JPH07207162A - Semiconductor rectifier coating protection agent - Google Patents

Semiconductor rectifier coating protection agent

Info

Publication number
JPH07207162A
JPH07207162A JP519094A JP519094A JPH07207162A JP H07207162 A JPH07207162 A JP H07207162A JP 519094 A JP519094 A JP 519094A JP 519094 A JP519094 A JP 519094A JP H07207162 A JPH07207162 A JP H07207162A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
component
integer
platinum
protective agent
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP519094A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Nobuyuki Nishiwaki
信行 西脇
Nobuo Hirai
信男 平井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Momentive Performance Materials Japan LLC
Original Assignee
Toshiba Silicone Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Silicone Co Ltd filed Critical Toshiba Silicone Co Ltd
Priority to JP519094A priority Critical patent/JPH07207162A/en
Publication of JPH07207162A publication Critical patent/JPH07207162A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 アルケニル基含有ポリオルガノシロキサン、
ポリオルガノハイドロジェンシロキサン、白金系触媒お
よび酸化チタン粉末を含む半導体整流素子被覆保護剤。 【効果】 作業性に優れ、半導体整流素子の保護効果に
優れ、特に該半導体整流素子に優れた耐塩害性を付与す
る。
(57) [Summary] [Structure] Alkenyl group-containing polyorganosiloxane,
A protective agent for a semiconductor rectifying device, which comprises polyorganohydrogensiloxane, a platinum-based catalyst, and titanium oxide powder. [Effect] It is excellent in workability and excellent in the effect of protecting the semiconductor rectifying element, and particularly imparts excellent salt damage resistance to the semiconductor rectifying element.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体整流素子の半導
体チップを被覆保護するための被覆保護剤に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a coating protective agent for coating and protecting a semiconductor chip of a semiconductor rectifying device.

【0002】[0002]

【従来の技術】車両用交流発電機の三相全波整流装置
は、直流側端子となる一対の放熱板と、それぞれの放熱
板に対して、放熱板内では整流方向を揃え、放熱板間で
は整流方向が異なるように3個ずつ固着した半導体整流
素子と、異なる放熱板に固着された半導体整流素子相互
を接続する、3個の交流側端子とから構成されている。
上記の半導体整流素子としては、安定化技術の進歩によ
り、従来の缶封止型に代わって樹脂封止型が使用されて
いる。この半導体整流素子は、過酷な条件で使用される
ことから、封止用の樹脂について種々の改良が加えられ
てきている。封止用樹脂の代表例としては、特開昭59
−172749号公報に記載されているような、(1)
シリコーン樹脂、および(2)シリコーン樹脂とシリカ
粉末を添加したエポキシ樹脂との組合せが知られてい
る。
2. Description of the Related Art A three-phase full-wave rectifier for an AC generator for a vehicle includes a pair of heat radiating plates that serve as DC side terminals, and the rectifying directions within the heat radiating plates are aligned with respect to the heat radiating plates. In this case, the semiconductor rectifying elements are fixed to each other in three different rectifying directions, and the three AC side terminals are connected to the semiconductor rectifying elements fixed to different heat radiating plates.
As the semiconductor rectifying element, a resin-sealed type is used instead of the conventional can-sealed type due to progress in stabilization technology. Since this semiconductor rectifying element is used under severe conditions, various improvements have been added to the sealing resin. As a representative example of the sealing resin, Japanese Patent Laid-Open No. 59-59
(1) as described in Japanese Patent Publication No. 172749.
A combination of a silicone resin and (2) a silicone resin and an epoxy resin containing silica powder is known.

【0003】シリコーン樹脂は耐熱性、耐湿性および金
属との接着性が優れていることから、半導体整流素子の
封止用樹脂として広く使用されている。しかしながら、
シリコーン樹脂は熱膨張係数が大きいこと、また特に縮
合反応によって硬化するタイプにおいては硬化収縮が大
きいことが原因となって、金属との接着界面に剥離が生
じ易く、半導体整流素子の電気的特性不良を招くおそれ
がある。
Silicone resins are widely used as sealing resins for semiconductor rectifiers because of their excellent heat resistance, moisture resistance and adhesion to metals. However,
Silicone resin has a large coefficient of thermal expansion, and in particular, in the case of a type that cures by a condensation reaction, the curing shrinkage is large, so that peeling easily occurs at the adhesive interface with the metal, and the electrical characteristics of the semiconductor rectifier are poor. May be caused.

【0004】また、シリコーン樹脂は、単独で用いた場
合、塩害耐性が低いという問題がある。すなわち、半導
体整流素子を塩水噴霧状態に置くと、塩の電気分解によ
ってアルカリが発生し、このアルカリが、シリコーン樹
脂と金属との接着に寄与しているシルメタロキサン結合
を切断して、金属とシリコーン樹脂との接着界面の剥離
を招く。これは海浜地帯および積雪地帯で使用される車
両に搭載される半導体整流素子にとって、重大な問題で
ある。
The silicone resin, when used alone, has a problem of low salt damage resistance. That is, when the semiconductor rectifying device is placed in a salt spray state, alkali is generated by electrolysis of the salt, and this alkali breaks the silmetalloxane bond that contributes to the adhesion between the silicone resin and the metal, and the metal and the silicone resin. It causes peeling of the adhesive interface with. This is a serious problem for semiconductor rectifiers mounted on vehicles used in beach areas and snow areas.

