JPH07218697A - 低濃縮ウラニウムを用いて９９ｍｏ生成ターゲットを製造する方法及び低濃縮ウラニウムからなる９９ｍｏ生成ターゲット - Google Patents

低濃縮ウラニウムを用いて９９ｍｏ生成ターゲットを製造する方法及び低濃縮ウラニウムからなる９９ｍｏ生成ターゲット

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JPH07218697A
JPH07218697A JP6261601A JP26160194A JPH07218697A JP H07218697 A JPH07218697 A JP H07218697A JP 6261601 A JP6261601 A JP 6261601A JP 26160194 A JP26160194 A JP 26160194A JP H07218697 A JPH07218697 A JP H07218697A
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inner cylinder
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Thomas C Wiencek
シー．ウイエンセック トーマス
James E Matos
イー． マトス ジェイムス
Gerard L Hofman
エル． ホフマン ジェラルド
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Energy Research and Development Administration ERDA
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US Department of Energy
Energy Research and Development Administration ERDA
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 低濃縮ウラニウムを用いて99ＭＯ生成ターゲ
ットを製造する方法及び低濃縮ウラニウムからなる99Ｍ
Ｏ生成ターゲットを提供する。 【構成】 一次ターゲット１０は、内側チューブ１２、
外側チューブ２６、及びこれら両チューブの間に挟まれ
る箔２２を備える。内側チューブは、外側面、第１の端
部１４、及び、第２の端部１６を有する。箔２２は、核
分裂性材料から形成され、内側チューブ１２の外側面を
概ね覆う。外側チューブ２６は、内側面、第１の端部、
及び、第２の端部を有する。外側チューブ２６の内側面
は、箔２２で概ね覆われた内側チューブ１２を収容す
る。内側チューブ１２及び外側チューブ２６は互いに圧
接され、内側チューブ１２と箔２２との間、並びに、外
側チューブ２６と箔２２との間に、良好な機械的な接触
がもたらされる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、放射性同位元素生成タ
ーゲット、並びに、放射性同位元素生成ターゲットの製
造方法に関し、より詳細には、低濃縮ウランを用いる99
Ｍｏ生成ターゲット、並びに、99Ｍｏ生成ターゲットの
製造方法に関する。合衆国政府は、合衆国政府とアーゴ
ン国立研究所（Ａｒｇｏｎｎｅ Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｌ
ａｂｏｒａｔｏｒｙ）との間の契約番号Ｗ−３１−１０
９−ＥＮＧ−３８に従って、本発明の権利を有する。
【０００２】
【従来の技術】放射性同位元素の使用は広範にわたり、
工業的な流量プロセスの環境的な観察並びに医薬の如き
種々の分野における応用を含む。そのような放射性同位
体は基本的には、高濃縮ウラン（ＨＥＵ）又は 235Ｕに
中性子の衝撃を与えて娘元素を生成することにより製造
される。放射性同位体に対する需要は増大し続けている
