JPH0721602A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0721602A JPH0721602A JP16286293A JP16286293A JPH0721602A JP H0721602 A JPH0721602 A JP H0721602A JP 16286293 A JP16286293 A JP 16286293A JP 16286293 A JP16286293 A JP 16286293A JP H0721602 A JPH0721602 A JP H0721602A
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- optical disk
- film
- laser light
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はレーザ光の変調のみでオーバライト
可能である光磁気ディスクに関し、現在使用されている
７８０nmのレーザ光に対して使用し得、且つ将来使用さ
れる６８０nmのレーザ光に対しても使用可能とすること
を目的とする。 【構成】 基板１２上に、保護層１３，メモリ層１５
Ａ，記録層１７，保護層１９が積層された構成である。
メモリ層１５Ａは、組成がＧｄ5.8 Ｔｂ17.2Ｆｅ69 .3Ｃ
ｏ7.7 である膜により構成する。
可能である光磁気ディスクに関し、現在使用されている
７８０nmのレーザ光に対して使用し得、且つ将来使用さ
れる６８０nmのレーザ光に対しても使用可能とすること
を目的とする。 【構成】 基板１２上に、保護層１３，メモリ層１５
Ａ，記録層１７，保護層１９が積層された構成である。
メモリ層１５Ａは、組成がＧｄ5.8 Ｔｂ17.2Ｆｅ69 .3Ｃ
ｏ7.7 である膜により構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体に係り、
特にレーザ光の変調のみでオーバライト可能な光磁気記
録媒体に関する。
特にレーザ光の変調のみでオーバライト可能な光磁気記
録媒体に関する。
【０００２】現在市販されている光磁気ドライブ装置
は、波長が７８０nm又は８３０nmであるレーザダイオー
ド（以下ＬＤという）が組込まれている構成である。
は、波長が７８０nm又は８３０nmであるレーザダイオー
ド（以下ＬＤという）が組込まれている構成である。
【０００３】一方、記録の高密度化のために、波長が更
に短いＬＤの開発が進められており、波長が６８０nmで
ある次世代の短波長ＬＤが実用化されようとしている。
に短いＬＤの開発が進められており、波長が６８０nmで
ある次世代の短波長ＬＤが実用化されようとしている。
【０００４】この短波長ＬＤが実用化されると、この短
波長ＬＤを搭載した光磁気ドライブ装置が商品化されて
くる。
波長ＬＤを搭載した光磁気ドライブ装置が商品化されて
くる。
【０００５】従って、光磁気ディスクとしては、現在の
光磁気ディスク装置においては勿論、次世代の光磁気デ
ィスク装置においても、レーザ光の変調のみによるオー
バライトを、十分に高いＣ／Ｎで行うことのできる光磁
気ディスク、即ち、現在の長波長（７８０nm）から短波
長（６８０nm）の領域まで信号品質の低下しない光磁気
ディスクを実現することが必要とされている。
光磁気ディスク装置においては勿論、次世代の光磁気デ
ィスク装置においても、レーザ光の変調のみによるオー
バライトを、十分に高いＣ／Ｎで行うことのできる光磁
気ディスク、即ち、現在の長波長（７８０nm）から短波
長（６８０nm）の領域まで信号品質の低下しない光磁気
ディスクを実現することが必要とされている。
