JPH07211612A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
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- JPH07211612A JPH07211612A JP6002290A JP229094A JPH07211612A JP H07211612 A JPH07211612 A JP H07211612A JP 6002290 A JP6002290 A JP 6002290A JP 229094 A JP229094 A JP 229094A JP H07211612 A JPH07211612 A JP H07211612A
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- projection optical
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】露光光の照射や大気圧変動などの外的要因によ
る像面湾曲が発生しても、凹凸や傾斜が存在する感光基
板に対しても投影光学系の結像面を感光基板面の最適な
位置に移動させる事が可能な装置を提供する事を目的と
する。 【構成】投影光学系への露光光の照射や大気圧変動など
の物理量を測定する手段と、物理量の変化をと投影光学
系の像面湾曲の変化量との関係の情報を保持した記憶手
段と、複数の感光基板面上の光軸方向の位置を検出する
受光センサーとを有し、前記像面湾曲の変化量と複数の
受光センサーの出力とから、投影光学系の結像面に対し
て感光基板面を最適な位置に移動させる事を特徴とする
投影露光装置。
る像面湾曲が発生しても、凹凸や傾斜が存在する感光基
板に対しても投影光学系の結像面を感光基板面の最適な
位置に移動させる事が可能な装置を提供する事を目的と
する。 【構成】投影光学系への露光光の照射や大気圧変動など
の物理量を測定する手段と、物理量の変化をと投影光学
系の像面湾曲の変化量との関係の情報を保持した記憶手
段と、複数の感光基板面上の光軸方向の位置を検出する
受光センサーとを有し、前記像面湾曲の変化量と複数の
受光センサーの出力とから、投影光学系の結像面に対し
て感光基板面を最適な位置に移動させる事を特徴とする
投影露光装置。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体露光装置のうち
の焦点位置を検出する複数の受光センサーを備えた焦点
位置ずれ検出装置を持つ投影露光装置に関するものであ
る。
の焦点位置を検出する複数の受光センサーを備えた焦点
位置ずれ検出装置を持つ投影露光装置に関するものであ
る。
【従来の技術】近年、LSIのパターンの微細化が進
み、半導体製造装置における投影光学系の解像力の向上
が必須となってきている。また、この解像力の向上に伴
い焦点深度が浅くなり、より正確に感光基板へ投影光学
系の結像面を合せる必要が出てきた。
み、半導体製造装置における投影光学系の解像力の向上
が必須となってきている。また、この解像力の向上に伴
い焦点深度が浅くなり、より正確に感光基板へ投影光学
系の結像面を合せる必要が出てきた。
【0002】この為には、投影光学系の結像面に対する
感光基板表面のずれ量を求め、このずれ量が零になるよ
うに感光基板表面を投影光学系の光軸方向に移動させ
る。ところが投影光学系の結像面が像面湾曲の影響によ
り曲面である場合、感光基板を曲面上の結像面のどこに
移動させるかという問題とともに、像面湾曲の量が投影
光学系に対する外的要因の変化、例えば、露光光による
照射又は、大気圧変動によって刻々と変化する。このた
め、感光基板を像面湾曲の生じた結像面に対して最適な
位置に移動させなければならないという要求がなされて
いた。
感光基板表面のずれ量を求め、このずれ量が零になるよ
うに感光基板表面を投影光学系の光軸方向に移動させ
る。ところが投影光学系の結像面が像面湾曲の影響によ
り曲面である場合、感光基板を曲面上の結像面のどこに
移動させるかという問題とともに、像面湾曲の量が投影
光学系に対する外的要因の変化、例えば、露光光による
照射又は、大気圧変動によって刻々と変化する。このた
め、感光基板を像面湾曲の生じた結像面に対して最適な
位置に移動させなければならないという要求がなされて
いた。
【0003】そこで、このような像面湾曲の問題を解決
する投影露光装置が、特開昭63−255917公報に
開示されている。この開示された内容は、1つの受光セ
ンサーにより感光基板表面の光軸方向の位置、即ち高さ
を検出するとともに投影光学系への照射量、大気圧変動
などの物理量を直接的に検出し、像面湾曲量を求め、こ
の両方から基板を最適な位置に移動させるものである。
する投影露光装置が、特開昭63−255917公報に
開示されている。この開示された内容は、1つの受光セ
ンサーにより感光基板表面の光軸方向の位置、即ち高さ
を検出するとともに投影光学系への照射量、大気圧変動
などの物理量を直接的に検出し、像面湾曲量を求め、こ
の両方から基板を最適な位置に移動させるものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、感光基
板の表面の一部の領域を検出して、その局部領域の光軸
方向位置に基づき、感光基板を最適な位置に移動させ
る。このため、感光基板表面に凹凸や傾斜が存在する場
合、その局部領域と同じ高さの表面は最適な位置に移動
できるが、それ以外の感光基板上の面を考慮して移動す
る事はできなかった。
板の表面の一部の領域を検出して、その局部領域の光軸
方向位置に基づき、感光基板を最適な位置に移動させ
る。このため、感光基板表面に凹凸や傾斜が存在する場
合、その局部領域と同じ高さの表面は最適な位置に移動
できるが、それ以外の感光基板上の面を考慮して移動す
る事はできなかった。
【0005】本発明は、例え凹凸や傾斜が存在する様な
感光基板表面に対しても、投影光学系の像面湾曲を考慮
した最適な結像位置に感光基板を位置合せする事が可能
な装置を提供する事を目的とする。
感光基板表面に対しても、投影光学系の像面湾曲を考慮
した最適な結像位置に感光基板を位置合せする事が可能
な装置を提供する事を目的とする。
【0006】
【課題を解決するため手段】本発明による投影露光装置
は、図1に示す様にマスク(R)のパターンを所定の結
像面内に結像投影する投影光学系(PL)と、結像面と
ほぼ平行に感光基板(W)を保持して、感光基板(W)
を投影光学系の光軸方向に移動させるZステージ(2
0)と、投影光学系(PL)の投影視野内の予め定めら
れた複数の位置に計測点を有し、該複数の計測点の夫々
で感光基板(W)の表面の光軸方向の基準面からの位置
ずれ量を検出し、この位置ずれ量に応じた複数の検出信
号を出力する焦点位置ずれ検出手段と、投影光学系(P
L)の結像面と感光基板(W)の表面とが合致するよう
に位置ずれ量に応じてZステージ(20)を駆動する駆
動手段(19)を備える。
は、図1に示す様にマスク(R)のパターンを所定の結