が、ＨＥＵの使用は減少し続けており、その理由は基本
的には、ＨＥＵを再処理して核兵器の開発を行うことが
できるからである。合衆国政府はＨＥＵの輸出を削減す
ることを望んでいるので、代用ターゲット材料を見い出
すことが必要である。
【０００３】医薬に使用される主要なアイソトープ（同
位元素）の１つは、テクネチウム−９９ｍであり、その
理由は基本的に、このアイソトープは約６時間の短い半
減期を有しているからである。医療用のテクネチウム−
９９ｍは、99Ｍｏの崩壊生成物であり、この崩壊生成物
は、研究用原子炉（研究炉）においては、 235Ｕの核分
裂によって、又は、より重い99Ｍｏを形成するための98
Ｍｏにおける中性子捕獲によって製造される。99Ｍｏは
６６時間の半減期を有している。
【０００４】99Ｍｏは、約９３％の 235Ｕを有する高濃
縮ウラン（ＨＥＵ）を保持する種々のターゲット構造を
用いて製造される。そのような構造は、プレート（板状
体）、ロッド（棒状体）及びシリンダ（円筒体）として
形成され、その中にウラン材料が挿入されているクラッ
ディングを含んでいる。燃料板の構造は、ワイヤ又は
「ミート」マトリックス（”ｍｅａｔ” ｍａｔｒｉ
ｘ）の形態の核分裂性材料が、ジルコニウム、アルミニ
ウム、ニッケル又はこれらの合金の如き非核分裂性材料
から成る２つのプレートの間に設けられているサンドイ
ッチ構造を用いている。そのような構造の利点は、ター
ゲット全体の熱伝達が効率的であることである。上述の
プレート構造の欠点は、核分裂生成物を得るために、大
量の溶液でマトリックスを溶解する必要があることであ
る。そのようなプロセスは、使用前に失われる及び／又
は更に崩壊する製品を生ずる。また、多くのプレート構
造は、高濃縮ウランの使用を必要とする。
【０００５】燃料棒の構造（米国特許第３，７９９，８
８３号及び第３，９４０，３１８号）は、プレート構造
からのＨＥＵの核分裂生成物を処理する時に生ずる上述
の如き損失すなわちロスを解消する。そのようなＨＥＵ
ターゲット棒は、中空の円筒形の缶を備え、この缶の内
壁にはＵＯ2の薄層が被覆されている。モリブデンの回
収は、酸溶液をターゲットシリンダの中に加え、後の処
理のために、照射されたＵＯ2をシリンダの壁部から溶
解することにより行われる。しかしながら、上述の如き
ロッド構造は、約０．０２５ｍｍ（約０．００１イン
チ）の比較的薄いＵＯ2のコーティングしか収容するこ
とができないという制約を有している。そのような厚み
は、核分裂性材料としてＨＥＵを用いた場合には合理的
な99Ｍｏの収率をもたらすことができるが、低濃縮ウラ
ン（ＬＥＵ）を用いた場合にはそのような収率を得るこ
とができない。約５倍乃至６倍のウランを処理すること
により、ＨＥＵプロセスで得られるのと同じ収率で99Ｍ
ｏを回収することができる。しかしながら、ロッド構造
のＬＥＵコーティングの厚みを増大させてもうまく行か
ず、その理由は、シリンダの内側からの材料の剥離が、
約０．０５１ｍｍ（０．００２インチ）の有効厚みから
始まるからである。
【０００６】当該技術においては、良好な熱伝達を示
し、化学的な処理を行う必要性が低く、更に、簡単な設
計の構造を有する99Ｍｏターゲットが必要とされてい
る。そのようなターゲットは、核分裂性材料として低濃
縮ウランだけを使用するものでなければならない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術の欠点の多くを解消する放射性同位体生成ターゲッ
ト、並びに、そのような放射性同位体生成ターゲットの
製造方法を提供することである。本発明の別の目的は、
比較的簡単な放射性同位体生成ターゲットを経済的に提
供することである。本発明の更に別の目的は、高濃縮ウ
ランを使用しない放射性同位元素生成ターゲットを提供
することである。本発明の更に別の目的は、核分裂性材
料をターゲットのクラッディングに接合することを必要
としない組み立て技術を用いて、放射性同位元素生成タ