【０００６】
【従来の技術】図１２は、レーザ光の変調のみでオーバ
ライト可能である従来の光磁気ディスク１０の１例を示
す。
ライト可能である従来の光磁気ディスク１０の１例を示
す。
【０００７】この光磁気ディスク１０は、レーザ光１１
が入射する側にガラス２Ｐ基板１２を有し、この基板１
２の上面に、順に、保護層１３としての膜厚が８５nmの
ＳｉＮｘ膜１４，メモリ層１５としての膜厚が３０nmの
ＴｂＦｅＣｏ膜１６，記録層１７としての膜厚が８０nm
のＴｂ2 Ｄｙ24Ｆｅ44Ｃｏ30膜１８，保護層１９として
の膜厚が８５nmのＳｉＮｘ膜２０が積層された構造を有
する。
が入射する側にガラス２Ｐ基板１２を有し、この基板１
２の上面に、順に、保護層１３としての膜厚が８５nmの
ＳｉＮｘ膜１４，メモリ層１５としての膜厚が３０nmの
ＴｂＦｅＣｏ膜１６，記録層１７としての膜厚が８０nm
のＴｂ2 Ｄｙ24Ｆｅ44Ｃｏ30膜１８，保護層１９として
の膜厚が８５nmのＳｉＮｘ膜２０が積層された構造を有
する。
【０００８】記録層１７は、記録モード時に変調された
レーザ光によって記録すべき情報に対応して磁化反転す
る。
レーザ光によって記録すべき情報に対応して磁化反転す
る。
【０００９】メモリ層１５は、記録層１７と交換結合力
によって結合されており、記録層１７の磁化を転写され
て情報を記録する。
によって結合されており、記録層１７の磁化を転写され
て情報を記録する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記の光磁気ディスク
１０を実験用の二台の光磁気ディスク装置Ｎｏ１，Ｎｏ
２に装着して実験を行った。
１０を実験用の二台の光磁気ディスク装置Ｎｏ１，Ｎｏ
２に装着して実験を行った。
【００１１】装置Ｎｏ１，Ｎｏ２共に、初期化磁場が５
ｋＯｅ，記録磁場が３００Ｏｅであり、ターンテーブル
の回転速度は、光磁気ディスクの半径位置４０mmの点
で、線速が１０m/s となる速度である。
ｋＯｅ，記録磁場が３００Ｏｅであり、ターンテーブル
の回転速度は、光磁気ディスクの半径位置４０mmの点
で、線速が１０m/s となる速度である。
【００１２】Ｎｏ１の装置には、波長が７８０nmのＬＤ
が搭載されている。
が搭載されている。
【００１３】Ｎｏ２の装置には、波長が６８０nmのＬＤ
が搭載されている。 〔実験１〕光磁気ディスク１０をＮｏ１の装置に装着
し、半径４０mmの位置に、４τの信号から1.5 τの信号
へのオーバライトを行い、続いて再生を行ってＣ／Ｎを
測定した。続いて、1.5 τの信号から４τの信号へのオ
ーバライトを行い、その後再生を行ってＣ／Ｎを測定し
た。
が搭載されている。 〔実験１〕光磁気ディスク１０をＮｏ１の装置に装着
し、半径４０mmの位置に、４τの信号から1.5 τの信号
へのオーバライトを行い、続いて再生を行ってＣ／Ｎを
測定した。続いて、1.5 τの信号から４τの信号へのオ
ーバライトを行い、その後再生を行ってＣ／Ｎを測定し
た。
【００１４】両者のオーバライトを行い、同一パワー条
件でオーバライト可能な部分で最もＣ／Ｎの高い部分
を、信号品質とすることとした。
件でオーバライト可能な部分で最もＣ／Ｎの高い部分
を、信号品質とすることとした。
【００１５】Ｃ／Ｎは、50.0dBであった。 〔実験２〕光磁気ディスク１０をＮｏ２の装置に装着
し、上記実験１と同じ条件でオーバライトを行い、その
後再生を行ってＣ／Ｎを測定した。
し、上記実験１と同じ条件でオーバライトを行い、その
後再生を行ってＣ／Ｎを測定した。
【００１６】Ｃ／Ｎは、46.3dBと低かった。
【００１７】なお、光磁気ディスク及び光磁気ディスク
