JPH07209890A - 電子写真感光体用光導電材料、その製造方法およびそれを用いた電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高感度で優れた電子写真特性を有し、樹脂分
散系において良好な分散性を具備するクロロガリウムフ
タロシアニン結晶よりなる電子写真感光体用光導電材料
を提供する。 【構成】 昇華精製されたクロロガリウムフタロシアニ
ン結晶よりなることを特徴とする電子写真感光体用光導
電材料であって、昇華精製されたクロロガリウムフタロ
シアニン結晶は機械的に磨砕されたもの、または乾式磨
砕され、次いで溶剤処理されたものであってもよい。特
に、昇華精製されたクロロガリウムフタロシアニン結晶
が、ブラッグ角（２θ±０．２°）の（１）7.4 、16.
6、25.5および28.3°、（２）6.8 、17.3、23.6および2
6.9°、（３）8.9 〜9.2 、17.6、24.0、27.4および28.
8°に主たる回折ピークを有するものが好ましい。これ
らのクロロガリウムフタロシアニン結晶は、電子写真感
光体の感光層に含有させて、電子写真感光体を得ること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、昇華精製されたクロロ
ガリウムフタロシアニン結晶よりなる電子写真感光体用
光導電材料、その製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子写真感光体における感光材料
としては種々のものが提案されており、そして感光層を
電荷発生層と電荷輸送層とに分離した積層型の電子写真
感光体、電荷発生能と電荷輸送能とを単一層に有する単
層型の電子写真感光体に関しても、電荷発生材料として
種々の有機化合物が提案されている。近年、従来提案さ
れた有機光導電材料の感光波長域を近赤外線の半導体レ
ーザー波長（７８０〜８３０ｎｍ）にまで伸ばし、レー
ザープリンター等のデジタル記録用の感光体として利用
することの要求が高まっており、この観点から、スクエ
アリリウム化合物（特開昭４９−１０５５３６号公報お
よび同５８−２１４１６号公報）、トリフェニルアミン
系トリスアゾ化合物（特開昭６１−１５１６５９号公
報）、フタロシアニン化合物（特開昭４８−３４１８９
号公報および同５７−１４８７４５号公報）等が、半導
体レーザー用の光導電材料として提案されている。半導
体レーザー用の感光材料として、有機光導電材料を使用
する場合、まず、感光波長が長波長まで伸びているこ
と、次に、形成される感光体の感度、耐久性がよいこと
などが要求される。しかしながら、上記の有機光導電材
料は、これらの諸条件を十分満足するものではない。こ
れらの欠点を克服するために種々の検討がなされている
が、上記の有機光導電材料のうち、例えば、フタロシア
ニン化合物については、電子写真感光体用材料、光記録
用材料および光電変換材料として使用することに関し
て、近年広範に検討されており、特に結晶性と電子写真
特性との関係が検討されている。

【０００３】一般に、フタロシアニン化合物は、製造方
法、処理方法の違いにより、幾つかの結晶型を示し、こ
の結晶型の違いはフタロシアニン化合物の光電変換特性
に大きな影響を及ぼすことが知られている。フタロシア
ニン化合物の結晶型については、例えば、銅フタロシア
ニンについてみると、安定型のβ型以外に、α、ε、
π、Ｘ、ρ、γ、δなどの結晶型が知られており、これ
らの結晶型は、機械的歪力、硫酸処理、有機溶剤処理お
よび熱処理等により、相互に転移が可能であることが知
られている（例えば、米国特許第２，７７０，６２９
号、同３，１６０，６３４，同３，７０８，２９２号お
よび同３、３５７、９８９号明細書）。また、特開昭５
０−３８５４３号公報には、銅フタロシアニンの結晶型
の違いと電子写真特性との関係について、α、β、γ、
ε型の結晶型のうち、ε型が最も高い感度を示すことが
記載されている。さらにまた、クロロガリウムフタロシ
アニンに関しては、電子写真学会誌２６（３），２４０
（１９８７）に、特定のブラッグ角度に回折ピークを有
するクロロガリウムフタロシアニンの結晶型について記
載されており、一方、特開昭５９−４４５０５３号公
報、信教技報ＣＰＭ８１−６９，３９（１９８１）等に
は、クロロガリウムフタロシアニン結晶の電子写真への
応用についての記載があり、また、特開平１−２２１４
５９号公報には、特定のブラッグ角度に回折ピークを有
するクロロガリウムフタロシアニンおよびそれを用いた
電子写真感光体が記載されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たクロロガリウムフタロシアニンに限らず、従来提案さ
れているフタロシアニン化合物は、感光材料として使用
した場合、光感度が必ずしも十分ではないこと、樹脂分
散系で使用する際の分散液の安定性が実用上必ずしも満
足できるものではないこと、繰返使用時の電位変動が大
きいこと、或いは高湿および低湿環境下での特性が大き
く変化すること等の問題があった。本発明の目的は、高
感度で優れた電子写真特性を有し、樹脂分散系において
良好な分散性を具備するクロロガリウムフタロシアニン
結晶と、その製造方法を提供することにある。また、本
発明の他の目的は、そのクロロガリウムフタロシアニン
結晶よりなる光導電材料を用いた電子写真感光体を提供
することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の問題を
解決し、上記の目的を達成するためになされたものであ
って、その要旨は、昇華精製されたクロロガリウムフタ
ロシアニン結晶、とりわけ合成により得られたクロロガ
リウムフタロシアニン結晶を昇華精製した後、機械的に
磨砕することによって得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶、または乾式磨砕後にさらに溶剤処理するこ
とによって得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶
が、高感度で優れた感光体特性を有し、樹脂分散系にお
いて、良好な分散性を具備していることを見出だし、本
発明を完成するに至った。