像面内に結像投影する投影光学系(PL)と、結像面と
ほぼ平行に感光基板(W)を保持して、感光基板(W)
を投影光学系の光軸方向に移動させるZステージ(2
0)と、投影光学系(PL)の投影視野内の予め定めら
れた複数の位置に計測点を有し、該複数の計測点の夫々
で感光基板(W)の表面の光軸方向の基準面からの位置
ずれ量を検出し、この位置ずれ量に応じた複数の検出信
号を出力する焦点位置ずれ検出手段と、投影光学系(P
L)の結像面と感光基板(W)の表面とが合致するよう
に位置ずれ量に応じてZステージ(20)を駆動する駆
動手段(19)を備える。
【0007】さらに、投影光学系(PL)の結像面の湾
曲を経時的に変化させる物理量を測定し、該物理量に応
じた測定信号を出力する測定手段と、物理量の変化と投
影光学系(PL)の像面湾曲の変化量との関係を表す情
報を予め記憶し、測定信号に対応した特定の像面湾曲変
化量を出力する記憶手段(30D)を備える。そして像
面湾曲変化量に基づいて、焦点位置ずれ検出手段の複数
の計測点の夫々で生ずる光軸方向の検出偏差分に対応し
た複数の補正値を出力する補正演算手段(30C)と、
焦点位置ずれ検出手段からの複数の検出信号と算出され
た複数の補正値に基づいて、焦点位置ずれ検出手段の複
数の計測点に対応した焦点位置補正値を出力する焦点演
算手段(30B)を有する。この焦点位置補正値に基づ
いて、投影光学系(PL)の湾曲した結像面に対して決
まる最良面に感光基板(W)の面が合致するように駆動
手段を制御するZステージ制御手段(18)とを有し
て、像面湾曲の変化量分を補正するものである。
曲を経時的に変化させる物理量を測定し、該物理量に応
じた測定信号を出力する測定手段と、物理量の変化と投
影光学系(PL)の像面湾曲の変化量との関係を表す情
報を予め記憶し、測定信号に対応した特定の像面湾曲変
化量を出力する記憶手段(30D)を備える。そして像
面湾曲変化量に基づいて、焦点位置ずれ検出手段の複数
の計測点の夫々で生ずる光軸方向の検出偏差分に対応し
た複数の補正値を出力する補正演算手段(30C)と、
焦点位置ずれ検出手段からの複数の検出信号と算出され
た複数の補正値に基づいて、焦点位置ずれ検出手段の複
数の計測点に対応した焦点位置補正値を出力する焦点演
算手段(30B)を有する。この焦点位置補正値に基づ
いて、投影光学系(PL)の湾曲した結像面に対して決
まる最良面に感光基板(W)の面が合致するように駆動
手段を制御するZステージ制御手段(18)とを有し
て、像面湾曲の変化量分を補正するものである。
【0008】
【作用】本発明に於いては、複数の検出点を持つ焦点位
置検出装置のそれぞれの演算結果について基板面上の複
数の検出点に対応した位置での投影光学系の像面湾曲変
化量を加算する。このため、露光光照射等に伴う投影光
学系の結像面の像面湾曲変化に関係なく露光基板を投影
光学系の最良結像面へ位置することを可能とした。
置検出装置のそれぞれの演算結果について基板面上の複
数の検出点に対応した位置での投影光学系の像面湾曲変
化量を加算する。このため、露光光照射等に伴う投影光
学系の結像面の像面湾曲変化に関係なく露光基板を投影
光学系の最良結像面へ位置することを可能とした。
【0009】
【実施例】図1は本発明の実施例による投影露光装置の
全体構成を示すシステム概略図である。露光用の紫外線
を放射する光源部101、例えば水銀ランプ、フライア
イレンズ等で構成される系からの光は集光レンズ103
によって集光され、ミラー104によって反射され、露
光領域を設定するレチクルブラインド106を通してマ
スクR(以下レチクル)に一様の照度分布で投影され
る。レチクルブラインド駆動装置108は、レチクルブ
ラインド106の複数の可動遮へい板を駆動し、さらに
各可動遮へい板の駆動情報を主制御ユニット(以下MC
U)30に出力する。このレチクルRの下面には実デバ
イス製造用の回路パターンが形成され、レチクルホルダ
ー107に載置されている。レチクルRを透過した光は
投影光学系PLを介して、ウェハWに照射され回路パタ
ーンの投影露光が行われる。 そして、光源部101と
集光レンズ103の間には、光源部101から照射され
た光の一部を光電センサー105に反射するために透過
率の高いハーフミラー102が設けられ、光電センサー
105はハーフミラー102から反射された光を入力し
て、投影光学系PLに入射する光量を測定する。
全体構成を示すシステム概略図である。露光用の紫外線
を放射する光源部101、例えば水銀ランプ、フライア
イレンズ等で構成される系からの光は集光レンズ103
によって集光され、ミラー104によって反射され、露
光領域を設定するレチクルブラインド106を通してマ
スクR(以下レチクル)に一様の照度分布で投影され
る。レチクルブラインド駆動装置108は、レチクルブ
ラインド106の複数の可動遮へい板を駆動し、さらに
各可動遮へい板の駆動情報を主制御ユニット(以下MC
U)30に出力する。このレチクルRの下面には実デバ
イス製造用の回路パターンが形成され、レチクルホルダ
ー107に載置されている。レチクルRを透過した光は
投影光学系PLを介して、ウェハWに照射され回路パタ
ーンの投影露光が行われる。 そして、光源部101と
集光レンズ103の間には、光源部101から照射され
た光の一部を光電センサー105に反射するために透過
率の高いハーフミラー102が設けられ、光電センサー
105はハーフミラー102から反射された光を入力し
て、投影光学系PLに入射する光量を測定する。
【0010】レチクルRを透過した光は投影光学系PL
を介して、ウェハWに照射される。ウェハWは、不図示
のウェハチャックに真空吸着されておりウェハチャック
はZステージ20上に保持されている。Zステージ20
はZ駆動用モータ19をドライブする回路(以下Z−D
RV)18によって光軸AX方向に移動が可能となって
いる。さらにZステージ20を載置して光軸AXに対し
て垂直な2次元のXY方向に移動可能なXYステージ2
1が設けられ、このXYステージ21はXYステージ駆
動部(モータとその制御回路を含む)22によって駆動
される。 このシステムのオートフォーカス(AF)系
には多点AF系を採用している。多点AF系とは投影光
学系PLの投影視野内の複数箇所に、ウェハWの光軸方
向の位置ずれ量(以下フォーカスずれ量)を計測する測
定点を設けたものである。 図1において、ウェハW上
にレジストに対して非感光性の照明光ILは単一の長い
開口スリットを有するスリット板1を照明する。そして
スリット板1を通過した光は、レンズ系2、ミラー3、
絞り4、投光用対物レンズ5、及びミラー6を介してウ
ェハW表面を斜めに照射する。ここで図2は、投影光学
系PLの投影視野Ifと多点AF系のスリット板1を通
過した投光スリット像STとの位置関係をウェハ上で見
た図である。投影視野Ifは一般に円形であり、レチク
ルRのパターン領域PAはその円内に包含される矩形を
している。スリット像STはXYステージ21の移動座
標軸X,Yのそれぞれに対して45°程度だけ傾けてウ
ェハW上に形成される。従って投光用対物レンズ5と受