装置が実用化されるには、Ｃ／Ｎが４８dB以上であるこ
とが必要である。
装置が実用化されるには、Ｃ／Ｎが４８dB以上であるこ
とが必要である。
【００１８】上記の実験より分かるように、現在の磁気
ディスクは、次世代の光磁気ディスク装置においては、
信号品質が低下して不向きであるという問題があった。
ディスクは、次世代の光磁気ディスク装置においては、
信号品質が低下して不向きであるという問題があった。
【００１９】そこで、本発明は、メモリ層の組成を変え
ることによって、現在用いられている長波長から次世代
で使用される短波長領域まで信号品質が低下しない光磁
気記録媒体を提供することを目的とする。
ることによって、現在用いられている長波長から次世代
で使用される短波長領域まで信号品質が低下しない光磁
気記録媒体を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
上に、少なくとも、記録モード時に変調されたレーザ光
によって磁化反転する記録層及び該記録層と磁気交換結
合力によって結合されており、該記録層の磁化を転写さ
れるメモリ層とを有する光磁気記録媒体において、該メ
モリ層を、組成がＧｄＴｂＦｅＣｏである膜により構成
したものである。
上に、少なくとも、記録モード時に変調されたレーザ光
によって磁化反転する記録層及び該記録層と磁気交換結
合力によって結合されており、該記録層の磁化を転写さ
れるメモリ層とを有する光磁気記録媒体において、該メ
モリ層を、組成がＧｄＴｂＦｅＣｏである膜により構成
したものである。
【００２１】請求項２の発明は、基板上に、少なくと
も、記録モード時に変調されたレーザ光によって磁化反
転する記録層及び該記録層と磁気交換結合力によって結
合されており、該記録層の磁化を転写されるメモリ層と
を有する光磁気記録媒体において、該メモリ層を、組成
がＧｄＴｂＦｅである膜により構成したものである。
も、記録モード時に変調されたレーザ光によって磁化反
転する記録層及び該記録層と磁気交換結合力によって結
合されており、該記録層の磁化を転写されるメモリ層と
を有する光磁気記録媒体において、該メモリ層を、組成
がＧｄＴｂＦｅである膜により構成したものである。
【００２２】
【作用】請求項１のメモリ層を構成する組成がＧｄＴｂ
ＦｅＣｏである膜は、レーザ光の波長が短波長となった
場合であっても、依然として大きいカー回転角を保つよ
うに作用する。
ＦｅＣｏである膜は、レーザ光の波長が短波長となった
場合であっても、依然として大きいカー回転角を保つよ
うに作用する。
【００２３】請求項２のメモリ層を構成する組成がＧｄ
ＴｂＦｅである膜は、レーザ光の波長が短波長となった
場合であっても、依然として大きいカー回転角を保つよ
うに作用する。
ＴｂＦｅである膜は、レーザ光の波長が短波長となった
場合であっても、依然として大きいカー回転角を保つよ
うに作用する。
【００２４】
〔第１実施例〕（図１参照） 図１の光磁気ディスク３０は、保護層を除いて二層膜構
造であり、図１２の光磁気ディスク１０と異なるのは、
メモリ層のみである。
造であり、図１２の光磁気ディスク１０と異なるのは、
メモリ層のみである。
【００２５】メモリ層１５Ａは、膜厚が３０nmであり、
組成がＧｄ5.8 Ｔｂ17.2Ｆｅ69.3Ｃｏ7.7 の膜３１より
なる。
組成がＧｄ5.8 Ｔｂ17.2Ｆｅ69.3Ｃｏ7.7 の膜３１より
なる。
【００２６】この光磁気ディスク３０を、前記の実験装
置Ｎｏ１，Ｎｏ２に装着し、前記と同じ条件でオーバラ
イトを行ない、その後、再生して、Ｃ／Ｎを測定した。
その結果は次の通りである。
置Ｎｏ１，Ｎｏ２に装着し、前記と同じ条件でオーバラ
イトを行ない、その後、再生して、Ｃ／Ｎを測定した。