【０００６】本発明の電子写真用光導電材料は、昇華精
製されたクロロガリウムフタロシアニン結晶よりなるこ
とを特徴とするものであって、その昇華精製されたクロ
ロガリウムフタロシアニン結晶は、機械的に磨砕された
ものであってもよく、また、機械的に乾式磨砕され得た
後、さらに溶剤処理されたものであってもよい。特に、
昇華精製されたクロロガリウムフタロシアニン結晶を機
械的に磨砕し、次いで溶剤処理することによって得られ
た、Ｘ線回折スペクトルにおけるブラッグ角（２θ±
０．２°）の少なくとも（１）７．４°、１６．６°、
２５．５°および２８．３°、（２）６．８°、１７．
３°、２３．６°および２６．９°、または（３）８．
７°〜９．２°、１７．６°、２４．０°、２７．４°
および２８．８°に主たる回折ピークを有するクロロガ
リウムフタロシアニン結晶であることが好ましい。本発
明の上記電子写真用光導電材料は、合成後、昇華精製す
ることによって得られるが、昇華精製後、機械的に磨砕
することによって得ることができ、また、乾式磨砕した
後、さらに溶剤処理することによって得ることもでき
る。本発明の電子写真感光体は、導電性支持体上に、上
記昇華精製によって得られたクロロガリウムフタロシア
ニン結晶を光導電材料として含有する感光層を設けてな
ることを特徴とする。

【０００７】以下、本発明について詳細に説明する。本
発明で用いられるクロロガリウムフタロシアニン結晶
は、フタロシアニン化合物を合成する公知の合成法によ
り製造することができる。例えば、ジイミノイソインド
リンと金属塩化物とを有機溶媒の存在下で加熱するジイ
ミノイソインドリン法、フタロニトリルと金属塩化物と
を加熱融解または有機溶媒の存在下で加熱するフタロニ
トリル法、無水フタル酸と尿素および金属塩化物とを加
熱融解または有機溶媒の存在下で加熱するワイラー法、
シアノベンズアミドと金属塩とを高温で反応させる方
法、ジリチウムフタロシアニンと金属塩とを反応させる
方法等により製造することができる。これらの合成方法
において使用する有機溶媒としては、α−クロロナフタ
レン、β−クロロナフタレン、α−メチルナフタレン、
メトキシナフタレン、ジフェニルエタン、エチレングリ
コール、ジアルキルエーテル、キノリン、スルホラン、
ジクロロベンゼン、ジクロロトルエン、ジメチルホルム
アミド、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホアミド
等の反応不活性な高沸点の溶媒が好ましい。すなわち、
本発明におけるクロロガリウムフタロシアニン結晶は、
例えば、ジイミノイソインドリンと塩化ガリウム化合物
を上記有機溶媒中で１４０〜３００℃に加熱攪拌して合
成することができる。また、ジイミノイソインドリンの
代わりにフタロニトリルを使用することもできる。

【０００８】次に、得られたクロロガリウムフタロシア
ニン粗結晶を、所望の結晶型に変換する直前に、昇華精
製を実施する。この昇華精製によって、粗結晶バルク中
の不純物、とりわけキャリアートラップとなり得る有機
不純物、分散性の低下を招く無機塩類の除去が十分にな
され、高感度で優れた感光体特性を有し、樹脂分散系に
おいて良好な分散性を具備したクロロガリウムフタロシ
アニン結晶を得ることができる。本発明で用いる昇華精
製の方法としては、公知の方法であれば如何なる方法を
用いてもよいが、昇華を２回以上繰り返し実施するか、
昇華管の長さ方向に温度勾配をつけたＴｒａｉｎ Ｓｕ
ｂｌｉｍａｔｉｏｎ法（Ｗａｎｇｅｒ，Ｈ．Ｊ．，Ｒ．
Ｌｏｕｔｆｙ， ａｎｄ Ｃ．Ｋ．Ｈｓｉａｏ：Ｊ．Ｍ
ａｔｅｒ．Ｓｃｉ．，１７，２７８１（１９８２））に
よって昇華精製を実施することが、上記の特性を有する
クロロガリウムフタロシアニン結晶を得るのに特に効果
的である。

【０００９】上記の方法で製造したクロロガリウムフタ
ロシアニン結晶は、大粒径である場合が多く、本発明に
用いるクロロガリウムフタロシアニン結晶を得るために
は、必要に応じて機械的磨砕によって微細化する。微細
化は上記の方法で製造した比較的大粒径のものをサンド
ミル、遊星式ミル、ボールミル、振動式ボールミル、コ
ボールミル、アトライター、ダイノミル等の機械的方法
で磨砕メディアと共に、溶剤中で湿式磨砕するか、自動
乳鉢、遊星式ミル、振動式ボールミル、堅型円筒振動ミ
ル、ＣＦミル、ニーダー等の機械的処理法で乾式磨砕す
るか、或いは乾式磨砕後さらに磨砕メディアと共に湿式
磨砕することにより実施されるが、これらの方法に限定
されるものではない。

【００１０】上記の湿式磨砕処理に使用する溶剤は、例
えば、メタノール、エタノール、ｎ−ブタノール、ｎ−
プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール等の脂肪族アルコ
ール類、ベンジルアルコール、フェネチルアルコール、
α−フェニルエチルアルコール等の芳香族アルコール
類、グリセリン、ポリエチレングリコール等の脂肪族多
価アルコール類、フェノール、クレゾール、カテコール
等のフェノール類、ジメチルホルムアミド、ジメチルア
セトアミド等の脂肪族アミド類、ジメチルスルホキシ
ド、プロパンスルトン等の含硫黄化合物、酢酸エチル、
酢酸ブチル等のエステル類、メチルエチルケトン、シク
ロヘキサノン等のケトン類、ジエチルエーテル、ジメチ
ルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、塩化
メチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類、クロルベン
ゼン、ジクロルベンゼン等の芳香族ハロゲン化炭化水素
類、水等があげられ、これらの単独または２種以上の混
合溶剤から選択することができる。使用する溶剤の量
は、クロロガリウムフタロシアニン１重量部に対して１
〜２０重量部、好ましくは１０〜１００重量部の範囲で
用いられる。また湿式磨砕の処理時間は３時間以上が好
ましく、処理温度は０℃〜溶剤の沸点以下、好ましくは
１０〜６０℃で処理される。また、乾式磨砕の場合に
は、必要に応じて食塩、ぼう硝等の磨砕助剤を用いるこ
ともできる。乾式磨砕の処理時間は２時間以上であるこ
とが好ましい。

