JPH07202294A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents
磁気抵抗効果素子Info
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- JPH07202294A JPH07202294A JP5334162A JP33416293A JPH07202294A JP H07202294 A JPH07202294 A JP H07202294A JP 5334162 A JP5334162 A JP 5334162A JP 33416293 A JP33416293 A JP 33416293A JP H07202294 A JPH07202294 A JP H07202294A
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Landscapes
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- Magnetic Heads (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁界検出を強磁性磁気抵抗効果を用いて行
い、高磁界感度、高出力化を共に実現し、しかも比較的
簡単な設計、製造手段で線形の磁界応答出力を示すＭＲ
素子を提供する。 【構成】 本発明のＭＲ素子の構成においては、隣接す
るＭＲ層に界面を通して交換バイアス磁界を作用させる
ためのＦｅＭｎ等の反強磁体から成るバイアス層２と、
強磁性磁気抵抗効果を有するＮｉＦｅ，ＮｉＣｏ，Ｎｉ
ＦｅＣｏ合金等の強磁性体からなるＭＲ層３と、同ＭＲ
層において矩形パターンに対して斜め方向に電流が流れ
るように１箇所または２箇所以上の対をなす電極端部が
パターンを斜めに横切る形に加工されている電極層４を
有することを特徴とする。この際、ＭＲ層において交換
バイアス磁界および同磁界と平行な誘導磁気異方性磁界
と、形状磁気異方性磁界が直交していて、しかも交換バ
イアス磁界と誘導磁気異方性磁界の和は、形状磁気異方
性磁界よりも小さな値になるように設定する。
い、高磁界感度、高出力化を共に実現し、しかも比較的
簡単な設計、製造手段で線形の磁界応答出力を示すＭＲ
素子を提供する。 【構成】 本発明のＭＲ素子の構成においては、隣接す
るＭＲ層に界面を通して交換バイアス磁界を作用させる
ためのＦｅＭｎ等の反強磁体から成るバイアス層２と、
強磁性磁気抵抗効果を有するＮｉＦｅ，ＮｉＣｏ，Ｎｉ
ＦｅＣｏ合金等の強磁性体からなるＭＲ層３と、同ＭＲ
層において矩形パターンに対して斜め方向に電流が流れ
るように１箇所または２箇所以上の対をなす電極端部が
パターンを斜めに横切る形に加工されている電極層４を
有することを特徴とする。この際、ＭＲ層において交換
バイアス磁界および同磁界と平行な誘導磁気異方性磁界
と、形状磁気異方性磁界が直交していて、しかも交換バ
イアス磁界と誘導磁気異方性磁界の和は、形状磁気異方
性磁界よりも小さな値になるように設定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は強磁性磁気抵抗効果（以
下、ＭＲ効果と略す）を利用して磁界を検出する磁気抵
抗効果素子（以下、ＭＲ素子と略す）に関するものであ
る。
下、ＭＲ効果と略す）を利用して磁界を検出する磁気抵
抗効果素子（以下、ＭＲ素子と略す）に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】周知の如く、ＭＲ効果を用いて磁界を検
出するＭＲ素子は、磁界センサー、磁気ヘッド、回転検
出素子、位置検出素子などとして現在盛んに用いられて
る。このＭＲ素子の主要構成部分であるＭＲ層には、従
来ＮｉＦｅまたはＮｉＣｏ合金が広く用いられてきた。
さらに、以前に我々が開示した特開昭６３−１７４７４
２号公報および特開平４−２７１５２３号公報に記載さ
れている限定された組成比範囲のＮｉＦｅＣｏ合金を用
いることによって、使用環境の磁界強度に応じた感度を
持つ高出力のＭＲ素子を作製することができる。
出するＭＲ素子は、磁界センサー、磁気ヘッド、回転検
出素子、位置検出素子などとして現在盛んに用いられて
る。このＭＲ素子の主要構成部分であるＭＲ層には、従
来ＮｉＦｅまたはＮｉＣｏ合金が広く用いられてきた。