その結果は次の通りである。
【００２７】７８０nmＬＤを搭載した実験装置Ｎｏ１に
装着して前記と同じ条件でオーバライトを行い、その後
再生したときの再生信号のＣ／Ｎは、49.8dBであった。
装着して前記と同じ条件でオーバライトを行い、その後
再生したときの再生信号のＣ／Ｎは、49.8dBであった。
【００２８】６８０nmＬＤを搭載した実験装置Ｎｏ２に
装着して、前記と同じ条件でオーバライトを行い、その
後再生したときの再生信号のＣ／Ｎは、49.8dBであっ
た。49.8dBは、上記の49.8dBより低下していず、実用限
度である４８dBより十分に高い。
装着して、前記と同じ条件でオーバライトを行い、その
後再生したときの再生信号のＣ／Ｎは、49.8dBであっ
た。49.8dBは、上記の49.8dBより低下していず、実用限
度である４８dBより十分に高い。
【００２９】このことより、次のことが分かる。
【００３０】 光磁気ディスク３０は、現行の装置に
適用し得る。
適用し得る。
【００３１】 光磁気ディスク３０は、次世代の装置
にも十分に適用出来る。
にも十分に適用出来る。
【００３２】ここで、Ｇｄ5.8 Ｔｂ17.2Ｆｅ69.3Ｃｏ
7.7 の膜に波長の異なるレーザ光を照射し、このときの
レーザ光のカー回転角（θｋ）を測定したところ、図２
に線Ｉで示す結果を得た。
7.7 の膜に波長の異なるレーザ光を照射し、このときの
レーザ光のカー回転角（θｋ）を測定したところ、図２
に線Ｉで示す結果を得た。
【００３３】線IIは、ＴｂＦｅＣｏ膜の場合である。
【００３４】同図より、ＴｂＦｅＣｏ膜の場合には、レ
ーザ光の波長が短くなると、カー回転角θｋが、相当大
きく減少しているのに対して、Ｇｄ5.8 Ｔｂ17.2Ｆｅ
69.3Ｃｏ7.7 の膜の場合には、レーザ光の波長が短くな
っても、カー回転角θｋはさほど減少していないこと、
即ち、Ｇｄ5.8 Ｔｂ17.2Ｆｅ69.3Ｃｏ7.7 膜はＴｂＦｅ
Ｃｏ膜に比べて、磁気光学効果について、波長依存性が
小さいことが分かる。
ーザ光の波長が短くなると、カー回転角θｋが、相当大
きく減少しているのに対して、Ｇｄ5.8 Ｔｂ17.2Ｆｅ
69.3Ｃｏ7.7 の膜の場合には、レーザ光の波長が短くな
っても、カー回転角θｋはさほど減少していないこと、
即ち、Ｇｄ5.8 Ｔｂ17.2Ｆｅ69.3Ｃｏ7.7 膜はＴｂＦｅ
Ｃｏ膜に比べて、磁気光学効果について、波長依存性が
小さいことが分かる。
【００３５】上記の光磁気ディスク３０が６８０nmのレ
ーザ光の下でも信号品質が良いのは、Ｇｄ5.8 Ｔｂ17.2
Ｆｅ69.3Ｃｏ7.7 膜は、レーザ光の波長が短くなって
も、カー回転角θｋが１deg 程度であり、依然として大
きいためと考えられる。 〔第２実施例〕（図３参照） 光磁気ディスク４０は、保護層を除いて、二層構造であ
り、図１と異なるのは、メモリ層のみである。
ーザ光の下でも信号品質が良いのは、Ｇｄ5.8 Ｔｂ17.2
Ｆｅ69.3Ｃｏ7.7 膜は、レーザ光の波長が短くなって
も、カー回転角θｋが１deg 程度であり、依然として大
きいためと考えられる。 〔第２実施例〕（図３参照） 光磁気ディスク４０は、保護層を除いて、二層構造であ
り、図１と異なるのは、メモリ層のみである。
【００３６】メモリ層１５Ｂは、膜厚が３０nmであり、
組成がＧｄ4.6 Ｔｂ18.4Ｆｅ7.7 の膜４１よりなる。
組成がＧｄ4.6 Ｔｂ18.4Ｆｅ7.7 の膜４１よりなる。
【００３７】この光磁気ディスク４０を前記の実験装置
Ｎｏ１，Ｎｏ２に装着し、前記と同じ条件でオーバライ
トを行ない、その後再生して、Ｃ／Ｎを測定したとこ
ろ、次の結果を得た。
Ｎｏ１，Ｎｏ２に装着し、前記と同じ条件でオーバライ