【００１１】処理後のクロロガリウムフタロシアニン結
晶は、１次粒子系の最長径が、長軸で０．６μｍ以下、
短軸で０．３μｍ以下となるが、長軸で０．４μｍ以
下、短軸で０．２μｍ以下のものを用いるのが好まし
い。

【００１２】本発明においては、Ｘ線回折スペクトルに
おいて、ブラッグ角（２θ±０．２°）の（１）７．４
°、１６．６°、２５．５°および２８．３°（図９参
照）、（２）６．８°、１７．３°、２３．６°および
２６．９°（図１０参照）、または（３）８．７°〜
９．２°、１７．６°、２４．０°、２７．４°および
２８．８°（図１１参照）に主たる回折ピークを有する
クロロガリウムフタロシアニン結晶が特に好ましく使用
される。これらのクロロガリウムフタロシアニン結晶
は、乾式磨砕に続き、溶剤中で湿式処理することにより
得ることができる。湿式処理に使用する溶剤は、例え
ば、特開平５−９８１８１号公報、特開平５−１９４５
２３号公報で開示しているメタノール、エタノール、ｎ
−ブタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノー
ル等の脂肪族アルコール類、ベンジルアルコール、フェ
ネチルアルコール、α−フェニルエチルアルコール等の
芳香族アルコール類、グリセリン、ポリエチレングリコ
ール等の脂肪族多価アルコール類、フェノール、クレゾ
ール、カテコール等のフェノール類、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルアセトアミド等の脂肪族アミド類、ジメ
チルスルホキシド、プロパンスルトン等の硫黄誘導体、
酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、メチルエチル
ケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、ジエチルエー
テル、ジメチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエー
テル類、塩化メチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素
類、クロルベンゼン、ジクロルベンゼン等の芳香族ハロ
ゲン化炭化水素類、水等から単独または２種以上の混合
溶剤から選択することができる。また、溶剤処理に使用
する磨砕装置としては、ボールミル、アトライター、ロ
ールミル、コボールミル、サンドミル、ホモミキサー等
を用いることができるが、これらに限定されるものでは
ない。使用する溶剤の量は、クロロガリウムフタロシア
ニン１重量部に対して１〜２００重量部、好ましくは１
０〜１００重量部が用いられる。また、湿式磨砕の処理
時間は３時間以上が好ましく、処理温度は０℃〜溶剤の
沸点以下、好ましくは１０〜６０℃の範囲で処理され
る。

【００１３】次に、上記の処理方法により得られるクロ
ロガリウムフタロシアニン結晶を感光層における光導電
材料として使用した電子写真感光体について説明する。
本発明の電子写真感光体は、単層構造のものでも、電荷
発生層と電荷輸送層とに機能分離された積層構造のもの
であってもよい。感光層が積層構造を有する場合におい
て、電荷発生層は上記クロロガリウムフタロシアニン結
晶および結着樹脂から構成される。図１ないし図４は、
本発明の電子写真感光体を模式的に示す断面図である。
図１において、電荷発生層１およびその上に積層された
電荷輸送層２からなる感光層が導電性支持体３上に被覆
されている。図２においては、電荷発生層１と導電性支
持体３の間に下引き層４が介在しており、また、図３に
おいては、感光層の表面に保護層５が被覆されている。
さらに図４においては、下引き層４と保護層５の両者が
積層されている。以下、単層構造からなる感光層の説明
を途中に加えながら、上記各層について詳細に説明す
る。

【００１４】本発明の電子写真感光体における電荷発生
層１は、結着樹脂を有機溶剤に溶解した溶液に、前記ク
ロロガリウムフタロシアニン結晶を分散させて塗布液を
調製し、それを導電性支持体上に塗布することによって
形成される。好ましい結着樹脂としては、例えば、ポリ
ビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ブ
チラールの一部がホルマールやアセトアセタール等で変
性された部分アセタール化ポリビニルブチラール樹脂等
のポリビニルアセタール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビ
スフェノールＡとフタル酸の重縮合体等）、ポリカーボ
ネート樹脂、ポリエステル樹脂、変性ポリエーテル型ポ
リエステル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリ塩化ビニル樹
脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポ
リスチレン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリ
アクリルアミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリビニルピリ
ジン樹脂、セルロース系樹脂、ポリウレタン樹脂、エポ
キシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリビニルアルコール樹
脂、ポリビニルピロリドン樹脂、カゼイン、塩化ビニル
−酢酸ビニル共重合体、ヒドロキシル変性塩化ビニル−
酢酸ビニル共重合体、カルボキシル変性塩化ビニル−酢
酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレ
イン酸共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化
ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ア
ルキッド樹脂、シリコ−ン−アルキッド樹脂、フェノー
ルホルムアルデヒド樹脂等の絶縁性樹脂をあげることが
できる。また、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビ
ニルアントラセン、ポリビニルピレン等の有機光導電性
ポリマーから選択することもできる。しかし、これらの
絶縁性樹脂或いは有機光導電性ポリマーに限定されるも
のではない。また、これらの結着樹脂は単独または２種
以上混合して用いることができる。

