JPH07218722A - 光ビームスプリッタ - Google Patents
光ビームスプリッタInfo
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- JPH07218722A JPH07218722A JP1060494A JP1060494A JPH07218722A JP H07218722 A JPH07218722 A JP H07218722A JP 1060494 A JP1060494 A JP 1060494A JP 1060494 A JP1060494 A JP 1060494A JP H07218722 A JPH07218722 A JP H07218722A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 入射角が４５°の光の１ないし６％の光を少
ない偏波依存性で分岐するビームスプリッタを提供する
こと。 【構成】 透明光学基板１の一面に、ともに誘電体から
なる高屈折率層２，４と低屈折率層３，５とを交互に蒸
着した多層膜によって構成され入射角４５°の光に対応
する無偏波依存性の反射分離膜６を、また前記透明光学
基板の他の面に誘電体からなる高屈折率層７，９と低屈
折率層８，１０とを交互に蒸着した多層膜によって構成
される４５°入射光に対応する反射防止膜１１をそれぞ
れそなえたビームスプリッタ。
ない偏波依存性で分岐するビームスプリッタを提供する
こと。 【構成】 透明光学基板１の一面に、ともに誘電体から
なる高屈折率層２，４と低屈折率層３，５とを交互に蒸
着した多層膜によって構成され入射角４５°の光に対応
する無偏波依存性の反射分離膜６を、また前記透明光学
基板の他の面に誘電体からなる高屈折率層７，９と低屈
折率層８，１０とを交互に蒸着した多層膜によって構成
される４５°入射光に対応する反射防止膜１１をそれぞ
れそなえたビームスプリッタ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信システムに用いら
れるビームスプリッタに係り、とくにそのようなシステ
ムにおける各種機器の信号光からモニタ光を分岐するた
めに使用されるビームスプリッタに関する。
れるビームスプリッタに係り、とくにそのようなシステ
ムにおける各種機器の信号光からモニタ光を分岐するた
めに使用されるビームスプリッタに関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のビームスプリッタは、信号光を
モニタするために信号ラインから５％程度の光を取り出
す。このビームスプリッタとしては、従来ＢＫ−７と称
するガラス基板にＴｉＯ2 とかＳｉＯ2 などの誘電体膜
を交互に蒸着した形式のものが提供されている。
モニタするために信号ラインから５％程度の光を取り出
す。このビームスプリッタとしては、従来ＢＫ−７と称
するガラス基板にＴｉＯ2 とかＳｉＯ2 などの誘電体膜
を交互に蒸着した形式のものが提供されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この構成によると、光
分岐特性に偏波依存性があり、入射光の偏波状態いかん
によって反射光量が変化する問題がある。他方、とくに
偏波依存性を低く設計したものもあるが、透過光量対反
射光量が１：１ないし１：１０であってモニタ分岐には
適さない程分岐率が大きいものであるという問題もあ
る。
分岐特性に偏波依存性があり、入射光の偏波状態いかん
によって反射光量が変化する問題がある。他方、とくに
偏波依存性を低く設計したものもあるが、透過光量対反
射光量が１：１ないし１：１０であってモニタ分岐には
適さない程分岐率が大きいものであるという問題もあ
る。
【０００４】ここで、ビームスプリッタの備えるべきも
う一つの条件として、入射角４５°の光を直角に反射し
た分岐光を形成することが望ましいということがある。
う一つの条件として、入射角４５°の光を直角に反射し
た分岐光を形成することが望ましいということがある。
【０００５】本発明は上述の点を考慮してなされたもの
で、入射角が４５°の光の１ないし６％の光を低偏波依
