JPH07202353A - 透明導電膜付基板及びその製造方法 - Google Patents
透明導電膜付基板及びその製造方法Info
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- JPH07202353A JPH07202353A JP35129493A JP35129493A JPH07202353A JP H07202353 A JPH07202353 A JP H07202353A JP 35129493 A JP35129493 A JP 35129493A JP 35129493 A JP35129493 A JP 35129493A JP H07202353 A JPH07202353 A JP H07202353A
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 透明導電膜の膜厚を薄くする手段によらず、
透明導電膜付基板の透過率の向上を図る。 【構成】 透明導電膜付基板は、両面にＳｉＯ2 膜から
なるコーティング膜２、３を施したソーダライムガラス
からなる透光性基板１の片側にＳｎＯ2 からなる透明導
電膜４を形成したものである。透明導電膜４を第一の層
４ａと第二の層４ｂとの２層構造とし、第二の透明導電
膜４ｂの屈折率より基板側の第一の層４ａの屈折率を低
くすると透過率が高くなる。
透明導電膜付基板の透過率の向上を図る。 【構成】 透明導電膜付基板は、両面にＳｉＯ2 膜から
なるコーティング膜２、３を施したソーダライムガラス
からなる透光性基板１の片側にＳｎＯ2 からなる透明導
電膜４を形成したものである。透明導電膜４を第一の層
４ａと第二の層４ｂとの２層構造とし、第二の透明導電
膜４ｂの屈折率より基板側の第一の層４ａの屈折率を低
くすると透過率が高くなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ペン入力装置、液晶デ
ィスプレイ、プラズマディスプレイ等に使用される透明
導電膜付基板とその製造方法に関する。
ィスプレイ、プラズマディスプレイ等に使用される透明
導電膜付基板とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の透明導電膜付基板は、ガラス等
の透明な透光性基板の上にＳｉＯ2 等の透明なコーティ
ング膜を施し、その上に物理的堆積法（ＰＶＤ）または
化学的堆積法（ＣＶＤ）等の手段で酸化錫または酸化イ
ンジウム錫（ＩＴＯ）等の透明導電膜を形成することで
製造されていた。この透明導電膜付基板において、光の
透過率が高い程明るくて見やすい表示装置や入力装置が
得られる。この光の透過率は、基板上に形成された透明
導電膜の膜厚に依存し、膜厚が薄い程透過率が高くな
る。しかし、一方において、透明導電膜の膜厚を薄くす
ると、そのシート抵抗が高くなるため、シート抵抗を所
要の値に抑えるためには、或る程度の膜厚の透明導電膜
が必要である。
の透明な透光性基板の上にＳｉＯ2 等の透明なコーティ
ング膜を施し、その上に物理的堆積法（ＰＶＤ）または
化学的堆積法（ＣＶＤ）等の手段で酸化錫または酸化イ
ンジウム錫（ＩＴＯ）等の透明導電膜を形成することで
製造されていた。この透明導電膜付基板において、光の
透過率が高い程明るくて見やすい表示装置や入力装置が
得られる。この光の透過率は、基板上に形成された透明
導電膜の膜厚に依存し、膜厚が薄い程透過率が高くな
る。しかし、一方において、透明導電膜の膜厚を薄くす
ると、そのシート抵抗が高くなるため、シート抵抗を所
要の値に抑えるためには、或る程度の膜厚の透明導電膜
が必要である。
【０００３】
【発明が解決しようとしている課題】前述のように、透
明導電膜付基板の光の透過率は、基板上に形成された透
明導電膜の膜厚に依存し、膜厚が薄い程透過率が高くな
る。しかし、透明導電膜の膜厚を薄くすると、そのシー
ト抵抗が高くなる。従って、透明導電膜のシート抵抗を
所要の値以下に抑えるためには、透明導電膜は或る程度
の膜厚が必要であり、透明導電膜の膜厚を薄くすること
で、高い透過率を得ることには自ずと限度があった。本
発明は、このような従来の課題に鑑み、透明導電膜の膜
厚を薄くする手段によらず、透明導電膜付基板の透過率
の向上を図ることを目的とする。
明導電膜付基板の光の透過率は、基板上に形成された透
明導電膜の膜厚に依存し、膜厚が薄い程透過率が高くな
る。しかし、透明導電膜の膜厚を薄くすると、そのシー
ト抵抗が高くなる。従って、透明導電膜のシート抵抗を
所要の値以下に抑えるためには、透明導電膜は或る程度
の膜厚が必要であり、透明導電膜の膜厚を薄くすること
で、高い透過率を得ることには自ずと限度があった。本
発明は、このような従来の課題に鑑み、透明導電膜の膜
厚を薄くする手段によらず、透明導電膜付基板の透過率
の向上を図ることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】すなわち、前記の目的を
達成するための本発明による透明導電膜付基板は、透光
性基板上に複数層の透光性膜を形成し、少なくとも最も
表面側の透光性膜が透明導電膜であるものにおいて、表
面側の透光性膜より基板側の透光性膜の屈折率が低いこ
とを特徴とするものである。
達成するための本発明による透明導電膜付基板は、透光
性基板上に複数層の透光性膜を形成し、少なくとも最も
表面側の透光性膜が透明導電膜であるものにおいて、表
面側の透光性膜より基板側の透光性膜の屈折率が低いこ
とを特徴とするものである。
【０００５】このような場合として、例えば、透明導電
膜がその厚み方向に屈折率が異なっており、その表面側
より基板側の層の屈折率が低くなっていることがあげら
れる。また、このような透明導電膜の屈折率に違いを得
るための手段として、透明導電膜がその表面側より基板