【００１５】結着樹脂を溶解する溶媒としては、メタノ
ール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパ
ノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール等のアル
コール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン等のケトン類、ジメチルホルムアミド、ジメチル
アセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等の
スルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジ
エチルエーテル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ
等の環状または直鎖状のエーテル類、酢酸メチル、酢酸
エチル、酢酸ｎ−ブチル等のエステル類、塩化メチレ
ン、クロロホルム、４塩化炭素、ジクロロエチレン、ト
リクロロエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類、リ
グロイン等の鉱油、ベンゼン、トルエン、キシレン等の
芳香族炭化水素類、クロルベンゼン、ジクロルベンゼン
等のハロゲン化芳香族炭化水素類等があげられ、これら
は単独または２種以上の混合して用いることができる。

【００１６】前記クロロガリウムフタロシアニン結晶と
結着樹脂との配合比（重量）は、４０：１〜１：２０、
好ましくは１０：１〜１：１０の範囲である。クロロガ
リウムフタロシアニン結晶の比率が高すぎる場合には、
塗布液の安定性が低下し、一方、低すぎる場合には、感
光体の感度が低下するので、上記範囲に設定するのが好
ましい。クロロガリウムフタロシアニン結晶を分散処理
する方法としては、公知の方法、例えば、ボールミル、
サンドグラインドミル、遊星ミル、コボールミル、ロー
ルミル等の方法を用いることができる。結着樹脂とクロ
ロガリウムフタロシアニンの混合方法としては、例え
ば、クロロガリウムフタロシアニン結晶を分散処理中に
結着樹脂を粉末のまま、若しくはポリマー溶液として加
え、同時に分散する方法、分散液を結着樹脂のポリマー
溶液中に混合する方法、或いは逆に分散液中にポリマー
溶液を混合する方法等のいずれの方法を用いても構わな
い。また、分散によってクロロガリウムフタロシアニン
結晶の結晶型が変化しない条件が必要とされるが、本発
明で実施する上記分散法のいずれを採用しても、分散前
と結晶型が変化していないことが確認されている。塗布
液の塗布は、浸漬コーティング法、スプレーコーティン
グ法、スピナーコーティング法、ビードコーティング
法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティン
グ法、ローラーコーティング法、エアナイフコーティン
グ法、カーテンコーティング法等のコーティング法を採
用することができる。また、塗布液の乾燥は、室温にお
ける指触乾燥後、３０〜２００℃の温度で５分〜２時間
の範囲で静止または送風下で加熱乾燥するのが好まし
い。そして、電荷発生層の膜厚は、通常０．０５〜５μ
ｍ、好ましくは０．１５〜２．０μｍが適当である。

【００１７】本発明の電子写真感光体における電荷輸送
層２は、電荷輸送材料を適当な結着樹脂中に含有させて
形成される。電荷輸送材料としては、例えば、２，５−
ビス−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−
オキサジアゾール等のオキサジアゾール誘導体、１，
３，５−トリフェニルピラゾリン、１−［ピリジル−
（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−
（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン等のピラゾ
リン誘導体、トリフェニルアミン、ベンジルアニリン等
の芳香族第３級モノアミン化合物、Ｎ，Ｎ′−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ′−ビス（ｍ−トリル）ベンジジン等の芳香
族第３級ジアミン化合物、３−（ｐ−ジエチルアミノフ
ェニル）−５，６−ジ（ｐ−メトキシフェニル）−１，
２，４−トリアジン等の１，２，４−トリアジン誘導
体、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−２，２−ジ
フェニルヒドラゾン等のヒドラゾン誘導体、２−フェニ
ル−４−スチリルキナゾリン等のキナゾリン誘導体、６
−ヒドロキシ−２，３−ジ−（ｐ−メトキシフェニル）
ベンゾフラン等のベンゾフラン誘導体、ｐ−（２，２−
ジフェニルビニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン等の
α−スチルベン誘導体、トリフェニルメタン誘導体或い
はこれらの化合物からなる基を主鎖若しくは側鎖に有す
る重合体等の電子供与物質があげられるが、これらに限
定されるものではない。また、これらの電荷輸送材料
は、単独または２種以上混合して用いられ、また、電荷
輸送材料がポリマーの場合は、それ自体で層を形成して
もよい。

【００１８】電荷輸送層２を形成する結着樹脂として
は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタク
リル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩
化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ酢酸ビニル
樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン
ン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニ
ル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸
共重合体、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹
脂、フェノールホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アル
キッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール樹脂等、前
記電荷発生層に使用されるものと同様の樹脂が使用でき
る。電荷輸送層は、上記電荷輸送材料と結着樹脂および
前記電荷発生層を形成する際に用いる有機溶剤と同様の
ものを用いて塗布液を調製した後、前記したコーティン
グ法と同様の手段により塗布液を電荷発生層上に塗布し
て形成することができる。その際、電荷輸送材料と結着
樹脂との割合は結着樹脂１００重量部に対して電荷輸送
材料が５〜５００重量部の範囲より選択して使用され
る。また、電荷輸送層の膜厚は、一般的には５〜５０μ
ｍ、好ましくは１０〜３０μｍの範囲に設定される。

【００１９】本発明の感光層が単層構造を有する場合に
おいては、クロロガリウムフタロシアニン結晶および結
着樹脂として、前記と同様のものが使用され、前記と同
様の方法に従って光導電層が形成される。その場合、結
着樹脂は、ポリビニルアセタール系樹脂、塩化ビニル−
酢酸ビニル系共重合体、フェノキシ樹脂および変性エー
テル型ポリエステル樹脂から選ばれる少なくとも１種よ
り選択することが最も好ましい。感光層には必要に応じ
て酸化防止剤、増感剤等の各種添加剤を含んでもよい。
そして、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比（重量）は
１：２０〜５：１、クロロガリウムフタロシアニン結晶
と電荷輸送材料との配合比（重量）は１：１０〜１０：
１程度に設定するのが好ましい。

