JPH07201933A - Bonding tools - Google Patents

Bonding tools

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Publication number
JPH07201933A
JPH07201933A JP5351605A JP35160593A JPH07201933A JP H07201933 A JPH07201933 A JP H07201933A JP 5351605 A JP5351605 A JP 5351605A JP 35160593 A JP35160593 A JP 35160593A JP H07201933 A JPH07201933 A JP H07201933A
Authority
JP
Japan
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gap
semiconductor element
lead
heating members
leads
Prior art date
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Pending
Application number
JP5351605A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akio Yoshida
明生 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP5351605A priority Critical patent/JPH07201933A/en
Publication of JPH07201933A publication Critical patent/JPH07201933A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/701Tape-automated bond [TAB] connectors

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 保持ブロックが熱膨張を起こしても確実な圧
着を行うことができるボンディングツールを提供するこ
と。 【構成】 半導体素子10の辺に対して略直角な方向に
延出する複数本のリード11と基板20上に設けられた
配線パターン21とを接続するためのボンディングツー
ル1であり、リード11を押圧し所定の温度で加熱する
加熱部材2を半導体素子10の辺に対して略平行な方向
に複数個配置して成りかつ隣合う加熱部材2の間に所定
の隙間2aを設けた熱圧着部3と、熱圧着部3の各加熱
部材2を各々保持するための保持ブロック4とを備え、
隣合う加熱部材2の隙間2aをリード11の延出方向に
対して斜めに設けた構成である。
(57) [Abstract] [Purpose] To provide a bonding tool capable of performing reliable crimping even if the holding block thermally expands. A bonding tool 1 for connecting a plurality of leads 11 extending in a direction substantially perpendicular to a side of a semiconductor element 10 and a wiring pattern 21 provided on a substrate 20. A thermocompression-bonding portion which is formed by arranging a plurality of heating members 2 which are pressed and heated at a predetermined temperature in a direction substantially parallel to the sides of the semiconductor element 10 and which has a predetermined gap 2a between adjacent heating members 2. 3 and a holding block 4 for holding each heating member 2 of the thermocompression bonding unit 3,
The gap 2 a between the adjacent heating members 2 is provided obliquely to the extending direction of the lead 11.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子から延出す
るリードを基板上に設けられた配線パターンに接続する
ためのボンディングツールに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bonding tool for connecting leads extending from a semiconductor element to a wiring pattern provided on a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子機器の薄型化や小型化等を図る観点
から、半導体素子を樹脂等で封止しないで基板上に実装
できるTABパッケージが考えられている。図3はTA
Bパッケージの製造方法を説明する図であり、(a)〜
(d)に示す順で製造される。
2. Description of the Related Art From the viewpoint of making electronic devices thin and compact, a TAB package has been considered which can be mounted on a substrate without encapsulating a semiconductor element with a resin or the like. Figure 3 is TA
It is a figure explaining the manufacturing method of B package, (a)-
It is manufactured in the order shown in (d).

【0003】すなわち、先ず図3(a)に示すインナー
リードボンディング工程として、チップ状の半導体素子
10をフィルムテープ5に形成された銅箔等から成るリ
ード11と電気的、および機械的に接続する。フィルム
テープ5は、所定の幅で長尺状に形成されたポリイミド
等の樹脂から成るものであり、長手方向に連続して複数
の半導体素子10を接続できるようになっている。半導
体素子10には内部回路との信号入出力を行うための電
極パッド(図示せず)が設けられており、フィルムテー
プ5に設けられたリード11とこの電極パッドとが例え
ばバンプ(図示せず)を介して接続される。これによっ
て半導体素子10とリード11との電気的、および機械
的な接続が成される。
That is, first, in the inner lead bonding step shown in FIG. 3A, the chip-shaped semiconductor element 10 is electrically and mechanically connected to the lead 11 made of copper foil or the like formed on the film tape 5. . The film tape 5 is made of a resin such as polyimide formed in a long shape with a predetermined width, and is capable of connecting a plurality of semiconductor elements 10 continuously in the longitudinal direction. The semiconductor element 10 is provided with electrode pads (not shown) for inputting / outputting signals to / from an internal circuit, and the leads 11 provided on the film tape 5 and the electrode pads are, for example, bumps (not shown). ) Is connected via. Thereby, the semiconductor element 10 and the lead 11 are electrically and mechanically connected.