側の層の結晶が微細化されていることがあげられる。さ
らに、前述のような透光性膜の屈折率の違いは、透明導
電膜内だけでなく、透光性基板上により屈折率の低いコ
ーティング膜であるＭｇＦ2 膜を施し、この上にそれよ
り屈折率の高い透明導電膜を形成することで同様にして
得ることができる。
膜がその厚み方向に屈折率が異なっており、その表面側
より基板側の層の屈折率が低くなっていることがあげら
れる。また、このような透明導電膜の屈折率に違いを得
るための手段として、透明導電膜がその表面側より基板
側の層の結晶が微細化されていることがあげられる。さ
らに、前述のような透光性膜の屈折率の違いは、透明導
電膜内だけでなく、透光性基板上により屈折率の低いコ
ーティング膜であるＭｇＦ2 膜を施し、この上にそれよ
り屈折率の高い透明導電膜を形成することで同様にして
得ることができる。
【０００６】さらに、前記の目的を達成するための本発
明による透明導電膜付基板の製造方法は、透光性基板上
に複数層の透光性膜を形成し、少なくとも最も表面側の
透光性膜が透明導電膜である透明導電膜付基板を製造す
る方法において、物理的堆積法または化学的堆積法によ
り基板上に透明導電膜を形成するに当り、基板側の透光
性膜より表面側の透光性膜をより高い温度で形成するこ
とを特徴とするものである。
明による透明導電膜付基板の製造方法は、透光性基板上
に複数層の透光性膜を形成し、少なくとも最も表面側の
透光性膜が透明導電膜である透明導電膜付基板を製造す
る方法において、物理的堆積法または化学的堆積法によ
り基板上に透明導電膜を形成するに当り、基板側の透光
性膜より表面側の透光性膜をより高い温度で形成するこ
とを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】後述するように、透光性膜を複数層形成し、光
が入射する側、すなわち表面側の透光性膜の屈折率を一
定とし、それより基板側の透光性膜の屈折率を表面側の
透光性膜の屈折率より低くし、且つその屈折率を次第に
下げていくと、透過率が高くなることが分かった。従っ
て、本発明による透明導電膜付基板では、透明導電膜の
膜厚を薄くすることなく、このような表面側と基板側と
の層の屈折率の違いにより、透明導電膜付基板の透過率
を高くすることができる。
が入射する側、すなわち表面側の透光性膜の屈折率を一
定とし、それより基板側の透光性膜の屈折率を表面側の
透光性膜の屈折率より低くし、且つその屈折率を次第に
下げていくと、透過率が高くなることが分かった。従っ
て、本発明による透明導電膜付基板では、透明導電膜の
膜厚を薄くすることなく、このような表面側と基板側と
の層の屈折率の違いにより、透明導電膜付基板の透過率
を高くすることができる。
【０００８】このような各層の屈折率の違いは、透明導
電膜を複数層に分け、それらの屈折率を異ならせること
によって得ることができる。また、このような透明導電
膜の屈折率の違いは、透明導電膜の結晶の状態、すなわ
ち、表面側より基板側の層の結晶をより微細化すること
で、前者の屈折率より後者の屈折率を低くすることがで
きる。さらに、前述のような透光性膜の屈折率の違い
は、透明導電膜内だけでなく、透光性基板上に通常施さ
れるＳｉＯ2 からなるコーティング膜よりさらに屈折率
の低いＭｇＦ2 からなるコーティング膜を施し、この上
に透明導電膜を形成することで同様にして得ることがで
きる。
電膜を複数層に分け、それらの屈折率を異ならせること
によって得ることができる。また、このような透明導電
膜の屈折率の違いは、透明導電膜の結晶の状態、すなわ
ち、表面側より基板側の層の結晶をより微細化すること
で、前者の屈折率より後者の屈折率を低くすることがで
きる。さらに、前述のような透光性膜の屈折率の違い
は、透明導電膜内だけでなく、透光性基板上に通常施さ
れるＳｉＯ2 からなるコーティング膜よりさらに屈折率
の低いＭｇＦ2 からなるコーティング膜を施し、この上
に透明導電膜を形成することで同様にして得ることがで
きる。
【０００９】さらに、本発明による透明導電膜付基板の
製造では、物理的堆積法または化学的堆積法により基板
上に透明導電膜を形成するに当り、基板側の透光性膜よ
り表面側の透光性膜をより高い温度で形成するため、表
面側より基板側でより微細化された透明導電膜が形成で
きる。このようにして形成された透明導電膜は、表面か
ら基板側にいくに従ってその屈折率が次第に低くなる。
製造では、物理的堆積法または化学的堆積法により基板
上に透明導電膜を形成するに当り、基板側の透光性膜よ
り表面側の透光性膜をより高い温度で形成するため、表
面側より基板側でより微細化された透明導電膜が形成で
きる。このようにして形成された透明導電膜は、表面か
ら基板側にいくに従ってその屈折率が次第に低くなる。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例について、詳細かつ具
体的に説明する。既に述べた通り、透光性膜を複数層形
成し、光が入射する側、すなわち表面側の透光性膜の屈
折率を一定とし、それより基板側の透光性膜の屈折率を
表面側の透光性膜の屈折率より低くし、且つその屈折率
を次第に下げていくと、透過率が高くなる。例えば、図
１は、両面にＳｉＯ2 膜からなるコーティング膜２、３
を施したソーダライムガラスからなる透光性基板１の片
側にＳｎＯ2 からなる透明導電膜４を形成した例であ
る。図２は、このような透明導電膜付基板において、透
明導電膜４を第一の層４ａと第二の層４ｂとの２層構造
とし、表面側の第二の層４ｂの屈折率ｎ4bを１．９及び
２．０と各々一定にし、基板側の第一の層４ａの屈折率
ｎ4aを変え、透明導電膜４から基板側に波長５５０ｎｍ
の光を通した場合の透過率の変化を示している。なお、
透明導電膜４の膜厚は、第一及び第二の層４ａ、４ｂ共
に約７．５ｎｍであり、透明導電膜４全体の膜厚は１５
