JPH07209128A - 歪み検出装置 - Google Patents
歪み検出装置Info
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- JPH07209128A JPH07209128A JP242994A JP242994A JPH07209128A JP H07209128 A JPH07209128 A JP H07209128A JP 242994 A JP242994 A JP 242994A JP 242994 A JP242994 A JP 242994A JP H07209128 A JPH07209128 A JP H07209128A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 外力に応じた歪み量を該歪及び磁気抵抗効果
を有する強磁性薄膜の抵抗値変化を検知することにより
検出する歪み検出装置に関し、自己診断機能を有する歪
み検出装置を提供することを目的とする。 【構成】 ダイアフラム２上に磁歪及び磁気抵抗効果を
有する強磁性薄膜３を形成し、圧力Ｐに応じてダイアフ
ラム２を変形させ、強磁性薄膜３の抵抗値を変化させる
ことにより圧力Ｐを検出し、また、強磁性薄膜３上に空
心コイル４を接して設け、空心コイル４に電流を供給す
ることにより強磁性薄膜３に磁界を印加し、この磁界に
応じて抵抗値を変化させることにより圧力Ｐによらず、
圧力Ｐの印加時と同様に強磁性薄膜３の抵抗値を変化さ
せ、強磁性薄膜３の良否を判定できる構成としてなる。
を有する強磁性薄膜の抵抗値変化を検知することにより
検出する歪み検出装置に関し、自己診断機能を有する歪
み検出装置を提供することを目的とする。 【構成】 ダイアフラム２上に磁歪及び磁気抵抗効果を
有する強磁性薄膜３を形成し、圧力Ｐに応じてダイアフ
ラム２を変形させ、強磁性薄膜３の抵抗値を変化させる
ことにより圧力Ｐを検出し、また、強磁性薄膜３上に空
心コイル４を接して設け、空心コイル４に電流を供給す
ることにより強磁性薄膜３に磁界を印加し、この磁界に
応じて抵抗値を変化させることにより圧力Ｐによらず、
圧力Ｐの印加時と同様に強磁性薄膜３の抵抗値を変化さ
せ、強磁性薄膜３の良否を判定できる構成としてなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は歪み検出装置に係り、特
に、外力に応じた歪み量を磁歪及び磁気抵抗効果を有す
る強磁性薄膜の抵抗値変化を検知することにより検出す
る歪み検出装置に関する。
に、外力に応じた歪み量を磁歪及び磁気抵抗効果を有す
る強磁性薄膜の抵抗値変化を検知することにより検出す
る歪み検出装置に関する。
【０００２】歪み量の検出する装置としては一般に圧力
センサ、トルクセンサ、重量センサ、ロードセル、力覚
センサ（触覚センサ、接触センサ）等が知られており、
いずれのセンサも広範囲で利用されている。
センサ、トルクセンサ、重量センサ、ロードセル、力覚
センサ（触覚センサ、接触センサ）等が知られており、
いずれのセンサも広範囲で利用されている。
【０００３】これらのセンサでは圧力センサ、ロードセ
ル等のセンサには金属歪みゲージ，半導体歪みゲージが
用いられており、トルクセンサ等のセンサにはアモルフ
ァス金属等の磁歪材をシャフト部に接着したものが用い
られている。
ル等のセンサには金属歪みゲージ，半導体歪みゲージが
用いられており、トルクセンサ等のセンサにはアモルフ
ァス金属等の磁歪材をシャフト部に接着したものが用い
られている。
【０００４】
【従来の技術】図８に従来の圧力センサの一例の構成図
を示す。圧力センサ４１はダイヤフラム４２上にブリッ
ジ回路状に接続された歪ゲージ４３を形成してなる。
を示す。圧力センサ４１はダイヤフラム４２上にブリッ
ジ回路状に接続された歪ゲージ４３を形成してなる。
【０００５】ダイヤフラム４２はシリコン（Ｓｉ）基板
等をエッチングして起歪部４２ａを形成した構成とされ
ている。歪ゲージ４３は強磁性薄膜よりなり、ダイヤフ
ラム４２の起歪部４２ａに起歪部４２ａの中心から四方
向に放射状に形成され、配線パターン４４により互いに