【0004】次に、図3(b)に示す切断工程として、
フィルムテープ5に接続された半導体素子10の周辺で
リード11を切断し、個々の半導体素子10に分割す
る。この切断が終了した後、図3(c)に示すフォーミ
ング工程として、半導体素子10から外側に延出するリ
ード11を所定形状に屈曲させる。すなわち、半導体素
子10を基板(図示せず)上に実装しやすいような形状
(例えば、ガルウイング型)となるようリード11に対
してプレス加工を施す。リード11のプレス加工が終了
した後、図3(d)に示すフィルムテープ切断工程とし
て、リード11の先端部分に付着していたフィルムテー
プ(図3(c)参照)を切断する。これによってTAB
パッケージから成る半導体素子10の製造が完了する。
Next, as a cutting step shown in FIG.
The lead 11 is cut around the semiconductor element 10 connected to the film tape 5 to divide into individual semiconductor elements 10. After this cutting is completed, as a forming step shown in FIG. 3C, the leads 11 extending outward from the semiconductor element 10 are bent into a predetermined shape. That is, the leads 11 are pressed so that the semiconductor element 10 has a shape (eg, gull wing type) that facilitates mounting on the substrate (not shown). After the pressing of the leads 11 is completed, the film tape (see FIG. 3C) attached to the tip portions of the leads 11 is cut as a film tape cutting step shown in FIG. 3D. This allows TAB
The manufacture of the semiconductor device 10 including the package is completed.

【0005】このようなTABパッケージから成る半導
体素子10を基板上に実装するには、ボンディングツー
ルを用いた熱圧着による接続が成されている。近年で
は、内部回路の高集積化に伴って半導体素子10の大型
化が進み、TABパッケージから成る半導体素子10の
実装においても大型のボンディングツールが必要とされ
ている。
In order to mount the semiconductor element 10 composed of such a TAB package on a substrate, connection by thermocompression bonding using a bonding tool is performed. In recent years, the size of the semiconductor element 10 has increased along with the high integration of the internal circuit, and a large-sized bonding tool is required for mounting the semiconductor element 10 composed of a TAB package.

【0006】この大型のボンディングツールにおいて
は、半導体素子10のリード11を基板上に熱圧着する
ため大きな面積から成る圧接面が必要であるが、大面積
の圧接面を高い平坦度に保つのは困難である。そこで、
図4に示すようなボンディングツール1が考えられてい
る。すなわち、図4(a)の斜視図に示すように、この
ボンディングツール1は半導体素子10のリード11を
基板20上に設けられた配線パターン21に熱圧着する
熱圧着部3が複数の加熱部材2によって構成されるもの
である。
In this large-sized bonding tool, the leads 11 of the semiconductor element 10 are thermocompression-bonded onto the substrate, so that a press-contact surface having a large area is required, but it is necessary to maintain a large flat press-contact surface with high flatness. Have difficulty. Therefore,
A bonding tool 1 as shown in FIG. 4 is considered. That is, as shown in the perspective view of FIG. 4A, the bonding tool 1 has a plurality of heating members including thermocompression bonding portions 3 for thermocompression bonding the leads 11 of the semiconductor element 10 to the wiring patterns 21 provided on the substrate 20. It is composed of two.

【0007】複数の加熱部材2は保持ブロック4にて保
持されており、それぞれに電流が流れて瞬時に所定の温
度まで達するようになっている。例えば、半導体素子1
0の一の辺から延出する複数本のリード11に対応し
て、その辺と略平行な方向に数個(図4では3個)の加
熱部材2が配置されている。半導体素子10の4つの辺
からそれぞれリード11が延出する場合には、各辺に対
応してそれぞれ複数の加熱部材2が配置され熱圧着部3
を構成する。
The plurality of heating members 2 are held by a holding block 4, and an electric current flows through each of them to instantly reach a predetermined temperature. For example, the semiconductor device 1
Corresponding to the plurality of leads 11 extending from one side of 0, several (3 in FIG. 4) heating members 2 are arranged in a direction substantially parallel to the side. When the leads 11 extend from the four sides of the semiconductor element 10, a plurality of heating members 2 are arranged corresponding to the respective sides and the thermocompression bonding portion 3 is provided.
Make up.