ｎｍである。
体的に説明する。既に述べた通り、透光性膜を複数層形
成し、光が入射する側、すなわち表面側の透光性膜の屈
折率を一定とし、それより基板側の透光性膜の屈折率を
表面側の透光性膜の屈折率より低くし、且つその屈折率
を次第に下げていくと、透過率が高くなる。例えば、図
１は、両面にＳｉＯ2 膜からなるコーティング膜２、３
を施したソーダライムガラスからなる透光性基板１の片
側にＳｎＯ2 からなる透明導電膜４を形成した例であ
る。図２は、このような透明導電膜付基板において、透
明導電膜４を第一の層４ａと第二の層４ｂとの２層構造
とし、表面側の第二の層４ｂの屈折率ｎ4bを１．９及び
２．０と各々一定にし、基板側の第一の層４ａの屈折率
ｎ4aを変え、透明導電膜４から基板側に波長５５０ｎｍ
の光を通した場合の透過率の変化を示している。なお、
透明導電膜４の膜厚は、第一及び第二の層４ａ、４ｂ共
に約７．５ｎｍであり、透明導電膜４全体の膜厚は１５
ｎｍである。
【００１１】この図から明かな通り、第一の層４ｂの屈
折率ｎ4aが次第に低下するに従って、透過率が高くな
る。例えば、第二の透明導電膜４ｂの屈折率をｎ4b＝
１．９、基板側の第一の層４ａの屈折率をｎ4a＝１．７
とした場合は、屈折率をｎ4b＝１．９、ｎ4a＝１．９と
した場合に比べて透過率が約０．７％高くなる。
折率ｎ4aが次第に低下するに従って、透過率が高くな
る。例えば、第二の透明導電膜４ｂの屈折率をｎ4b＝
１．９、基板側の第一の層４ａの屈折率をｎ4a＝１．７
とした場合は、屈折率をｎ4b＝１．９、ｎ4a＝１．９と
した場合に比べて透過率が約０．７％高くなる。
【００１２】このような結果をもとに、本発明では、透
明導電膜の表面側より基板側の層の屈折率を小さくする
ことにより、透明導電膜付基板の透過率を高くすること
ができるものである。なお、前記の例において、ＳｉＯ
2 膜からなるコーティング膜２、３の屈折率は、ｎ2＝
ｎ3＝１．４６であり、透光性基板１の屈折率は、ｎ1
＝１．５１である。また、コーティング膜２、３の膜厚
は、約１１０ｎｍである。
明導電膜の表面側より基板側の層の屈折率を小さくする
ことにより、透明導電膜付基板の透過率を高くすること
ができるものである。なお、前記の例において、ＳｉＯ
2 膜からなるコーティング膜２、３の屈折率は、ｎ2＝
ｎ3＝１．４６であり、透光性基板１の屈折率は、ｎ1
＝１．５１である。また、コーティング膜２、３の膜厚
は、約１１０ｎｍである。
【００１３】このような透明導電膜の各層の屈折率の違
いは、透明導電膜の結晶の状態、すなわち、表面側より
基板側の層の結晶をより微細化することで、前者の屈折
率より後者の屈折率を低くすることができる。例えばＰ
ＶＤまたはＣＶＤにより基板上に透明導電膜を形成する
に当り、基板側の透光性膜より表面側の透光性膜をより
高い温度で形成する。これにより、原料ガスや原料の液
滴が透光性基板１の表面における熱化学反応により、ま
ず結晶構造の定まらない非晶質層が形成され、その上に
微結晶層が成長し、さらに微結晶粒が堆積するにつれて
エピタキシャル成長により結晶軸が揃いながら結晶層が
形成される。この結果、透明導電膜４は非晶質層／微結
晶層／結晶層の複合層により形成され、基板から表面に
いくに従って屈折率が次第に高くなる。
いは、透明導電膜の結晶の状態、すなわち、表面側より
基板側の層の結晶をより微細化することで、前者の屈折
率より後者の屈折率を低くすることができる。例えばＰ
ＶＤまたはＣＶＤにより基板上に透明導電膜を形成する
に当り、基板側の透光性膜より表面側の透光性膜をより
高い温度で形成する。これにより、原料ガスや原料の液
滴が透光性基板１の表面における熱化学反応により、ま
ず結晶構造の定まらない非晶質層が形成され、その上に
微結晶層が成長し、さらに微結晶粒が堆積するにつれて
エピタキシャル成長により結晶軸が揃いながら結晶層が
形成される。この結果、透明導電膜４は非晶質層／微結
晶層／結晶層の複合層により形成され、基板から表面に
いくに従って屈折率が次第に高くなる。
【００１４】図３は、前述と同様のＳｉＯ2 膜からなる
コーティング膜２、３を有する透光性基板１の上にＳｎ
Ｏ2 膜からなる透明導電膜４を形成したものである。こ
の透明導電膜４は、非晶質層４ｃ、微結晶層４ｄ及び結
晶層４ｅを順次形成した構造となっている。このような
透明導電膜４において、非晶質層４ｃの屈折率は、ｎ4c
＝１．５２、微結晶層４ｄの屈折率は、ｎ4d＝１．７
０、結晶層４ｅの屈折率は、ｎ4e＝１．９０であり、ｎ
4c＜ｎ4d＜ｎ4eとなる。
コーティング膜２、３を有する透光性基板１の上にＳｎ
Ｏ2 膜からなる透明導電膜４を形成したものである。こ
の透明導電膜４は、非晶質層４ｃ、微結晶層４ｄ及び結
晶層４ｅを順次形成した構造となっている。このような
透明導電膜４において、非晶質層４ｃの屈折率は、ｎ4c
＝１．５２、微結晶層４ｄの屈折率は、ｎ4d＝１．７
０、結晶層４ｅの屈折率は、ｎ4e＝１．９０であり、ｎ
4c＜ｎ4d＜ｎ4eとなる。
【００１５】図４に実線で示したのは、このような透明
導電膜４を有する透明導電膜付基板に、透明導電膜側か
ら光を通した場合の透過光の波長と透過率との関係を示
すグラフである。この場合の膜厚は、非晶質層４ｃが約
２ｎｍ、微結晶層４ｄが約４ｎｍ、結晶層４ｅが約９ｎ
ｍであり、透明導電膜４全体の膜厚は１５ｎｍである。
一方、図４に破線で示したのは、透明導電膜４全体、す
なわち膜厚１５ｎｍを結晶層（屈折率ｎ＝１．９）で形
成した場合の透過率である。この結果から明かな通り、
実線で表わした前者のものが、破線で表わした後者のも
のより、何れの波長でも高い透過率が得られている。
導電膜４を有する透明導電膜付基板に、透明導電膜側か
ら光を通した場合の透過光の波長と透過率との関係を示
すグラフである。この場合の膜厚は、非晶質層４ｃが約