接続され、ブリッジ回路を構成している。
等をエッチングして起歪部４２ａを形成した構成とされ
ている。歪ゲージ４３は強磁性薄膜よりなり、ダイヤフ
ラム４２の起歪部４２ａに起歪部４２ａの中心から四方
向に放射状に形成され、配線パターン４４により互いに
接続され、ブリッジ回路を構成している。
【０００６】端子ＴINに一定電圧Ｖinを印加しておき、
起歪部４２ａに圧力Ｐを加えると起歪部４２ａが歪み、
歪ゲージが変形する。歪ゲージ４３は変形すると抵抗値
が変化し、これにより出力端子Ｔ1 ，Ｔ2 の電圧Ｖ1 ，
Ｖ2 が変動する。
起歪部４２ａに圧力Ｐを加えると起歪部４２ａが歪み、
歪ゲージが変形する。歪ゲージ４３は変形すると抵抗値
が変化し、これにより出力端子Ｔ1 ，Ｔ2 の電圧Ｖ1 ，
Ｖ2 が変動する。
【０００７】以上によりダイアフラム４２に加わった圧
力を検出していた。
力を検出していた。
【０００８】また、図９に圧力センサの他の一例の構成
図を示す。本例の圧力センサ５１は円筒形状の受圧部品
５２の外周部に磁性薄膜５３を形成し、さらに、その外
周に検出コイル５４を巻回した構成とされている。
図を示す。本例の圧力センサ５１は円筒形状の受圧部品
５２の外周部に磁性薄膜５３を形成し、さらに、その外
周に検出コイル５４を巻回した構成とされている。
【０００９】受圧部品５２は内周部に隔壁５２ａを有
し、隔壁により形成された受圧室５２ｂに圧力Ｐ1 が基
準室５２ｃに一定の気圧Ｐ2 が加わる構成とされてい
る。受圧室５２ｂに圧力Ｐが印加されるとダイアフラム
の外壁が変形し、これに伴い、磁性薄膜５４の透磁率μ
が変化する。
し、隔壁により形成された受圧室５２ｂに圧力Ｐ1 が基
準室５２ｃに一定の気圧Ｐ2 が加わる構成とされてい
る。受圧室５２ｂに圧力Ｐが印加されるとダイアフラム
の外壁が変形し、これに伴い、磁性薄膜５４の透磁率μ
が変化する。
【００１０】磁性薄膜５４の透磁率μの変化に伴い検出
コイル５４の出力信号が変化し圧力の検出を行なってい
た。
コイル５４の出力信号が変化し圧力の検出を行なってい
た。
【００１１】図１０に従来の歪み検出装置を用いたポイ
ンティングデバイスの構成図を示す。本例のポインティ
ングデバイス６１は四角柱状のレバー６２の４側面に歪
みゲージ６３を貼付け、レバー先端に加えられた力によ
り四角柱が撓むことにより、各歪みゲージ６３の抵抗変
化し、この抵抗変化を測定することでＸ方向、Ｙ方向の
歪み量を検出していた。
ンティングデバイスの構成図を示す。本例のポインティ
ングデバイス６１は四角柱状のレバー６２の４側面に歪
みゲージ６３を貼付け、レバー先端に加えられた力によ
り四角柱が撓むことにより、各歪みゲージ６３の抵抗変
化し、この抵抗変化を測定することでＸ方向、Ｙ方向の
歪み量を検出していた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来の歪み
検出装置では外力に応じて出力信号が出力される構成と
されており、センサの動作を検出するためには外力を加
える必要があるため、容易に装置の動作を検知すること
ができない等の問題点があった。
検出装置では外力に応じて出力信号が出力される構成と
されており、センサの動作を検出するためには外力を加
える必要があるため、容易に装置の動作を検知すること
ができない等の問題点があった。
【００１３】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、自己診断機能を有する歪み検出装置を提供すること
を目的とする。
で、自己診断機能を有する歪み検出装置を提供すること
を目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は外力により歪み
を発生する磁歪部を有し、起歪部の歪み量を起歪部に設
けた磁歪及び磁気抵抗効果を有する強磁性薄膜の抵抗値
変化として検知する歪み検出装置において、強磁性薄膜
に磁界を印加する磁界印加手段を有し、磁界印加手段よ
り印加された磁界による強磁性薄膜の抵抗値変化を検出
することにより強磁性薄膜の良否を診断できる構成とし
てなる。