ーゲットを製造する方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の製品の特徴は、
容易に取り外すことのできる低濃縮核分裂性材料を使用
することである。そのような製品及びその製造方法の利
点は、複雑な組み立て工程並びに化学処理工程が排除さ
れ、これにより、開発途上国に放射性同位元素を開発す
る機会を与えることである。本発明の特徴はまた、核分
裂性材料として低濃縮ウランを使用することである。こ
の特徴の利点は、高濃縮ウランの輸出及び使用を極力少
なくし、これにより、マテリアルハンドリングの安全性
を極めて高くすると共に、核兵器非保持国が核兵器を開
発する危険性を極めて少なくすることである。本発明の
別の特徴は、本発明の構成要素を単に結合するためにだ
け機械的な圧縮力を使用することである。この特徴の利
点は、照射の後に核分裂性材料を非核分裂性材料から分
離するために従来必要とされた工程を省くことである。
【０００９】概略的に言えば、本発明は、放射性同位元
素生成ターゲットを提供し、該ターゲットは、外側面、
第１の端部、及び、第２の端部を有する内側シリンダ
と、上記内側シリンダの外側面に円周方向において接触
して上記内側シリンダの外側面を実質的に覆う核分裂性
材料から成る箔と、内側面、第１の端部、及び、第２の
端部を有する中空の外側シリンダとを備え、上記中空の
外側シリンダの内側面が、上記箔で概ね覆われた内側シ
リンダを収容すると共に上記箔に緊密に圧接し、これに
より、該箔との間に良好な機械的な接触をもたらすよう
になされている。
【００１０】本発明はまた、核分裂生成物を生成するた
めの一次ターゲットの製造方法を提供し、該製造方法
は、第１の表面、第２の表面、周縁部、及び、所定の厚
みを有する第１の基材を選定する工程と、第１の表面、
第２の表面、及び、所定の厚みを有し核分裂性材料から
成る箔を収容するように上記第１の基材の第１の表面を
調製する工程と、上記箔を上記第１の基材から後に取り
除くことが可能なように、上記箔の第１の表面を上記第
１の基材の第１の表面に接触させる工程と、第１の表
面、第２の表面、周縁部、及び、所定の厚みを有する第
２の基材を選定する工程と、上記箔を上記第２の基材か
ら後に取り除くことが可能なように上記箔を収容するよ
うに上記第２の基材の第１の表面を調製する工程と、上
記第１の基材の第２の表面並びに上記第２の基材の第２
の表面が周囲雰囲気に露呈され、また、上記箔が上記第
１の基材と上記第２の基材との間に挟まれて上記箔が周
囲雰囲気に露呈されないように、上記第１の基材の周縁
部を上記第２の基材の周縁部に取り付ける工程と、露呈
された上記第１の基材の第２の表面及び上記第２の基材
の第２の表面を圧縮し、上記箔と上記第１の基材の第１
の表面との間、並びに、上記箔と上記第２の基材の第１
の表面との間に機械的な滑り嵌め接触を確実にもたらす
工程とを備える。
【００１１】本発明、その上述及び他の目的並びに利点
は、図面に示す本発明の実施例に関する以下の詳細な説
明から明らかとなろう。
【００１２】
【実施例】本発明は、３つの異なった設計すなわち構造
を含む。図１に立面図として部分的に示されその全体に
符号１０が付されている第１の構造（第１の実施例）
は、内側チューブ１２と、該内側チューブ１２の周囲に
巻かれた核分裂性材料から成るシートすなわち箔２２
と、箔が巻かれた中空の内側チューブ１２を包囲する外
側チューブ２６とを備えている。
【００１３】内側チューブ１２は、隆起した第１の端部
１４と、隆起した第２の端部１６とを有しており、これ
ら各々の端部は、内側チューブ１２の表面に対して相対
的に同一の所定の高さまで隆起し、これにより、相対的
に凹陥した中央部１８を形成している。内側チューブ１
２に対して長手方向において一体に取り付けられた幅の
狭いリブ２０は更に、隆起した第１の端部１４並びに隆
起した第２の端部１６に対して一体に取り付けられてい
る。凹陥した中央部１８は、低濃縮核分裂性材料から成