２ｎｍ、微結晶層４ｄが約４ｎｍ、結晶層４ｅが約９ｎ
ｍであり、透明導電膜４全体の膜厚は１５ｎｍである。
一方、図４に破線で示したのは、透明導電膜４全体、す
なわち膜厚１５ｎｍを結晶層（屈折率ｎ＝１．９）で形
成した場合の透過率である。この結果から明かな通り、
実線で表わした前者のものが、破線で表わした後者のも
のより、何れの波長でも高い透過率が得られている。
【００１６】前記の例は、透明導電膜がＳｎＯ2 膜から
なる場合であるが、図５は透明透明導電膜４がＩＴＯか
らなる場合を示している。ここで、ＩＴＯ膜からなる透
明導電膜４の場合、非晶質層４ｃの屈折率は、ｎ4c＝
１．５２、微結晶層４ｄの屈折率は、ｎ4d＝１．６５、
結晶層４ｅの屈折率は、ｎ4e＝１．８０となる。
なる場合であるが、図５は透明透明導電膜４がＩＴＯか
らなる場合を示している。ここで、ＩＴＯ膜からなる透
明導電膜４の場合、非晶質層４ｃの屈折率は、ｎ4c＝
１．５２、微結晶層４ｄの屈折率は、ｎ4d＝１．６５、
結晶層４ｅの屈折率は、ｎ4e＝１．８０となる。
【００１７】図６に実線で示したのは、やはり前記図４
と同様にして、このような透明導電膜４を有する透明導
電膜付基板に、透明導電膜側から光を通した場合の透過
光の波長と透過率との関係を示すグラフである。非晶質
層４ｃ、微結晶層４ｄ及び結晶層４ｅの膜厚は、前記Ｓ
ｎＯ2 膜の場合と同じである。一方、図６に破線で示し
たのは、透明導電膜４全体を結晶層（屈折率ｎ＝１．
８）で形成した場合の透過率である。この場合も、透明
導電膜がＳｎＯ2 からなる場合と概ね同様の結果が得ら
れる。
と同様にして、このような透明導電膜４を有する透明導
電膜付基板に、透明導電膜側から光を通した場合の透過
光の波長と透過率との関係を示すグラフである。非晶質
層４ｃ、微結晶層４ｄ及び結晶層４ｅの膜厚は、前記Ｓ
ｎＯ2 膜の場合と同じである。一方、図６に破線で示し
たのは、透明導電膜４全体を結晶層（屈折率ｎ＝１．
８）で形成した場合の透過率である。この場合も、透明
導電膜がＳｎＯ2 からなる場合と概ね同様の結果が得ら
れる。
【００１８】さらに、前述の例は、透明導電膜内で屈折
率を変えたものであるが、透光性基板上に通常施される
ＳｉＯ2 のコーティング膜よりさらに屈折率の低いＭｇ
Ｆ2からなるコーティング膜を施し、この上に透明導電
膜を形成することでも、より高い透過率を得ることがで
きる。
率を変えたものであるが、透光性基板上に通常施される
ＳｉＯ2 のコーティング膜よりさらに屈折率の低いＭｇ
Ｆ2からなるコーティング膜を施し、この上に透明導電
膜を形成することでも、より高い透過率を得ることがで
きる。
【００１９】図７は、ソーダライムガラスからなる透光
性基板１の両面に、ＳｉＯ2 膜からなるコーティング膜
に代えて、ＭｇＦ2 からなるコーティング膜２、３を施
し、その上に、膜厚約１５ｎｍのＳｎＯ2 からなる透明
導電膜４を形成したものを示す。ＭｇＦ2 からなるコー
ティング膜２、３の屈折率は、ｎ2＝ｎ3＝１．３８であ
り、ＳｎＯ2 からなる透明導電膜４の屈折率は、ｎ4 ＝
１．９である。
性基板１の両面に、ＳｉＯ2 膜からなるコーティング膜
に代えて、ＭｇＦ2 からなるコーティング膜２、３を施
し、その上に、膜厚約１５ｎｍのＳｎＯ2 からなる透明
導電膜４を形成したものを示す。ＭｇＦ2 からなるコー
ティング膜２、３の屈折率は、ｎ2＝ｎ3＝１．３８であ
り、ＳｎＯ2 からなる透明導電膜４の屈折率は、ｎ4 ＝
１．９である。
【００２０】図８に点線で示したのは、このようなＭｇ
Ｆ2 からなるコーティング膜２、３を有する透明導電膜
付基板の前記コーティング膜２、３の膜厚と波長５５０
ｎｍにおける透過率との関係を示すグラフである。ま
た、同図において実線で示したのは、透明導電膜４が形
成されるのと反対側の透光性基板１の表面上にコーティ
ング膜２を設けないもの、破線で示したのは、ＭｇＦ2
膜からなるコーティング膜に代えて、透光性基板１の両
面にＳｉＯ2 （屈折率１．４６）からなるコーティング
膜を施し、その片側に、膜厚約１５ｎｍのＳｎＯ2 から
なる透明導電膜４を形成したもののコーティング膜２、
３の膜厚と透過率との関係を示すグラフである。
Ｆ2 からなるコーティング膜２、３を有する透明導電膜
付基板の前記コーティング膜２、３の膜厚と波長５５０
ｎｍにおける透過率との関係を示すグラフである。ま
た、同図において実線で示したのは、透明導電膜４が形
成されるのと反対側の透光性基板１の表面上にコーティ
ング膜２を設けないもの、破線で示したのは、ＭｇＦ2
膜からなるコーティング膜に代えて、透光性基板１の両
面にＳｉＯ2 （屈折率１．４６）からなるコーティング
膜を施し、その片側に、膜厚約１５ｎｍのＳｎＯ2 から
なる透明導電膜４を形成したもののコーティング膜２、
３の膜厚と透過率との関係を示すグラフである。
【００２１】透光性基板１にＳｉＯ2 からなるコーティ
ング膜を施したものでは、透過率が９２％を越えること
は無いが、ＭｇＦ2 からなるコーティング膜２、３を有
する透明導電膜付基板では、これより高い透過率が得ら
れる。特に、透光性基板１の両面にＭｇＦ2 からなるコ
ーティング膜２、３を施したものでは、高い反射が得ら
れ、コーティング膜２、３の膜厚が８０ｎｍ付近で透過
率が最大となる。
ング膜を施したものでは、透過率が９２％を越えること
は無いが、ＭｇＦ2 からなるコーティング膜２、３を有
する透明導電膜付基板では、これより高い透過率が得ら
れる。特に、透光性基板１の両面にＭｇＦ2 からなるコ
ーティング膜２、３を施したものでは、高い反射が得ら
れ、コーティング膜２、３の膜厚が８０ｎｍ付近で透過
率が最大となる。
【００２２】図９は、ＭｇＦ2 からなるコーティング膜
２、３を施しその上に、ＳｎＯ2 からなる透明導電膜に
代えてＩＴＯからなる透明導電膜４を形成したものを示