さらに、以前に我々が開示した特開昭６３−１７４７４
２号公報および特開平４−２７１５２３号公報に記載さ
れている限定された組成比範囲のＮｉＦｅＣｏ合金を用
いることによって、使用環境の磁界強度に応じた感度を
持つ高出力のＭＲ素子を作製することができる。
【０００３】ＭＲ素子の構成としては矩形のＭＲ層上に
電極層、さらに場合によってはバイアス層を積層したも
のが一般的である。また、用途に応じて矩形のＭＲ層を
つづれ折りに連ねて素子の抵抗変化量の絶対値を大きく
したり、抵抗ブリッジを組んで回転磁界に対して正弦波
的な出力を得たりしている。
電極層、さらに場合によってはバイアス層を積層したも
のが一般的である。また、用途に応じて矩形のＭＲ層を
つづれ折りに連ねて素子の抵抗変化量の絶対値を大きく
したり、抵抗ブリッジを組んで回転磁界に対して正弦波
的な出力を得たりしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】現在、ＭＲ素子には高
感度化と高出力化が共に求められるケースが多い。上述
したＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ合金薄膜においては、出力に対応
する磁気抵抗変化率（以下、ＭＲ比と略す）と、感度に
対応する一軸性の誘導磁気異方性磁界との間には一般に
トレードオフの関係がある。すなわちＭＲ比が大きく高
出力が見込まれる材料においては誘導磁気異方性磁界も
大きく感度が低くなる傾向にある。従って、同材料を上
述した従来の素子構成、デザインで使用する限りにおい
ては、どうしても同材料の持つ磁気抵抗効果を十分に引
き出せないか、または十分なＭＲ比を持つ組成の材料を
使用できないといった問題が生じがちである。
感度化と高出力化が共に求められるケースが多い。上述
したＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ合金薄膜においては、出力に対応
する磁気抵抗変化率（以下、ＭＲ比と略す）と、感度に
対応する一軸性の誘導磁気異方性磁界との間には一般に
トレードオフの関係がある。すなわちＭＲ比が大きく高
出力が見込まれる材料においては誘導磁気異方性磁界も
大きく感度が低くなる傾向にある。従って、同材料を上
述した従来の素子構成、デザインで使用する限りにおい
ては、どうしても同材料の持つ磁気抵抗効果を十分に引
き出せないか、または十分なＭＲ比を持つ組成の材料を
使用できないといった問題が生じがちである。
【０００５】さらに、ＭＲ素子においては外部磁界強度
に対して線形に応答する出力が望まれるケースも多く、
バイアス磁界が印加されている場合が多い。バイアス磁
界印加方法としてはソフトフィルムバイアス法、シャン
トバイアス法、永久磁石によるバイアス法等が挙げられ
るが、いずれも最適バイアス状態を実現するのにかなり
微妙な構造設計や各層の磁性の調整等が必要となり、作
製に種々の困難を伴う。また、特願平２−１６５４０８
号公報に開示されている構成の磁気ヘッドでは端部が斜
めに加工されている電極層を用いることによってバイア
ス磁性発生導電層を特別に設けることを回避して構成の
簡潔化を図っているが、電極層をいれて４層の構成とな
っており、なお複雑である。
に対して線形に応答する出力が望まれるケースも多く、
バイアス磁界が印加されている場合が多い。バイアス磁
界印加方法としてはソフトフィルムバイアス法、シャン
トバイアス法、永久磁石によるバイアス法等が挙げられ
るが、いずれも最適バイアス状態を実現するのにかなり
微妙な構造設計や各層の磁性の調整等が必要となり、作
製に種々の困難を伴う。また、特願平２−１６５４０８
号公報に開示されている構成の磁気ヘッドでは端部が斜
めに加工されている電極層を用いることによってバイア
ス磁性発生導電層を特別に設けることを回避して構成の
簡潔化を図っているが、電極層をいれて４層の構成とな
っており、なお複雑である。
【０００６】本発明は以上の点に鑑み、素子構成、デザ
インを刷新し、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ合金薄膜を用いて高感
度、高出力化を共に実現し、しかも簡単な設計で線形応
答を行うＭＲ素子を提供しようとするものである。
インを刷新し、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ合金薄膜を用いて高感