るシートすなわち箔２２を収容するようになされてお
り、そのようなシートすなわち箔は、１ｍｍ乃至１０ｍ
ｍの厚みを有しており、この厚みは、隆起した両端部１
４、１６の高さの差を越えない。
【００１４】シートすなわち箔２２は一般に矩形であ
り、箔２２の両側部（長手方向の側部）が、内側チュー
ブ１２の凹陥した中央部１８の長さと等しい長さを有す
るように構成される。シートすなわち箔２２は更に、凹
陥した中央部１８の周囲で円周方向に巻かれた時に、そ
の残りの両側部（円周方向の側部）が隆起したリブ２０
に当接するように構成される。箔２２は、凹陥した中央
部１８の中に置かれた後には、概ねその位置に留まる。
【００１５】線２−２に沿って取った図１の断面図であ
る図２に示すように、第１の実施例は更に、中空の外側
チューブ２６すなわちスリーブを備えており、この外側
チューブは、チューブ２６の全長にわたって長手方向に
伸長するスリット開口を有している。中空の外側チュー
ブ２６は、その分割部（切れ目）が溶接リブ２０の上に
位置するようにして、中空の内側チューブ１２及び箔２
２の周囲に緊密に嵌合される。中空の外側チューブ２６
は、良好な機械的な接触を確保するために、箔に対して
圧接されており、また、チューブ２６のスリットの両縁
部は、溶接部２８又は他の適宜な手段に当接している。
上記圧縮すなわち圧接は、ホースクランプ（ｈｏｓｅ−
ｃｌａｍｐ）装置によって機械的に行うことができる。
その後、中空の外側チューブ２６の両端部が、溶接部２
９又は他の適宜な手段によって、隆起した第１の端部１
４及び第２の端部１６にシールされ、これにより、ター
ゲットが周回するときに箔が周囲雰囲気に露呈されない
ようにしている。溶接は一般に、窒素又はアルゴンで充
満されたグローブボックスの中におけるような不活性雰
囲気中で行われる。
【００１６】組み立てたターゲットの圧縮は、油圧によ
り行うこともでき、その場合には、中空の外側チューブ
２６の両端部を中空の内側チューブ１２の隆起した第１
の端部１４及び隆起した第２の端部１６に溶接して該外
側チューブをシールする直前に、内側チューブを塑性変
形させる。中空の内側チューブ１２、中空の外側チュー
ブ２６、並びに、箔２２の間に図２に示すような緊密な
機械的な接触が得られて良好な熱伝導が確保される限
り、どのような圧縮方法でも使用することができる。
【００１７】図３において符号１００が付されている本
発明の第２の実施例においても、２チューブ型の構造が
使用されており、此の構造においては、外側チューブ１
２６が内側チューブ１１２を摺動可能に収容している。
第１の実施例１０の中空の内側チューブ１２と同様に、
第２の実施例１００の内側チューブ１１２は、核分裂性
材料１２２から成るシートすなわち箔を収容するための
凹陥した中央部１１８を形成するために、隆起した第１
の端部１１４及び隆起した第２の端部１１６を有してい
る。上記核分裂性材料は、内側チューブ１１２の周囲で
円周方向に巻かれており、このように巻かれた内側チュ
ーブは次に、外側チューブ１２５の中に挿入される。第
１の実施例１０とは異なり、第２の実施例１００の外側
チューブ１２６は、一端部から他端部まで長手方向に分
割されていない。従って、内側チューブ１１２の外側
面、核分裂性材料１２２から成るシートすなわち箔、及
び、外側チューブ１２６の内側面の間の良好な機械的な
接触を確保するために、上記２つのチューブは、確実な
滑り嵌めを行うようにテーパ形状になされている。
【００１８】締まり嵌めを更に確実にするために、第１
の実施例１０に関して上に概説したのと同様な方法で圧
力が加えられる。そのようなプロセスの１つにおいて
は、最初に、外側チューブ１２６の一端部を同様の金属
１３０から成るプラグによって閉じる。圧縮している間
に、頂部の閉鎖プラグ１３２を内側チューブ１１２に向
けて下方へ押圧し、このアセンブリの気密性を最も高め
る荷重を与えながら、上記閉鎖プラグを外側チューブ１