【0005】上述の問題は、シリコーン樹脂とエポキシ
樹脂との組合せ、すなわちシリコーン樹脂層の上にエポ
キシ樹脂層を積層する構成の場合でも、依然として存在
している。シリコーン樹脂はエポキシ樹脂より熱膨張係
数が大きいことから、温度サイクルが加わると、シリコ
ーン樹脂の膨張収縮によってエポキシ樹脂と金属との密
着界面に剥離が生じ、その下のシリコーン樹脂と金属と
の接着界面はシリコーン樹脂単独の場合とほぼ同様の状
態に置かれるからである。
The above-mentioned problems still exist even in the case of a combination of a silicone resin and an epoxy resin, that is, a structure in which an epoxy resin layer is laminated on a silicone resin layer. Since silicone resin has a larger coefficient of thermal expansion than epoxy resin, when a temperature cycle is applied, the silicone resin expands and contracts, causing peeling at the adhesive interface between the epoxy resin and the metal, and the adhesive interface between the silicone resin and the metal below it. Is because it is placed in almost the same state as when the silicone resin is used alone.

【0006】このように、封止用樹脂として従来から知
られている樹脂を使用する限り、耐塩害性の優れた半導
体整流素子は得られていない。
As described above, as long as a conventionally known resin is used as the sealing resin, a semiconductor rectifying element excellent in salt damage resistance has not been obtained.

【0007】特開平4−146655号公報には、この
ような従来の封止用シリコーン樹脂の塩害に対する問題
点を解決して、耐塩害性に優れた封止剤として、シリカ
粉末を含むシリコーン樹脂を用いることが開示されてい
る。同公報には、このようなシリカ粉末を、シリコーン
樹脂100重量部に対して40〜120重量部添加する
ことが開示されている。しかし、このような高充填を行
った場合、煙霧質シリカのような粒径5〜40nmの微粉
末シリカを用いると、系の見掛け粘度が極度に上昇して
流動性を失い、作業性を著しく損ねる。また、溶融シリ
カや粉砕シリカは高充填が可能であるが、とくに同公報
に望ましいとされる平均粒径2〜6μmのものは、封止
作業の際およびその直後の系の流動性が大きくて垂れ流
れを生ずるので、作業性がかえって悪く、また、次工
程、たとえば処理したシリコーン樹脂を加熱硬化させる
加熱工程に移動させる際に、未硬化シリコーン樹脂の一
部が流出するという問題がある。また、作業性から、あ
らかじめシリコーン組成物を調製して単一容器に保存し
ておき、必要量を押し出すか流し出して封止作業を行う
方法が好ましいが、保存中にシリカ粉末が沈降して、不
均一になるという問題がある。
Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. 4-146655 solves the problem of the conventional sealing silicone resin against salt damage, and a silicone resin containing silica powder is used as a sealing agent having excellent salt damage resistance. Is disclosed. The publication discloses adding 40 to 120 parts by weight of such silica powder to 100 parts by weight of the silicone resin. However, in the case of performing such high filling, if fine powder silica having a particle size of 5 to 40 nm such as fumed silica is used, the apparent viscosity of the system is extremely increased and the fluidity is lost, resulting in remarkable workability. Spoil. Further, fused silica and pulverized silica can be highly filled, but those having an average particle size of 2 to 6 μm, which are particularly desirable in the publication, have a large fluidity during the sealing operation and immediately thereafter. Since a dripping flow is generated, the workability is rather bad, and there is a problem that a part of the uncured silicone resin flows out when it is moved to the next step, for example, the heating step of heating and curing the treated silicone resin. Further, from the viewpoint of workability, a method of preparing a silicone composition in advance and storing it in a single container, and extruding or pouring a necessary amount to perform a sealing operation is preferable, but silica powder settles during storage. However, there is a problem of non-uniformity.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、シリ
コーン固有の耐湿性を損うことなく、優れた耐塩害性と
封止作業性を有し、半導体整流素子における半導体チッ
プの露出面を被覆保護するのに適した、架橋しうるポリ
オルガノシロキサンを含む被覆保護剤を提供することで
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide excellent salt damage resistance and sealing workability without deteriorating the moisture resistance inherent to silicone, and to improve the exposed surface of a semiconductor chip in a semiconductor rectifying device. It is an object of the present invention to provide a coating protective agent containing a crosslinkable polyorganosiloxane suitable for coating protection.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するために検討を重ねた結果、付加反応によっ
て架橋しうるポリオルガノシロキサンを含む被覆保護剤
において、充填剤として酸化チタン粉末を用いることに
より、その目的を達成しうることを見出して、本発明を
完成するに至った。
The inventors of the present invention have conducted extensive studies to achieve the above object, and as a result, in a coating protective agent containing polyorganosiloxane capable of being crosslinked by an addition reaction, titanium oxide was used as a filler. The inventors have found that the purpose can be achieved by using a powder, and have completed the present invention.

【0010】すなわち、本発明の半導体整流素子被覆保
護剤は、(A)一般式:
That is, the semiconductor rectifying element coating protective agent of the present invention comprises (A) the general formula:

【化3】 (式中、R1 はアルケニル基を表し;R2 は脂肪族不飽
和結合を含まない置換または非置換の1価の炭化水素基
を表し;aは1〜3の整数であり;bは0〜2の整数で
あり;ただし、a+bは1〜3の整数である)で示され
るシロキサン単位を有し、R1 を分子中に少なくとも2
個有する、25℃における粘度が50〜1,000,0
00cSt のアルケニル基含有ポリオルガノシロキサン1
00重量部; (B)一般式:
[Chemical 3] (In the formula, R 1 represents an alkenyl group; R 2 represents a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group containing no aliphatic unsaturated bond; a is an integer of 1 to 3; b is 0. Is an integer of 2; and a + b is an integer of 1 to 3), and R 1 is at least 2 in the molecule.
Viscosity at 25 ° C. of 50 to 1,000,0
00cSt alkenyl group-containing polyorganosiloxane 1
00 parts by weight; (B) General formula:

【化4】 (式中、R3 は置換または非置換の1価の炭化水素基を
表し;cは0〜2の整数であり;dは1〜3の整数であ
り;ただし、c+dは1〜3の整数である)で示される
シロキサン単位を有し、ケイ素原子に結合した水素原子
を分子中に平均2個を越える数有するポリオルガノハイ
ドロジェンシロキサン、(A)成分中のアルケニル基1
個に対して、(B)成分中のケイ素原子に結合した水素
原子が0.2〜5個になる量; (C)白金および白金化合物からなる群より選ばれた触
媒、(A)成分に対して白金原子として0.1〜1,0
00ppm ;および (D)酸化チタン粉末40〜120重量部 を含むことを特徴とする。
[Chemical 4] (In the formula, R 3 represents a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group; c is an integer of 0 to 2; d is an integer of 1 to 3; provided that c + d is an integer of 1 to 3. A polyorganohydrogensiloxane having an average number of hydrogen atoms bonded to silicon atoms of more than 2 in the molecule, the alkenyl group 1 in the component (A)
The amount of hydrogen atoms bonded to silicon atoms in the component (B) is 0.2 to 5 per (B) component; (C) a catalyst selected from the group consisting of platinum and platinum compounds; In contrast, 0.1 to 1,0 as a platinum atom
00 ppm; and (D) titanium oxide powder in an amount of 40 to 120 parts by weight.

【0011】本発明の被覆保護剤は、半導体チップの被
覆作業に用いる際は適度の流動性があり、加熱により、
(A)成分のアルケニル基と(B)成分のヒドロシリル
基との間の付加反応によって、架橋して、ポリオルガノ
シロキサン架橋体と酸化チタン粉末からなる樹脂状、ゴ
ム状またはゲル状、好ましくはゴム状の被覆保護層を形
成する。
The coating protective agent of the present invention has a suitable fluidity when used for coating semiconductor chips, and when heated,
Resin-like, rubber-like or gel-like, preferably rubber-like, which is crosslinked by an addition reaction between the alkenyl group of the component (A) and the hydrosilyl group of the component (B) and is composed of a crosslinked polyorganosiloxane and titanium oxide powder. Forming a coating-like protective layer.

【0012】本発明に用いられる(A)成分のアルケニ
ル基含有ポリオルガノシロキサンは、本発明の被覆保護
剤のベースポリマーであり、前述の式(I)で示される
シロキサン単位中に、ケイ素原子に直結したアルケニル
基R1 を有する。(A)成分のシロキサン骨格は直鎖
状、分岐状、環状または網状のいずれであってもよい
が、架橋後の被覆保護剤がゴム状またはゲル状を呈する
場合は、直鎖状か、直鎖状のものと分岐状のものの混合
物であることが好ましい。粘度は25℃において50〜
1,000,000cSt であり、100〜500,00
0cSt が好ましい。50cSt 未満では架橋体がもろく、
1,000,000cSt を越えると未架橋状態における
被覆保護剤の流動性が悪くなり、作業性が劣る。
The alkenyl group-containing polyorganosiloxane of the component (A) used in the present invention is the base polymer of the coating protective agent of the present invention, and contains a silicon atom in the siloxane unit represented by the above formula (I). It has an alkenyl group R 1 directly attached. The siloxane skeleton of the component (A) may be linear, branched, cyclic or network, but when the coating protective agent after cross-linking has a rubber-like or gel-like structure, it may be linear or straight. It is preferably a mixture of chain and branched ones. Viscosity is 50 ~ at 25 ℃
1,000,000 cSt, 100 to 500,000
0 cSt is preferred. If it is less than 50 cSt, the crosslinked material is brittle,
If it exceeds 1,000,000 cSt, the flowability of the coating protective agent in the uncrosslinked state becomes poor and the workability becomes poor.

【0013】R1 としては、ビニル、アリル、1−ブテ
ニル、1−ヘキセニルなどが挙げられるが、合成の容易
なことからビニル基が好ましい。R2 およびその他のシ
ロキサン単位のケイ素原子に結合する有機基としては、
メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル、ドデシ
ルなどのアルキル基;フェニルなどのアリール基;2−
フェニルエチル、2−フェニルプロピルなどのアラルキ
ル基;クロロメチル、3,3,3−トリフルオロプロピ
ルなどの置換炭化水素基などが例示される。これらのう
ち、合成しやすく、しかも架橋後に良好な物理的性質を
保つうえで必要な重合度をもち、かつ架橋前には低い粘
度を保持するという点から、メチル基が最も好ましい。
架橋後の組成物に耐寒性が求められるときは少量のフェ
ニル基を、また耐油性が求められるときは3,3,3−
トリフルオロプロピル基を含有させるなど、任意に選択
することができる。
Examples of R 1 include vinyl, allyl, 1-butenyl, 1-hexenyl and the like, and a vinyl group is preferable because of easy synthesis. Examples of the organic group bonded to the silicon atom of R 2 and other siloxane units include
Alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl, butyl, hexyl and dodecyl; aryl groups such as phenyl; 2-
Examples thereof include aralkyl groups such as phenylethyl and 2-phenylpropyl; substituted hydrocarbon groups such as chloromethyl and 3,3,3-trifluoropropyl. Of these, a methyl group is most preferred because it is easy to synthesize, has a degree of polymerization required for maintaining good physical properties after crosslinking, and retains a low viscosity before crosslinking.
A small amount of phenyl groups is required when the composition after crosslinking is required to have cold resistance, and 3,3,3- when it is required to have oil resistance.
It can be arbitrarily selected such as containing a trifluoropropyl group.