光用対物レンズ8の両光軸AFxはウェハ面ではスリッ
ト像STと直交した方向に延び、ウェハ表面との角度は
5〜12度位に設定され、スリット板1のスリット像S
Tの中心は、投影光学系PLの光軸AXがウェハWと交
差する点に位置する。
を介して、ウェハWに照射される。ウェハWは、不図示
のウェハチャックに真空吸着されておりウェハチャック
はZステージ20上に保持されている。Zステージ20
はZ駆動用モータ19をドライブする回路(以下Z−D
RV)18によって光軸AX方向に移動が可能となって
いる。さらにZステージ20を載置して光軸AXに対し
て垂直な2次元のXY方向に移動可能なXYステージ2
1が設けられ、このXYステージ21はXYステージ駆
動部(モータとその制御回路を含む)22によって駆動
される。 このシステムのオートフォーカス(AF)系
には多点AF系を採用している。多点AF系とは投影光
学系PLの投影視野内の複数箇所に、ウェハWの光軸方
向の位置ずれ量(以下フォーカスずれ量)を計測する測
定点を設けたものである。 図1において、ウェハW上
にレジストに対して非感光性の照明光ILは単一の長い
開口スリットを有するスリット板1を照明する。そして
スリット板1を通過した光は、レンズ系2、ミラー3、
絞り4、投光用対物レンズ5、及びミラー6を介してウ
ェハW表面を斜めに照射する。ここで図2は、投影光学
系PLの投影視野Ifと多点AF系のスリット板1を通
過した投光スリット像STとの位置関係をウェハ上で見
た図である。投影視野Ifは一般に円形であり、レチク
ルRのパターン領域PAはその円内に包含される矩形を
している。スリット像STはXYステージ21の移動座
標軸X,Yのそれぞれに対して45°程度だけ傾けてウ
ェハW上に形成される。従って投光用対物レンズ5と受
光用対物レンズ8の両光軸AFxはウェハ面ではスリッ
ト像STと直交した方向に延び、ウェハ表面との角度は
5〜12度位に設定され、スリット板1のスリット像S
Tの中心は、投影光学系PLの光軸AXがウェハWと交
差する点に位置する。
【0011】さてウェハWで反射したスリット光束は、
ミラー7、受光用対物レンズ8、レンズ系9、振動ミラ
ー10、及び平行平面板(以下プレーンパラレル)12
を介して受光用スリット板14に再結像される。振動ミ
ラー10は受光用スリット板14にできるスリット像
を、その長手方向と直交する方向に微小振動させるもの
であり、プレーンパラレル12はスリット板14上のス
リットとウェハWからの反射スリット像の振動中心との
相対関係を、スリット長手方向と直交する方向にシフト
させるものである。そして振動ミラー10は発振器(以
下OSC.)16からの駆動信号でドライブされるミラ
ー駆動部11によって振動される。 こうして、スリッ
ト像が受光用スリット板14上で振動すると、スリット
板14のスリットを透過した光束は、アレイセンサー1
5で受光される。このアレイセンサー15はスリット板
14のスリットの長手方向を複数の微小領域に分割し、
各微小領域毎に個別の光電セルを配列したものである。
そしてアレイセンサー15の各光電セルからの信号はセ
レクター回路13を介してセレクト又はグループ化され
て、同期検波回路(以下PSD)17に入力する。この
PSD17にはOSC.16からの駆動信号と同じ位相
の交流信号が入力し、この交流信号の位相を基準として
同期整流が行われる。
ミラー7、受光用対物レンズ8、レンズ系9、振動ミラ
ー10、及び平行平面板(以下プレーンパラレル)12
を介して受光用スリット板14に再結像される。振動ミ
ラー10は受光用スリット板14にできるスリット像
を、その長手方向と直交する方向に微小振動させるもの
であり、プレーンパラレル12はスリット板14上のス
リットとウェハWからの反射スリット像の振動中心との
相対関係を、スリット長手方向と直交する方向にシフト
させるものである。そして振動ミラー10は発振器(以
下OSC.)16からの駆動信号でドライブされるミラ
ー駆動部11によって振動される。 こうして、スリッ
ト像が受光用スリット板14上で振動すると、スリット
板14のスリットを透過した光束は、アレイセンサー1
5で受光される。このアレイセンサー15はスリット板
14のスリットの長手方向を複数の微小領域に分割し、
各微小領域毎に個別の光電セルを配列したものである。
そしてアレイセンサー15の各光電セルからの信号はセ
レクター回路13を介してセレクト又はグループ化され
て、同期検波回路(以下PSD)17に入力する。この
PSD17にはOSC.16からの駆動信号と同じ位相
の交流信号が入力し、この交流信号の位相を基準として
同期整流が行われる。
【0012】このときPSD17は、アレイセンサー1
5の中から選ばれた複数の光電セルの各出力信号を個別
に同期検波するために、複数の検波回路を備え、その各
検波出力信号FSはMCU30に出力される。検波出力
信号FSは、いわゆるSカーブ信号と呼ばれ、受光用ス
リット板14のスリット中心とウェハWからの反射スリ
ットの振動中心とが一致した時に零レベルとなり、ウェ
ハWがその状態から上方に変位している時は正のレベ
ル、ウェハWが下方に変位している時は負のレベルにな
る。従って出力信号FSが零レベルになるウェハWの高
さ位置(以下基準面)が投影光学系の結像面として検出
される。
5の中から選ばれた複数の光電セルの各出力信号を個別
に同期検波するために、複数の検波回路を備え、その各
検波出力信号FSはMCU30に出力される。検波出力
信号FSは、いわゆるSカーブ信号と呼ばれ、受光用ス
リット板14のスリット中心とウェハWからの反射スリ
ットの振動中心とが一致した時に零レベルとなり、ウェ
ハWがその状態から上方に変位している時は正のレベ
ル、ウェハWが下方に変位している時は負のレベルにな
る。従って出力信号FSが零レベルになるウェハWの高
さ位置(以下基準面)が投影光学系の結像面として検出
される。
【0013】ただし、このような斜入射光方式では合焦
点となったウェハWの高さ位置が、いつでも最良結像面
Foと必ずしも一致しているとは限らない。すなわち斜
入射光方式では、その系自体で決まる仮想的な基準面を
有し、その基準面にウェハが一致した時にPSD出力信
号FSが零レベルになるのであって、基準面と最良結像
面Foとは装置製造時等に極力一致するように設定され
てはいるが、長期間にわたって一致しているという保証
はない。
点となったウェハWの高さ位置が、いつでも最良結像面
Foと必ずしも一致しているとは限らない。すなわち斜
入射光方式では、その系自体で決まる仮想的な基準面を
有し、その基準面にウェハが一致した時にPSD出力信
号FSが零レベルになるのであって、基準面と最良結像
面Foとは装置製造時等に極力一致するように設定され
てはいるが、長期間にわたって一致しているという保証
はない。
【0014】この原因の1つとして、投影光学系に入射
する露光光の影響により生ずる像面湾曲がある。この像
面湾曲では、像高(レンズ中心からの距離)により光軸
AX方向の位置ずれ量が異なり、投影光学系の結像面は
曲面になる。図1においてMCU30は、投影光学系に