存性で分岐するビームスプリッタを提供することを目的
とする。
で、入射角が４５°の光の１ないし６％の光を低偏波依
存性で分岐するビームスプリッタを提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的達成のため、本
発明では、請求項１記載の、透明光学基板の一面に、と
もに誘電体からなる高屈折率層と低屈折率層とを交互に
蒸着した多層膜によって構成され入射角４５°の光に対
応する無偏波依存性の反射分離膜を、また前記透明光学
基板の他の面に誘電体からなる高屈折率層と低屈折率層
とを交互に蒸着した多層膜によって構成される４５°入
射光に対応する反射防止膜をそれぞれそなえたビームス
プリッタ、請求項２記載の、請求項１記載のビームスプ
リッタにおける前記反射分離膜が、高屈折率層を形成す
る物質としてＴｉＯ2 を、また低屈折率層を形成する物
質としてＳｉＯ2 を、基板側から順次ＴｉＯ2 ：０．０
７λ〜０．１１λ、ＳｉＯ2 ：０．０８λ〜０．１９
λ、ＴｉＯ2 ：０．２５λ〜０．２９λ、ＳｉＯ2 ：
０．２８λ〜０．３１λなる光学膜厚となるように、少
なくとも４層重ねて構成されたビームスプリッタ、およ
び請求項３記載の、請求項１記載のビームスプリッタに
おける前記反射防止膜が、高屈折率層を形成する物質と
してＴｉＯ2 を、また低屈折率層を形成する物質として
ＳｉＯ2 を、基板側から順次ＴｉＯ2 ：０．１λ〜０．
１１λ、ＳｉＯ2：０．０８λ〜０．１０λ、ＴｉＯ2
：０．２５λ〜０．２７λ、ＳｉＯ2 ：０．２８λ〜
０．３１λなる光学膜厚となるように、少なくとも４層
重ねて構成されたビームスプリッタ、を提供するもので
ある。
発明では、請求項１記載の、透明光学基板の一面に、と
もに誘電体からなる高屈折率層と低屈折率層とを交互に
蒸着した多層膜によって構成され入射角４５°の光に対
応する無偏波依存性の反射分離膜を、また前記透明光学
基板の他の面に誘電体からなる高屈折率層と低屈折率層
とを交互に蒸着した多層膜によって構成される４５°入
射光に対応する反射防止膜をそれぞれそなえたビームス
プリッタ、請求項２記載の、請求項１記載のビームスプ
リッタにおける前記反射分離膜が、高屈折率層を形成す
る物質としてＴｉＯ2 を、また低屈折率層を形成する物
質としてＳｉＯ2 を、基板側から順次ＴｉＯ2 ：０．０
７λ〜０．１１λ、ＳｉＯ2 ：０．０８λ〜０．１９
λ、ＴｉＯ2 ：０．２５λ〜０．２９λ、ＳｉＯ2 ：
０．２８λ〜０．３１λなる光学膜厚となるように、少
なくとも４層重ねて構成されたビームスプリッタ、およ
び請求項３記載の、請求項１記載のビームスプリッタに
おける前記反射防止膜が、高屈折率層を形成する物質と
してＴｉＯ2 を、また低屈折率層を形成する物質として
ＳｉＯ2 を、基板側から順次ＴｉＯ2 ：０．１λ〜０．
１１λ、ＳｉＯ2：０．０８λ〜０．１０λ、ＴｉＯ2
：０．２５λ〜０．２７λ、ＳｉＯ2 ：０．２８λ〜
０．３１λなる光学膜厚となるように、少なくとも４層
重ねて構成されたビームスプリッタ、を提供するもので
ある。
【０００７】
【作用】請求項１記載の構成によれば、透明光学基板の
一面に配された反射分離膜に対して入射角４５°で入射
した光の一部が直角方向に反射分離され、大部分は透明
光学基板中に透過する。基板に入射した光は、透明光学
基板の他の面に設けられた反射防止膜を透過して出射さ
れる。これら反射分離される光および透過出射する光
は、ともに偏波依存性の低い反射分離膜により反射さ
れ、またはそのような反射防止膜を透過するため、入射
光の偏波状態に関わらず所定の出力光が得られる。
一面に配された反射分離膜に対して入射角４５°で入射
した光の一部が直角方向に反射分離され、大部分は透明
光学基板中に透過する。基板に入射した光は、透明光学
基板の他の面に設けられた反射防止膜を透過して出射さ
れる。これら反射分離される光および透過出射する光
は、ともに偏波依存性の低い反射分離膜により反射さ
れ、またはそのような反射防止膜を透過するため、入射
光の偏波状態に関わらず所定の出力光が得られる。
【０００８】請求項２記載のように、反射分離膜を各層