【００２０】導電性支持体３としては、電子写真感光体
として使用可能であれば、如何なるものでも使用するこ
とができる。具体的には、アルミニウム、ニッケル、ク
ロム、ステンレス鋼等の金属類、アルミニウム、チタニ
ウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼、金、バナジウ
ム、酸化錫、酸化インジウム、ＩＴＯ等の薄膜を被覆し
たプラスチックフィルム等、或いは導電性付与剤を塗布
または含浸した紙、プラスチックフィルム等があげられ
る。さらに必要に応じて、導電性支持体３の表面は、画
質に影響がない範囲で、各種の処理を行ってもよく、例
えば、表面の酸化処理や薬品処理および着色処理または
砂目立て等の乱反射処理等を施してもよい。

【００２１】導電性支持体と感光層の間には、さらに下
引き層４が設けられてもよい。下引き層としては、例え
ば、アルミニウム陽極酸化皮膜、酸化アルミニウム、水
酸化アルミニウム等の無機層、ポリビニルアルコール、
カゼイン、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸、セ
ルロース類、ゼラチン、澱粉、ポリグルタミン酸、アミ
ノ澱粉、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミド等の有
機層、ジルコニウムキレート化合物、ジルコニウムアル
コキシド化合物、チタニルキレート化合物、チタニルア
ルコキシド化合物等の有機金属化合物、シランカップリ
ング剤等の公知のものを用いることができる。下引き層
の膜厚は、０．０１〜２０μｍの範囲が好ましく、０．
０５〜１０μｍの範囲で使用されるのが最も効果的であ
る。

【００２２】本発明は、さらに必要に応じて、感光層表
面に保護層５を設けてもよい。保護層は、導電性材料を
適当な結着樹脂中に含有させて形成される。導電性材料
としては、ジメチルフェロセン等のメタロセン化合物、
Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス−（ｍ−トリ
ル）ベンジジン等の芳香族アミノ化合物、酸化アンチモ
ン、酸化錫、酸化チタン、酸化インジウム、酸化錫−酸
化アンチモン等の金属酸化物を用いることができるが、
これらに限定されるものではない。また、この保護層に
用いる結着樹脂としては、前記結着樹脂として例示した
ものが使用できる。上記保護層は、その電気抵抗が１０
⁹ 〜１０¹⁴Ω・ｃｍとなるように構成するのが好まし
い。電気抵抗が１０¹⁴Ω・ｃｍより高くなると、残留電
位が上昇し、カブリの多い複写物になってしまい、一
方、１０⁹ Ω・ｃｍよりも低くなると画像のボケ、解像
力の低下が生じてしまう。また、保護層は解像光に照射
される光の透過を実質上妨げないように構成されなけれ
ばならない。この保護層の膜厚は、０．５〜２０μｍ、
好ましくは１〜１０μｍの範囲に設定する。

【００２３】

【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
するが、これらに限定されるものではない。なお、実施
例および比較例において、「部」は重量部を意味する。
合成例（クロロガリウムフタロシアニンの合成）窒素雰
囲気下、室温で３塩化ガリウム８．３部をジメチルスル
ホキシド（ＤＭＳＯ）２３０部中に添加し、次いで１，
３−ジイミノイソインドリン３０部を加え、１５０℃に
おいて４時間反応させた後、生成物を熱時濾過し、ＤＭ
ＳＯ、次いで蒸溜水で洗浄した。次いで、湿ケーキを減
圧乾燥してクロロガリウムフタロシアニン結晶２３．３
部を得た。得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶
の粉末Ｘ線回折図を図５に示す。（理学電機社製、Ｒｏ
ｔａｆｌｅｘ；Ｘ線回折装置ＣＮ２７２６Ａ１にて、対
陰極にＣｕＫα線を使用し、Ｔｕｂｅ電圧４０ｋＶ、Ｔ
ｕｂｅ電流３０ｍＡにて測定した。以下、同様）。

【００２４】実施例１ 合成例で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶
５．０部に対して、昇華精製を２回繰り返した。得られ
たクロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図
を図６に示す。また、元素分析の結果を表１に示す。 実施例２ 合成例で得られたクロロカリウムフタロシアニン結晶
５．０部をTrain Sublimation 法によって昇華精製し
た。得られたクロロガリムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ
線回折図は図６と同様であった。また元素分析の結果を
表１に示す。

【００２５】

【表１】

【００２６】実施例３ 実施例１で得られたクロロガリムフタロシアニン５．０
部を遊星式ボールミル（ＦＲＩＴＳＣＨ社製）を用いて
１０ｍｍφメノウボール６３部と共に１７０時間湿式磨
砕後、メノウボールを分離し、クロロガリウムフタロシ
アニン結晶０．４６部を得た。得られたクロロガリムフ
タロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を図７に示す。 実施例４ 実施例１で得られたクロロガリムフタロシアニン５．０
部を振動ミル（ＭＢ−１型、中央加工機社製）で４０部
の３０ｍｍφアルミナボールと共に１９０時間乾式磨砕
し、得られたクロロガリムフタロシアニン結晶０．５部
を１ｍｍφガラスビーズ６０部と共に、室温下ベンジル
アルコール２０部中で２４時間ボールミリング処理した
後、ガラスビーズと分散液を分離し、分散液を遠心沈降
機（ＣＥＮＴＲＩＫＯＮ Ｈ−４０１，ＫＯＮＴＲＯＮ
／ＨＥＲＭＬＥ社製）にかけ、得られた湿ケーキを蒸留
水１０部で洗浄後、減圧乾燥してクロロガリウムフタロ
シアニン結晶０．４２部を得た。得られたクロロガリム
フタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を図８に示す。こ
こで得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶の一次
粒子径を透過電子顕微鏡（日立社製：Ｈ−９０００ＮＡ
型、加速電圧１５０ｋＶ）で観察したところ、長軸０．
０３８μｍ、短軸０．０２５μｍ〜長軸０．０９μｍ、
短軸０．０７μｍの粒子径分布であった。