入射した光量を検出する光電センサー105からの出力
信号を不図示のアナログ−デジタル変換器を介して入力
し、斜入射光方式の多点AF系をキャリブレーションす
る機能、プレーンパラレル12の傾きを設定する機能、
多点AF系の各出力信号FSに基づいて、Zステージ2
0の駆動用モータ19をドライブするZ−DRV18へ
指令信号DSを出力する機能、及びXYステージ21を
駆動する駆動部22へ指令を出力する機能等を備えてい
る。
する露光光の影響により生ずる像面湾曲がある。この像
面湾曲では、像高(レンズ中心からの距離)により光軸
AX方向の位置ずれ量が異なり、投影光学系の結像面は
曲面になる。図1においてMCU30は、投影光学系に
入射した光量を検出する光電センサー105からの出力
信号を不図示のアナログ−デジタル変換器を介して入力
し、斜入射光方式の多点AF系をキャリブレーションす
る機能、プレーンパラレル12の傾きを設定する機能、
多点AF系の各出力信号FSに基づいて、Zステージ2
0の駆動用モータ19をドライブするZ−DRV18へ
指令信号DSを出力する機能、及びXYステージ21を
駆動する駆動部22へ指令を出力する機能等を備えてい
る。
【0015】ここで、投影光学系の入射する露光光の影
響により生ずる像面湾曲の変化量(投影光学系の光軸A
X方向の結像面の変化量)について説明する。この像面
湾曲変動は、光源部101から照射された露光光が投影
光学系PLに入射した時に、投影光学系PLに蓄積され
る照射エネルギーによって生ずる。連続して光源部10
1から投影光学系PLへ照射した時の投影光学系PLの
エネルギー蓄積量と像面湾曲変動量との関係を像高別に
表したグラフを図3に示す。このグラフからもわかるよ
うに投影光学系PLの像高によって像面湾曲の変動量が
異なっていることがわかる。ここでは、Va、Vb、V
cの順に像高位置が高く(レンズ中心から離れた)、例
えば、Vaは投影視野Ifの中心近傍、Vbは投影視野
If半径の1/2の点、Vcは投影視野Ifの最外部と
する。また、グラフの変動量は投影光学系PLに蓄積さ
れた露光光エネルギーが零の時のそれぞれの像高の結像
面位置を初期値とした時の変動量を表している。実際に
ウェハWを露光する際には、光源部101は投影光学系
PLへ連続的に照射を行うことはなく、投影光学系PL
に蓄積されたエネルギーは、蓄積量に比例した量を放出
するため、投影光学系PLへ照射が行われていない時
は、像面湾曲の変動量は照射が行われていない時とは逆
の方向に変動していく。このため、投影光学系PL内へ
の露光光の入射によって蓄積されたエネルギーに応じて
像面湾曲の変動量が決まってくる。この事より、予め必
要な像高における投影光学系PLに蓄積された露光光エ
ネルギーと結像面位置の変動量を実験等により求めてお
く。そして、露光時(ウェハWの焦点検出時)には、こ
の変化量に沿って変化していくものとして、多点AFに
よる焦点位置検出値に補正演算を加えていく。
響により生ずる像面湾曲の変化量(投影光学系の光軸A
X方向の結像面の変化量)について説明する。この像面
湾曲変動は、光源部101から照射された露光光が投影
光学系PLに入射した時に、投影光学系PLに蓄積され
る照射エネルギーによって生ずる。連続して光源部10
1から投影光学系PLへ照射した時の投影光学系PLの
エネルギー蓄積量と像面湾曲変動量との関係を像高別に
表したグラフを図3に示す。このグラフからもわかるよ
うに投影光学系PLの像高によって像面湾曲の変動量が
異なっていることがわかる。ここでは、Va、Vb、V
cの順に像高位置が高く(レンズ中心から離れた)、例
えば、Vaは投影視野Ifの中心近傍、Vbは投影視野
If半径の1/2の点、Vcは投影視野Ifの最外部と
する。また、グラフの変動量は投影光学系PLに蓄積さ
れた露光光エネルギーが零の時のそれぞれの像高の結像
面位置を初期値とした時の変動量を表している。実際に
ウェハWを露光する際には、光源部101は投影光学系
PLへ連続的に照射を行うことはなく、投影光学系PL
に蓄積されたエネルギーは、蓄積量に比例した量を放出
するため、投影光学系PLへ照射が行われていない時
は、像面湾曲の変動量は照射が行われていない時とは逆
の方向に変動していく。このため、投影光学系PL内へ
の露光光の入射によって蓄積されたエネルギーに応じて
像面湾曲の変動量が決まってくる。この事より、予め必
要な像高における投影光学系PLに蓄積された露光光エ
ネルギーと結像面位置の変動量を実験等により求めてお
く。そして、露光時(ウェハWの焦点検出時)には、こ
の変化量に沿って変化していくものとして、多点AFに
よる焦点位置検出値に補正演算を加えていく。
【0016】投影光学系PLに蓄積された露光光エネル
ギーは、光電センサー105によって光源部101から
射出された光量を計測することによって求められる。ま
た、レチクルRがレチクルホルダー107上に載置され
ている時は、Zステージ上に設置された不図示の照射量
モニターにより1度計測して、光電センサー105によ
って計測された光量と比較することによりレチクルRの
透過率が求められるため、投影光学系PLに入射したし
た露光光エネルギーを求めることが可能となる。
ギーは、光電センサー105によって光源部101から
射出された光量を計測することによって求められる。ま
た、レチクルRがレチクルホルダー107上に載置され
ている時は、Zステージ上に設置された不図示の照射量
モニターにより1度計測して、光電センサー105によ
って計測された光量と比較することによりレチクルRの
透過率が求められるため、投影光学系PLに入射したし
た露光光エネルギーを求めることが可能となる。
【0017】さて、図3はアレイセンサー15、セレク
ター13、PSD17、及びMCU30の具体的な処理
回路の一例を示している。ここではアレイセンサー15
を5つのセンサー領域Ga,Gb,Gc,Gd,Geに
分け、各センサー領域内で光電セルの選択、統合を行う
ものとする。まず、センサー領域Ga内にはアレイセン
サー15内の複数個のセルが含まれているので、セレク
ター13Aによって光電セルのうち少なくとも1つを選
択してその出力信号をPSD17Aへ出力する。光電セ
ルを複数個選択した場合は、それらの出力信号を加算し
た信号をPSD17Aへ送る。また、センサー領域G
b,Gc,Gd,Ge内の各光電セルからの出力信号
も、同様にしてセレクター13B,13C,13D,1
3Eで処理され、PSD17B、17C、17D、17
Eへ送られる。PSD17A、17B、17C、17
D、17EはそれぞれOSC.16からの基本波交流信
号を入力して検波出力FSa,FSb,FSc,FS
d,FSeを出力する。これらの検波出力FSa,FS
b,FSc,FSd,FSeの各アナログレベルは基準
面からのずれ量ΔZを表し、それらはMCU30内のア
ナログ−デジタル変換器(ADC)30Aでそれぞれデ
ジタル値に変換され、焦点演算部30Bへ送られる。焦
点演算部30Bは5つの検波出力の値、すなわち5点で
のフォーカスずれ量に基づいて、各検出点でのZステー