２６に対して溶接する。端部プラグ１３０，１３２は、
外側チューブ１２６の端部に雄雌のような形で受け入れ
られる。
【００１９】箔１２２と両チューブとの間の機械的な接
合は、本装置の温度が照射の間に増大した時に、特に、
内側チューブ１１２を構成する材料が、外側チューブ１
２６の熱膨張率よりも高い熱膨張率を有するように選択
された時に、更に向上する。例えば、アルミニウムは、
ジルコニウム合金の熱膨張率の約２．５倍の高い熱膨張
率を有するので、アルミニウムの内側チューブ及びジル
コニウム合金の外側チューブを有する実施例を加熱する
と、上記２つのチューブ、並びに、これらチューブの間
に挟まれた箔は、より気密性の高い機械的な接合を形成
する。上記ターゲットは、頂部プラグ１３２を切り離
し、内側チューブ１１２を箔１２２と共に引っ張り出す
ことにより分解される。上述のテーパ形状はこの分解操
作を助ける。
【００２０】本発明の第３の実施例においては、外側チ
ューブの内側面には、核分裂性材料から成るシートすな
わち箔が被覆される。上記箔の第１の表面は、該箔の第
２の表面に接触してこの第２の表面に向かって機械的に
膨張する金属シリンダ（中実、管状又はブロック状）に
よって外側チューブの内側面に接した状態でしっかりと
保持される。上述の２つの実施例と同様に、気密な接触
により、箔からの核分裂熱が、チューブの壁部を介して
冷却材料に確実に伝達される。
【００２１】基材の詳細 種々の材料が、上述の実施例の基材として使用すること
ができる。例えば、鋼、ステンレス鋼、ニッケル、ニッ
ケル合金、ジルコニウム、ジルコニウム合金、アルミニ
ウム、及び、亜鉛被覆されたアルミニウムから成る群か
ら選択される非核分裂性の金属材料を用いることができ
る。例えば、特に限定するものではないが、原子炉等級
ジルコニウム（ＵＮＳ＃ Ｒ６０００１）、ジルコニウ
ム−錫合金（ＵＮＳ＃ Ｒ６０８０２），ジルコニウム
−錫合金（ＵＮＳ＃ Ｒ６０８０４）、及び、ジルコニ
ウム−ニオブ合金（ＵＮＳ＃ Ｒ６０９０１）を含む種
々のジルコニウム合金が適している。基材の形状も、円
筒形、板状体、球形体及び卵形体を含む種々の形状が適
している。弧状の基材を取り扱う場合には、使用可能な
凸面を有する第１の基材が、凹面を有する協働する基材
よりも高い熱膨張率を有している時に、各基材と箔との
間の機械的な接合は向上する。周回すなわち運転（従っ
て加熱）時に、上記凸面は、箔の第１の表面に向かって
膨張して機械的な接合を向上させる。例えば、熱膨張率
が（６−１０）×１０-6であるジルコニウム合金、及
び、熱膨張率が２５×１０-6であるアルミニウムを用
い、第１の基材をアルミニウムから構成し、また、第２
の基材をジルコニウム合金から構成した場合には、１０
０°Ｃにおいて約３ｍｍの締めしろが生ずることを本発
明者等は確認した。
【００２２】ターゲットの全体的な寸法は、原子炉の設
計によってのみ制約を受ける。円筒形のターゲットを用
いて運転を行う場合には、製造運転は一般に約４５７ｍ
ｍ（１８インチ）の長さを必要とする。上記円筒形のタ
ーゲットの外径は、２．５ｃｍから５．８ｃｍ（１イン
チから２インチ）の範囲で変化することができる。例え
ば、発明者等が使用したシリンダすなわち円筒体の外径
は、アルミニウムに関しては約３．８ｃｍであり、ステ
ンレス鋼に関しては３．２ｃｍであった。シリンダの肉
厚も変えることができるが、その範囲は一般に、約０．
６４ｍｍから１．５２ｍｍ（０．０２５インチから０．
０６０インチ）である。適正な熱伝達が行われる限り、
肉厚は一般に重要な問題ではない。
【００２３】基材の収容面の準備は極めて重要であり、
その理由は、本発明の利点の１つが、照射された箔を運
転後にターゲットから容易に取り除くことができる点に
あるからである。圧縮及び運転の後に箔が付着すること
は避けなければならない。箔と基材表面との間のそのよ
うな拡散接合を防止するために、基材の収容面は、陽極
処理（金属の上に酸化物を形成する）されるか、あるい
