吐出力で半導体ウェーハ上下面外周部に塗布さ
れた絶縁性液を拡散し、液を外周縁部に集め同時に塗布
された絶縁性液内の気泡も拡散し、これと同時に温風の
熱により絶縁性液を仮硬化させることにより、短時間で
気泡の発生がなく均一に塗布できる。
【図１】この実施例による半導体ウェーハ外周の液塗布
装置の構成図であり、（ａ）は構成を示す上面図、
（ｂ）はａ−ａ線拡大断面図、（ｃ）は絶縁性液仮硬化
後の状態図
装置の構成図であり、（ａ）は構成を示す上面図、
（ｂ）はａ−ａ線拡大断面図、（ｃ）は絶縁性液仮硬化
後の状態図
【図２】別の転写ローラーのａ−ａ線拡大断面図
１ 半導体ウェーハ １ａ 外周縁部 ２ 吸着チャック（回転機構を有したもの） ３ 転写ローラー（回転機構を有したもの） ３ａ Ｕ字型溝部 ４ 絶縁性液（ポリイミド液） ５ 温風ノズル ５ａ 温風 ６ 絶縁性液注入ノズル ７ 絶縁性液タンク ８ 定量ポンプ ９ フレキシブルパイプ
Claims (3)
- 【請求項１】半導体ウェーハの外周縁部に絶縁性液を塗
布する工程において、転写ローラーの外周全周にＵ字型
溝部を形成し、そのＵ字型溝部に高粘度の絶縁性液を充
填し、その絶縁性液中に半導体ウェーハの外周縁部を浸
漬し、半導体ウェーハの外周縁部に絶縁性液を転写後、
温風ノズルより温風を吹きつけ絶縁性液を仮硬化させる
ことを特徴とする半導体ウェーハ外周の液塗布方法。 - 【請求項２】請求項１記載の液塗布方法において、前記
温風は不活性ガスであることを特徴とする半導体ウェー
ハ外周の液塗布方法。 - 【請求項３】装置上面に半導体ウェーハを吸着する回転
機構を有する吸着チャックを配置し、この吸着チャック
に隣接して外周全周にＵ字型溝部を形成した回転機構を
有する転写ローラーを、半導体ウェーハ中心線を転写ロ
ーラー中心線と同一高さに配置し、前記吸着チャックに
近接して少なくとも１箇所に温風ノズルを設け、前記Ｕ
字型溝部に近接して絶縁性液タンクと定量ポンプを結合
してなる絶縁性液注入ノズルを設けることを特徴とする
半導体ウェーハ外周の液塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33405093A JPH07201838A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体ウェーハ外周の液塗布方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33405093A JPH07201838A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体ウェーハ外周の液塗布方法とその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201838A true JPH07201838A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18272956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33405093A Pending JPH07201838A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体ウェーハ外周の液塗布方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07201838A (ja) |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP33405093A patent/JPH07201838A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5952050A (en) | Chemical dispensing system for semiconductor wafer processing | |
| JPH1154430A (ja) | フォトレジストコーティング装置及び方法 | |
| JPS5990664A (ja) | 液体供給装置および付着物除去方法 | |
| WO2011102201A1 (ja) | 塗布方法及び塗布装置 | |
| JP2647309B2 (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPH0737797A (ja) | 処理装置 | |
| JPH0631222A (ja) | 基板の表面に接着剤層を塗布する方法と装置 | |
| JPH07201838A (ja) | 半導体ウェーハ外周の液塗布方法とその装置 | |
| WO2001008814A1 (fr) | Procede de formation d'une couche mince circulaire ou annulaire | |
| JP4145468B2 (ja) | 円形塗布膜および環状塗布膜の形成方法 | |
| JP2815064B2 (ja) | 半導体ウエハに液を塗布する塗布装置及び塗布方法 | |
| KR102330573B1 (ko) | 보호 피막의 피복 방법 | |
| JP2009039624A (ja) | スリットコート式塗布方法 | |
| JPH03145715A (ja) | 回転塗布膜形成装置 | |
| JPS6167224A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP7564557B2 (ja) | 塗布装置及び塗布方法 | |
| JP3089199B2 (ja) | ポリマーを基質にコーティングする方法及び装置 | |
| JPH02260415A (ja) | 搬送装置 | |
| KR102762332B1 (ko) | 기판의 평탄화 장치 및 방법 | |
| KR960001368Y1 (ko) | 포토레지스트 도포기의 노즐 | |
| JP7488595B2 (ja) | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 | |
| JPH03238068A (ja) | フォトレジストを塗布する方法 | |
| JPH0992646A (ja) | パッシベーション材の塗布方法およびその装置 | |
| JPH11317358A (ja) | 処理方法 | |
| JPH04171072A (ja) | 塗布方法およびその装置 |