【0008】このように、熱圧着部3を複数の加熱部材
2から構成することで、個々の加熱部材2の圧接面にお
いて高い平坦度を容易に達成することができるため、熱
圧着部3の全体として高平坦度化を図ることができるよ
うになる。図4(b)は、各加熱部材2とリード11と
の接触位置関係を説明する模式平面図である。複数の加
熱部材2は、半導体素子10の辺に対して略平行な方向
に並んでおり、それぞれの間には所定の隙間2bが設け
られている。
Since the thermocompression bonding portion 3 is composed of the plurality of heating members 2 in this manner, a high flatness can be easily achieved on the pressure contact surfaces of the individual heating members 2, so that the thermocompression bonding portion 3 can be formed easily. Higher flatness can be achieved as a whole. FIG. 4B is a schematic plan view illustrating the contact positional relationship between each heating member 2 and the lead 11. The plurality of heating members 2 are arranged in a direction substantially parallel to the sides of the semiconductor element 10, and a predetermined gap 2b is provided between them.

【0009】例えば、リード11の幅が80μm〜10
0μm程度の場合には50μm程度の隙間2bが設けら
れている。つまり、リード11の幅よりも隙間2bの幅
を小さくしておけば、複数の加熱部材2にてリード11
を押圧する際に隙間2bの位置とリード11の位置とが
重なった場合であってもいづれかの加熱部材2にてリー
ド11を押さえられるようになっている。
For example, the width of the lead 11 is 80 μm to 10 μm.
In the case of about 0 μm, a gap 2b of about 50 μm is provided. That is, if the width of the gap 2b is made smaller than the width of the lead 11, the leads 11 can be formed by the plurality of heating members 2.
Even when the position of the gap 2b and the position of the lead 11 overlap each other when pressing, the lead 11 can be pressed by any one of the heating members 2.

【0010】このボンディングツール1を用いて半導体
素子10の実装を行うには、先ず、半導体素子10のリ
ード11と基板20上の配線パターン21との位置合わ
せを行った状態で半導体素子10を基板20上に載置す
る。この状態でボンディングツール1の熱圧着部3にて
リード11と配線パターン21との接触部分を押圧する
とともに、各加熱部材2に電流を流して接触部分を加熱
する。これによって、リード11と配線パターン21と
が熱圧着され、半導体素子10を基板20上に実装する
ことができる。
In order to mount the semiconductor element 10 using the bonding tool 1, first, the semiconductor element 10 is mounted on the substrate with the lead 11 of the semiconductor element 10 and the wiring pattern 21 on the substrate 20 aligned. Place on top of 20. In this state, the contact portion between the lead 11 and the wiring pattern 21 is pressed by the thermocompression bonding portion 3 of the bonding tool 1, and an electric current is passed through each heating member 2 to heat the contact portion. As a result, the lead 11 and the wiring pattern 21 are thermocompression bonded, and the semiconductor element 10 can be mounted on the substrate 20.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなボンディングツールには次のような問題がある。図
5は従来の隙間の変化を説明する模式図であり、(a)
は通常状態、(b)は熱膨張状態の場合を示したもので
ある。すなわち、図5(a)に示すように、通常の状態
においては隣合う加熱部材2の間に設けられる隙間2b
の幅はリード11の幅よりも小さくなっているため、隙
間2bとリード11との位置が重なっても加熱部材2に
てリード11を押圧できるようになっている。
However, such a bonding tool has the following problems. FIG. 5 is a schematic diagram for explaining a change in a conventional gap, (a)
Shows a normal state, and (b) shows a case of a thermal expansion state. That is, as shown in FIG. 5A, in a normal state, the gap 2b provided between the adjacent heating members 2 is formed.
Since the width of is smaller than the width of the lead 11, the heating member 2 can press the lead 11 even if the positions of the gap 2b and the lead 11 overlap.