が所定膜厚のＴｉＯ2 とＳｉＯ2 とによる少なくとも４
層の各膜によって構成することにより、入射光量の１〜
６％が分岐される。
が所定膜厚のＴｉＯ2 とＳｉＯ2 とによる少なくとも４
層の各膜によって構成することにより、入射光量の１〜
６％が分岐される。
【０００９】請求項３記載のように、反射防止膜を各層
が所定膜厚のＴｉＯ2 とＳｉＯ2 とによる少なくとも４
層の各膜によって構成することにより、入射光量の反射
を低減する。
が所定膜厚のＴｉＯ2 とＳｉＯ2 とによる少なくとも４
層の各膜によって構成することにより、入射光量の反射
を低減する。
【００１０】
【実施例】図１は、本発明に係るビームスプリッタの断
面構造を示した図である。同図において、１は透明光学
基板であり、たとえばＢＫ−７と称するガラス基板であ
る。この基板１の一方の面に、ＴｉＯ2 とＳｉＯ2 とを
２層づつ交互に重ねた反射分離膜６を配し、他の一面に
も同様にＴｉＯ2 とＳｉＯ2 とを２層づつ交互に重ねた
反射防止膜１１を配する。これら両膜６、１１はいづれ
も基板１に接する側にＴｉＯ2 を配し、その他はＳｉＯ
2 と交互に配置する。図１の場合は、４層構造であるか
ら最外側はＳｉＯ2 となる。
面構造を示した図である。同図において、１は透明光学
基板であり、たとえばＢＫ−７と称するガラス基板であ
る。この基板１の一方の面に、ＴｉＯ2 とＳｉＯ2 とを
２層づつ交互に重ねた反射分離膜６を配し、他の一面に
も同様にＴｉＯ2 とＳｉＯ2 とを２層づつ交互に重ねた
反射防止膜１１を配する。これら両膜６、１１はいづれ
も基板１に接する側にＴｉＯ2 を配し、その他はＳｉＯ
2 と交互に配置する。図１の場合は、４層構造であるか
ら最外側はＳｉＯ2 となる。
【００１１】図２は、このように構成されたビームスプ
リッタの光分岐作用を示したものである。図における左
側から４５°の角度で波長１５５０ｎｍの信号光が入射
したとき、ビームスプリッタの反射分離膜６では、入射
光の５％が入射方向に対して直角方向に反射する。この
反射光が信号光をモニタするために利用される。
リッタの光分岐作用を示したものである。図における左
側から４５°の角度で波長１５５０ｎｍの信号光が入射
したとき、ビームスプリッタの反射分離膜６では、入射
光の５％が入射方向に対して直角方向に反射する。この
反射光が信号光をモニタするために利用される。
【００１２】残りの信号光の９５％は、反射分離膜６で
屈折してビームスプリッタ中に入り込み、基板１および
反射防止膜１１を透過して反射防止膜１１の表面で屈折
して入射方向と平行な方向に出射する。
屈折してビームスプリッタ中に入り込み、基板１および
反射防止膜１１を透過して反射防止膜１１の表面で屈折
して入射方向と平行な方向に出射する。
【００１３】図３ないし図８は、反射分岐率がそれぞれ
１、２、３、４、５および６％である各ビームスプリッ
タの波長対反射率特性を示したもので、中心波長は１５
５０ｎｍである。
１、２、３、４、５および６％である各ビームスプリッ
タの波長対反射率特性を示したもので、中心波長は１５
５０ｎｍである。
【００１４】まず図３の特性は、１％の反射特性を有す
るビームスプリッタのものである。この実施例は、基板
に屈折率１．５１程度のＢＫ−７を用い、その一方の面
に屈折率２．２５のＴｉＯ2 および１．４６のＳｉ０2
を交互に配置して４層を構成する。そして、第１層は波
長１５５０ｎｍの光に対する光学膜厚が０．０９７８
λ、第２層が同じく０．１０５０λ、第３層が同じく
０．２６７２λ、第４層が同じく０．２８３８λであ
る。
るビームスプリッタのものである。この実施例は、基板
に屈折率１．５１程度のＢＫ−７を用い、その一方の面
に屈折率２．２５のＴｉＯ2 および１．４６のＳｉ０2
を交互に配置して４層を構成する。そして、第１層は波
長１５５０ｎｍの光に対する光学膜厚が０．０９７８
λ、第２層が同じく０．１０５０λ、第３層が同じく
０．２６７２λ、第４層が同じく０．２８３８λであ
る。
【００１５】図４の特性は、２％の反射特性を有するビ
ームスプリッタのものである。この実施例は、基板に屈
折率１．５１程度のＢＫ−７を用い、その一方の面に屈