は窒化処理（基材は最初にパック窒化され次に焼成され
る）される。本発明の製造プロセス並びにターゲット
は、約１００°Ｃ乃至５００°Ｃの温度範囲におけるタ
ーゲットの作動を可能とする。
【００２４】箔の詳細 ターゲットの製造方法及びターゲット自体は、低濃縮ウ
ラン金属又はプルトニウム金属を使用する。本発明の利
点の１つは、そのような金属の全重量の中の比較的低い
割合が放射性同位元素であることである。例えば、低濃
縮ウランの箔は、約１９．８％の 235Ｕを含む。箔の厚
みは、ターゲットの構造に応じ変えることができる。そ
のような厚みは、約０．０２５乃至０．２５ｍｍ（０．
００１乃至０．０１インチ）の間の範囲とすることがで
きる。本発明のターゲットの構造及び製造方法は、従来
制限されていた０．０５ｍｍ（０．００２インチ）より
も大きな厚みを有する箔を使用することを可能とし、従
って、当該技術の現状に比較して優れた利点をもたら
す。上述の如き箔のサプライヤ（供給者）は、米国テネ
シー州Ｏａｋ Ｒｉｄｇｅ所在のマーケッティング・サ
ービシズ社（Ｍａｒｋｅｔｉｎｇ Ｓｅｒｖｉｃｅｓ
Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）である。
【００２５】図示の実施例を参照して本発明を詳細に説
明したが、そのような詳細な説明は請求の範囲に記載さ
れる本発明の範囲を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のターゲットの第１の実施例を示す部分
断面図である。
【図２】図１の線２−２に沿って示す断面図である。
【図３】本発明のターゲットの第２の実施例を示す長手
方向の断面図である。
【符号の説明】
１０、１００ ターゲット １２、１１２ 内側チューブ １４、１１４ 第１の端部 １６、１１６ 第２の端部 １８、１１８ 凹陥した中央部 ２０ 溶接リブ ２２、１２２ シート（箔） ２６、１２６ 外側チューブ ２８ 溶接部 １３０、１３２ プラグ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トーマス シー．ウイエンセック アメリカ合衆国 60462、イリノイ州 オ ルランドパーク、サンシャインサーキット 8757 (72)発明者 ジェイムス イー． マトス アメリカ合衆国 60302、イリノイ州 オ ークパーク、エヌ．エルムウッド 1125 (72)発明者 ジェラルド エル． ホフマン アメリカ合衆国 60515、イリノイ州 ド ウナーズ グローブ、ターベイアベニュー 5314

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 核分裂生成物を生成するための一次ター
    ゲットの製造方法において、 （ａ）第１の表面、第２の表面、周縁部、及び、所定の
    厚みを有する第１の基材を選定する工程と、 （ｂ）第１の表面、第２の表面、及び、所定の厚みを有
    し核分裂性材料から成る箔を収容するように前記第１の
    基材の第１の表面を調製する工程と、 （ｃ）前記箔を前記第１の基材から後に取り除くことが
    可能なように、前記箔の第１の表面を前記第１の基材の
    第１の表面に接触させる工程と、 （ｄ）第１の表面、第２の表面、周縁部、及び、所定の
    厚みを有する第２の基材を選定する工程と、 （ｅ）前記箔を前記第２の基材から後に取り除くことが
    可能なように前記箔を収容するように前記第２の基材の
    第１の表面を調製する工程と、 （ｆ）前記第１の基材の第２の表面並びに前記第２の基
    材の第２の表面が周囲雰囲気に露呈され、また、前記箔
    が前記第１の基材と前記第２の基材との間に挟まれて前
    記箔が周囲雰囲気に露呈されないように、前記第１の基
    材の周縁部を前記第２の基材の周縁部に取り付ける工程
    と、 （ｇ）露呈された前記第１の基材の第２の表面及び前記