を発生する磁歪部を有し、起歪部の歪み量を起歪部に設
けた磁歪及び磁気抵抗効果を有する強磁性薄膜の抵抗値
変化として検知する歪み検出装置において、強磁性薄膜
に磁界を印加する磁界印加手段を有し、磁界印加手段よ
り印加された磁界による強磁性薄膜の抵抗値変化を検出
することにより強磁性薄膜の良否を診断できる構成とし
てなる。
【００１５】
【作用】本発明によれば、磁界印加手段により強磁性薄
膜に磁界を印加することにより強磁性薄膜は磁気抵抗効
果を有するため、印加磁界によりその抵抗値が変化し、
そのときの出力信号レベルを検知することにより、強磁
性薄膜が正常に動作しているか否かを判断することがで
きる。
膜に磁界を印加することにより強磁性薄膜は磁気抵抗効
果を有するため、印加磁界によりその抵抗値が変化し、
そのときの出力信号レベルを検知することにより、強磁
性薄膜が正常に動作しているか否かを判断することがで
きる。
【００１６】このように、本発明によれば、外力によら
ず電気信号により容易に自己診断を行なうことができ
る。
ず電気信号により容易に自己診断を行なうことができ
る。
【００１７】
【実施例】図１に本発明の第１実施例の構成図を示す。
本実施例の圧力センサ１はダイアフラム２，強磁性薄膜
３，自己診断用コイル４より構成される。
本実施例の圧力センサ１はダイアフラム２，強磁性薄膜
３，自己診断用コイル４より構成される。
【００１８】ダイアフラム２はシリコン（Ｓｉ）基板等
よりなり、そのシリコン基板をエッチングすることによ
り起歪部２ａが形成されている。
よりなり、そのシリコン基板をエッチングすることによ
り起歪部２ａが形成されている。
【００１９】強磁性薄膜３は４つの矩形パターンよりな
り、夫々１軸異方性を持ち、磁化容易方向が起歪部２ａ
の中心よりＸ，Ｙ方向に放射状に延在するように形成さ
れている。４つの強磁性薄膜３はブリッジ回路を構成す
るように接続され、接点Ｐ1に接続された端子Ｔ1 に定
電圧ＶINが印加され、接点Ｐ2 に接続された端子Ｔ2は
接地され、接点Ｐ3 ，Ｐ4 は端子Ｔ3 ，Ｔ4 と接続さ
れ、端子Ｔ3 ，Ｔ4 より出力電圧を得る接続パターンが
形成されている。
り、夫々１軸異方性を持ち、磁化容易方向が起歪部２ａ
の中心よりＸ，Ｙ方向に放射状に延在するように形成さ
れている。４つの強磁性薄膜３はブリッジ回路を構成す
るように接続され、接点Ｐ1に接続された端子Ｔ1 に定
電圧ＶINが印加され、接点Ｐ2 に接続された端子Ｔ2は
接地され、接点Ｐ3 ，Ｐ4 は端子Ｔ3 ，Ｔ4 と接続さ
れ、端子Ｔ3 ，Ｔ4 より出力電圧を得る接続パターンが
形成されている。
【００２０】ダイアフラム２の起歪部２ａ上にはコイル
４が配置される。コイル４は空心コイルで起歪部２ａ上
に接して配置される。コイル４に電流を供給することに
より強磁性薄膜３に矢印Ａ方向の磁界が印加される。
４が配置される。コイル４は空心コイルで起歪部２ａ上
に接して配置される。コイル４に電流を供給することに
より強磁性薄膜３に矢印Ａ方向の磁界が印加される。
【００２１】これに例えば圧力Ｐが印加されるとダイア
フラム２は矢印Ｂ方向に湾曲し、強磁性薄膜３には引っ
張り応力が印加される。従って、強磁性薄膜３の抵抗値
は増加し、全抵抗値が変化する。端子Ｔ2 ，Ｔ4 に基準
抵抗を接続することにより、抵抗値を電圧換算して出力
できる。従って、外部磁界や歪みのない状態ではパター
ン１１，１２の内部磁化Ｍは図２（Ａ）に示すような方
向となる。
フラム２は矢印Ｂ方向に湾曲し、強磁性薄膜３には引っ
張り応力が印加される。従って、強磁性薄膜３の抵抗値
は増加し、全抵抗値が変化する。端子Ｔ2 ，Ｔ4 に基準
抵抗を接続することにより、抵抗値を電圧換算して出力
できる。従って、外部磁界や歪みのない状態ではパター
ン１１，１２の内部磁化Ｍは図２（Ａ）に示すような方
向となる。
【００２２】また、パターン１１に矢印Ｃ方向の歪みが
発生すると、パターン１１の内部磁化Ｍは図２（Ｂ）に
示すような方向となりパターン１１の抵抗値が増大す
る。
発生すると、パターン１１の内部磁化Ｍは図２（Ｂ）に
示すような方向となりパターン１１の抵抗値が増大す
る。
【００２３】また、同様にパターン１１に矢印Ｄ方向、