折率２．２５のＴｉＯ2 および１．４６のＳｉ０2 を交
互に配置して４層を構成する。そして、第１層は波長１
５５０ｎｍの光に対する光学膜厚が０．０９２７λ、第
２層が同じく０．１２８５λ、第３層が同じく０．２６
７２λ、第４層が同じく０．２８３８λである。
ームスプリッタのものである。この実施例は、基板に屈
折率１．５１程度のＢＫ−７を用い、その一方の面に屈
折率２．２５のＴｉＯ2 および１．４６のＳｉ０2 を交
互に配置して４層を構成する。そして、第１層は波長１
５５０ｎｍの光に対する光学膜厚が０．０９２７λ、第
２層が同じく０．１２８５λ、第３層が同じく０．２６
７２λ、第４層が同じく０．２８３８λである。
【００１６】図５の特性は、３％の反射特性を有するビ
ームスプリッタのものである。この実施例は、基板に屈
折率１．５１程度のＢＫ−７を用い、その一方の面に屈
折率２．２５のＴｉＯ2 および１．４６のＳｉ０2 を交
互に配置して４層を構成する。そして、第１層は波長１
５５０ｎｍの光に対する光学膜厚が０．０８７８λ、第
２層が同じく０．１４６５λ、第３層が同じく０．２６
７２λ、第４層が同じく０．２８３８λである。
ームスプリッタのものである。この実施例は、基板に屈
折率１．５１程度のＢＫ−７を用い、その一方の面に屈
折率２．２５のＴｉＯ2 および１．４６のＳｉ０2 を交
互に配置して４層を構成する。そして、第１層は波長１
５５０ｎｍの光に対する光学膜厚が０．０８７８λ、第
２層が同じく０．１４６５λ、第３層が同じく０．２６
７２λ、第４層が同じく０．２８３８λである。
【００１７】図６の特性は、４％の反射特性を有するビ
ームスプリッタのものである。この実施例は、基板に屈
折率１．５１程度のＢＫ−７を用い、その一方の面に屈
折率２．２５のＴｉＯ2 および１．４６のＳｉ０2 を交
互に配置して４層を構成する。そして、第１層は波長１
５５０ｎｍの光に対する光学膜厚が０．０８３８λ、第
２層が同じく０．１６３５λ、第３層が同じく０．２６
７２λ、第４層が同じく０．２８３８λである。
ームスプリッタのものである。この実施例は、基板に屈
折率１．５１程度のＢＫ−７を用い、その一方の面に屈
折率２．２５のＴｉＯ2 および１．４６のＳｉ０2 を交
互に配置して４層を構成する。そして、第１層は波長１
５５０ｎｍの光に対する光学膜厚が０．０８３８λ、第
２層が同じく０．１６３５λ、第３層が同じく０．２６
７２λ、第４層が同じく０．２８３８λである。
【００１８】図７の特性は、５％の反射特性を有するビ
ームスプリッタのものである。この実施例は、基板に屈
折率１．５１程度のＢＫ−７を用い、その一方の面に屈
折率２．２５のＴｉＯ2 および１．４６のＳｉ０2 を交
互に配置して４層を構成する。そして、第１層は波長１
５５０ｎｍの光に対する光学膜厚が０．０７９０λ、第
２層が同じく０．１７９０λ、第３層が同じく０．２６
７２λ、第４層が同じく０．２８３８λである。
ームスプリッタのものである。この実施例は、基板に屈
折率１．５１程度のＢＫ−７を用い、その一方の面に屈
折率２．２５のＴｉＯ2 および１．４６のＳｉ０2 を交
互に配置して４層を構成する。そして、第１層は波長１
５５０ｎｍの光に対する光学膜厚が０．０７９０λ、第
２層が同じく０．１７９０λ、第３層が同じく０．２６
７２λ、第４層が同じく０．２８３８λである。
【００１９】図８の特性は、６％の反射特性を有するビ
ームスプリッタのものである。この実施例は、基板に屈
折率１．５１程度のＢＫ−７を用い、その一方の面に屈
折率２．２５のＴｉＯ2 および１．４６のＳｉ０2 を交
互に配置して４層を構成する。そして、第１層は波長１
５５０ｎｍの光に対する光学膜厚が０．０８１０λ、第
２層が同じく０．１８６７λ、第３層が同じく０．２７
８７λ、第４層が同じく０．２８１３λである。
ームスプリッタのものである。この実施例は、基板に屈
折率１．５１程度のＢＫ−７を用い、その一方の面に屈
折率２．２５のＴｉＯ2 および１．４６のＳｉ０2 を交
互に配置して４層を構成する。そして、第１層は波長１
５５０ｎｍの光に対する光学膜厚が０．０８１０λ、第
２層が同じく０．１８６７λ、第３層が同じく０．２７