【００２７】実施例５ 実施例１で得られたクロロガリムフタロシアニン５．０
部を振動ミル（ＭＢ−１型、中央加工機製）で４０部の
３０ｍｍφアルミナボールと共に１９０時間乾式磨砕
し、得られたクロロガリムフタロシアニン結晶０．５部
を１ｍｍφガラスビーズ６０部と共に、室温下、ＤＭＳ
Ｏ２０部中で２４時間ボールミリング処理した後、ガラ
スビーズと分散液を分離し、分散液を遠心沈降機（ＣＥ
ＮＴＲＩＫＯＮ Ｈ−４０１，ＫＯＮＴＲＯＮ／ＨＥＲ
ＭＬＥ社製）にかけ、得られた湿ケーキを蒸留水１０部
で洗浄した後、減圧乾燥してクロロガリウムフタロシア
ニン結晶０．４２部を得た。得られたクロロガリムフタ
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を図９に示す。ここで
得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶の一次粒子
径を透過電子顕微鏡（日立社製：Ｈ−９０００ＮＡ型、
加速電圧１５０ｋＶ）で観察したところ、長軸０．０３
８μｍ、短軸０．０２５μｍ〜長軸０．０９μｍ、短軸
０．０７μｍの粒子径分布であった。

【００２８】実施例６ 実施例１で得られたクロロガリムフタロシアニン５．０
部を振動ミル（ＭＢ−１型、中央加工機製）で４０部の
３０ｍｍφアルミナボールと共に１９０時間乾式磨砕
し、得られたクロロガリムフタロシアニン結晶０．５部
を１ｍｍφガラスビーズ６０部と共に、室温下、塩化メ
チレン２０部中で２４時間ボールミリング処理した後、
ガラスビーズと分散液を分離し、分散液を遠心沈降機
（ＣＥＮＴＲＩＫＯＮ Ｈ−４０１，ＫＯＮＴＲＯＮ／
ＨＥＲＭＬＥ社製）にかけ、得られた湿ケーキを蒸留水
１０部で洗浄した後、減圧乾燥してクロロガリウムフタ
ロシアニン結晶０．４２部を得た。得られたクロロガリ
ムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を図１０に示
す。ここで得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶
の一次粒子径を透過電子顕微鏡（日立社製：Ｈ−９００
０ＮＡ型、加速電圧１５０ｋＶ）で観察したところ、長
軸０．０３８μｍ、短軸０．０２５μｍ〜長軸０．０９
μｍ、短軸０．０７μｍの粒子径分布であった。

【００２９】実施例７ 実施例１で得られたクロロガリムフタロシアニン５．０
部を振動ミル（ＭＢ−１型、中央加工機製）で４０部の
３０ｍｍφアルミナボールと共に１９０時間乾式磨砕
し、得られたクロロガリムフタロシアニン結晶０．５部
を１ｍｍφガラスビーズ６０部と共に、室温下、エチレ
ングリコール２０部中で２４時間ボールミリング処理し
た後、ガラスビーズと分散液を分離し、分散液を遠心沈
降機（ＣＥＮＴＲＩＫＯＮ Ｈ−４０１，ＫＯＮＴＲＯ
Ｎ／ＨＥＲＭＬＥ社製）にかけ、得られた湿ケーキを蒸
留水１０部で洗浄した後、減圧乾燥してクロロガリウム
フタロシアニン結晶０．４２部を得た。得られたクロロ
ガリムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を図１１に
示す。ここで得られたクロロガリウムフタロシアニン結
晶の一次粒子径を透過電子顕微鏡（日立社製：Ｈ−９０
００ＮＡ型、加速電圧１５０ｋＶ）で観察したところ、
長軸０．０６μｍ、短軸０．０３μｍ〜長軸０．２μ
ｍ、短軸０．１μｍの粒子径分布であった。 実施例８ 実施例２で得られたクロロガリムフタロシアニン５．０
部を遊星式ボールミル（ＦＲＩＴＳＣＨ社製）を用いて
１０ｍｍφメノウボール６３部と共に１７０時間湿式磨
砕した後、メノウボールを分離し、クロロガリウムフタ
ロシアニン結晶０．４７部を得た。得られたクロロガリ
ムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図は図７と同様で
あった。。

【００３０】実施例９ 実施例２で得られたクロロガリムフタロシアニン５．０
部を振動ミル（ＭＢ−１型、中央加工機社製）で４０部
の３０ｍｍφアルミナボールと共に１９０時間乾式磨砕
し、得られたクロロガリムフタロシアニン結晶０．５部
を１ｍｍφガラスビーズ６０部と共に、室温下、ベンジ
ルアルコール２０部中で２４時間ボールミリング処理し
た後、ガラスビーズと分散液を分離し、分散液を遠心沈
降機（ＣＥＮＴＲＩＫＯＮ Ｈ−４０１，ＫＯＮＴＲＯ
Ｎ／ＨＥＲＭＬＥ社製）にかけ、得られた湿ケーキをイ
ソプロピルアルコール１０部で洗浄した後、減圧乾燥し
てクロロガリウムフタロシアニン結晶０．４４部を得
た。得られたクロロガリムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ
線回折図は図８と同様であった。ここで得られたクロロ
ガリウムフタロシアニン結晶の一次粒子径を透過電子顕
微鏡（日立社製：Ｈ−９０００ＮＡ型、加速電圧１５０
ｋＶ）で観察したところ、長軸０．０３８μｍ、短軸
０．０２５μｍ〜長軸０．０９μｍ、短軸０．０７μｍ
の粒子径分布であった。