パターン１２に矢印Ｂ方向の磁界が印加されるとパター
ン１１内の内部磁化Ｍは図２（Ｃ）に示すような方向と
なり、パターン１１の抵抗値が歪みが印加されたときと
同様に増大する。
パターン１２に矢印Ｂ方向の磁界が印加されるとパター
ン１１内の内部磁化Ｍは図２（Ｃ）に示すような方向と
なり、パターン１１の抵抗値が歪みが印加されたときと
同様に増大する。
【００２４】また、パターン１２内の内部磁化Ｍは磁界
と同一方向となるため、抵抗値の変動は生じない。
と同一方向となるため、抵抗値の変動は生じない。
【００２５】磁気抵抗効果は、内部磁化（Ｍ）と電流
（Ｉ）とのなす角によって抵抗値が異なるもので、通常
ＩとＭとが直交するときの抵抗値（ＲＤ）の方がＩとＭ
とが平行のときの抵抗値（ＲＤ）より小さく、その差Δ
Ｒは２〜６％になるものもある。従って、パターン１１
は内部磁化がパターン長手方向を向いている方がも、内
部磁化がパターン長手方向に直角方向の場合よりも抵抗
値が大きくなり、一方パターン１２は歪みが印加されな
いので、抵抗値の差がないため、パターン１１に印加さ
れる歪みの有無により出力端子に出力される電圧が異な
り、歪みを発生させるために印加した外力の大きさを電
気信号に変換して出力することができる。またパターン
１１とパターン１２に印加される歪み量が異なる場合も
同様の原理で外力の大きさを電気信号に変換して出力す
ることができる。圧力Ｐに応じて出力（抵抗Ｒ）が増加
しているのがわかる。図３は本発明の第１実施例の出力
特性図を示す。図３（Ａ）は、圧力Ｐに対する出力の特
性である。図３（Ｂ）は磁界に対する出力特性である。
（Ｉ）とのなす角によって抵抗値が異なるもので、通常
ＩとＭとが直交するときの抵抗値（ＲＤ）の方がＩとＭ
とが平行のときの抵抗値（ＲＤ）より小さく、その差Δ
Ｒは２〜６％になるものもある。従って、パターン１１
は内部磁化がパターン長手方向を向いている方がも、内
部磁化がパターン長手方向に直角方向の場合よりも抵抗
値が大きくなり、一方パターン１２は歪みが印加されな
いので、抵抗値の差がないため、パターン１１に印加さ
れる歪みの有無により出力端子に出力される電圧が異な
り、歪みを発生させるために印加した外力の大きさを電
気信号に変換して出力することができる。またパターン
１１とパターン１２に印加される歪み量が異なる場合も
同様の原理で外力の大きさを電気信号に変換して出力す
ることができる。圧力Ｐに応じて出力（抵抗Ｒ）が増加
しているのがわかる。図３は本発明の第１実施例の出力
特性図を示す。図３（Ａ）は、圧力Ｐに対する出力の特
性である。図３（Ｂ）は磁界に対する出力特性である。
【００２６】図３（Ｂ）のように磁界が印加されると、
パターンの抵抗値は増加し、全抵抗値が変化する。
パターンの抵抗値は増加し、全抵抗値が変化する。
【００２７】つまり、圧力によらなくても、強磁性薄膜
３の作用を確認できることになる。
３の作用を確認できることになる。
【００２８】図２に検出動作説明図を示す。強磁性薄膜
３は磁気抵抗効果を有しており、その長手方向（Ｘ，Ｙ
方向）に磁化容易方向を有する。
３は磁気抵抗効果を有しており、その長手方向（Ｘ，Ｙ
方向）に磁化容易方向を有する。
【００２９】なお、本実施例では強磁性薄膜３の長手方
向を磁化容易方向としたがこれに限ることはなく、長手
方向に直角な方向又は４５°方向を磁化容易方向として
も同様な結果が得られる。
向を磁化容易方向としたがこれに限ることはなく、長手
方向に直角な方向又は４５°方向を磁化容易方向として
も同様な結果が得られる。
【００３０】図４に強磁性薄膜３の長手方向に直交する
方向を磁化容易方向とした場合の動作説明図を示す。
方向を磁化容易方向とした場合の動作説明図を示す。
【００３１】強磁性薄膜３は長手方向（Ｘ，Ｙ方向）に
直交する方向に磁化容易方向を有する。従って、外部磁
界や歪みのない状態ではパターン１１，１２の内部磁化
Ｍは図４（Ａ）に示すような方向となる。
直交する方向に磁化容易方向を有する。従って、外部磁
界や歪みのない状態ではパターン１１，１２の内部磁化
Ｍは図４（Ａ）に示すような方向となる。
【００３２】また、パターン１１に矢印Ｆ方向の歪みが