トを行ない、その後再生して、Ｃ／Ｎを測定したとこ
ろ、次の結果を得た。
【００３８】光磁気ディスク４０は、７８０nmＬＤに対
しては、Ｃ／Ｎは49.7dBと高く、６８０nmＬＤに対して
も、Ｃ／Ｎは49.5dBであった。
しては、Ｃ／Ｎは49.7dBと高く、６８０nmＬＤに対して
も、Ｃ／Ｎは49.5dBであった。
【００３９】49.5dBは、上記の49.7dBに対して殆ど低下
していず、４８dBより十分に高い。
していず、４８dBより十分に高い。
【００４０】従って、光磁気ディスク４０は、現行の光
磁気ディスク装置には勿論、次世代の光磁気ディスク装
置にも十分に使用し得る。
磁気ディスク装置には勿論、次世代の光磁気ディスク装
置にも十分に使用し得る。
【００４１】これは、Ｇｄ4.6 Ｔｂ18.4Ｆｅ77の膜４１
のカー回転角のレーザ光波長に対する変化の状況が図２
中線III で示す如くであり、レーザ光の波長が短くなっ
ても、カー回転角θｋが１deg 程度と依然として高いた
めと考えられる。 〔第３実施例〕（図４参照） 光磁気ディスク５０は、保護層１３，メモリ層１５Ａ，
制御層５１，記録層１７，保護層１９と積層され、保護
層を除いて三層構造であり、図１と異なるのは、メモリ
層１５Ａと記録層１７との間に、膜厚が１０nmであり、
組成がＧｄ34Ｆｅ48Ｃｏ20の膜５２よりなる制御層５１
を有する構成である。
のカー回転角のレーザ光波長に対する変化の状況が図２
中線III で示す如くであり、レーザ光の波長が短くなっ
ても、カー回転角θｋが１deg 程度と依然として高いた
めと考えられる。 〔第３実施例〕（図４参照） 光磁気ディスク５０は、保護層１３，メモリ層１５Ａ，
制御層５１，記録層１７，保護層１９と積層され、保護
層を除いて三層構造であり、図１と異なるのは、メモリ
層１５Ａと記録層１７との間に、膜厚が１０nmであり、
組成がＧｄ34Ｆｅ48Ｃｏ20の膜５２よりなる制御層５１
を有する構成である。
【００４２】光磁気ディスク５０は、７８０nmＬＤに対
しては、Ｃ／Ｎは50.2dBと高く、６８０nmＬＤに対して
も、Ｃ／Ｎは50.1dBと高かった。 〔第４実施例〕（図５参照） 光磁気ディスク６０は、メモリ層１５Ｂを有し、保護層
を除いて三層構造であり、図３と異なるのは、メモリ層
１５Ｂと記録層１７との間に制御層５１を有する構成で
ある。
しては、Ｃ／Ｎは50.2dBと高く、６８０nmＬＤに対して
も、Ｃ／Ｎは50.1dBと高かった。 〔第４実施例〕（図５参照） 光磁気ディスク６０は、メモリ層１５Ｂを有し、保護層
を除いて三層構造であり、図３と異なるのは、メモリ層
１５Ｂと記録層１７との間に制御層５１を有する構成で
ある。
【００４３】光磁気ディスク６０は、７８０nmＬＤに対
しては、Ｃ／Ｎは50.0dBと高く、６８０nmＬＤに対して
も、Ｃ／Ｎは49.8dBと高かった。 〔第５実施例〕（図６参照） 光磁気ディスク７０は、基板１２上に、保護層１７，膜
３１よりなるメモリ層１５Ａ，記録層１７，Ｔｂ18Ｆｅ
80Ｃｏ2 の膜７２よりなる。
しては、Ｃ／Ｎは50.0dBと高く、６８０nmＬＤに対して
も、Ｃ／Ｎは49.8dBと高かった。 〔第５実施例〕（図６参照） 光磁気ディスク７０は、基板１２上に、保護層１７，膜
３１よりなるメモリ層１５Ａ，記録層１７，Ｔｂ18Ｆｅ
80Ｃｏ2 の膜７２よりなる。
【００４４】制御層７１，Ｔｂ27Ｆｅ25Ｃｏ48の膜７３
よりなる初期化層７４，保護層１９と積層された保護層
を除いて四層構造であり、外部の磁石を用いずに初期化
が可能な構造である。
よりなる初期化層７４，保護層１９と積層された保護層
を除いて四層構造であり、外部の磁石を用いずに初期化