【0012】しかし、図5(b)に示すように、加熱部
材2の加熱によって保持ブロック4(図4参照)が熱膨
張を起こした状態では、その熱膨張の結果隣合う加熱部
材2の間に設けられる隙間2bが広がることになる。保
持ブロック4(図4参照)の熱膨張によって隙間2bの
幅がリード11の幅よりも大きくなってしまうと、隙間
2bの位置とリード11の位置とが重なった場合にリー
ド11が隙間2b内に入り込む状態となってリード11
を押圧できなくなってしまう。
However, as shown in FIG. 5B, when the holding block 4 (see FIG. 4) is thermally expanded by the heating of the heating member 2, as a result of the thermal expansion, the space between the adjacent heating members 2 is increased. Thus, the gap 2b provided at is widened. When the width of the gap 2b becomes larger than the width of the lead 11 due to the thermal expansion of the holding block 4 (see FIG. 4), when the position of the gap 2b and the position of the lead 11 overlap, the lead 11 falls within the gap 2b. Lead into the lead 11
Can no longer be pressed.

【0013】また、隙間2b内にリード11が入り込ま
なくてもリード11に対する十分な押圧力を得ることが
できず、圧着不良の原因となる。よって、本発明は保持
ブロックが熱膨張を起こしても確実な圧着を行うことが
できるボンディングツールを提供することを目的とす
る。
Further, even if the lead 11 does not enter the gap 2b, a sufficient pressing force against the lead 11 cannot be obtained, which causes a crimping failure. Therefore, an object of the present invention is to provide a bonding tool capable of performing reliable pressure bonding even if the holding block thermally expands.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題を解決するために成されたボンディングツールであ
る。すなわち、このボンディングツールは、略四角形か
ら成る半導体素子の辺に対して略直角な方向に延出する
複数本のリードと基板上に設けられた配線パターンとを
接続するためのツールであり、リードを押圧し所定の温
度で加熱する加熱部材を半導体素子の辺に対して略平行
な方向に複数個配置して成りかつ隣合う加熱部材の間に
所定の隙間を設けた熱圧着部と、この熱圧着部の各加熱
部材を各々保持するための保持ブロックとを備え、隣合
う加熱部材の隙間をリードの延出方向に対して斜めにし
た構造となっている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a bonding tool made to solve such problems. That is, this bonding tool is a tool for connecting a plurality of leads extending in a direction substantially perpendicular to the sides of a semiconductor element formed of a substantially quadrangle and a wiring pattern provided on a substrate. A thermocompression-bonding portion, which is formed by arranging a plurality of heating members for pressing and heating at a predetermined temperature in a direction substantially parallel to the sides of the semiconductor element and having a predetermined gap between adjacent heating members; A holding block for holding each heating member of the thermocompression bonding portion is provided, and the gap between adjacent heating members is oblique to the extending direction of the leads.

【0015】[0015]

【作用】本発明のボンディングツールは、熱圧着部を複
数の加熱部材から構成し、さらに隣合う加熱部材の隙間
をリードの延出方向に対して斜めに設けているため、保
持ブロックが熱膨張して隙間が広がっても隙間内にリー
ドが入り込むことがなくなる。すなわち、隙間の方向と
リードの方向とが一致していないため隙間が多少広がっ
てもいずれかの加熱部材にてリードを押圧できることに
なる。
In the bonding tool of the present invention, the thermocompression bonding portion is composed of a plurality of heating members, and the gap between the adjacent heating members is provided obliquely with respect to the extending direction of the leads. Even if the gap widens, the leads will not enter the gap. That is, since the direction of the gap and the direction of the lead do not coincide with each other, the lead can be pressed by one of the heating members even if the gap is somewhat widened.

【0016】[0016]

【実施例】以下に、本発明のボンディングツールの実施
例を図に基づいて説明する。図1は本発明のボンディン
グツールを説明する図で、(a)は斜視図、(b)は模
式平面図である。すなわち、図1(a)に示すように本
発明のボンディングツール1は、例えばTABパッケー
ジ(図3参照)から成る半導体素子10を基板20上に
実装するにあたり、半導体素子10から延出するリード
11を基板20上に設けられた配線パターン21に熱圧
着するためのものである。
Embodiments of the bonding tool of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1A and 1B are views for explaining a bonding tool of the present invention. FIG. 1A is a perspective view and FIG. 1B is a schematic plan view. That is, as shown in FIG. 1A, in the bonding tool 1 of the present invention, when mounting the semiconductor element 10 formed of, for example, a TAB package (see FIG. 3) on the substrate 20, the leads 11 extending from the semiconductor element 10 are mounted. Is for thermocompression bonding to the wiring pattern 21 provided on the substrate 20.