発生すると、パターン１１の内部磁化Ｍは図４（Ｂ）に
示すような方向となり、パターン１１の抵抗値が増大す
る。また、同様にパターン１１に矢印Ｇ方向、パターン
１２に矢印Ｈ方向の磁界が印加されるとパターン１１内
の内部磁化Ｍは図４（Ｃ）に示すような方向となり、パ
ターン１１の抵抗値が歪みが印加されたときと同様に増
大する。
発生すると、パターン１１の内部磁化Ｍは図４（Ｂ）に
示すような方向となり、パターン１１の抵抗値が増大す
る。また、同様にパターン１１に矢印Ｇ方向、パターン
１２に矢印Ｈ方向の磁界が印加されるとパターン１１内
の内部磁化Ｍは図４（Ｃ）に示すような方向となり、パ
ターン１１の抵抗値が歪みが印加されたときと同様に増
大する。
【００３３】また、パターン１２内の内部磁化Ｍは磁界
と同一方向となるため、抵抗値の変動は生じない。
と同一方向となるため、抵抗値の変動は生じない。
【００３４】図５に強磁性薄膜３の長手方向に対して４
５°の方向を磁化容易方向とした場合の動作説明図を示
す。
５°の方向を磁化容易方向とした場合の動作説明図を示
す。
【００３５】強磁性薄膜３は長手方向（Ｘ，Ｙ方向）に
対して４５°の方向に磁化容易方向を有する。従って、
外部磁界や歪みのない状態ではパターン１１，１２の内
部磁化Ｍは図５（Ａ）に示すような方向となる。
対して４５°の方向に磁化容易方向を有する。従って、
外部磁界や歪みのない状態ではパターン１１，１２の内
部磁化Ｍは図５（Ａ）に示すような方向となる。
【００３６】また、パターン１１に矢印Ｉ，Ｊ方向の歪
みが発生すると、パターン１１の内部磁化Ｍは図５
（Ｂ），（Ｃ）に示すような方向となり、パターン１１
の抵抗値が変動する。
みが発生すると、パターン１１の内部磁化Ｍは図５
（Ｂ），（Ｃ）に示すような方向となり、パターン１１
の抵抗値が変動する。
【００３７】また、同様にパターン１１に矢印Ｋ方向、
パターン１２に矢印Ｌ方向の磁界が印加されるとパター
ン１１内の内部磁化Ｍは図５（Ｄ）に示すような方向と
なり、パターン１１の抵抗値が歪みが印加されたときと
同様に変動し、パターン１２内の内部磁化Ｍも４５°傾
斜するため、抵抗値は変動する。
パターン１２に矢印Ｌ方向の磁界が印加されるとパター
ン１１内の内部磁化Ｍは図５（Ｄ）に示すような方向と
なり、パターン１１の抵抗値が歪みが印加されたときと
同様に変動し、パターン１２内の内部磁化Ｍも４５°傾
斜するため、抵抗値は変動する。
【００３８】図６に本発明の第２実施例の構成図を示
す。
す。
【００３９】本実施例では、金属又は樹脂で一体成形し
た受圧部品２２の外周に歪み検出パターン２３を磁界中
でマスク蒸着を行うことにより形成している。受圧部品
２２の内部には隔壁２２ａを有し、この隔壁２２ａによ
り受圧室２２ｂ及び基準室２２ｃが形成される。
た受圧部品２２の外周に歪み検出パターン２３を磁界中
でマスク蒸着を行うことにより形成している。受圧部品
２２の内部には隔壁２２ａを有し、この隔壁２２ａによ
り受圧室２２ｂ及び基準室２２ｃが形成される。
【００４０】この円周上に巻回して形成された空心コイ
ル２４を設け、歪み検出パターン２３に磁界が印加でき
るように構成する。本実施例の場合、強磁性薄膜２５の
磁化容易軸Ｎは受圧部品２２の周回方向に直角方向と
し、受圧室２２ｂに圧力Ｐが印加されると受圧室２２ｂ
の外周が拡がり、そこに形成された歪み検出パターン２
３は長手方向に引っ張り歪みが加わるので、抵抗値が増
加する。一方基準室２２ｃの外周に形成された歪み検出
パターン２３には歪みの印加がないので、抵抗値変化が
ない。これにより受圧室２２ｂ側のパターン２３と基準
室２２ｃ側のパターン２３との抵抗値に差が生じ、出力
端子ＴOUT 電圧ＶOUT が変動する。従って、圧力を検出
できる。これに例えば空心コイル２４に電流を供給し、
パターン２３に磁界を印加すると、パターン２３の抵抗
値は増加し、全抵抗値が変化し、端子Ｔ1 ，ＴOUT ，ｔ
2 間の電圧を検出することによりパターン２３の良否が
判断できる。なお、この構造の圧力センサは図１の実体
例のものより高圧まで使用できる。
ル２４を設け、歪み検出パターン２３に磁界が印加でき