【００３１】実施例１０ 実施例２で得られたクロロガリムフタロシアニン５．０
部を振動ミル（ＭＢ−１型、中央加工機製）で４０部の
３０ｍｍφアルミナボールと共に１９０時間乾式磨砕
し、得られたクロロガリムフタロシアニン結晶０．５部
を１ｍｍφガラスビーズ６０部と共に、室温下、ＤＭＳ
Ｏ２０部中で２４時間ボールミリング処理した後、ガラ
スビーズと分散液を分離し、分散液を遠心沈降機（ＣＥ
ＮＴＲＩＫＯＮ Ｈ−４０１，ＫＯＮＴＲＯＮ／ＨＥＲ
ＭＬＥ社製）にかけ、得られた湿ケーキを蒸留水１０部
で洗浄した後、減圧乾燥してクロロガリウムフタロシア
ニン結晶０．４３部を得た。得られたクロロガリムフタ
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図は図９と同様であっ
た。ここで得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶
の一次粒子径を透過電子顕微鏡（日立社製：Ｈ−９００
０ＮＡ型、加速電圧１５０ｋＶ）で観察したところ、長
軸０．０３８μｍ、短軸０．０２５μｍ〜長軸０．０９
μｍ、短軸０．０７μｍの粒子径分布であった。

【００３２】実施例１１ 実施例２で得られたクロロガリムフタロシアニン５．０
部を振動ミル（ＭＢ−１型、中央加工機社製）で４０部
の３０ｍｍφアルミナボールと共に１９０時間乾式磨砕
し、得られたクロロガリムフタロシアニン結晶０．５部
を１ｍｍφガラスビーズ６０部と共に、室温下、塩化メ
チレン２０部中で２４時間ボールミリング処理した後、
ガラスビーズと分散液を分離し、分散液を遠心沈降機
（ＣＥＮＴＲＩＫＯＮ Ｈ−４０１，ＫＯＮＴＲＯＮ／
ＨＥＲＭＬＥ社製）にかけ、得られた湿ケーキを蒸留水
１０部で洗浄した後、減圧乾燥してクロロガリウムフタ
ロシアニン結晶０．４５部を得た。得られたクロロガリ
ムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図は図１０と同様
であった。ここで得られたクロロガリウムフタロシアニ
ン結晶の一次粒子径を透過電子顕微鏡（日立社製：Ｈ−
９０００ＮＡ型、加速電圧１５０ｋＶ）で観察したとこ
ろ、長軸０．０３８μｍ、短軸０．０２５μｍ〜長軸
０．０９μｍ、短軸０．０７μｍの粒子径分布であっ
た。

【００３３】実施例１２ 実施例２で得られたクロロガリムフタロシアニン５．０
部を振動ミル（ＭＢ−１型、中央加工機製）で４０部の
３０ｍｍφアルミナボールと共に１９０時間乾式磨砕
し、得られたクロロガリムフタロシアニン結晶０．５部
を１ｍｍφガラスビーズ６０部と共に、室温下、エチレ
ングリコール２０部中で２４時間ボールミリング処理し
た後、ガラスビーズと分散液を分離し、分散液を遠心沈
降機（ＣＥＮＴＲＩＫＯＮ Ｈ−４０１，ＫＯＮＴＲＯ
Ｎ／ＨＥＲＭＬＥ社製）にかけ、得られた湿ケーキを蒸
留水１０部で洗浄した後、減圧乾燥してクロロガリウム
フタロシアニン結晶０．４６部を得た。得られたクロロ
ガリムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図は図１１と
同様であった。ここで得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の一次粒子径を透過電子顕微鏡（日立社製：
Ｈ−９０００ＮＡ型、加速電圧１５０ｋＶ）で観察した
ところ、長軸０．０６μｍ、短軸０．０３μｍ〜長軸
０．２μｍ、短軸０．１μｍの粒子径分布であった。

【００３４】実施例１３ 実施例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶
１．０部を、ポリビニルブチラール樹脂（エスレックＢ
Ｍ−１，積水化学社製）１部及び酢酸ブチル１００部と
共に混合し、１／８ｉｎｃｈスチール球２５０部と共に
ペイントシェカーにて２時間分散後、得られた塗布液を
浸漬コーティング法でアルミニウム基板上に塗布し、１
００℃において１０分間加熱乾燥し、膜厚０．１８μｍ
の電荷発生層を形成した。次の下記構造式（１）

【化１】 で示されるＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（ｍ
−トリル）ベンジジン２部と下記構造式（２）

【化２】 で示されるポリ〔１，１′−ジ−（ｐ−フェニレン）シ
クロヘキサンカーボネート〕３部をクロロベンゼン２０
部に溶解し、得られた塗布液を電荷発生層が形成された
アルミナ基板上に浸漬コーティング法で塗布し、１１５
℃において１時間加熱し、膜厚２０μｍの電荷輸送層を
形成して感光体を作製した。このようにして得られた感
光体を感光体Ａとする。

【００３５】実施例１４〜２４ 実施例１３で用いたクロロガリウムフタロシアニン結晶
に代えて、実施例２〜１２で得られたクロロガリウムフ
タロシアニン結晶を１．０部とした他は実施例１３と同
様にして感光体を作成した。このようにして得られた感
光体を感光体Ｂ〜Ｌとする。

【００３６】比較例１ 実施例１で用いたクロロガリウムフタロシアニン結晶に
代えて、合成例で得られたクロロガリウムフタロシアニ
ン結晶を用いた他は、実施例２と同様の方法でクロロガ
リウムフタロシアニン結晶を調製した。得られたクロロ
ガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図は、実施
例１と同様であった。 比較例２ 実施例１で用いたクロロガリウムフタロシアニン結晶に
代えて、合成例で得られたクロロガリウムフタロシアニ
ン結晶を用いた他は、実施例３と同様の方法でクロロガ
リウムフタロシアニン結晶を調製した。得られたクロロ
ガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図は、実施
例３と同様であった。 比較例３ 実施例１で用いたクロロガリウムフタロシアニン結晶に
代えて、合成例で得られたクロロガリウムフタロシアニ
ン結晶を用いた他は、実施例４と同様の方法でクロロガ
リウムフタロシアニン結晶を調製した。得られたクロロ
ガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図は、実施
例４と同様であった。 比較例４ 実施例１で用いたクロロガリウムフタロシアニン結晶に
代えて、合成例で得られたクロロガリウムフタロシアニ
ン結晶を用いた他は、実施例５と同様の方法でクロロガ
リウムフタロシアニン結晶を調製した。得られたクロロ
ガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図は、実施
例５と同様であった。