が可能な構造である。
【００４５】光磁気ディスク７０は、７８０nmＬＤに対
しては、Ｃ／Ｎは50.2dBと高く、６８０nmＬＤに対して
も、Ｃ／Ｎは50.2dBと高かった。 〔第６実施例〕（図７参照） 光磁気ディスク８０は、図６中の磁気ディスク７０のメ
モリ層１５Ａに代えて、膜４１よりなるメモリ層１５Ｂ
を有する構成である。
しては、Ｃ／Ｎは50.2dBと高く、６８０nmＬＤに対して
も、Ｃ／Ｎは50.2dBと高かった。 〔第６実施例〕（図７参照） 光磁気ディスク８０は、図６中の磁気ディスク７０のメ
モリ層１５Ａに代えて、膜４１よりなるメモリ層１５Ｂ
を有する構成である。
【００４６】この光磁気ディスク８０は、７８０nmＬＤ
に対しては、Ｃ／Ｎは50.0dBと高く、６８０nmＬＤに対
しても、Ｃ／Ｎは49.8dBと高かった。 〔第７実施例〕（図８参照） 光磁気ディスク９０は、膜３１よりなるメモリ層１５Ａ
を有する構成であり、図６の構造の光磁気ディスク８０
のメモリ層１５Ａと記録層１７との間に制御層５１が加
えられ、保護層を除いて五層構造の構成である。
に対しては、Ｃ／Ｎは50.0dBと高く、６８０nmＬＤに対
しても、Ｃ／Ｎは49.8dBと高かった。 〔第７実施例〕（図８参照） 光磁気ディスク９０は、膜３１よりなるメモリ層１５Ａ
を有する構成であり、図６の構造の光磁気ディスク８０
のメモリ層１５Ａと記録層１７との間に制御層５１が加
えられ、保護層を除いて五層構造の構成である。
【００４７】この光磁気ディスク９０は、７８０nmＬＤ
に対しては、Ｃ／Ｎは50.2dBと高く、６８０nmＬＤに対
しても、Ｃ／Ｎは50.2dBと高かった。 〔第８実施例〕（図９参照） 光磁気ディスク１００は、図８中の光磁気ディスク９０
のメモリ層１５Ａに代えて、膜４１よりなるメモリ層１
５Ｂを有する構成である。
に対しては、Ｃ／Ｎは50.2dBと高く、６８０nmＬＤに対
しても、Ｃ／Ｎは50.2dBと高かった。 〔第８実施例〕（図９参照） 光磁気ディスク１００は、図８中の光磁気ディスク９０
のメモリ層１５Ａに代えて、膜４１よりなるメモリ層１
５Ｂを有する構成である。
【００４８】この光磁気ディスク１００は、７８０nmＬ
Ｄに対しては、Ｃ／Ｎが50.1dBと高く、６８０nmＬＤに
対しても、Ｃ／Ｎは50.1dBと高かった。 〔第９実施例〕（図１０参照） 光磁気ディスク１１０は、大略、図４の光磁気ディスク
５０に放熱層１１１が加わった構造を有する。
Ｄに対しては、Ｃ／Ｎが50.1dBと高く、６８０nmＬＤに
対しても、Ｃ／Ｎは50.1dBと高かった。 〔第９実施例〕（図１０参照） 光磁気ディスク１１０は、大略、図４の光磁気ディスク
５０に放熱層１１１が加わった構造を有する。
【００４９】基板１２上に、保護層１３，膜３１よりな
るメモリ層１５Ａ，制御層５１，記録層１７，ＳｉＮｘ
膜１１２よりなる誘電体層１１３，Ａｌ膜１１４よりな
る放熱層１１１が積層されている。
るメモリ層１５Ａ，制御層５１，記録層１７，ＳｉＮｘ
膜１１２よりなる誘電体層１１３，Ａｌ膜１１４よりな
る放熱層１１１が積層されている。
【００５０】この光磁気ディスク１１０は、７８０nmＬ
Ｄに対しては、Ｃ／Ｎが51.2dBと高く、６８０nmＬＤに
対しても、Ｃ／Ｎは51.2dBと高かった。 〔第１０実施例〕光磁気ディスク１２０は、図１０中の
光磁気ディスク１１０のメモリ層１５Ａに代えて、膜４
１よりなるメモリ層１５Ｂを有する構成である。
Ｄに対しては、Ｃ／Ｎが51.2dBと高く、６８０nmＬＤに
対しても、Ｃ／Ｎは51.2dBと高かった。 〔第１０実施例〕光磁気ディスク１２０は、図１０中の
光磁気ディスク１１０のメモリ層１５Ａに代えて、膜４
１よりなるメモリ層１５Ｂを有する構成である。