【0017】ボンディングツール1は、リード11を押
圧し所定の温度で加熱する複数の加熱部材2から成る熱
圧着部3と、熱圧着部3の各加熱部材2をそれぞれ保持
するための保持ブロック4とから構成されている。加熱
部材2は、熱膨張係数の比較的小さい素材から形成され
ており、所定の電流によって瞬時に加熱される構造とな
っている。また、その下面が高平坦度に仕上げられた圧
接面となっている。
The bonding tool 1 comprises a thermocompression bonding portion 3 composed of a plurality of heating members 2 for pressing the leads 11 and heating them at a predetermined temperature, and a holding block 4 for holding each heating member 2 of the thermocompression bonding portion 3. It consists of and. The heating member 2 is made of a material having a relatively small thermal expansion coefficient, and has a structure in which it is instantly heated by a predetermined current. Further, the lower surface is a pressure contact surface finished with high flatness.

【0018】図1(b)に示すように、複数個の加熱部
材2は半導体素子10の辺と略平行となる方向に配置さ
れており、隣合う加熱部材2の間に所定の隙間2aが設
けられている。例えば、半導体素子10の4辺全てから
リード11が延出する場合には、各辺に対応して複数
(図1では1辺に対して3個)の加熱部材2が配置され
る。さらに、このボンディングツール1における複数の
加熱部材2の隙間2aは、半導体素子10から延出する
リード11の方向に対して斜めとなるように設けられて
いる。
As shown in FIG. 1B, the plurality of heating members 2 are arranged in a direction substantially parallel to the sides of the semiconductor element 10, and a predetermined gap 2a is provided between adjacent heating members 2. It is provided. For example, when the leads 11 extend from all four sides of the semiconductor element 10, a plurality of heating members 2 (three in one side in FIG. 1) are arranged corresponding to each side. Further, the gaps 2 a between the plurality of heating members 2 in the bonding tool 1 are provided so as to be oblique with respect to the direction of the leads 11 extending from the semiconductor element 10.

【0019】すなわち、リード11の延出方向と隙間2
aの方向とが一致しないようになっているため、熱圧着
部3にてリード11を押圧する際、隙間2aの位置と重
なるリード11はその隙間2aの両側の加熱部材2にて
平面視斜めに押圧されることになる。
That is, the extending direction of the lead 11 and the gap 2
Since the direction of a does not match, when the lead 11 is pressed by the thermocompression bonding portion 3, the lead 11 overlapping the position of the gap 2a is obliquely seen in plan view by the heating members 2 on both sides of the gap 2a. Will be pressed by.

【0020】このボンディングツール1を用いて半導体
素子10を実装するには、先ず、例えばボンディングツ
ール1に設けられた図示しない吸着ノズルを用いて半導
体素子10を吸着保持し、基板20上に移載して半導体
素子10のリード11と基板20上の配線パターン21
との位置合わせを行う。半導体素子10を位置合わせし
た状態でリード11と配線パターン21とを接触させ、
ボンディングツール1の熱圧着部3を構成する各加熱部
材2に電流を流して所定の温度に加熱する。そして、高
平坦度に仕上げられた各加熱部材2の下面(圧接面)に
てリード11と配線パターン21との接触部分を押圧
し、熱圧着を行う。これによって半導体素子10が基板
20上に実装されることになる。
In order to mount the semiconductor element 10 using this bonding tool 1, first, the semiconductor element 10 is suction-held by using a suction nozzle (not shown) provided in the bonding tool 1, and transferred onto the substrate 20. Then, the leads 11 of the semiconductor element 10 and the wiring pattern 21 on the substrate 20
Align with. With the semiconductor element 10 aligned, the lead 11 and the wiring pattern 21 are brought into contact with each other,
An electric current is applied to each heating member 2 constituting the thermocompression bonding portion 3 of the bonding tool 1 to heat it to a predetermined temperature. Then, the contact portion between the lead 11 and the wiring pattern 21 is pressed by the lower surface (pressure contact surface) of each heating member 2 finished to have high flatness, and thermocompression bonding is performed. As a result, the semiconductor element 10 is mounted on the substrate 20.