    第２の基材の第２の表面を圧縮し、前記箔と前記第１の
    基材の第１の表面との間、並びに、前記箔と前記第２の
    基材の第１の表面との間に機械的な滑り嵌め接触を確実
    にもたらす工程とを備える製造方法。
  2. 【請求項２】 請求項１の製造方法において、前記第１
    の基材及び前記第２の基材は同一の形状を有しており、
    該形状が、円筒体、卵形体、曲面体又は球形体であるこ
    とを特徴とする製造方法。
  3. 【請求項３】 請求項２の製造方法において、前記第１
    の基材の第１の表面は凸状であり、前記第２の基材の第
    １の表面は凹状であることを特徴とする製造方法。
  4. 【請求項４】 請求項１の製造方法において、前記第１
    の基材の第１の表面及び前記第２の基材の第１の表面を
    調製する工程が、 （ａ）前記箔の厚みと実質的に同じ深さまで凹陥された
    中央部を前記第１の基材の第１の表面に形成する段階
    と、 （ｂ）前記第１の基材の第１の表面及び前記第２の基材
    の第１の表面を化学的に処理し、前記第１の基材の第１
    の表面及び前記第２の基材の第１の表面に対する前記箔
    の化学的な結合力を極力小さくする段階とを含むことを
    特徴とする製造方法。
  5. 【請求項５】 請求項１の製造方法において、前記第１
    及び第２の基材が、ステンレス鋼、ニッケル、ニッケル
    合金、ジルコニウム、ジルコニウム合金、アルミニウ
    ム、及び、亜鉛被覆されたアルミニウムから成る群から
    選択された非核分裂性の金属材料であることを特徴とす
    る製造方法。
  6. 【請求項６】 請求項５の製造方法において、前記第１
    の基材が、前記第２の基材を構成する材料の熱膨張率よ
    りも高い熱膨張率を有する材料から構成されることを特
    徴とする製造方法。
  7. 【請求項７】 請求項１の製造方法において、前記核分
    裂性材料から成る箔が、低濃縮ウラン金属又は低濃縮プ
    ルトニウム金属から形成されることを特徴とする製造方
    法。
  8. 【請求項８】 請求項１の製造方法において、核分裂性
    材料から成る前記箔の所定の厚みが、約０．０２５乃至
    ０．２５ｍｍ（０．００１乃至０．０１インチ）の範囲
    から選択され、また、前記第１の基材の所定の厚みが、
    約０．６３５乃至１．５２ｍｍ（０．０２５乃至０．０
    ６インチ）の範囲から選択され、更に、前記第２の基材
    の所定の厚みが、約０．６３５乃至１．５２ｍｍ（０．
    ０２５乃至０．０６０インチ）の範囲から選択されるこ
    とを特徴とする製造方法。
  9. 【請求項９】 核分裂生成物を生成するための一次ター
    ゲットにおいて、 （ａ）外側面、第１の端部、及び、第２の端部を有する
    内側シリンダと、 （ｂ）前記内側シリンダの外側面に円周方向において接
    触して前記内側シリンダの外側面を実質的に覆う核分裂
    性材料から成る箔と、 （ｃ）内側面、第１の端部、及び、第２の端部を有する
    中空の外側シリンダとを備え、 前記中空の外側シリンダの内側面が、前記箔で概ね覆わ
    れた内側シリンダを収容すると共に前記箔に緊密に圧接
    し、これにより、該箔との間に良好な機械的な接触をも
    たらすようになされていることを特徴とする一次ターゲ
    ット。
  10. 【請求項１０】 請求項９の一次ターゲットにおいて、
    前記内側シリンダ及び外側シリンダが同一の材料から構
    成されることを特徴とする一次ターゲット。
  11. 【請求項１１】 請求項１０の一次ターゲットにおい
    て、前記内側シリンダは、その第１の端部及び第２の端
    部に隆起した肩部を有しており、前記各々の端部の肩部
    の前記内側シリンダの外側面までの高さは同じであり、
    これにより、前記内側シリンダの外側面に凹陥した中央