す。ＩＴＯからなる透明導電膜４の屈折率は、ｎ4 ＝
１．８である。また図１０は、このような透明導電膜付
基板の前記コーティング膜２、３の膜厚と波長５５０ｎ
ｍにおける透過率との関係を、図８と同様にしてＳｉＯ
2 からなるコーティング膜を有するものと共に示したグ
ラフである。この場合も、透明導電膜がＳｎＯ2 からな
る場合と概ね同様の結果が得られる。なお、このＭｇＦ
2 からなるコーティング膜２、３を用いることと、前記
の透明導電膜４の屈折率をその厚み方向に沿って変える
こととは、併用することができることは言うまでもな
い。
２、３を施しその上に、ＳｎＯ2 からなる透明導電膜に
代えてＩＴＯからなる透明導電膜４を形成したものを示
す。ＩＴＯからなる透明導電膜４の屈折率は、ｎ4 ＝
１．８である。また図１０は、このような透明導電膜付
基板の前記コーティング膜２、３の膜厚と波長５５０ｎ
ｍにおける透過率との関係を、図８と同様にしてＳｉＯ
2 からなるコーティング膜を有するものと共に示したグ
ラフである。この場合も、透明導電膜がＳｎＯ2 からな
る場合と概ね同様の結果が得られる。なお、このＭｇＦ
2 からなるコーティング膜２、３を用いることと、前記
の透明導電膜４の屈折率をその厚み方向に沿って変える
こととは、併用することができることは言うまでもな
い。
【００２３】次に、本発明のより具体的な実施例につい
て説明する。 （実施例１）両面にＳｉＯ2 膜からなるコーティング膜
２、３を施したソーダライムガラスからなる７０ｍｍ×
７０ｍｍの透光性基板１を用意した。また、純水１５０
ｍｌとエタノール１５ｍｌとに、２５ｇのＳｎＣｌ4・
６Ｈ2Ｏと１０．５８ｇのＮＨ4Ｆ を溶解し、透明導電
膜形成用の原料溶液を用意した。
て説明する。 （実施例１）両面にＳｉＯ2 膜からなるコーティング膜
２、３を施したソーダライムガラスからなる７０ｍｍ×
７０ｍｍの透光性基板１を用意した。また、純水１５０
ｍｌとエタノール１５ｍｌとに、２５ｇのＳｎＣｌ4・
６Ｈ2Ｏと１０．５８ｇのＮＨ4Ｆ を溶解し、透明導電
膜形成用の原料溶液を用意した。
【００２４】次に、ホットプレート上で前記透光性基板
１を３５０℃に加熱しながら、基板の上方から前記の原
料溶液を透光性基板１の表面上にスプレーし、膜厚約
７．５ｎｍのＳｎＯ2 からなる透明導電膜４の第一の層
４ａを形成した。次に、透光性基板１の前記ホットプレ
ートによる加熱温度を５００℃とし、膜厚約７．５ｎｍ
のＳｎＯ2 からなる透明導電膜４の第二の層４ｂを形成
した。これにより、図１に示すような透明導電膜付基板
を得た。
１を３５０℃に加熱しながら、基板の上方から前記の原
料溶液を透光性基板１の表面上にスプレーし、膜厚約
７．５ｎｍのＳｎＯ2 からなる透明導電膜４の第一の層
４ａを形成した。次に、透光性基板１の前記ホットプレ
ートによる加熱温度を５００℃とし、膜厚約７．５ｎｍ
のＳｎＯ2 からなる透明導電膜４の第二の層４ｂを形成
した。これにより、図１に示すような透明導電膜付基板
を得た。
【００２５】この透明導電膜付基板について、透明導電
膜４から基板側に波長５５０ｎｍの光を通し、透過率を
測定したところ、９２．０％であった。この場合の前記
透明導電膜４の第一の層４ａ屈折率は１．７０、第二の
層の屈折率は１．９０と推定される。
膜４から基板側に波長５５０ｎｍの光を通し、透過率を
測定したところ、９２．０％であった。この場合の前記
透明導電膜４の第一の層４ａ屈折率は１．７０、第二の
層の屈折率は１．９０と推定される。
【００２６】また、前記透明導電膜４の第一の層４ａを
形成する透光性基板１の加熱温度を４００℃と４５０℃
に各々変えて透明導電膜付基板を作った。この透明導電
膜付基板についても同様にして波長５５０ｎｍの光の透
過率を測定したところ、９１．６％と９１．３％であっ
た。この場合の前記透明導電膜４の第一の層４ａ屈折率
は、各々１．８２、１．８９と推定される。これらの結
果を図１にプロットすると、丸印の通りである。
形成する透光性基板１の加熱温度を４００℃と４５０℃
に各々変えて透明導電膜付基板を作った。この透明導電
膜付基板についても同様にして波長５５０ｎｍの光の透
過率を測定したところ、９１．６％と９１．３％であっ
た。この場合の前記透明導電膜４の第一の層４ａ屈折率
は、各々１．８２、１．８９と推定される。これらの結
果を図１にプロットすると、丸印の通りである。
【００２７】（比較例１）前記実施例１において、透光
性基板１の前記ホットプレートによる加熱温度を５００
℃とし、膜厚約１５ｎｍのＳｎＯ2 からなる透明導電膜
４を形成したこと以外は、同実施例と同様にして透明導
電膜付基板を作った。このようにして得られた透明導電
膜付基板について、前述と同様にして、波長５５０ｎｍ
の光の透過率を測定したところ、９１．２５％であっ
た。この場合の前記透明導電膜の屈折率は１．９０と推
定される。この結果を図１にプロットすると、・印の通
りである。
性基板１の前記ホットプレートによる加熱温度を５００
℃とし、膜厚約１５ｎｍのＳｎＯ2 からなる透明導電膜
４を形成したこと以外は、同実施例と同様にして透明導
電膜付基板を作った。このようにして得られた透明導電
膜付基板について、前述と同様にして、波長５５０ｎｍ
の光の透過率を測定したところ、９１．２５％であっ
た。この場合の前記透明導電膜の屈折率は１．９０と推
定される。この結果を図１にプロットすると、・印の通
りである。
【００２８】（実施例２）前記実施例１において、次の
ように温度条件を変えて、ＳｎＯ2 からなる透明導電膜
４を形成したこと以外は、同実施例と同様にして、図３
に示すような透明導電膜付基板を作った。すなわち、ま
ずホットプレート上で前記透光性基板１を３００℃に加
熱しながら、基板の上方から前記の原料溶液を透光性基
板１上にスプレーし、膜厚約２ｎｍのＳｎＯ2 からなる