るように構成する。本実施例の場合、強磁性薄膜２５の
磁化容易軸Ｎは受圧部品２２の周回方向に直角方向と
し、受圧室２２ｂに圧力Ｐが印加されると受圧室２２ｂ
の外周が拡がり、そこに形成された歪み検出パターン２
３は長手方向に引っ張り歪みが加わるので、抵抗値が増
加する。一方基準室２２ｃの外周に形成された歪み検出
パターン２３には歪みの印加がないので、抵抗値変化が
ない。これにより受圧室２２ｂ側のパターン２３と基準
室２２ｃ側のパターン２３との抵抗値に差が生じ、出力
端子ＴOUT 電圧ＶOUT が変動する。従って、圧力を検出
できる。これに例えば空心コイル２４に電流を供給し、
パターン２３に磁界を印加すると、パターン２３の抵抗
値は増加し、全抵抗値が変化し、端子Ｔ1 ，ＴOUT ，ｔ
2 間の電圧を検出することによりパターン２３の良否が
判断できる。なお、この構造の圧力センサは図１の実体
例のものより高圧まで使用できる。
【００４１】図７に本発明の第３実施例の構成図を示
す。
す。
【００４２】実施例はポインティングデバイスに応用し
たものである。本実施例では一体成形した突起部３２の
先端に矢印方向に加えられた力により平坦部３３が歪ま
せ、Ｘ方向，Ｙ方向の歪み量を強磁性薄膜３４により検
出することによってディスプレイ上のカーソルの移動方
向及び移動量を決定する。本実施例では、平坦部３３に
矩形パターンの強磁性薄膜３４が設けられ、その磁化容
易軸はパターン長手方向に対して約４５°方向に形成さ
れている。この矩形パターン上に空心コイル３５を接し
て設け、歪み検出パターンに磁界が印加できるように構
成する。このコイル３５により強磁性薄膜３４に所定の
磁界を印加することにより強磁性薄膜に歪みを印加した
と同様な状態で抵抗値の変動を生じさせることができ、
外力を印加することなく、強磁性薄膜３４の良否を判断
できる。これにより非常に小型で安価なポインティング
デバイスが実現でき、且つセルフチェックが可能なため
信頼性の向上が期待できる。
たものである。本実施例では一体成形した突起部３２の
先端に矢印方向に加えられた力により平坦部３３が歪ま
せ、Ｘ方向，Ｙ方向の歪み量を強磁性薄膜３４により検
出することによってディスプレイ上のカーソルの移動方
向及び移動量を決定する。本実施例では、平坦部３３に
矩形パターンの強磁性薄膜３４が設けられ、その磁化容
易軸はパターン長手方向に対して約４５°方向に形成さ
れている。この矩形パターン上に空心コイル３５を接し
て設け、歪み検出パターンに磁界が印加できるように構
成する。このコイル３５により強磁性薄膜３４に所定の
磁界を印加することにより強磁性薄膜に歪みを印加した
と同様な状態で抵抗値の変動を生じさせることができ、
外力を印加することなく、強磁性薄膜３４の良否を判断
できる。これにより非常に小型で安価なポインティング
デバイスが実現でき、且つセルフチェックが可能なため
信頼性の向上が期待できる。
【００４３】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、磁界印加
手段により強磁性薄膜に磁界を印加することにより、外
力によらず、電気信号により容易に強磁性薄膜の良否が
可能となり、信頼性を向上させることができる等の特長
を有する。
手段により強磁性薄膜に磁界を印加することにより、外
力によらず、電気信号により容易に強磁性薄膜の良否が
可能となり、信頼性を向上させることができる等の特長
を有する。
【図１】本発明の第１実施例の構成図である。
【図２】本発明の第１実施例の要部の動作説明図であ
る。
る。
【図３】本発明の第１実施例の出力特性図である。
【図４】本発明の第１実施例の第１変形例の動作説明図
である。
である。
【図５】本発明の第１実施例の第２変形例の動作説明図
である。
である。
【図６】本発明の第２実施例の構成図である。
【図７】本発明の第３実施例の構成図である。
【図８】従来の圧力センサの一例の構成図である。
【図９】従来の圧力センサの他の一例の構成図である。
【図１０】従来のポインテイングデバイスの一例の構成
図である。
図である。