度、高出力化を共に実現し、しかも簡単な設計で線形応
答を行うＭＲ素子を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、隣接す
るＭＲ層に界面を通して交換バイアス磁界を作用させる
ためのＦｅＭｎ等の反強磁体から成るバイアス層と、強
磁性磁気抵抗効果を有するＮｉＦｅ，ＮｉＣｏ，ＮｉＦ
ｅＣｏ合金等の強磁性体からなるＭＲ層と、同ＭＲ層に
おいて矩形パターンに対して斜め方向に電流が流れるよ
うに１箇所または２箇所以上の対をなす電極端部がパタ
ーンを斜めに横切る形に加工されている電極層を有し、
さらにＭＲ層において交換バイアス磁界および同磁界と
平行な誘導磁気異方性磁界と、形状磁気異方性磁界が直
交していて、しかも交換バイアス磁界と誘導磁気異方性
磁界の和は、形状磁気異方性磁界よりも小さな値に設定
されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子を作製す
ることによって、上述の問題を解決することができる。
るＭＲ層に界面を通して交換バイアス磁界を作用させる
ためのＦｅＭｎ等の反強磁体から成るバイアス層と、強
磁性磁気抵抗効果を有するＮｉＦｅ，ＮｉＣｏ，ＮｉＦ
ｅＣｏ合金等の強磁性体からなるＭＲ層と、同ＭＲ層に
おいて矩形パターンに対して斜め方向に電流が流れるよ
うに１箇所または２箇所以上の対をなす電極端部がパタ
ーンを斜めに横切る形に加工されている電極層を有し、
さらにＭＲ層において交換バイアス磁界および同磁界と
平行な誘導磁気異方性磁界と、形状磁気異方性磁界が直
交していて、しかも交換バイアス磁界と誘導磁気異方性
磁界の和は、形状磁気異方性磁界よりも小さな値に設定
されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子を作製す
ることによって、上述の問題を解決することができる。
【０００８】
【作用】本発明のＭＲ素子においては図２に示すよう
に、形状磁気異方性磁界１２と、交換バイアス磁界およ
び誘導磁気異方性磁界からなる横バイアス磁界１３を直
交させている。しかしながら横バイアス磁界１３を形状
磁気異方性磁界１２よりも小さな値に設定しているた
め、磁化１１はＹ軸（形状磁気異方性磁界の方向）を中
心に外部からの信号磁界１５に応じて左右に回転するこ
とになる。電流方向１４は対となる電極端部を斜めに加
工したことによってＹ軸と鋭角（通常４５°）をなして
いる。従って磁界１１がＹ軸を中心に左右に回転するこ
とによってＭＲ層の抵抗値は最大値と最小値の間で大き
く変化することになる。この際、横バイアス磁界１３の
大きさを調節することによって、ＭＲ層材料の抵抗変化
分を最大限に信号磁界検出の電圧変化に変換することが
可能となる。例えば、横バイアス磁界１３の大きさを形
状磁気異方性磁界１２に近い値にすればするほど同じ信
号磁界１５に対する磁界１１の回転角は大きくなり結果
として感度が高くなる。ただしこの場合、図３に示すよ
うに線形応答する磁界範囲は狭くなる。逆に、横バイア
ス磁界１３の大きさを形状磁気異方性磁界１２に比べて
１／２、１／３と小さくすると信号磁界１５に対する磁
化１１の回転角は小さくなり結果として感度が低くなる
が、線形応答する磁界範囲は広くなる。すなわち、横バ
イアス磁界１３の値を制御することによって必要な磁界
応答範囲を持った高感度の線形応答ＭＲ素子が実現され
る。
に、形状磁気異方性磁界１２と、交換バイアス磁界およ
び誘導磁気異方性磁界からなる横バイアス磁界１３を直
交させている。しかしながら横バイアス磁界１３を形状
磁気異方性磁界１２よりも小さな値に設定しているた
め、磁化１１はＹ軸（形状磁気異方性磁界の方向）を中
心に外部からの信号磁界１５に応じて左右に回転するこ
とになる。電流方向１４は対となる電極端部を斜めに加
工したことによってＹ軸と鋭角（通常４５°）をなして
いる。従って磁界１１がＹ軸を中心に左右に回転するこ
とによってＭＲ層の抵抗値は最大値と最小値の間で大き
く変化することになる。この際、横バイアス磁界１３の
大きさを調節することによって、ＭＲ層材料の抵抗変化
分を最大限に信号磁界検出の電圧変化に変換することが
可能となる。例えば、横バイアス磁界１３の大きさを形
状磁気異方性磁界１２に近い値にすればするほど同じ信
号磁界１５に対する磁界１１の回転角は大きくなり結果
として感度が高くなる。ただしこの場合、図３に示すよ