【0014】式(I)で示されるシロキサン単位は、ア
ルケニル基含有ポリオルガノシロキサン(A)の分子鎖
の末端、途中のいずれに存在しても、またその両方に存
在してもよいが、架橋後の被覆保護剤に優れた機械的性
質を与えるためには、少なくとも末端に存在することが
好ましい。すなわち、上記を総合して、(A)成分とし
ては、両末端をジメチルビニルシロキシ基で封鎖された
ポリジメチルシロキサンか、これと、ジメチルビニルシ
ロキシ基を含有する分岐状ポリシロキサンとを含む混合
物であることが、特に好ましい。
The siloxane unit represented by the formula (I) may be present at the terminal end of the molecular chain of the alkenyl group-containing polyorganosiloxane (A), in the middle thereof, or at both of them, but is crosslinked. In order to give the subsequent coating protective agent excellent mechanical properties, it is preferable to be present at least at the terminal. That is, taking the above into consideration, the component (A) is a polydimethylsiloxane whose both ends are blocked with dimethylvinylsiloxy groups, or a mixture containing this and a branched polysiloxane containing a dimethylvinylsiloxy group. It is particularly preferable that

【0015】本発明に用いられる(B)成分のポリオル
ガノハイドロジェンシロキサンは、ケイ素原子に結合し
た水素原子が、式(II)で示されるシロキサン単位中に
存在し、そのSi−H結合と、(A)成分中のアルケニ
ル基との付加反応により、架橋剤として働く成分であ
る。ケイ素原子に結合した水素原子の数は、(B)成分
全体として分子中に平均2個を越える数であり、機械的
強度を要する場合は、3個以上であることが好ましい。
3 およびその他のシロキサン単位の有機基としては、
(A)成分におけるR2 と同様のものが例示され、合成
が容易な点から、メチル基が最も好ましい。このような
ポリオルガノハイドロジェンシロキサンは、シロキサン
骨格が直鎖状、分岐状もしくは環状のいずれであっても
よい。(B)成分の粘度は、25℃において10〜1,
000,000cSt が好ましく、15〜500cSt がさ
らに好ましい。
In the polyorganohydrogensiloxane of the component (B) used in the present invention, the hydrogen atom bonded to the silicon atom is present in the siloxane unit represented by the formula (II), and the Si--H bond thereof is It is a component that acts as a cross-linking agent by an addition reaction with the alkenyl group in the component (A). The number of hydrogen atoms bonded to the silicon atom is more than 2 on average in the molecule as a whole of the component (B), and when mechanical strength is required, it is preferably 3 or more.
As the organic group of R 3 and other siloxane units,
The same as R 2 in the component (A) is exemplified, and a methyl group is most preferable from the viewpoint of easy synthesis. In such a polyorganohydrogensiloxane, the siloxane skeleton may be linear, branched or cyclic. The viscosity of the component (B) is 10-1, at 25 ° C.
, 000,000 cSt is preferable, and 15 to 500 cSt is more preferable.

【0016】(B)成分の好ましい具体例としては、以
下のものが挙げられる。 a.(CH3)2 HSiO1/2 及びSiO2 単位からなる
分岐状ポリオルガノハイドロジェンシロキサン b.次式 (III):
Specific preferred examples of the component (B) include the following. a. Branched polyorganohydrogensiloxane consisting of (CH 3 ) 2 HSiO 1/2 and SiO 2 units b. Formula (III):

【0017】[0017]

【化5】 [Chemical 5]

【0018】(式中、pは3〜100、qは0〜100
の整数を表わす)で示される直鎖状ポリオルガノハイド
ロジェンシロキサン; c.次式(IV):
(In the formula, p is 3 to 100 and q is 0 to 100.
Represents an integer of), a linear polyorganohydrogensiloxane represented by the formula; c. The following formula (IV):

【0019】[0019]

【化6】 [Chemical 6]

【0020】(式中、pは1〜100、qは0〜100
の整数を表わす)で示される直鎖状ポリオルガノハイド
ロジェンシロキサン。
(In the formula, p is 1 to 100 and q is 0 to 100.
Represents an integer) of the linear polyorganohydrogensiloxane.

【0021】(B)成分の配合量は、(A)成分中のア
ルケニル基1個に対し、(B)成分中のケイ素原子に結
合した水素原子の数が0.2〜5個となるような量であ
り、機械的性質の優れた被覆保護剤が得られることか
ら、0.5〜3個となる量が好ましい。上記のアルケニ
ル基1個に対する水素原子の数が0.2個未満の場合
は、架橋密度が低くなり過ぎるため架橋が十分進行せ
ず、架橋後でも流動性が残るなど、所望の物理的性質が
得られず、好ましくない。また、水素原子が5個を越え
ると、架橋反応の際に発泡しやすく、架橋後の被覆保護
剤の耐熱性が低下し、好ましくない。また、(B)成分
は(A)成分に対する相溶性が優れていることが好まし
い。
The amount of the component (B) blended is such that the number of hydrogen atoms bonded to silicon atoms in the component (B) is 0.2 to 5 with respect to one alkenyl group in the component (A). Since it is a large amount and a coating protective agent having excellent mechanical properties can be obtained, an amount of 0.5 to 3 is preferable. When the number of hydrogen atoms per one alkenyl group is less than 0.2, the crosslinking density becomes too low and the crosslinking does not proceed sufficiently, resulting in fluidity remaining after the crosslinking. It is not preferable because it cannot be obtained. On the other hand, if the number of hydrogen atoms exceeds 5, it is not preferable because foaming easily occurs during the crosslinking reaction, and the heat resistance of the coating protective agent after crosslinking decreases. Further, the component (B) preferably has excellent compatibility with the component (A).