透明導電膜４の第一の層４ｃを形成した。次に、透光性
基板１の前記ホットプレートによる加熱温度を３５０℃
とし、膜厚約４ｎｍのＳｎＯ2 からなる透明導電膜４の
第三の層４ｄを形成した。さらに、透光性基板１の前記
ホットプレートによる加熱温度を５００℃とし、膜厚約
９ｎｍのＳｎＯ2 からなる透明導電膜４の第二の層４ｄ
を形成した。これにより、図３に示すような透明導電膜
付基板を得た。この透明導電膜付基板について、透明導
電膜４から基板側に波長の異なる光を通し、透過光の波
長と透過率との関係を測定したところ、図４に実線で示
す通りであった。
ように温度条件を変えて、ＳｎＯ2 からなる透明導電膜
４を形成したこと以外は、同実施例と同様にして、図３
に示すような透明導電膜付基板を作った。すなわち、ま
ずホットプレート上で前記透光性基板１を３００℃に加
熱しながら、基板の上方から前記の原料溶液を透光性基
板１上にスプレーし、膜厚約２ｎｍのＳｎＯ2 からなる
透明導電膜４の第一の層４ｃを形成した。次に、透光性
基板１の前記ホットプレートによる加熱温度を３５０℃
とし、膜厚約４ｎｍのＳｎＯ2 からなる透明導電膜４の
第三の層４ｄを形成した。さらに、透光性基板１の前記
ホットプレートによる加熱温度を５００℃とし、膜厚約
９ｎｍのＳｎＯ2 からなる透明導電膜４の第二の層４ｄ
を形成した。これにより、図３に示すような透明導電膜
付基板を得た。この透明導電膜付基板について、透明導
電膜４から基板側に波長の異なる光を通し、透過光の波
長と透過率との関係を測定したところ、図４に実線で示
す通りであった。
【００２９】（比較例２）ＳｎＯ2 の結晶粉末の焼結タ
ーゲットを用い、これを前記実施例２において使用した
のと同様のコーティング膜２、３を有する透光性基板の
片面にスパッタリングし、厚さ約１５ｎｍのＳｎＯ2 か
らなる透明導電膜を形成した。このようにして得られた
透明導電膜付基板について、透明導電膜４から基板側に
波長の異なる光を通し、透過光の波長と透過率との関係
を測定したところ、図４に破線で示す通りであった。
ーゲットを用い、これを前記実施例２において使用した
のと同様のコーティング膜２、３を有する透光性基板の
片面にスパッタリングし、厚さ約１５ｎｍのＳｎＯ2 か
らなる透明導電膜を形成した。このようにして得られた
透明導電膜付基板について、透明導電膜４から基板側に
波長の異なる光を通し、透過光の波長と透過率との関係
を測定したところ、図４に破線で示す通りであった。
【００３０】（実施例３）前記実施例２において、純水
１５０ｍｌとエタノール１５ｍｌとに、２７ｇのＩｎＣ
ｌ4・４Ｈ2Ｏと３ｇのＳｎＣｌ4・４Ｈ2Ｏとを溶解した
透明導電膜形成用の原料溶液を用い、ＳｎＯ2 からなる
透明導電膜に代えてＩＴＯからなる透明導電膜４を形成
したこと以外は、同実施例と同様にして、図５に示すよ
うな透明導電膜付基板を作った。この透明導電膜付基板
について、透明導電膜４から基板側に波長の異なる光を
通し、透過光の波長と透過率との関係を測定したとこ
ろ、図６に実線で示す通りであった。
１５０ｍｌとエタノール１５ｍｌとに、２７ｇのＩｎＣ
ｌ4・４Ｈ2Ｏと３ｇのＳｎＣｌ4・４Ｈ2Ｏとを溶解した
透明導電膜形成用の原料溶液を用い、ＳｎＯ2 からなる
透明導電膜に代えてＩＴＯからなる透明導電膜４を形成
したこと以外は、同実施例と同様にして、図５に示すよ
うな透明導電膜付基板を作った。この透明導電膜付基板
について、透明導電膜４から基板側に波長の異なる光を
通し、透過光の波長と透過率との関係を測定したとこ
ろ、図６に実線で示す通りであった。
【００３１】（比較例３）ＩＴＯのターゲットを用い、
これを前記実施例３において使用したのと同様のコーテ
ィング膜２、３を有する透光性基板の片面に電子ビーム
蒸着し、厚さ約１５ｎｍのＳｎＯ2 からなる透明導電膜
を形成した。このようにして得られた透明導電膜付基板
について、透明導電膜４から基板側に波長の異なる光を
通し、透過光の波長と透過率との関係を測定したとこ
ろ、図６に破線で示す通りであった。
これを前記実施例３において使用したのと同様のコーテ
ィング膜２、３を有する透光性基板の片面に電子ビーム
蒸着し、厚さ約１５ｎｍのＳｎＯ2 からなる透明導電膜
を形成した。このようにして得られた透明導電膜付基板
について、透明導電膜４から基板側に波長の異なる光を
通し、透過光の波長と透過率との関係を測定したとこ
ろ、図６に破線で示す通りであった。
【００３２】（実施例４）片面にＭｇＦ2 を真空蒸着し
てコーティング膜を施したソーダライムガラスからなる
７０ｍｍ×７０ｍｍの透光性基板１を用意した。また、
純水１５０ｍｌとエタノール１５ｍｌとに、２５ｇのＳ
ｎＣｌ4・６Ｈ2Ｏと１０．５８ｇのＮＨ4Ｆ を溶解し、
透明導電膜形成用の原料溶液を用意した。
てコーティング膜を施したソーダライムガラスからなる
７０ｍｍ×７０ｍｍの透光性基板１を用意した。また、
純水１５０ｍｌとエタノール１５ｍｌとに、２５ｇのＳ
ｎＣｌ4・６Ｈ2Ｏと１０．５８ｇのＮＨ4Ｆ を溶解し、
透明導電膜形成用の原料溶液を用意した。
【００３３】次に、ホットプレート上で前記透光性基板
１を５００℃に加熱しながら、基板の上方から前記の原
料溶液を、透光性基板１のコーティング膜を施した側の
表面上にスプレーし、膜厚約１５ｎｍのＳｎＯ2 からな
る透明導電膜４を形成した。これにより透明導電膜付基
板を得た。このような透明導電膜付基板であって、前記
ＭｇＦ2 からなるコーティング膜の膜厚の異なるものに
ついて、透明導電膜４から基板側に波長５５０ｎｍの光
を通し、その透過率を測定し、ＭｇＦ2 からなるコーテ
ィング膜の膜厚と透過率との関係を調べたところ、図８
に実線で示す通りであった。
１を５００℃に加熱しながら、基板の上方から前記の原
料溶液を、透光性基板１のコーティング膜を施した側の
表面上にスプレーし、膜厚約１５ｎｍのＳｎＯ2 からな
る透明導電膜４を形成した。これにより透明導電膜付基
板を得た。このような透明導電膜付基板であって、前記
ＭｇＦ2 からなるコーティング膜の膜厚の異なるものに
ついて、透明導電膜４から基板側に波長５５０ｎｍの光
を通し、その透過率を測定し、ＭｇＦ2 からなるコーテ
ィング膜の膜厚と透過率との関係を調べたところ、図８
に実線で示す通りであった。
【００３４】（実施例５）前記実施例４において、両面
にＭｇＦ2 を真空蒸着してコーティング膜を施したソー
ダライムガラスからなる７０ｍｍ×７０ｍｍの透光性基
板１を用いたこと以外は、同実施例と同様にして、透光
性基板１の片面に膜厚約１５ｎｍのＳｎＯ2 からなる透
明導電膜４を形成し、これにより図７に示すような透明
導電膜付基板を作った。このような透明導電膜付基板に
ついて、同様にしてＭｇＦ2 からなるコーティング膜の
膜厚と透過率との関係を調べたところ、図８に点線で示
す通りであった。
にＭｇＦ2 を真空蒸着してコーティング膜を施したソー
ダライムガラスからなる７０ｍｍ×７０ｍｍの透光性基
板１を用いたこと以外は、同実施例と同様にして、透光
性基板１の片面に膜厚約１５ｎｍのＳｎＯ2 からなる透
明導電膜４を形成し、これにより図７に示すような透明
導電膜付基板を作った。このような透明導電膜付基板に
ついて、同様にしてＭｇＦ2 からなるコーティング膜の
膜厚と透過率との関係を調べたところ、図８に点線で示
す通りであった。
【００３５】（比較例４）前記実施例５において、Ｍｇ
Ｆ2 からなるコーティング膜に代えて、両面にＳｉＯ2
をディップしてコーティング膜を施したソーダライムガ
ラスからなる７０ｍｍ×７０ｍｍの透光性基板１を用い
たこと以外は、同実施例と同様にして、透光性基板１の
片面に膜厚約１５ｎｍのＳｎＯ2 からなる透明導電膜４
を形成し、透明導電膜付基板を作った。このような透明
導電膜付基板について、同様にしてＳｉＯ2 からなるコ
ーティング膜の膜厚と透過率との関係を調べたところ、
図８に破線で示す通りであった。
Ｆ2 からなるコーティング膜に代えて、両面にＳｉＯ2
をディップしてコーティング膜を施したソーダライムガ
ラスからなる７０ｍｍ×７０ｍｍの透光性基板１を用い
たこと以外は、同実施例と同様にして、透光性基板１の
片面に膜厚約１５ｎｍのＳｎＯ2 からなる透明導電膜４
を形成し、透明導電膜付基板を作った。このような透明
導電膜付基板について、同様にしてＳｉＯ2 からなるコ
ーティング膜の膜厚と透過率との関係を調べたところ、
図８に破線で示す通りであった。
【００３６】（実施例６）前記実施例４において、純水
１５０ｍｌとエタノール１５ｍｌとに、２７ｇのＩｎＣ
ｌ4・４Ｈ2Ｏと３ｇのＳｎＣｌ4・４Ｈ2Ｏとを溶解した
透明導電膜形成用の原料溶液を用い、ＳｎＯ2 からなる
透明導電膜に代えてＩＴＯからなる透明導電膜４を形成
したこと以外は、同実施例と同様にして、透明導電膜付
基板を作った。
１５０ｍｌとエタノール１５ｍｌとに、２７ｇのＩｎＣ
ｌ4・４Ｈ2Ｏと３ｇのＳｎＣｌ4・４Ｈ2Ｏとを溶解した
透明導電膜形成用の原料溶液を用い、ＳｎＯ2 からなる
透明導電膜に代えてＩＴＯからなる透明導電膜４を形成
したこと以外は、同実施例と同様にして、透明導電膜付
基板を作った。
【００３７】このような透明導電膜付基板であって、前
記ＭｇＦ2 からなるコーティング膜の膜厚の異なるもの
について、透明導電膜４から基板側に波長５５０ｎｍの
光を通し、透過率を測定し、ＭｇＦ2 からなるコーティ
ング膜の膜厚と透過率との関係を調べたところ、図１０
に実線で示す通りであった。
記ＭｇＦ2 からなるコーティング膜の膜厚の異なるもの
について、透明導電膜４から基板側に波長５５０ｎｍの
光を通し、透過率を測定し、ＭｇＦ2 からなるコーティ
ング膜の膜厚と透過率との関係を調べたところ、図１０
に実線で示す通りであった。
【００３８】（実施例７）前記実施例６において、両面
にＭｇＦ2 を真空蒸着してコーティング膜を施したソー
ダライムガラスからなる７０ｍｍ×７０ｍｍの透光性基
板１を用いたこと以外は、同実施例と同様にして、透光
性基板１の片面に膜厚約１５ｎｍのＩＴＯからなる透明
導電膜４を形成し、これにより図９に示すような透明導
電膜付基板を作った。このような透明導電膜付基板につ
いて、同様にしてＭｇＦ2 からなるコーティング膜の膜
厚と透過率との関係を調べたところ、図１０に点線で示
す通りであった。
にＭｇＦ2 を真空蒸着してコーティング膜を施したソー
ダライムガラスからなる７０ｍｍ×７０ｍｍの透光性基
板１を用いたこと以外は、同実施例と同様にして、透光
性基板１の片面に膜厚約１５ｎｍのＩＴＯからなる透明
導電膜４を形成し、これにより図９に示すような透明導
電膜付基板を作った。このような透明導電膜付基板につ
いて、同様にしてＭｇＦ2 からなるコーティング膜の膜
厚と透過率との関係を調べたところ、図１０に点線で示
す通りであった。
【００３９】（比較例５）前記実施例７において、Ｍｇ
Ｆ2 からなるコーティング膜に代えて、両面にＳｉＯ2
をディップしてコーティング膜を施したソーダライムガ
ラスからなる７０ｍｍ×７０ｍｍの透光性基板１を用い
たこと以外は、同実施例と同様にして、透光性基板１の
片面に膜厚約１５ｎｍのＩＴＯからなる透明導電膜４を
形成し、透明導電膜付基板を作った。このような透明導
電膜付基板について、同様にしてＳｉＯ2 からなるコー
ティング膜の膜厚と透過率との関係を調べたところ、図
１０に破線で示す通りであった。
Ｆ2 からなるコーティング膜に代えて、両面にＳｉＯ2
をディップしてコーティング膜を施したソーダライムガ
ラスからなる７０ｍｍ×７０ｍｍの透光性基板１を用い
たこと以外は、同実施例と同様にして、透光性基板１の
片面に膜厚約１５ｎｍのＩＴＯからなる透明導電膜４を
形成し、透明導電膜付基板を作った。このような透明導
電膜付基板について、同様にしてＳｉＯ2 からなるコー
ティング膜の膜厚と透過率との関係を調べたところ、図
１０に破線で示す通りであった。
【００４０】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、透
明導電膜の膜厚を薄くすることなく、その表面側と基板
側との層の屈折率の違いにより、透明導電膜付基板の透
過率を高くすることができる。従って、所要の値以下の
シート抵抗を有しながら、透過率の高い透明導電膜付基
板が得られ、電気的特性、光学的特性を共に満足するも
のが得られる。
明導電膜の膜厚を薄くすることなく、その表面側と基板
側との層の屈折率の違いにより、透明導電膜付基板の透
過率を高くすることができる。従って、所要の値以下の
シート抵抗を有しながら、透過率の高い透明導電膜付基
板が得られ、電気的特性、光学的特性を共に満足するも
のが得られる。
【図１】本発明の実施例による透明導電膜付基板の層構
造を示す概念断面図である。
造を示す概念断面図である。
【図２】同実施例による透明導電膜付基板の透明導電膜
の第一の層の屈折率と透過率との関係を示すグラフであ
る。
の第一の層の屈折率と透過率との関係を示すグラフであ
る。
【図３】本発明の他の実施例による透明導電膜付基板の
層構造を示す概念断面図である。
層構造を示す概念断面図である。
【図４】同実施例による透明導電膜付基板の透過光の波
長と透過率との関係を示すグラフである。
長と透過率との関係を示すグラフである。
【図５】本発明の他の実施例による透明導電膜付基板の
層構造を示す概念断面図である。
層構造を示す概念断面図である。
【図６】同実施例による透明導電膜付基板の透過光の波
長と透過率との関係を示すグラフである。
長と透過率との関係を示すグラフである。
【図７】本発明の他の実施例による透明導電膜付基板の
層構造を示す概念断面図である。
層構造を示す概念断面図である。
【図８】同実施例による透明導電膜付基板のコーティン
グ膜の膜厚と透過率との関係を示すグラフである。
グ膜の膜厚と透過率との関係を示すグラフである。
【図９】本発明の他の実施例による透明導電膜付基板の
層構造を示す概念断面図である。
層構造を示す概念断面図である。
【図１０】同実施例による透明導電膜付基板のコーティ
ング膜の膜厚と透過率との関係を示すグラフである。
ング膜の膜厚と透過率との関係を示すグラフである。
１ 透光性基板 ２ コーティング膜 ３ コーティング膜 ４ 透明導電膜 ４ａ 透明導電膜の第一の層 ４ｂ 透明導電膜の第二の層 ４ｃ 透明導電膜の非晶質層 ４ｄ 透明導電膜の微結晶層 ４ｅ 透明導電膜の結晶層
Claims (5)
- 【請求項１】 透光性基板上に複数層の透光性膜を形成
し、少なくとも最も表面側の透光性膜が透明導電膜であ
る透明導電膜付基板において、表面側の透光性膜より基
板側の透光性膜の屈折率が低いことを特徴とする透明導
電膜付基板。 - 【請求項２】 前記請求項１において、透明導電膜がそ
の厚み方向に屈折率が異なっており、その表面側より基
板側の層の屈折率が低くなっていることを特徴とする透
明導電膜付基板。 - 【請求項３】 前記請求項１または２において、透明導
電膜がその表面側より基板側の層の結晶が微細化されて
いることを特徴とする透明導電膜付基板。 - 【請求項４】 前記請求項１〜３の何れかにおいて、透
光性基板上にＭｇＦ2 の透明なコーティング膜が施さ
れ、この上に透明導電膜が形成されていることを特徴と
する透明導電膜付基板。 - 【請求項５】 透光性基板上に複数層の透光性膜を形成
し、少なくとも最も表面側の透光性膜が透明導電膜であ
る透明導電膜付基板を製造する方法において、物理的堆
積法または化学的堆積法により基板上に透明導電膜を形
成するに当り、基板側の透光性膜より表面側の透光性膜
をより高い温度で形成することを特徴とする透明導電膜
付基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35129493A JP3504965B2 (ja) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | 透明導電膜付基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35129493A JP3504965B2 (ja) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | 透明導電膜付基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07202353A true JPH07202353A (ja) | 1995-08-04 |
| JP3504965B2 JP3504965B2 (ja) | 2004-03-08 |
Family
ID=18416338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35129493A Expired - Fee Related JP3504965B2 (ja) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | 透明導電膜付基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3504965B2 (ja) |
-
1993
- 1993-12-30 JP JP35129493A patent/JP3504965B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3504965B2 (ja) | 2004-03-08 |
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