ジ20のZ方向の目標とすべき位置に対応した値を算出
し、この目標値と検出波出力値との差(計測面と基準面
との差)Zを計測値として平均化処理部30Eに出力す
る。
ター13、PSD17、及びMCU30の具体的な処理
回路の一例を示している。ここではアレイセンサー15
を5つのセンサー領域Ga,Gb,Gc,Gd,Geに
分け、各センサー領域内で光電セルの選択、統合を行う
ものとする。まず、センサー領域Ga内にはアレイセン
サー15内の複数個のセルが含まれているので、セレク
ター13Aによって光電セルのうち少なくとも1つを選
択してその出力信号をPSD17Aへ出力する。光電セ
ルを複数個選択した場合は、それらの出力信号を加算し
た信号をPSD17Aへ送る。また、センサー領域G
b,Gc,Gd,Ge内の各光電セルからの出力信号
も、同様にしてセレクター13B,13C,13D,1
3Eで処理され、PSD17B、17C、17D、17
Eへ送られる。PSD17A、17B、17C、17
D、17EはそれぞれOSC.16からの基本波交流信
号を入力して検波出力FSa,FSb,FSc,FS
d,FSeを出力する。これらの検波出力FSa,FS
b,FSc,FSd,FSeの各アナログレベルは基準
面からのずれ量ΔZを表し、それらはMCU30内のア
ナログ−デジタル変換器(ADC)30Aでそれぞれデ
ジタル値に変換され、焦点演算部30Bへ送られる。焦
点演算部30Bは5つの検波出力の値、すなわち5点で
のフォーカスずれ量に基づいて、各検出点でのZステー
ジ20のZ方向の目標とすべき位置に対応した値を算出
し、この目標値と検出波出力値との差(計測面と基準面
との差)Zを計測値として平均化処理部30Eに出力す
る。
【0018】変換情報記憶部30Dは、光電センサー1
05の出力信号ISを入力して、この出力信号ISと時
間経過から演算し投影光学系PLのエネルギー蓄積量が
求められ、その蓄積量と像面湾曲変化量との予め記憶し
てある関係を表す変換情報から、検出信号に対応した像
面湾曲量を補正演算部30Cに出力する。図3中におい
て変換情報記憶部30Dに入力されるキャリブレーショ
ン信号KSは後述する。このとき補正演算部30Cに
は、変換情報記憶部30Dから像面湾曲のオフセット量
を入力し、セレクター13A,13B,13C,13
D,13Eからの光電セル位置情報PSを入力して、複
数の計測点のそれぞれで生ずる検出偏差分に対応した複
数の補正値を焦点演算部30Bへ出力する。
05の出力信号ISを入力して、この出力信号ISと時
間経過から演算し投影光学系PLのエネルギー蓄積量が
求められ、その蓄積量と像面湾曲変化量との予め記憶し
てある関係を表す変換情報から、検出信号に対応した像
面湾曲量を補正演算部30Cに出力する。図3中におい
て変換情報記憶部30Dに入力されるキャリブレーショ
ン信号KSは後述する。このとき補正演算部30Cに
は、変換情報記憶部30Dから像面湾曲のオフセット量
を入力し、セレクター13A,13B,13C,13
D,13Eからの光電セル位置情報PSを入力して、複
数の計測点のそれぞれで生ずる検出偏差分に対応した複
数の補正値を焦点演算部30Bへ出力する。
【0019】さて、平均化処理部30Eは光電セル(各
測定点)に対応した計測値Zに基づいて平均化処理を行
い、最良結像面Foを求める。この平均化処理は、各計
測値を単純に平均したり、最小二乗近似したりして最良
結像面Foとしてもよいし、複数の計測値Zの持つ幅の
中間値を最良結像面Foとする事も可能である。そし
て、最良結像面FoにウェハWを移動させるための指令
信号DSをZ−DRV18に出力する。
測定点)に対応した計測値Zに基づいて平均化処理を行
い、最良結像面Foを求める。この平均化処理は、各計
測値を単純に平均したり、最小二乗近似したりして最良
結像面Foとしてもよいし、複数の計測値Zの持つ幅の
中間値を最良結像面Foとする事も可能である。そし
て、最良結像面FoにウェハWを移動させるための指令
信号DSをZ−DRV18に出力する。
【0020】本発明における実施例では、レチクルブラ
インド106を多点AFの5つの検出点が同時に含まれ
る露光領域に設定する事を前提として説明した。しかし
ながらレチクルブラインド106が多点AFの検出点の
一部を露光領域の範囲外になるように設定された場合、
その範囲外となった多点AFの検出点における計測値
は、最良結像面Foを求める時の演算には使用しない、
もしくは重み付けを最小にしなければならない。そのた
めレチクルブラインド106の各遮蔽板の位置情報RB
SをMCU30中の焦点演算部30Bに入力し、最良結
像面Foの演算時には多点AF系の範囲外での検出点で
の計測値の取り扱いを考慮するように構成しておく。
インド106を多点AFの5つの検出点が同時に含まれ
る露光領域に設定する事を前提として説明した。しかし
ながらレチクルブラインド106が多点AFの検出点の
一部を露光領域の範囲外になるように設定された場合、
その範囲外となった多点AFの検出点における計測値
は、最良結像面Foを求める時の演算には使用しない、
もしくは重み付けを最小にしなければならない。そのた
めレチクルブラインド106の各遮蔽板の位置情報RB
SをMCU30中の焦点演算部30Bに入力し、最良結
像面Foの演算時には多点AF系の範囲外での検出点で
の計測値の取り扱いを考慮するように構成しておく。
【0021】以上のように多点AF系において、投影光
学系に入射する光エネルギーにより変化する像面湾曲に
対しても最適な結像面を算出し、その結像面にウェハW
を移動させる事が可能となる。上記実施例においては、
投影光学系に入射する光エネルギーにより変化する像面
湾曲に対しての補正方法を述べたが、大気圧の変動によ
る像面湾曲の変化に対しても同様に適用する事ができ
る。
学系に入射する光エネルギーにより変化する像面湾曲に
対しても最適な結像面を算出し、その結像面にウェハW
を移動させる事が可能となる。上記実施例においては、
投影光学系に入射する光エネルギーにより変化する像面
湾曲に対しての補正方法を述べたが、大気圧の変動によ
る像面湾曲の変化に対しても同様に適用する事ができ
る。
【0022】この場合、予め実験等により大気圧変動と
像面湾曲の変化量の関係を求めておき、変換情報記憶部
30Dに入力しておく。そして、気圧センサーを投影光
学系PLの近傍に設置し、この気圧センサーの出力信号
を変換情報記憶部30Dに入力し、変換情報記憶部30
Dから補正演算部30Cへ大気圧センサーからの出力信
号に対応した像面湾曲量を出力する事により達成が可能
となる。この場合、照射による像面湾曲変化分を加算す
ることにより、大気圧変化と照射の両方の要因による湾
曲を特定できる。
像面湾曲の変化量の関係を求めておき、変換情報記憶部
30Dに入力しておく。そして、気圧センサーを投影光
学系PLの近傍に設置し、この気圧センサーの出力信号
を変換情報記憶部30Dに入力し、変換情報記憶部30
Dから補正演算部30Cへ大気圧センサーからの出力信
号に対応した像面湾曲量を出力する事により達成が可能
となる。この場合、照射による像面湾曲変化分を加算す