うに線形応答する磁界範囲は狭くなる。逆に、横バイア
ス磁界１３の大きさを形状磁気異方性磁界１２に比べて
１／２、１／３と小さくすると信号磁界１５に対する磁
化１１の回転角は小さくなり結果として感度が低くなる
が、線形応答する磁界範囲は広くなる。すなわち、横バ
イアス磁界１３の値を制御することによって必要な磁界
応答範囲を持った高感度の線形応答ＭＲ素子が実現され
る。
【０００９】
【実施例】図１は、本発明の一実施例を示す図である。
【００１０】図１においてガラス基板１上にｒｆスパッ
タ法を用いて反強磁性層２となるＦｅ50Ｍｎ50、さらに
連続してＭＲ層３となるＮｉ81Ｆｅ5 Ｃｏ14を成膜し
た。膜厚はそれぞれ５０ｎｍおよび４０ｎｍとした。成
膜中には永久磁石を用いて５００エルステッドの磁界を
印加し交換バイアス磁界の方向を定めた。この二層膜に
おいて磁化容易軸方向の磁化曲線における磁界軸方向の
ずれから交換バイアス磁界を測定したところ２２エルス
テッドであった。ＭＲ層３をなすＮｉ81Ｆｅ5 Ｃｏ14膜
の誘導異方性磁界は１２エルステッドであることから、
第２図中に示す横バイアス磁界１３は３４エルステッド
となることがわかった。この二層膜上に所定のフォトレ
ジストパターンを形成した後、Ａｒガス雰囲気中でイオ
ンエッチングを行い、同二層膜を長さ１１００μｍ、幅
８μｍの矩形パターンに加工した。この際のエッチング
条件は、加速電圧５００Ｖ、Ａｒガス圧力１×１００-4
Ｔｏｒｒであった。パターニングに際しては同矩形パタ
ーンの幅方向と横バイアス磁界方向１３が平行となるよ
うにした。同矩形パターンの形状磁気異方性磁界は５０
エルステッドであり、直交する横バイアス磁界の約１．
５倍となっていることが確認された。さらに同矩形パタ
ーンが形成された基板１上に、同じくｒｆスパッタ法を
用いて電極層４となる膜厚２５０ｎｍのＡｕを成膜し
た。次に、同Ａｕ層上に所定のフォトレジストパターン
を形成した後、同Ａｕ層を選択化学エッチングによって
斜めに電流が流れる形状の電極層４に加工した。電極層
４において対をなす電極端部は５箇所、電極端部の間隔
は４μｍ、矩形パターンとのなす角度は４５°とした。
以上のパターン形成後、ｒｆスパッタ法を用いてパター
ン全面にわたって厚さ１μｍのＳｉＯ2 保護膜層を形成
しＭＲ素子を作製した。
タ法を用いて反強磁性層２となるＦｅ50Ｍｎ50、さらに
連続してＭＲ層３となるＮｉ81Ｆｅ5 Ｃｏ14を成膜し
た。膜厚はそれぞれ５０ｎｍおよび４０ｎｍとした。成
膜中には永久磁石を用いて５００エルステッドの磁界を
印加し交換バイアス磁界の方向を定めた。この二層膜に
おいて磁化容易軸方向の磁化曲線における磁界軸方向の
ずれから交換バイアス磁界を測定したところ２２エルス
テッドであった。ＭＲ層３をなすＮｉ81Ｆｅ5 Ｃｏ14膜
の誘導異方性磁界は１２エルステッドであることから、
第２図中に示す横バイアス磁界１３は３４エルステッド
となることがわかった。この二層膜上に所定のフォトレ
ジストパターンを形成した後、Ａｒガス雰囲気中でイオ
ンエッチングを行い、同二層膜を長さ１１００μｍ、幅
８μｍの矩形パターンに加工した。この際のエッチング
条件は、加速電圧５００Ｖ、Ａｒガス圧力１×１００-4
Ｔｏｒｒであった。パターニングに際しては同矩形パタ
ーンの幅方向と横バイアス磁界方向１３が平行となるよ
うにした。同矩形パターンの形状磁気異方性磁界は５０
エルステッドであり、直交する横バイアス磁界の約１．
５倍となっていることが確認された。さらに同矩形パタ
ーンが形成された基板１上に、同じくｒｆスパッタ法を
用いて電極層４となる膜厚２５０ｎｍのＡｕを成膜し
た。次に、同Ａｕ層上に所定のフォトレジストパターン
を形成した後、同Ａｕ層を選択化学エッチングによって
斜めに電流が流れる形状の電極層４に加工した。電極層
４において対をなす電極端部は５箇所、電極端部の間隔
は４μｍ、矩形パターンとのなす角度は４５°とした。
以上のパターン形成後、ｒｆスパッタ法を用いてパター
ン全面にわたって厚さ１μｍのＳｉＯ2 保護膜層を形成
しＭＲ素子を作製した。
【００１１】このＭＲ素子を用いて周波数５００ｋＨ
ｚ、振幅１０エルステッドの高周波微小信号磁界を検出
したところ、センス電流２０ｍＡにおいて、線形に応答
していることを示す振幅５．６ｍＶの正弦波出力を得る
ことができた。従来材料であるパーマロイを用いた従来
構成のＭＲ素子と比較すると、従来素子においてはソフ