【0021】このようなボンディングツール1を用いた
熱圧着の際、加熱部材2が加熱されて保持ブロック4が
熱膨張を起こす。図2は、保持ブロック4(図1参照)
が熱膨張する際の隙間2aの変化を説明する模式図であ
る。
During thermocompression bonding using such a bonding tool 1, the heating member 2 is heated and the holding block 4 thermally expands. FIG. 2 shows a holding block 4 (see FIG. 1).
FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a change in the gap 2a when the heat expands.

【0022】すなわち、図2(a)に示すように通常の
状態(熱膨張する前の状態)では、隣合う加熱部材2の
間に設けられた隙間2aがリード11の延出方向に対し
て斜めとなっており、リード11に対して加熱部材2の
端部が平面視斜めに接触するような位置関係となってい
る。
That is, as shown in FIG. 2A, in a normal state (state before thermal expansion), the gap 2a provided between the adjacent heating members 2 is arranged in the extending direction of the leads 11. It is oblique, and the end portion of the heating member 2 is in contact with the lead 11 obliquely in a plan view.

【0023】一方、図2(b)に示すように保持ブロッ
ク4(図1参照)が熱膨張を起こした状態では、隣合う
加熱部材2がリード11の延出方向に対して略直角な方
向(図中矢印参照)に広がり、隙間2aも同様な方向に
広がることになる。ところが、隙間2aの幅が広がって
も隙間2aがリード11の延出方向に対して斜めとなっ
ているため、隙間2aの両側の加熱部材2のうち少なく
とも一方の加熱部材2の端部にてリード11を押圧でき
ることになる。つまり、隙間2aとリード11との位置
が重なった場合でも隙間2a内にリード11が入り込む
ことが無くなり、加熱部材2にて確実にリード11を押
圧できるようになる。
On the other hand, as shown in FIG. 2B, when the holding block 4 (see FIG. 1) is thermally expanded, the adjacent heating members 2 are in a direction substantially perpendicular to the extending direction of the leads 11. (See the arrow in the figure), the gap 2a also expands in the same direction. However, even if the width of the gap 2a is widened, the gap 2a is inclined with respect to the extending direction of the lead 11, so that at least one of the heating members 2 on both sides of the gap 2a has an end portion of the heating member 2. The lead 11 can be pressed. That is, even if the positions of the gap 2a and the lead 11 overlap, the lead 11 does not enter the gap 2a, and the heating member 2 can reliably press the lead 11.

【0024】このように、隙間2aをリード11の延出
方向に対して斜めに設けることで、保持ブロック4(図
1参照)が熱膨張して隙間2aが広がってもリード11
の圧着不良を起こさなくなる。なお、斜めとなる隙間2
aの角度をリード11の延出方向に対してなるべく大き
くすることにより、大きな隙間2aの広がりに対しても
対処することができるようになる。
By thus forming the gap 2a obliquely with respect to the extending direction of the lead 11, even if the holding block 4 (see FIG. 1) is thermally expanded and the gap 2a is widened, the lead 11 is formed.
No more defective crimping. Note that the diagonal gap 2
By increasing the angle of “a” with respect to the extending direction of the lead 11 as much as possible, it is possible to cope with the widening of the large gap 2a.