【００３７】比較例５ 実施例１で用いたクロロガリウムフタロシアニン結晶に
代えて、合成例で得られたクロロガリウムフタロシアニ
ン結晶を用いた他は、実施例６と同様の方法でクロロガ
リウムフタロシアニン結晶を調製した。得られたクロロ
ガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図は、実施
例６と同様であった。 比較例６ 実施例１３で用いたクロロガリウムフタロシアニン結晶
に代えて、合成例で得られたクロロガリウムフタロシア
ニン結晶を１．０とした他は、実施例１３と同様にして
感光体を作製した。このようにして得られた感光体を感
光体Ｍとする。 比較例７〜１１ 実施例１３で用いたクロロガリウムフタロシアニン結晶
に代えて、比較例１〜５で得られたクロロガリウムフタ
ロシアニン結晶を１．０とした他は、実施例１３と同様
にして感光体を作製した。このようにして得られた感光
体を感光体Ｎ〜Ｒとする。

【００３８】（実施例１３〜２４及び比較例６〜１１の
感光体評価）上記のようにして作製された電子写真感光
体の電気特性を以下のようにして測定した。静電複写紙
試験装置（エレクトロスタティクアナライザーＥＰＡ−
８１００、川口電気社製）を用いて常温常湿（２０℃、
５０％ＲＨ）環境下に−６ｋＶのコロナ放電により感光
体を帯電させた後、タングステンランプの光をモノクロ
メータを用いて８００ｎｍの単色光に分光し、感光体表
面上で１μＷ／ｃｍ²になるように調整し照射した。そ
して、その所期表面電位Ｖ0 （ボルト）、Ｖ0Ｅ1/2 に
なるまでの半減露光量1/2 （ｅｒｇ／ｃｍ² ）を測定
し、その後１０ルックスのタングステン光を１秒間感光
体表面に照射し、残留電位ＶRP（ボルト）を測定した。
更に、上記の帯電、露光を１０００回繰り返した後の、
Ｖ0 、Ｅ1/2 、ＤＤＲ，ＶRPを測定した。結果を表２お
よび表３に示す。

【００３９】

【表２】

【００４０】

【表３】

【００４１】

【発明の効果】本発明の製造方法により得られたクロロ
ガリウムフタロシアニン結晶を用いた光導電材料は、感
光波長が７８０ｎｍ近辺まで伸びているため、半導体レ
ーザーを利用するプリンター、デジタルコピア等の電子
写真感光体用光導電材料として非常に有用である。また
上記のクロロガリウムフタロシアニン結晶を用いて作製
される本発明の電子写真感光体は、高感度で、残留電位
が低く、かつ帯電性が高く、かつ繰り返しによる変動が
少なく、耐久性に優れたものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の電子写真感光体の模式的断面図を示
す。

【図２】 本発明の電子写真感光体の別の模式的断面図
を示す。

【図３】 本発明の電子写真感光体の他の模式的断面図
を示す。

【図４】 本発明の電子写真感光体の更に他の模式的断
面図を示す。

【図５】 合成例で得られたクロロガリウムフタロシア
ニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。

【図６】 実施例１で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。

【図７】 実施例３で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。

【図８】 実施例４で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。

【図９】 実施例５で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。

【図１０】 実施例６で得られたクロロガリウムフタロ
シアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。

【図１１】 実施例７で得られたクロロガリウムフタロ
シアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。

【符号の説明】

１…電荷発生層、２…電荷輸送層、３…導電性支持体、
４…下引き層、５…保護層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今井 彰 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 昇華精製されたクロロガリウムフタロシ
   アニン結晶よりなることを特徴とする電子写真感光体用
   光導電材料。
2. 【請求項２】 昇華精製されたクロロガリウムフタロシ
   アニン結晶が機械的に磨砕されたものである請求項１記
   載の電子写真感光体用光導電材料。
3. 【請求項３】 昇華精製されたクロロガリウムフタロシ
   アニン結晶が乾式磨砕され、次いで溶剤処理されたもの
   である請求項１記載の電子写真感光体用光導電材料。
4. 【請求項４】 昇華精製されたクロロガリウムフタロシ
   アニン結晶が、ブラッグ角（２θ±０．２°）の少なく
   とも（１）７．４°、１６．６°、２５．５°および２
   ８．３°、（２）６．８°、１７．３°、２３．６°お
   よび２６．９°、または（３）８．７°〜９．２°、１
   ７．６°、２４．０°、２７．４°および２８．８°に
   主たる回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニ
   ン結晶である請求項３記載の電子写真用光導電材料。
5. 【請求項５】 昇華精製されたクロロガリウムフタロシ
   アニン結晶を機械的に磨砕することを特徴とする請求項
   ２記載の電子写真感光体用光導電材料の製造方法。
6. 【請求項６】 昇華精製されたクロロガリウムフタロシ
   アニン結晶を乾式磨砕し、次いで溶剤処理することを特
   徴とする請求項３記載の電子写真感光体用光導電材料の
   製造方法。
7. 【請求項７】 導電性支持体上に、請求項１ないし請求
   項４のいずれかに記載の電子写真感光体用光導電材料を
   含有する感光層を設けてなることを特徴とする電子写真
   感光体。