    部が形成されることを特徴とする一次ターゲット。
  12. 【請求項１２】 請求項１１の一次ターゲットにおい
    て、前記内側シリンダの外側面には、前記内側シリンダ
    の長手方向の軸線に沿って、前記２つの肩部を接続する
    溶接リブが取り付けられており、前記溶接リブは、前記
    隆起した肩部と同じ高さまで前記外側面から半径方向に
    伸長していることを特徴とする一次ターゲット。
  13. 【請求項１３】 請求項１２の一次ターゲットにおい
    て、前記凹陥した中央部が前記核分裂性の箔を収容し、
    前記箔は、前記溶接リブの高さに等しい厚みを有するこ
    とを特徴とする一次ターゲット。
  14. 【請求項１４】 請求項１１の一次ターゲットにおい
    て、前記中空の外側シリンダは、該中空の外側シリンダ
    の第１の端部から第２の端部まで、該中空の外側シリン
    ダの全長にわたって長手方向に伸長するスリットを有し
    ており、該スリットは、前記溶接リブに溶接される対向
    する縁部を有することを特徴とする一次ターゲット。
  15. 【請求項１５】 請求項９の一次ターゲットにおいて、
    前記内側シリンダ及び前記外側シリンダは、異なる材料
    から形成されることを特徴とする一次ターゲット。
  16. 【請求項１６】 請求項１５の一次ターゲットにおい
    て、前記内側シリンダは、前記中空の外側シリンダを構
    成する材料の熱膨張率よりも大きな熱膨張率を有する材
    料から構成されることを特徴とする一次ターゲット。
  17. 【請求項１７】 請求項１５の一次ターゲットにおい
    て、前記内側シリンダはアルミニウムから構成され、前
    記中空の外側シリンダはジルコニウム合金から構成され
    ることを特徴とする一次ターゲット。
  18. 【請求項１８】 請求項１５の一次ターゲットにおい
    て、前記内側シリンダの外側面は、前記外側シリンダの
    内側面に対して相対的にテーパ形状になっており、これ
    により、前記外側シリンダが前記箔に概ね覆われた内側
    シリンダを収容した時に、滑り嵌めが形成されることを
    特徴とする一次ターゲット。
  19. 【請求項１９】 請求項９の一次ターゲットにおいて、
    前記核分裂性材料が、低濃縮ウラン金属であることを特
    徴とする一次ターゲット。
  20. 【請求項２０】 核分裂生成物を製造するための方法に
    おいて、 （ａ）第１の端部及び第２の端部を有すると共に非核分
    裂性材料から形成される金属チューブの内側面を約０．
    ０２５乃至０．６３５ｍｍ（０．００１乃至０．０２５
    インチ）の厚みを有する低濃縮ウラン金属の箔の第１の
    表面で覆う工程と、 （ｂ）第１の端部及び第２の端部を有する金属シリンダ
    を前記金属チューブの中に挿入し、挿入された前記金属
    シリンダの外側面を低濃縮ウラン金属の箔の第２の表面
    に接触させる工程と、 （ｃ）前記挿入された金属シリンダを機械的に膨張させ
    て塑性変形させ、これにより、前記挿入された金属シリ
    ンダと前記箔の第２の表面との間に密接な機械的な接触
    をもたらすと共に、前記金属チューブの第１の表面と前
    記箔の第１の表面との間にも密接な機械的な接触をもた
    らす工程と、 （ｄ）前記金属チューブの第１の端部及び第２の端部を
    シールして前記箔を周囲雰囲気から絶縁する工程とを備
    えることを特徴とする方法。
JP6261601A 1993-10-01 1994-09-30 低濃縮ウラニウムを用いて９９ｍｏ生成ターゲットを製造する方法及び低濃縮ウラニウムからなる９９ｍｏ生成ターゲット Pending JPH07218697A (ja)

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