【0025】また、本実施例においては半導体素子10
の1辺に対して3個の加熱部材2が配置された例を説明
したが、本発明はこれに限定されず1辺に対して何個の
加熱部材2が配置されていても同様である。さらに、本
実施例においてはTABパッケージから成る半導体素子
10を実装する場合について説明したが、これ以外にも
リード11と配線パターン21とを熱圧着して半導体素
子10を実装する場合であれば同様である。
Further, in this embodiment, the semiconductor device 10 is used.
Although the example in which the three heating members 2 are arranged on one side has been described, the present invention is not limited to this, and the same is true regardless of how many heating members 2 are arranged on one side. . Further, although the case where the semiconductor element 10 composed of the TAB package is mounted is described in the present embodiment, the same applies to the case where the semiconductor element 10 is mounted by thermocompression bonding the lead 11 and the wiring pattern 21 in addition to this. Is.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のボンディ
ングツールによれば次のような効果がある。すなわち、
保持ブロックの熱膨張によって隣合う加熱部材の間に設
けられた隙間が広がってしまった場合であってもリード
を十分に押圧することができるようになり、半導体素子
のリードと基板上の配線パターンとを確実に熱圧着する
ことが可能となる。つまり、複数の加熱部材によって熱
圧着部が構成されるボンディングツールであってもリー
ドに対して十分な押圧力を与えることができるようにな
るため、面積の大きな半導体素子を実装する場合であっ
ても均一にしかも確実にリードを接続することが可能と
なる。
As described above, the bonding tool of the present invention has the following effects. That is,
Even if the gap provided between the adjacent heating members is expanded due to the thermal expansion of the holding block, the leads can be sufficiently pressed, and the leads of the semiconductor element and the wiring pattern on the substrate It becomes possible to perform the thermocompression bonding with certainty. That is, even with a bonding tool in which a thermocompression bonding portion is composed of a plurality of heating members, a sufficient pressing force can be applied to the leads. It is possible to connect the leads evenly and surely.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のボンディングツールを説明する図で、
(a)は斜視図、(b)は模式平面図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a bonding tool of the present invention,
(A) is a perspective view and (b) is a schematic plan view.

【図2】隙間の変化を説明する模式図で、(a)は通常
状態、(b)は熱膨張状態を示すものである。
2A and 2B are schematic diagrams for explaining changes in a gap, in which FIG. 2A shows a normal state and FIG. 2B shows a thermal expansion state.

【図3】TABパッケージを説明する図で、(a)はイ
ンナーリードボンディング工程、(b)は切断工程、
(c)はフォーミング工程、(d)はフィルムテープ切
断工程を示すものである。
3A and 3B are diagrams illustrating a TAB package, in which FIG. 3A is an inner lead bonding step, FIG.
(C) shows a forming process and (d) shows a film tape cutting process.

【図4】従来のボンディングツールを説明する図で、
(a)は斜視図、(b)は模式平面図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a conventional bonding tool,
(A) is a perspective view and (b) is a schematic plan view.

【図5】従来の隙間の変化を説明する模式図で、(a)
は通常状態、(b)は熱膨張状態を示すものである。
FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a change in a conventional gap, (a)
Shows a normal state and (b) shows a thermal expansion state.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ボンディングツール 2 加熱部材 2a 隙間 3 熱圧着部 4 保持ブロック 10 半導体素子 11 リード 20 基板 21 配線パターン 1 Bonding Tool 2 Heating Member 2a Gap 3 Thermocompression Bonding Part 4 Holding Block 10 Semiconductor Element 11 Lead 20 Substrate 21 Wiring Pattern

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 略四角形から成る半導体素子の辺に対し
て略直角な方向に延出する複数本のリードと基板上に設
けられた配線パターンとを接続するためのボンディング
ツールであって、 前記リードを押圧し所定の温度で加熱する加熱部材が前
記半導体素子の辺に対して略平行な方向に複数個配置さ
れて成りかつ隣合う該加熱部材の間に所定の隙間が設け
られた熱圧着部と、 前記熱圧着部の各加熱部材を各々保持するための保持ブ
ロックとを備え、 隣合う前記加熱部材の隙間が前記リードの延出方向に対
して斜めとなっていることを特徴とするボンディングツ
ール。
1. A bonding tool for connecting a plurality of leads extending in a direction substantially perpendicular to a side of a semiconductor element formed of a substantially quadrangle and a wiring pattern provided on a substrate, said bonding tool comprising: Thermocompression bonding in which a plurality of heating members for pressing the leads and heating them at a predetermined temperature are arranged in a direction substantially parallel to the sides of the semiconductor element, and a predetermined gap is provided between adjacent heating members. And a holding block for holding each heating member of the thermocompression bonding unit, and a gap between the adjacent heating members is oblique with respect to the extending direction of the lead. Bonding tool.
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