トフィルムバイアス法を用いて線形応答させ、また感磁
部分となるＭＲ層のパターン長および幅を本実施例と同
じ値にすると、同条件の信号磁界に対して出力振幅は
３．０ｍＶとなった。従って、本実施例の新ＭＲ素子に
おいては従来比約１．９倍の出力が得られたことにな
る。
ｚ、振幅１０エルステッドの高周波微小信号磁界を検出
したところ、センス電流２０ｍＡにおいて、線形に応答
していることを示す振幅５．６ｍＶの正弦波出力を得る
ことができた。従来材料であるパーマロイを用いた従来
構成のＭＲ素子と比較すると、従来素子においてはソフ
トフィルムバイアス法を用いて線形応答させ、また感磁
部分となるＭＲ層のパターン長および幅を本実施例と同
じ値にすると、同条件の信号磁界に対して出力振幅は
３．０ｍＶとなった。従って、本実施例の新ＭＲ素子に
おいては従来比約１．９倍の出力が得られたことにな
る。
【００１２】以上、本実施例に示したように、高感度、
高出力化を共に実現し、しかも比較的簡単な統計、製造
手段で、線形応答を行うＭＲ素子を得ることができた。
高出力化を共に実現し、しかも比較的簡単な統計、製造
手段で、線形応答を行うＭＲ素子を得ることができた。
【００１３】なお、ＭＲ層に用いるＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ膜
の組成比に関しては、必要とされる感度と交換バイアス
磁界値から決定される誘導磁気異方性磁界、および必要
とされる出力値から決定されるＭＲ比の両値を勘案し、
以前に我々が開示した特開平２−２３６８０号公報およ
び特願平４−２７１５２３号に記載されている三元組成
図を用いて、選択することができる。
の組成比に関しては、必要とされる感度と交換バイアス
磁界値から決定される誘導磁気異方性磁界、および必要
とされる出力値から決定されるＭＲ比の両値を勘案し、
以前に我々が開示した特開平２−２３６８０号公報およ
び特願平４−２７１５２３号に記載されている三元組成
図を用いて、選択することができる。
【００１４】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明に示す新
しい素子構成を採用することによって、良好な線形応答
と従来以上の高感度化を達成し、しかもＮｉ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ系合金薄膜を用いることによって従来以上の高出力化
を実現したＭＲ素子を得ることができる。
しい素子構成を採用することによって、良好な線形応答
と従来以上の高感度化を達成し、しかもＮｉ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ系合金薄膜を用いることによって従来以上の高出力化
を実現したＭＲ素子を得ることができる。
【図１】本発明によるＭＲ素子の構造を示す実施例の図
である。
である。
【図２】本発明によるＭＲ素子の動作原理を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図３】本発明によるＭＲ素子の線形応答範囲を説明す
るための図である。
るための図である。
１ 基板 ２ 反強磁性層 ３ ＭＲ層 ４ 電極層 １１ ＭＲ層の磁化 １２ 形状磁気異方性磁界 １３ 横バイアス磁界 １４ センス電流 １５ 信号磁界
Claims (2)
- 【請求項１】 隣接する強磁性層に界面を通して交換バ
イアス磁界を作用させるための反強磁性層と、磁気抵抗
効果を有する強磁性層と、同強磁性層においてパターン
に対して斜め方向に電流が流れるように１箇所または２
箇所以上の対をなす電極端部がパターンを斜めに横切る
形に加工されている電極層を有し、さらに強磁性層にお
いて交換バイアス磁界および同磁界と平行な誘導磁気異
方性磁界と、形状磁気異方性磁界が直交していて、しか
も交換バイアス磁界と誘導磁気異方性磁界の和は、形状
磁気異方性磁界よりも小さな値に設定されていることを
特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 【請求項２】 強磁性層に、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏの少なく
とも２元素を主成分とする合金を使用し、しかもその合
金の飽和磁歪定数が−１０×１０-7から１０×１０-7の