【0022】本発明に用いられる(C)成分の白金およ
び白金化合物から選ばれる触媒は、(A)成分のアルケ
ニル基と(B)成分のヒドロシリル基との間の付加反応
を促進するもので、塩化白金酸、塩化白金酸とアルコー
ルより得られる錯体、白金−オレフィン錯体、白金−ビ
ニルシロキサン錯体、白金の単体(白金黒)、その他の
白金配位化合物、あるいはアルミナ、シリカなどの担体
に白金の単体を担持したものなどを用いることができ
る。塩化白金酸または白金−オレフィン錯体は、アルコ
ール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、炭化水素
系溶剤などに溶解したものを使用することが好ましい。
The catalyst selected from the component (C) platinum and the platinum compound used in the present invention promotes the addition reaction between the alkenyl group of the component (A) and the hydrosilyl group of the component (B). Chloroplatinic acid, a complex obtained from chloroplatinic acid and an alcohol, a platinum-olefin complex, a platinum-vinylsiloxane complex, a simple substance of platinum (platinum black), other platinum coordination compounds, or a carrier of alumina, silica, etc. It is possible to use a single substance supported. Chloroplatinic acid or a platinum-olefin complex is preferably dissolved in an alcohol solvent, a ketone solvent, an ether solvent, a hydrocarbon solvent, or the like.

【0023】(C)成分の配合量は、(A)成分に対す
る白金原子として0.1〜1,000ppm であり、1.
0〜100ppm の範囲が好ましい。0.1ppm 未満では
効果が少なく、1,000ppm を越えても特に架橋速度
の向上などが期待できない。
The amount of the component (C) blended is 0.1 to 1,000 ppm as platinum atom relative to the component (A).
The range of 0 to 100 ppm is preferred. If it is less than 0.1 ppm, the effect is small, and if it exceeds 1,000 ppm, no particular improvement in the crosslinking rate can be expected.

【0024】本発明で用いられる(D)成分の酸化チタ
ン粉末は、本発明において特徴的な成分であり、本発明
の被覆保護剤に優れた耐塩害性と、優れた封止作業性と
保存安定性を付与する成分である。(D)成分はルチル
形、アナタース形のいずれの酸化チタンでもよく、硫酸
法、塩素法のいずれによって得られたものでもよい。平
均粒径は0.01〜10μm が好ましく、0.1〜2μ
m がさらに好ましい。(A)成分や(B)成分との親和
性を高めて、未架橋の系への分散状態の安定性を上げる
には、トリメチルクロロシラン、トリメチルメトキシシ
ラン、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロト
リシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサンの
ようなシラン類、シラザン類および/またはシロキサン
類で表面処理することが好ましく、これは平均粒径の小
さいものや、表面が含水酸化物で処理されている市販の
酸化チタンの場合に、とくに有効である。半導体整流素
子の逆方向洩れ電流を抑制する点では、酸化チタン粉末
に含まれるアルカリ金属イオン、たとえばナトリウムイ
オンやカリウムイオンの含有量が10ppm 以下であるこ
とが好ましい。
The titanium oxide powder of the component (D) used in the present invention is a characteristic component in the present invention, and is excellent in salt damage resistance, excellent sealing workability and preservation in the coating protective agent of the present invention. It is a component that imparts stability. The component (D) may be either rutile type or anatase type titanium oxide, and may be obtained by either the sulfuric acid method or the chlorine method. The average particle size is preferably 0.01 to 10 μm, 0.1 to 2 μm
m is more preferred. To increase the affinity with the component (A) or the component (B) and improve the stability of the dispersed state in the uncrosslinked system, trimethylchlorosilane, trimethylmethoxysilane, hexamethyldisilazane, hexamethylcyclotrisiloxane. Surface treatment with silanes, such as octamethylcyclotetrasiloxane, silazanes, and / or siloxanes is preferred, which has a small average particle size or is a commercially available oxidation product whose surface is treated with a hydrous oxide. Particularly effective in the case of titanium. From the viewpoint of suppressing the reverse leakage current of the semiconductor rectifier, the content of alkali metal ions such as sodium ions and potassium ions contained in the titanium oxide powder is preferably 10 ppm or less.

【0025】(D)成分の配合量は、(A)成分100
重量部に対して40〜120重量部であり、作業性が優
れ、しかも半導体整流素子に優れた耐塩害性を与えるに
は、50〜100重量部が好ましい。40重量部未満で
は十分な耐塩害性が得られず、また流動性が大きくなっ
て作業性が劣る。100重量部を越えると粘度およびチ
クソトロピック性が大きくなりすぎて、作業性が劣る。
The blending amount of the component (D) is 100 parts of the component (A).
It is 40 to 120 parts by weight, and 50 to 100 parts by weight is preferable in order to provide excellent workability and excellent salt damage resistance to the semiconductor rectifier. If it is less than 40 parts by weight, sufficient salt damage resistance cannot be obtained, and the fluidity becomes large, resulting in poor workability. If it exceeds 100 parts by weight, the viscosity and thixotropic property become too large, resulting in poor workability.

【0026】本発明の被覆保護剤に、本発明の目的を阻
害しないかぎり、必要に応じて種々の添加剤を含有させ
ることができる。たとえば着色の目的で各種の顔料;接
着性付与の目的で(メタ)アクリロイル基やエポキシ基
のような炭素官能性基を有するシラン化合物もしくはシ
ロキサン化合物、またはトリアルコキシシリル基とエス
テル結合を含む側鎖を有し、かつ環状のケイ素原子に結
合した水素原子を有する環状シロキサンのような接着性
付与剤;被覆保護剤を調製した後の常温における保存中
の安定性を増すための架橋反応遅延剤;耐熱性を向上さ
せるために、酸化鉄、酸化セリウム、カルボン酸鉄、希
土類有機酸塩などの耐熱性向上剤;その他、公知の難燃
化剤などを配合することができる。
The coating protective agent of the present invention may contain various additives, if necessary, as long as the object of the present invention is not impaired. For example, various pigments for the purpose of coloring; silane compounds or siloxane compounds having a carbon functional group such as (meth) acryloyl group or epoxy group for the purpose of imparting adhesiveness, or a side chain containing a trialkoxysilyl group and an ester bond. And an adhesiveness-imparting agent such as a cyclic siloxane having a hydrogen atom bonded to a cyclic silicon atom; a cross-linking reaction retarder for increasing the stability during storage at room temperature after the coating protective agent is prepared; In order to improve heat resistance, heat resistance improvers such as iron oxide, cerium oxide, iron carboxylate, and rare earth organic acid salts; and other known flame retardants can be added.