ることにより、大気圧変化と照射の両方の要因による湾
曲を特定できる。
【0023】次に本発明の第2の実施例について説明す
る。第1の実施例の回路では、露光ショット内に段差の
あるウェハWを露光する場合、投影光学系PLの結像面
に合せたい面を移動させることは、個々のセンサーをセ
ンサー位置に関係なく演算するため困難であった。この
不具合を修正した実施例を図5を用いて説明する。本実
施例では図4の回路の焦点演算部30Bと平均化処理部
30Eとの間に焦点演算部30Bから出力された計測値
Zに重み付け演算を行う重み係数演算部30Fを設け
る。さらに、この重み係数演算部30Fにおいて使用す
る重み係数を記憶して、この重み係数を重み係数演算部
30Fに出力する重み係数記憶部30Gを設置する。
る。第1の実施例の回路では、露光ショット内に段差の
あるウェハWを露光する場合、投影光学系PLの結像面
に合せたい面を移動させることは、個々のセンサーをセ
ンサー位置に関係なく演算するため困難であった。この
不具合を修正した実施例を図5を用いて説明する。本実
施例では図4の回路の焦点演算部30Bと平均化処理部
30Eとの間に焦点演算部30Bから出力された計測値
Zに重み付け演算を行う重み係数演算部30Fを設け
る。さらに、この重み係数演算部30Fにおいて使用す
る重み係数を記憶して、この重み係数を重み係数演算部
30Fに出力する重み係数記憶部30Gを設置する。
【0024】本実施例は像面湾曲の変化量を考慮した最
良結像面Foの算出に重み係数を使用するものである。
重み係数を使用した演算方法は、特開平5−27531
3号公報に開示されている方法を適用する事が可能であ
る。本実施例に於いては、予め重み係数記憶部30Gに
重み係数を記憶しておく。重み係数演算部30Fは、こ
の重み係数記憶部30Gからの重み係数と補正演算部3
0Cからの複数の計測値Zを入力し、各計測値Zに重み
付けを行い、平均化処理部30Eに重み係数補正値OS
を出力する。
良結像面Foの算出に重み係数を使用するものである。
重み係数を使用した演算方法は、特開平5−27531
3号公報に開示されている方法を適用する事が可能であ
る。本実施例に於いては、予め重み係数記憶部30Gに
重み係数を記憶しておく。重み係数演算部30Fは、こ
の重み係数記憶部30Gからの重み係数と補正演算部3
0Cからの複数の計測値Zを入力し、各計測値Zに重み
付けを行い、平均化処理部30Eに重み係数補正値OS
を出力する。
【0025】平均化処理部30Eでは、重み係数補正値
OSから最良結像面Foを求め、最良結像面Foにウェ
ハWを移動させるための指令信号DSをZ−DRV18
に出力する。本実施例のように、多点AF系の各計測点
の計測値に重み付けを行うのではなく、各計測点に像面
湾曲の変化量を加えた後に、重み付けを行うため、ウェ
ハWに既知の段差形状(スクライブライン、凹凸パター
ン)等が存在する場合、その段差形状に合せて、最適な
結像面を算出し、ウェハWに合せて露光する事が可能と
なる。
OSから最良結像面Foを求め、最良結像面Foにウェ
ハWを移動させるための指令信号DSをZ−DRV18
に出力する。本実施例のように、多点AF系の各計測点
の計測値に重み付けを行うのではなく、各計測点に像面
湾曲の変化量を加えた後に、重み付けを行うため、ウェ
ハWに既知の段差形状(スクライブライン、凹凸パター
ン)等が存在する場合、その段差形状に合せて、最適な
結像面を算出し、ウェハWに合せて露光する事が可能と
なる。
【0026】さらに本発明の第3の実施例について説明
する。上記の実施例では像面湾曲の変化量を投影光学系
に照射される露光光量と予め求められている投影光学系
に照射される露光光量と像面湾曲の変化量との関係の情
報から投影光学系の結像面を求めていた。このため、投
影光学系PLに蓄積されたエネルギー量の計測誤差等に
よる実際の像面湾曲変動量とエネルギー蓄積量から求め
た像面湾曲変動量とで誤差が生ずる可能性がある。この
誤差を補正する装置を付加した実施例を図4において説
明する。
する。上記の実施例では像面湾曲の変化量を投影光学系
に照射される露光光量と予め求められている投影光学系
に照射される露光光量と像面湾曲の変化量との関係の情
報から投影光学系の結像面を求めていた。このため、投
影光学系PLに蓄積されたエネルギー量の計測誤差等に
よる実際の像面湾曲変動量とエネルギー蓄積量から求め
た像面湾曲変動量とで誤差が生ずる可能性がある。この
誤差を補正する装置を付加した実施例を図4において説
明する。
【0027】本実施例では、一定時間毎に多点AF系の
計測点において最良結像面を基準としたキャリブレーシ
ョンを高精度に行い、正確に像面湾曲変化量を補正する
ものである。このキャリブレーションは例えば特開平5
−190423号公報に開示されている方法を適用する
ことが可能である。この方法は、Zステージ20上に設
置された基準板FMのスリットから投影光学系PLの光
軸に平行にレチクルR方向に露光光と同じ波長の光を射
出させ、投影光学系PLを透過してレチクルRで反射
し、再び投影光学系を透過して、再び基準板FMのスリ
ットを透過した光を検出する。そして、Zステージ20
を上下させて検出した光量の変化から、投影光学系PL
によって結像されるレチクルRのパターン像の精密な結
像面位置を測定するものである。
計測点において最良結像面を基準としたキャリブレーシ
ョンを高精度に行い、正確に像面湾曲変化量を補正する
ものである。このキャリブレーションは例えば特開平5
−190423号公報に開示されている方法を適用する
ことが可能である。この方法は、Zステージ20上に設
置された基準板FMのスリットから投影光学系PLの光
軸に平行にレチクルR方向に露光光と同じ波長の光を射
出させ、投影光学系PLを透過してレチクルRで反射
し、再び投影光学系を透過して、再び基準板FMのスリ
ットを透過した光を検出する。そして、Zステージ20
を上下させて検出した光量の変化から、投影光学系PL
によって結像されるレチクルRのパターン像の精密な結
像面位置を測定するものである。
【0028】本実施例の場合のキャリブレーションは露
光光の照射によって生ずる像面湾曲を考慮した結像面位
置と実際の投影光学系PLの結像面位置との差を計測す
るものである。従ってキャリブレーションを行なった結
果出力されるキャリブレーション信号KSはこの差を出
力する信号となる。このキャリブレーションを行なった
場合、図4に示すように変換情報記憶部30Dにこのキ
ャリブレーション信号KSを入力し、変換情報記憶部3
0Dが保持している現在のそれぞれの像高における像面
湾曲の補正量にキャリブレーション結果を加える。そし
て、このキャリブレーション結果を加えた像面湾曲の補
正量に該当するエネルギー蓄積量を逆算し、この逆算し
たエネルギー蓄積量を現在の投影光学系PLのエネルギ
ー蓄積量に置き換える。具体的には、図3のグラフに示
すように現在の光電センサー105等から求めるエネル
ギー蓄積量E1においてそれぞれの像高での像面湾曲変
動量にキャリブレーション結果(例えばΔVa、ΔV
b、ΔVc)を加えた変動量と等しくなるエネルギー蓄
積量E2を求める。この事により露光光の照射によって
生じた像面湾曲を正確に補正することが可能となる。
光光の照射によって生ずる像面湾曲を考慮した結像面位
置と実際の投影光学系PLの結像面位置との差を計測す
るものである。従ってキャリブレーションを行なった結
果出力されるキャリブレーション信号KSはこの差を出
力する信号となる。このキャリブレーションを行なった
場合、図4に示すように変換情報記憶部30Dにこのキ
ャリブレーション信号KSを入力し、変換情報記憶部3
0Dが保持している現在のそれぞれの像高における像面
湾曲の補正量にキャリブレーション結果を加える。そし
て、このキャリブレーション結果を加えた像面湾曲の補
正量に該当するエネルギー蓄積量を逆算し、この逆算し
たエネルギー蓄積量を現在の投影光学系PLのエネルギ
ー蓄積量に置き換える。具体的には、図3のグラフに示
すように現在の光電センサー105等から求めるエネル
ギー蓄積量E1においてそれぞれの像高での像面湾曲変
動量にキャリブレーション結果(例えばΔVa、ΔV
b、ΔVc)を加えた変動量と等しくなるエネルギー蓄
積量E2を求める。この事により露光光の照射によって
生じた像面湾曲を正確に補正することが可能となる。
【0029】また、第4の実施例として、図6に示すよ
うにキャリブレーション信号KSと像面湾曲補正値とを
入力し、キャリブレーション信号KSと像面湾曲補正値
との差(誤差補正値)を記憶する誤差記憶部30Hから
焦点演算部30Bへ誤差補正値を出力する。そして、焦
点演算部30Bにおいて検出波出力値と補正演算部30
Cからの補正値と誤差補正値とを演算して、計測値Zを
平均化処理部30Eへ出力するようにしてもよい。
うにキャリブレーション信号KSと像面湾曲補正値とを
入力し、キャリブレーション信号KSと像面湾曲補正値
との差(誤差補正値)を記憶する誤差記憶部30Hから
焦点演算部30Bへ誤差補正値を出力する。そして、焦
点演算部30Bにおいて検出波出力値と補正演算部30
Cからの補正値と誤差補正値とを演算して、計測値Zを
平均化処理部30Eへ出力するようにしてもよい。
【0030】これら第3、第4の実施例によるキャリブ
レーションの実行によって、投影光学系PLに蓄積され
た露光光のエネルギー量の計測に誤差が生じたとして
も、この誤差を補正して正確に最良結像面Foを求める
ことができる。この第3、第4の実施例については、第
1、第2実施例のどちらにも適用することが可能であ
る。
レーションの実行によって、投影光学系PLに蓄積され
た露光光のエネルギー量の計測に誤差が生じたとして
も、この誤差を補正して正確に最良結像面Foを求める
ことができる。この第3、第4の実施例については、第
1、第2実施例のどちらにも適用することが可能であ
る。
【0031】以上本発明に係る実施例を説明したが、レ
チクルRの露光光吸収等によるディストーション変化の
補正を行う投影光学系PL内に設けられた補正装置(不
図示)やレチクルRを傾斜させる装置(不図示)などを
使用した場合により生ずる像面湾曲変化も上で述べた方
法により補正することが可能となる。
チクルRの露光光吸収等によるディストーション変化の
補正を行う投影光学系PL内に設けられた補正装置(不
図示)やレチクルRを傾斜させる装置(不図示)などを
使用した場合により生ずる像面湾曲変化も上で述べた方
法により補正することが可能となる。
【0032】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、複数の焦
点検出センサーの夫々に対し、それぞれの計測点の像高
での投影光学系の露光光の照射などによる像面湾曲変化
量を加算するので、投影光学系の結像面が常に正確に求
めることができる。
点検出センサーの夫々に対し、それぞれの計測点の像高
での投影光学系の露光光の照射などによる像面湾曲変化
量を加算するので、投影光学系の結像面が常に正確に求
めることができる。
【図1】本発明による一実施例における投影露光装置の
構成図
構成図
【図2】投影視野と多点AF系によるスリット投影像と
の配置関係を示す図
の配置関係を示す図
【図3】投影光学系の露光光の照射による像面湾曲の変
化量を像高別に示したグラフ
化量を像高別に示したグラフ
【図4】本発明の一実施例による焦点検出系の信号処理
回路の構成を示すブロック図
回路の構成を示すブロック図
【図5】本発明の一実施例による重み付け処理を行う焦
点検出系の信号処理回路の構成を示すブロック図
点検出系の信号処理回路の構成を示すブロック図
【図6】本発明の一実施例による重み付け処理とキャリ
ブレーション結果をもとにした補正を行う焦点検出系の
信号処理回路の構成を示すブロック図
ブレーション結果をもとにした補正を行う焦点検出系の
信号処理回路の構成を示すブロック図
1 スリット 10 振動ミラー 14 受光スリット 15 光電センサー 30 MCU 101 光源部 105 受光センサー 106 レチクルブラインド 107 レチクルホルダー FM 基準板 R レチクル PL 投影光学系 W ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G03F 7/207 H 7/24 H 7352−4M H01L 21/30 516 F 7352−4M 516 Z
Claims (4)
- 【請求項1】 マスクのパターンを所定の結像面内に結
像投影する投影光学系と、 前記結像面とほぼ平行に感光基板を保持して、前記感光
基板を前記投影光学系の光軸方向に移動させるZステー
ジと、 前記投影光学系の投影視野内の予め定められた複数の位
置に計測点を有し、該複数の計測点の夫々で前記感光基
板の表面の光軸方向の基準面からの位置ずれ量を検出
し、該位置ずれ量に応じた複数の検出信号を出力する焦
点位置ずれ検出手段と、 投影光学系の結像面と前記感光基板の表面とが合致する
ように前記位置ずれ量に応じて前記Zステージを駆動す
る駆動手段とを備えた投影露光装置において、 前記投影光学系の結像面の湾曲を経時的に変化させる物
理量を測定し、該物理量に応じた測定信号を出力する測
定手段と;前記物理量の変化と前記投影光学系の像面湾
曲の変化量との関係を表す情報を予め記憶し、前記測定
信号に対応した特定の像面湾曲変化量を出力する記憶手
段と;前記像面湾曲変化量に基づいて、前記焦点位置ず
れ検出手段の複数の計測点の夫々で生ずる光軸方向の検
出偏差分に対応した複数の補正値を出力する補正演算手
段と;前記焦点位置ずれ検出手段からの複数の検出信号
と前記算出された複数の補正値に基づいて、前記焦点位
置ずれ検出手段の複数の計測点に対応した焦点位置補正
値を出力する焦点演算手段と;前記焦点位置補正値に基
づいて、前記投影光学系の湾曲した結像面に対して決ま
る最良面に前記感光基板の面が合致するように前記駆動
手段を制御する制御手段と、;を有することを特徴とす
る投影露光装置。 - 【請求項2】 マスクのパターンを所定の結像面内に結
像投影する投影光学系と、 前記結像面とほぼ平行に感光基板を保持して、前記感光
基板を前記投影光学系の光軸方向に移動させるZステー
ジと、 前記投影光学系の投影視野内の予め定められた複数の位
置に計測点を有し、該複数の計測点の夫々で前記感光基
板の表面の光軸方向の基準面からの位置ずれ量を検出
し、該位置ずれ量に応じた複数の検出信号を出力する焦
点位置ずれ検出手段と、 投影光学系の結像面と前記感光基板の表面とが合致する
ように前記位置ずれ量に応じて前記Zステージを駆動す
る駆動手段と、を備えた投影露光装置において、 前記投影光学系の結像面の湾曲を経時的に変化させる物
理量を測定し、該物理量に応じた測定信号を出力する測
定手段と;前記物理量の変化と前記投影光学系の像面湾
曲の変化量との関係を表す情報を予め記憶し、前記測定
信号に対応した特定の像面湾曲変化量を出力する記憶手
段と;前記像面湾曲変化量に基づいて、前記焦点位置ず
れ検出手段の複数の計測点の夫々で生ずる光軸方向の検
出偏差分に対応した複数の補正値を出力する補正演算手
段と;前記焦点位置ずれ検出手段の複数の検出信号と前
記算出された複数の補正値とに基づいて、前記焦点位置
ずれ検出手段の複数の計測点に対応した焦点位置補正値
を出力する焦点演算手段と;前記感光基板の表面状態に
応じて前記焦点位置ずれ検出手段の複数の計測点に対応
した予め設定された複数の係数で、前記焦点位置補正値
に重み付けを行い、重み係数補正値を出力する重み係数
演算手段と;前記重み係数補正値に基づいて、前記投影
光学系の湾曲した結像面に対して決まる最良面に前記感
光基板の面が合致するように前記駆動手段を制御する制
御手段と、;を有することを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項3】 前記投影露光装置は、前記焦点位置ずれ
検出手段の複数の計測点における前記投影光学系の結像
面位置を計測して前記基準面からの光軸方向のずれ量に
応じた信号を出力する結像位置計測手段を有し;予め定
められた時間毎又は、前記測定手段による測定が行われ
る毎に前記結像位置ずれ量を計測して、該結像位置ずれ
量に応じて前記記憶手段の情報を変更(更新)する事を
特徴とする請求項第1項又は第2項に記載の投影露光装
置。 - 【請求項4】 前記投影露光装置は、前記焦点位置ずれ
検出手段の複数の計測点における前記投影光学系の結像
面位置を計測して前記基準面からの光軸方向のずれ量に
応じた信号を出力する結像位置計測手段と;予め定めら
れた時間毎又は、測定手段による測定が行われる毎に計
測された前記結像位置ずれ量と前記焦点位置補正値との
誤差補正値を記憶する誤差記憶手段とを有し;前記焦点
演算手段は、前記結像面計測後、前記誤差補正値と、前
記焦点位置ずれ検出手段の複数の検出信号と、前記算出
された複数の補正値とに基づいて、前記焦点位置ずれ検
出手段の複数の計測点に対応した焦点位置補正値を出力
する事を特徴とする請求項第1項又は第2項に記載の投
影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6002290A JPH07211612A (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6002290A JPH07211612A (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | 投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07211612A true JPH07211612A (ja) | 1995-08-11 |
Family
ID=11525249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6002290A Pending JPH07211612A (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07211612A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6795161B2 (en) | 2000-03-24 | 2004-09-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, method of manufacturing semiconductor devices and plant therefor |
| US7342241B2 (en) | 2004-07-15 | 2008-03-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for electron-beam lithography |
| US7589335B2 (en) | 2006-07-14 | 2009-09-15 | Nuflare Technology, Inc. | Charged-particle beam pattern writing method and apparatus and software program for use therein |
| US8653477B2 (en) | 2009-03-18 | 2014-02-18 | Nuflare Technology, Inc. | Lithography apparatus and lithography method |
-
1994
- 1994-01-14 JP JP6002290A patent/JPH07211612A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6795161B2 (en) | 2000-03-24 | 2004-09-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, method of manufacturing semiconductor devices and plant therefor |
| US7342241B2 (en) | 2004-07-15 | 2008-03-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for electron-beam lithography |
| US7589335B2 (en) | 2006-07-14 | 2009-09-15 | Nuflare Technology, Inc. | Charged-particle beam pattern writing method and apparatus and software program for use therein |
| US8653477B2 (en) | 2009-03-18 | 2014-02-18 | Nuflare Technology, Inc. | Lithography apparatus and lithography method |
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