８７λ、第４層が同じく０．２８１３λである。
【００２０】図９は、上記実施例で基板として用いたＢ
Ｋ−７と称するガラス材における入射角と反射率との関
係を示したものである。このガラス材では、ある偏波面
Ｒｐを見ると、約５６°で反射率が０％となり、０°で
の約４％強の反射率から５６°の０％を経て以後急激に
反射率が増加する特性である。そして、入射角４５°で
は約１％弱である。他方、上記偏波面Ｒｐと直角な偏波
面Ｒｓを見ると、入射角０°で約４％である点はＲｐと
同様であるがそれから入射角が増すと反射率が増してい
く。ビームスプリッタとして利用される入射角４５°で
は、Ｒｐがほぼ１％でありＲｓがほぼ１０％である。
Ｋ−７と称するガラス材における入射角と反射率との関
係を示したものである。このガラス材では、ある偏波面
Ｒｐを見ると、約５６°で反射率が０％となり、０°で
の約４％強の反射率から５６°の０％を経て以後急激に
反射率が増加する特性である。そして、入射角４５°で
は約１％弱である。他方、上記偏波面Ｒｐと直角な偏波
面Ｒｓを見ると、入射角０°で約４％である点はＲｐと
同様であるがそれから入射角が増すと反射率が増してい
く。ビームスプリッタとして利用される入射角４５°で
は、Ｒｐがほぼ１％でありＲｓがほぼ１０％である。
【００２１】図１０は、このような特性のＢＫ−７材に
本発明による低偏波依存性の５％分離反射膜を組み合わ
せたときの特性を示している。すなわち、この場合の反
射率特性はＲｐとＲｓとが、ともに図９におけるそれら
の丁度中間の特性になり、入射角４５°では丁度５％の
反射率となる。
本発明による低偏波依存性の５％分離反射膜を組み合わ
せたときの特性を示している。すなわち、この場合の反
射率特性はＲｐとＲｓとが、ともに図９におけるそれら
の丁度中間の特性になり、入射角４５°では丁度５％の
反射率となる。
【００２２】したがって、信号光の丁度５％の光をモニ
タ用に取り出すことができる。
タ用に取り出すことができる。
【００２３】
【発明の効果】本発明は上述のように構成したため、種
々の効果を奏する。
々の効果を奏する。
【００２４】請求項１記載の構成によれば、、透明光学
基板の各面に配される反射分離膜および反射防止膜をと
もに誘電体からなる高屈折率層と低屈折率層とを交互に
蒸着した多層膜によって構成したため、ほぼ偏波依存性
がなくしかもモニタに適当な分岐率のビームスプリッタ
を提供することができる。
基板の各面に配される反射分離膜および反射防止膜をと
もに誘電体からなる高屈折率層と低屈折率層とを交互に
蒸着した多層膜によって構成したため、ほぼ偏波依存性
がなくしかもモニタに適当な分岐率のビームスプリッタ
を提供することができる。
【００２５】また請求項２記載の構成によれば、反射分
離膜の各層を所定膜厚のＴｉＯ2 とＳｉＯ2 とによる少
なくとも４層の各膜によって構成したため、低偏波依存
性に加えて１〜６％の分岐率を達成することができる。
離膜の各層を所定膜厚のＴｉＯ2 とＳｉＯ2 とによる少
なくとも４層の各膜によって構成したため、低偏波依存
性に加えて１〜６％の分岐率を達成することができる。
【００２６】さらに請求項３記載の構成によれば、反射
防止膜の各層を所定膜厚のＴｉＯ2とＳｉＯ2 とによる
少なくとも４層の各膜によって構成したため、低偏波依
存性に加えて反射を低減することができる。
防止膜の各層を所定膜厚のＴｉＯ2とＳｉＯ2 とによる
少なくとも４層の各膜によって構成したため、低偏波依
存性に加えて反射を低減することができる。
【図１】本発明に係るビームスプリッタの断面構造を示
した図。
した図。
【図２】本発明に係るビームスプリッタの光分岐作用を
示した図。
示した図。
【図３】１％の反射特性を有するビームスプリッタの波
長対反射率特性を示した図。
長対反射率特性を示した図。
【図４】２％の反射特性を有するビームスプリッタの波
長対反射率特性を示した図。
長対反射率特性を示した図。
【図５】３％の反射特性を有するビームスプリッタの波
長対反射率特性を示した図。
長対反射率特性を示した図。
【図６】４％の反射特性を有するビームスプリッタの波
長対反射率特性を示した図。
長対反射率特性を示した図。