範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵
抗効果素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5334162A JPH07202294A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 磁気抵抗効果素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5334162A JPH07202294A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 磁気抵抗効果素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07202294A true JPH07202294A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18274239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5334162A Pending JPH07202294A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 磁気抵抗効果素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07202294A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007114019A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Tokai Rika Co Ltd | 磁気センサの磁性体配置構造 |
| JP2024510026A (ja) * | 2021-03-19 | 2024-03-05 | 江▲蘇▼多▲維▼科技有限公司 | 低磁場磁気抵抗角度センサ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63205584A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-25 | シーゲイト テクノロジー インターナショナル | 磁気抵抗センサ及びその製造方法 |
| JPS63273372A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-10 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 磁気抵抗センサ |
| JPH0554338A (ja) * | 1991-08-29 | 1993-03-05 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP5334162A patent/JPH07202294A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63205584A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-25 | シーゲイト テクノロジー インターナショナル | 磁気抵抗センサ及びその製造方法 |
| JPS63273372A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-10 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 磁気抵抗センサ |
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|---|---|---|---|---|
| JP2007114019A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Tokai Rika Co Ltd | 磁気センサの磁性体配置構造 |
| JP2024510026A (ja) * | 2021-03-19 | 2024-03-05 | 江▲蘇▼多▲維▼科技有限公司 | 低磁場磁気抵抗角度センサ |
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