１ 圧力センサ ２ ダイアフラム ２ａ 起歪部 ３ 強磁性薄膜 ５ 診断コイル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川元 美詠子 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 外力により歪みを発生する起歪部（２
ａ）を有し、該起歪部（２ａ）の歪み量を該起歪部（２
ａ）に設けた磁歪及び磁気抵抗効果を有する強磁性薄膜
（３）の抵抗値変化として検知する歪み検出装置におい
て、 前記強磁性薄膜（３）に磁界を印加する磁界印加手段
（４）を有し、 前記磁界印加手段（４）より印加された磁界による前記
強磁性薄膜（３）の抵抗値変化を検出することにより前
記強磁性薄膜（３）の良否を診断できる構成とした歪み
検出装置。 - 【請求項２】 前記磁界印加手段（４）は前記磁歪部
（２ａ）上に接して設けられた空心コイルであることを
特徴とする請求項１記載の歪み検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP242994A JPH07209128A (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | 歪み検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP242994A JPH07209128A (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | 歪み検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07209128A true JPH07209128A (ja) | 1995-08-11 |
Family
ID=11529024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP242994A Withdrawn JPH07209128A (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | 歪み検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07209128A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003529069A (ja) * | 2000-03-28 | 2003-09-30 | ファースト テクノロジー アーゲー | 磁気ベース・力／トルクセンサー |
| JP2008107323A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Headway Technologies Inc | 磁性膜センサおよびその製造方法 |
-
1994
- 1994-01-14 JP JP242994A patent/JPH07209128A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003529069A (ja) * | 2000-03-28 | 2003-09-30 | ファースト テクノロジー アーゲー | 磁気ベース・力／トルクセンサー |
| JP2008107323A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Headway Technologies Inc | 磁性膜センサおよびその製造方法 |
| JP2011247897A (ja) * | 2006-10-24 | 2011-12-08 | Headway Technologies Inc | 磁性膜センサ |
| US8174261B2 (en) | 2006-10-24 | 2012-05-08 | Headway Technologies, Inc. | Magnetic film sensor with a deformable part |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010403 |