【図７】５％の反射特性を有するビームスプリッタの波
長対反射率特性を示した図。
長対反射率特性を示した図。
【図８】６％の反射特性を有するビームスプリッタの波
長対反射率特性を示した図。
長対反射率特性を示した図。
【図９】ＢＫ−７と称するガラス材における入射角と反
射率との関係を示した特性図。
射率との関係を示した特性図。
【図１０】ＢＫ−７材に本発明による低偏波依存性の５
％分離反射膜を組み合わせたときの特性を示した図。
％分離反射膜を組み合わせたときの特性を示した図。
１ 基板 ２ ＴｉＯ2 ３ Ｓｉ０2 ４ ＴｉＯ2 ５ Ｓｉ０2 ６ 反射分離膜 ７ ＴｉＯ2 ８ Ｓｉ０2 ９ ＴｉＯ2 １０ Ｓｉ０2 １１ 反射防止膜
Claims (3)
- 【請求項１】透明光学基板の一面に、ともに誘電体から
なる高屈折率層と低屈折率層とを交互に蒸着した多層膜
によって構成され入射角４５°の光に対応する低偏波依
存性の反射分離膜を、また前記透明光学基板の他の面に
誘電体からなる高屈折率層と低屈折率層とを交互に蒸着
した多層膜によって構成される４５°入射光に対応する
反射防止膜をそれぞれそなえたビームスプリッタ。 - 【請求項２】請求項１記載のビームスプリッタにおい
て、 前記反射分離膜は、高屈折率層を形成する物質としてＴ
ｉＯ2 を、また低屈折率層を形成する物質としてＳｉＯ
2 を、基板側から順次ＴｉＯ2 ：０．０７λ〜０．１１
λ、ＳｉＯ2 ：０．０８λ〜０．１９λ、ＴｉＯ2 ：
０．２５λ〜０．２９λ、ＳｉＯ2 ：０．２８λ〜０．
３１λなる光学膜厚となるように、少なくとも４層重ね
て構成されたビームスプリッタ。 - 【請求項３】請求項１記載のビームスプリッタにおい
て、 前記反射防止膜は、高屈折率層を形成する物質としてＴ
ｉＯ2 を、また低屈折率層を形成する物質としてＳｉＯ
2 を、基板側から順次ＴｉＯ2 ：０．１λ〜０．１１
λ、ＳｉＯ2 ：０．０８λ〜０．１０λ、ＴｉＯ2 ：
０．２５λ〜０．２７λ、ＳｉＯ2 ：０．２８λ〜０．
３１λなる光学膜厚となるように、少なくとも４層重ね
て構成されたビームスプリッタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1060494A JPH07218722A (ja) | 1994-02-01 | 1994-02-01 | 光ビームスプリッタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1060494A JPH07218722A (ja) | 1994-02-01 | 1994-02-01 | 光ビームスプリッタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07218722A true JPH07218722A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=11754859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1060494A Pending JPH07218722A (ja) | 1994-02-01 | 1994-02-01 | 光ビームスプリッタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07218722A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012042665A (ja) * | 2010-08-18 | 2012-03-01 | Sony Corp | 光学機能素子および撮像装置 |
-
1994
- 1994-02-01 JP JP1060494A patent/JPH07218722A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012042665A (ja) * | 2010-08-18 | 2012-03-01 | Sony Corp | 光学機能素子および撮像装置 |
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