【００５１】この光磁気ディスク１２０は、７８０nmＬ
Ｄに対しては、Ｃ／Ｎが50.8dBと高く、６８０nmＬＤに
対しても、Ｃ／Ｎが50.8dBと高かった。
Ｄに対しては、Ｃ／Ｎが50.8dBと高く、６８０nmＬＤに
対しても、Ｃ／Ｎが50.8dBと高かった。
【００５２】
【発明の効果】以上説明した様に、請求項１の発明によ
れば、現在の７８０nmのＬＤを搭載した光磁気ディスク
装置に装着してオーバライトして使用する場合は勿論、
次世代の光磁気ディスク装置である６８０nmのＬＤを搭
載した光磁気ディスク装置に装着してオーバライトして
使用する場合においても、十分な信号品質を得ることが
出来る。
れば、現在の７８０nmのＬＤを搭載した光磁気ディスク
装置に装着してオーバライトして使用する場合は勿論、
次世代の光磁気ディスク装置である６８０nmのＬＤを搭
載した光磁気ディスク装置に装着してオーバライトして
使用する場合においても、十分な信号品質を得ることが
出来る。
【００５３】請求項２の発明によれば、現在の７８０nm
のＬＤを搭載した光磁気ディスク装置に装着してオーバ
ライトして使用する場合は勿論、次世代の光磁気ディス
ク装置である６８０nmのＬＤを搭載した光磁気ディスク
装置に装着してオーバライトして使用する場合において
も、十分な信号品質を得ることが出来る。
のＬＤを搭載した光磁気ディスク装置に装着してオーバ
ライトして使用する場合は勿論、次世代の光磁気ディス
ク装置である６８０nmのＬＤを搭載した光磁気ディスク
装置に装着してオーバライトして使用する場合において
も、十分な信号品質を得ることが出来る。
【図１】本発明の第１実施例になる光磁気ディスクの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図２】膜のレーザ光の波長とカー回転角との関係を示
す図である。
す図である。
【図３】本発明の第２実施例になる光磁気ディスクの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図４】本発明の第３実施例になる光磁気ディスクの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図５】本発明の第４実施例になる光磁気ディスクの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図６】本発明の第５実施例になる光磁気ディスクの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図７】本発明の第６実施例になる光磁気ディスクの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図８】本発明の第７実施例になる光磁気ディスクの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図９】本発明の第８実施例になる光磁気ディスクの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図１０】本発明の第９実施例になる光磁気ディスクの
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図１１】本発明の第１０実施例になる光磁気ディスク
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図１２】従来の光磁気ディスクの１例の構成を示す図
である。
である。
１２ ガラス製基板 １３，１９ 保護層 １４，２０ ＳｉＮｘ膜 １５Ａ，１５Ｂ メモリ層 １７ 記録層 １８ Ｔｂ2 Ｄｙ24Ｆｅ44Ｃｏ30膜 ３０，４０，５０，６０，７０，８０，９０，１００，