【0027】本発明の被覆保護剤は、(A)〜(D)成
分を、架橋反応遅延剤の存在または非存在下に、ニーダ
ーなどの混合手段を用いて均一に混合することによって
調製し、常温または低温下に単一容器に保存することが
でき、作業性からはこのタイプのものが好ましい。ま
た、(A)成分の一部と(B)成分とを含む混合物、お
よび(A)成分の一部と(C)成分とを含む混合物を調
製しておき、使用直前に混合して被覆保護剤としてもよ
く、この場合、(D)成分は、一方または両方の混合物
中に配合してよいが、通常は、両方の混合物がそれぞれ
適度の流動性を保つように、両方の混合物中に分配され
る。
The coating protective agent of the present invention is prepared by uniformly mixing the components (A) to (D) in the presence or absence of a crosslinking reaction retarder using a mixing means such as a kneader, It can be stored in a single container at room temperature or low temperature, and this type is preferable from the viewpoint of workability. Further, a mixture containing a part of the component (A) and the component (B) and a mixture containing a part of the component (A) and the component (C) are prepared and mixed immediately before use to protect the coating. It may be used as an agent, in which case the component (D) may be blended in one or both mixtures, but usually it is distributed in both mixtures so that each mixture maintains a proper fluidity. To be done.

【0028】本発明の被覆保護剤は、充填剤として比重
の大きい酸化チタン粉末を配合しているにもかかわら
ず、予期に反して、調製後長期間保存しても充填剤の沈
降が見られず、保存安定性が優れている。これは、酸化
チタン粉末の表面状態が影響しているためと考えられ
る。
Although the coating protective agent of the present invention contains titanium oxide powder having a large specific gravity as a filler, unexpectedly, the filler precipitates even after long-term storage after preparation. The storage stability is excellent. It is considered that this is because the surface state of the titanium oxide powder has an effect.

【0029】本発明の被覆保護剤は、通常、押出し、滴
下、または注入装置によって半導体チップの表面に処理
され、加熱によって架橋反応を起こし、所定の性状の架
橋体を形成する。加熱条件は、たとえば60℃で数分の
加熱により、流動せず、形状を保持できる架橋体が得ら
れる。
The coating protective agent of the present invention is usually processed on the surface of a semiconductor chip by an extrusion, dropping or injection device, and causes a crosslinking reaction by heating to form a crosslinked body having a predetermined property. The heating condition is, for example, heating at 60 ° C. for several minutes to obtain a crosslinked body which does not flow and can retain its shape.

【0030】[0030]

【発明の効果】本発明によって得られる半導体整流素子
の被覆保護剤は、耐アルカリ性に優れ、整流素子に優れ
た耐塩害性を付与するばかりでなく、長期間保存しても
充填剤の沈降や分離を起こさず、半導体チップの処理の
作業性も優れている。したがって、本発明の被覆保護剤
は、各種の半導体整流素子、特に車両用交流発電機の整
流に用いられる半導体整流素子における半導体チップの
露出面を被覆して保護するのに、きわめて有効である。
The coating protective agent for a semiconductor rectifying device obtained by the present invention is not only excellent in alkali resistance and imparts excellent salt damage resistance to the rectifying device, but also causes sedimentation of the filler even after long-term storage. It does not cause separation and has excellent workability in processing semiconductor chips. Therefore, the coating protective agent of the present invention is extremely effective for coating and protecting the exposed surface of the semiconductor chip in various semiconductor rectifying elements, particularly in semiconductor rectifying elements used for rectification of vehicle alternators.

【0031】[0031]

【実施例】以下、実施例により、本発明をさらに具体的
に説明する。本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。実施例および比較例中、部はすべて重量部を
意味する。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail below with reference to examples. The invention is not limited to these examples. In the examples and comparative examples, all parts are parts by weight.

【0032】実施例および比較例において、(A)〜
(D)成分および比較のためのシリカ系充填剤として、
下記の材料を用いた。 A−1:25℃における粘度が3,000cSt で、両末
端をジメチルビニル基で封鎖されたポリジメチルシロキ
サン; A−2:25℃における粘度が200cPで、(CH3)3
SiO1/2 単位37モル%、SiO2 単位56モル%お
よび(CH2 =CH)CH3 SiO単位7モル%からな
るポリオルガノシロキサン; B−1:(CH3)2 HSiO1/2 単位67モル%および
SiO2 単位33モル%からなるポリメチルハイドロジ
ェンシロキサン; C−1:白金−ビニルシロキサン錯体溶液、白金原子含
有量0.5%; D−1:平均粒径が0.2μm の、表面をシロキサン処
理した酸化チタン粉末; S−1:平均粒径が4μm の溶融シリカ; S−2:平均粒径が0.015μm の、表面をヘキサメ
チルジシラザンで処理した煙霧質シリカ; M−1:3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラ
ン。
In Examples and Comparative Examples, (A)-
As the component (D) and a silica-based filler for comparison,
The following materials were used. A-1: Polydimethylsiloxane having a viscosity of 3,000 cSt at 25 ° C. and having both ends blocked with dimethylvinyl groups; A-2: Viscosity at 25 ° C. of 200 cP, (CH 3 ) 3
Polyorganosiloxane consisting of 37 mol% of SiO 1/2 units, 56 mol% of SiO 2 units and 7 mol% of (CH 2 ═CH) CH 3 SiO units; B-1: (CH 3 ) 2 HSiO 1/2 units 67 Polymethyl hydrogen siloxane composed of mol% and 33 mol% of SiO 2 unit; C-1: platinum-vinylsiloxane complex solution, platinum atom content 0.5%; D-1: average particle size of 0.2 μm, Titanium oxide powder whose surface is treated with siloxane; S-1: fused silica having an average particle size of 4 μm; S-2: fumed silica having an average particle size of 0.015 μm and whose surface is treated with hexamethyldisilazane; M- 1: 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane.

【0033】実施例1〜3、比較例1〜5 上記の各種材料を、表1に示す組成で、ニーダーにより
均一になるまで常温で混合して、実施例1〜3および比
較例1〜5の、付加反応によって架橋してゴム状の架橋
体を与える被覆保護剤を調製した。なお、この被覆保護
剤を密封して3カ月保存した後、充填剤の沈降の度合を
観察した。その結果を表1に示す。
Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 5 The above various materials having the compositions shown in Table 1 were mixed at room temperature by a kneader until uniform, and Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 5 were mixed. A coating protective agent which was crosslinked by an addition reaction to give a rubber-like crosslinked product was prepared. After the coating protective agent was sealed and stored for 3 months, the degree of sedimentation of the filler was observed. The results are shown in Table 1.

【0034】整流素子として、わん形の金属容器の底部
に一方の主面が接着され、pn接合を有する半導体チッ
プ、該半導体チップの他方の主面に接着されたヘッダー
部、および該ヘッダー部からそれと垂直方向に延びる2
本のリード部を有する、半導体チップの表面がまだ露出
している半導体整流素子の半成品を用いた。この整流素
子の半導体チップおよびヘッダー部を埋め込むように、
上述の被覆保護剤をそれぞれ注入し、注入の際の作業性
を観察した。また、注入して10分経過した後、わん形
容器を傾けて、被覆保護剤の流れ性を観察した。これら
の結果をそれぞれ表1に示す。
As a rectifying element, a semiconductor chip having one main surface bonded to the bottom of a bowl-shaped metal container and having a pn junction, a header section bonded to the other main surface of the semiconductor chip, and the header section 2 extending vertically with it
A semi-finished product of a semiconductor rectifying device, which has a lead portion of a book and whose surface of a semiconductor chip is still exposed, was used. To embed the semiconductor chip and header of this rectifier,
Each of the above-mentioned coating protective agents was injected, and the workability during injection was observed. After 10 minutes from the injection, the bowl-shaped container was tilted and the flowability of the coating protective agent was observed. The results are shown in Table 1.

【0035】ついで、70℃で1時間、200℃で16
時間の段階的加熱を行って、架橋により被覆保護剤をゴ
ム状に硬化させて、評価用の整流素子を完成させた。
Then, at 70 ° C. for 1 hour, at 200 ° C. for 16 hours
By gradually heating for a period of time, the coating protective agent was cured into rubber by cross-linking, and the rectifying element for evaluation was completed.

【0036】この整流素子について、下記の評価試験を
行い、表1に示すような結果を得た。
The rectifying element was subjected to the following evaluation tests, and the results shown in Table 1 were obtained.

【0037】(1)耐塩害性 濃度10重量%の食塩水溶液40mlを容量100mlのパ
イレックスビーカーに入れ、整流素子をこれに浸漬し
て、逆バイアス状態で極間電圧を12V印加し、逆方向
電気特性の低下する時間を測定した。
(1) Salt Damage Resistance 40 ml of a 10 wt% concentration aqueous sodium chloride solution was placed in a Pyrex beaker having a capacity of 100 ml, the rectifying element was immersed in this, and a voltage between electrodes of 12 V was applied in a reverse biased state to reverse electrical conductivity. The time at which the characteristics deteriorated was measured.

【0038】(2)耐熱性 整流素子を300℃で1時間加熱し、クラックが発生す
るか否かを目視で観察した。
(2) Heat resistance The rectifying element was heated at 300 ° C. for 1 hour, and it was visually observed whether cracking occurred.

【0039】[0039]

【表1】 [Table 1]

【0040】これらの結果から、ビニル基含有ポリオル
ガノシロキサン100重量部に対して酸化チタン40〜
120重量部を配合して得られる被覆保護剤は、優れた
作業性を有し、かつ半導体整流素子に優れた耐塩害性を
与えることが明らかになった。
From these results, 40 parts by weight of titanium oxide was added to 100 parts by weight of vinyl group-containing polyorganosiloxane.
It has been revealed that the coating protective agent obtained by compounding 120 parts by weight has excellent workability and imparts excellent salt damage resistance to the semiconductor rectifier.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C09D 183/05 PMT 183/07 PMU H01L 23/29 23/31 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Office reference number FI technical display location C09D 183/05 PMT 183/07 PMU H01L 23/29 23/31

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)一般式: 【化1】 (式中、R1 はアルケニル基を表し;R2 は脂肪族不飽
和結合を含まない置換または非置換の1価の炭化水素基
を表し;aは1〜3の整数であり;bは0〜2の整数で
あり;ただし、a+bは1〜3の整数である)で示され
るシロキサン単位を有し、R1 を分子中に少なくとも2
個有する、25℃における粘度が50〜1,000,0
00cSt のアルケニル基含有ポリオルガノシロキサン1
00重量部; (B)一般式: 【化2】 (式中、R3 は置換または非置換の1価の炭化水素基を
表し;cは0〜2の整数であり;dは1〜3の整数であ
り;ただし、c+dは1〜3の整数である)で示される
シロキサン単位を有し、ケイ素原子に結合した水素原子
を分子中に平均2個を越える数有するポリオルガノハイ
ドロジェンシロキサン、(A)成分中のアルケニル基1
個に対して、(B)成分中のケイ素原子に結合した水素
原子が0.2〜5個になる量; (C)白金および白金化合物からなる群より選ばれた触
媒、(A)成分に対して白金原子として0.1〜1,0
00ppm ;および (D)酸化チタン粉末40〜120重量部 を含むことを特徴とする半導体整流素子被覆保護剤。
1. (A) General formula: (In the formula, R 1 represents an alkenyl group; R 2 represents a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group containing no aliphatic unsaturated bond; a is an integer of 1 to 3; b is 0. Is an integer of 2; and a + b is an integer of 1 to 3), and R 1 is at least 2 in the molecule.
Viscosity at 25 ° C. of 50 to 1,000,0
00cSt alkenyl group-containing polyorganosiloxane 1
00 parts by weight; (B) General formula: (In the formula, R 3 represents a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group; c is an integer of 0 to 2; d is an integer of 1 to 3; provided that c + d is an integer of 1 to 3. A polyorganohydrogensiloxane having an average number of hydrogen atoms bonded to silicon atoms of more than 2 in the molecule, the alkenyl group 1 in the component (A)
The amount of hydrogen atoms bonded to silicon atoms in the component (B) is 0.2 to 5 per (B) component; (C) a catalyst selected from the group consisting of platinum and platinum compounds; In contrast, 0.1 to 1,0 as a platinum atom
00 ppm; and (D) 40 to 120 parts by weight of titanium oxide powder.
JP519094A 1994-01-21 1994-01-21 Semiconductor rectifier coating protection agent Withdrawn JPH07207162A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP519094A JPH07207162A (en) 1994-01-21 1994-01-21 Semiconductor rectifier coating protection agent

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP519094A JPH07207162A (en) 1994-01-21 1994-01-21 Semiconductor rectifier coating protection agent

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07207162A true JPH07207162A (en) 1995-08-08

Family

ID=11604308

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP519094A Withdrawn JPH07207162A (en) 1994-01-21 1994-01-21 Semiconductor rectifier coating protection agent

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07207162A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002294269A (en) * 2001-03-30 2002-10-09 Geltec Co Ltd Extrudable cross-linked grease-like heat dissipating material, container filled and sealed with this, method for producing the container, and method for dissipating heat using these
JP2008120844A (en) * 2006-11-08 2008-05-29 Momentive Performance Materials Japan Kk Silicone adhesive composition for optical semiconductor and optical semiconductor device using the same
JP2008525557A (en) * 2004-12-23 2008-07-17 ロディア・シミ Non-yellowing silicone composition
JP2020132824A (en) * 2019-02-25 2020-08-31 信越化学工業株式会社 Addition-curable silicone composition, silicone cured product for light reflection material, light reflection material and optical semiconductor element

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002294269A (en) * 2001-03-30 2002-10-09 Geltec Co Ltd Extrudable cross-linked grease-like heat dissipating material, container filled and sealed with this, method for producing the container, and method for dissipating heat using these
JP2008525557A (en) * 2004-12-23 2008-07-17 ロディア・シミ Non-yellowing silicone composition
JP4809366B2 (en) * 2004-12-23 2011-11-09 ロディア・シミ Non-yellowing silicone composition
JP2008120844A (en) * 2006-11-08 2008-05-29 Momentive Performance Materials Japan Kk Silicone adhesive composition for optical semiconductor and optical semiconductor device using the same
JP2020132824A (en) * 2019-02-25 2020-08-31 信越化学工業株式会社 Addition-curable silicone composition, silicone cured product for light reflection material, light reflection material and optical semiconductor element
CN111607231A (en) * 2019-02-25 2020-09-01 信越化学工业株式会社 Addition-curable silicone composition, cured silicone product for light-reflecting material, light-reflecting material, and optical semiconductor device
CN111607231B (en) * 2019-02-25 2022-04-22 信越化学工业株式会社 Addition-curable silicone composition, cured silicone product for light-reflecting material, light-reflecting material, and optical semiconductor device
TWI821526B (en) * 2019-02-25 2023-11-11 日商信越化學工業股份有限公司 Addition hardening polysilicone composition, polysilicone hardened material for light reflective materials, light reflective materials and optical semiconductor devices

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3436464B2 (en) Addition reaction-curable conductive silicone composition and method for producing cured conductive silicone
JP3746394B2 (en) Silicone gel composition
JP3595731B2 (en) Addition-curable silicone composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device
JP2819444B2 (en) Conductive silicone rubber composition
JPH1112481A (en) Thermally conductive polymer composition
JPS63251466A (en) Thermally conductive liquid silicone rubber composition
JPH0536456B2 (en)
JP2623380B2 (en) Silicone composition with excellent thermal conductivity
JPH0241362A (en) Curable liquid organopolysiloxane composition
JP7055254B1 (en) Method for Producing Thermally Conductive Silicone Composition
JPH0739571B2 (en) Adhesive organopolysiloxane composition
JP2691823B2 (en) Curable silicone composition and cured product thereof
JP2002322364A (en) Silicone gel composition
JP2864944B2 (en) Flame retardant silicone composition
JPH0488061A (en) Organopolysiloxane composition and cured gel thereof
JPH11236508A (en) Organopolysiloxane composition
JP3922785B2 (en) Optical semiconductor insulation coating protective agent
JP3073888B2 (en) Thixotropic fluorosilicone gel composition
JPH07150048A (en) Electrically conductive silicone rubber composition
JPH1149959A (en) Silicone gel composition for flame-retardant heat dissipation sheet and flame-retardant heat dissipation silicone sheet
JP2772805B2 (en) Curable organopolysiloxane composition
JP2020029536A (en) Silicone gel composition and silicone gel cured product
JPH08253685A (en) Curiable silicone composition
JPH07207162A (en) Semiconductor rectifier coating protection agent
JPH09286919A (en) Curable organopolysiloxane composition and its cured product

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20010403