１１０，１２０ 光磁気ディスク ３１ Ｇｄ5.8 Ｔｂ17.2Ｆｅ69.3Ｃｏ7.7 の膜 ４１ Ｇｄ4.6 Ｔｂ18Ｆｅ77の膜 ５１，７１ 制御層 ５２ Ｇ32Ｆｅ48Ｃｏ20の膜 ７２ Ｔｂ18Ｆｅ80Ｃｏ2 の膜 ７３ Ｔｂ27Ｆｅ25Ｃｏ48の膜 ７４ 初期化層 １１１ 放熱層 １１２ ＳｉＮｘ膜 １１３ 誘電体層 １１４ Ａｌ膜
１１０，１２０ 光磁気ディスク ３１ Ｇｄ5.8 Ｔｂ17.2Ｆｅ69.3Ｃｏ7.7 の膜 ４１ Ｇｄ4.6 Ｔｂ18Ｆｅ77の膜 ５１，７１ 制御層 ５２ Ｇ32Ｆｅ48Ｃｏ20の膜 ７２ Ｔｂ18Ｆｅ80Ｃｏ2 の膜 ７３ Ｔｂ27Ｆｅ25Ｃｏ48の膜 ７４ 初期化層 １１１ 放熱層 １１２ ＳｉＮｘ膜 １１３ 誘電体層 １１４ Ａｌ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池谷 智則 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に、少なくとも、記録モード時に
変調されたレーザ光によって磁化反転する記録層及び該
記録層と磁気交換結合力によって結合されており、該記
録層の磁化を転写されるメモリ層とを有する光磁気記録
媒体において、 該メモリ層（１５Ａ）を、組成がＧｄＴｂＦｅＣｏであ
る膜（３１）により構成したことを特徴とする光磁気記
録媒体。 - 【請求項２】 基板上に、少なくとも、記録モード時に
変調されたレーザ光によって磁化反転する記録層及び該
記録層と磁気交換結合力によって結合されており、該記
録層の磁化を転写されるメモリ層とを有する光磁気記録
媒体において、 該メモリ層（１５Ｂ）を、組成がＧｄＴｂＦｅである膜
（４１）により構成したことを特徴とする光磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16286293A JPH0721602A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16286293A JPH0721602A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0721602A true JPH0721602A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15762674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16286293A Withdrawn JPH0721602A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0721602A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100432144B1 (ko) * | 1995-04-11 | 2004-07-31 | 소니 가부시끼 가이샤 | 다층광디스크 |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP16286293A patent/JPH0721602A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100432144B1 (ko) * | 1995-04-11 | 2004-07-31 | 소니 가부시끼 가이샤 | 다층광디스크 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |