JPH0721970B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH0721970B2 JPH0721970B2 JP63324425A JP32442588A JPH0721970B2 JP H0721970 B2 JPH0721970 B2 JP H0721970B2 JP 63324425 A JP63324425 A JP 63324425A JP 32442588 A JP32442588 A JP 32442588A JP H0721970 B2 JPH0721970 B2 JP H0721970B2
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- dielectric
- less
- dielectric constant
- dielectric porcelain
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/10—Dielectric resonators
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、高い誘電率及び高い無負荷Ｑを有し、かつ、
温度特性も安定している誘電体磁器組成物に関するもの
である。
温度特性も安定している誘電体磁器組成物に関するもの
である。
（従来の技術） 一般に、マイクロ波やミリ波などの高周波領域の信号回
路に使用される誘電体強振器や誘電体基板には、高い誘
電率及び高い無負荷Ｑを有し、かつ、温度特性も安定し
ている誘電体磁器が用いられている。
路に使用される誘電体強振器や誘電体基板には、高い誘
電率及び高い無負荷Ｑを有し、かつ、温度特性も安定し
ている誘電体磁器が用いられている。
従来、この種の誘電体磁器としては、たとえば、Ba（Zn
・Ta）Ｏ系（特公昭59−4848号）、Ba（Zn・Nb）Ｏ系
（特公昭59−48483号）、Ba（Zn・Ta・Nb）Ｏ系（特公
昭59−23044号）など、あるいは、Ba（Mg・Ni・Ta）Ｏ
系（特開昭60−216407号）、Ba（Mg・Co・Ta）ｏ系（特
開昭61−8804号）などが提案されている。
・Ta）Ｏ系（特公昭59−4848号）、Ba（Zn・Nb）Ｏ系
（特公昭59−48483号）、Ba（Zn・Ta・Nb）Ｏ系（特公
昭59−23044号）など、あるいは、Ba（Mg・Ni・Ta）Ｏ
系（特開昭60−216407号）、Ba（Mg・Co・Ta）ｏ系（特
開昭61−8804号）などが提案されている。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、前述の特許公告公報３件のような組成か
らなる誘導体磁器は、誘電率が30〜40と高いものの、無
負荷Ｑは、10GHz程度の高周波帯において5000程度と小
さく、前述の特許公開公報２件のような組成からなる誘
電体磁器において8000程度と確かにある程度大きいが、
誘電率が25程度と低いものであって、近年、益々、通信
機器の高性能化が進むに伴って、それらに使用される誘
電体磁器に望まれている、より高い無負荷Ｑを有し、か
つ、大きな誘電率を有することという要望を満し得ない
ものであるという問題があった。
らなる誘導体磁器は、誘電率が30〜40と高いものの、無
負荷Ｑは、10GHz程度の高周波帯において5000程度と小
さく、前述の特許公開公報２件のような組成からなる誘
電体磁器において8000程度と確かにある程度大きいが、
誘電率が25程度と低いものであって、近年、益々、通信
機器の高性能化が進むに伴って、それらに使用される誘
電体磁器に望まれている、より高い無負荷Ｑを有し、か
つ、大きな誘電率を有することという要望を満し得ない
ものであるという問題があった。
本発明は、前記問題を解決し、10GHzの高周波帯におい
ても高い無負荷Ｑと大きい誘電率とをともに有し温度特
性の安定した誘電体磁器組成物を得ることを目的とする
ものである。
ても高い無負荷Ｑと大きい誘電率とをともに有し温度特
性の安定した誘電体磁器組成物を得ることを目的とする
ものである。
［課題を解決するための手段］ 本発明者等は、前記問題を解決し、前記目的を達成する
ために鋭意研究を重ねた結果、Ba、Zn、Mg、Ni、Zr、Ta
を特定割合で含有する酸化物組成物とすることによって
目的を達し得ることを見出して本発明を完成するに至っ
た。すなわち、本発明は、BaOとして59.0mol％以上66.0
mol％以下、ZnOとして10mol％未満、MgOとして10mol％
未満、NiOとして10mol％未満、ZrO2として10mol％未
満、Ta2O5として19.0mol％以上24mol％未満とを含有す
る誘電体磁器組成物である。
ために鋭意研究を重ねた結果、Ba、Zn、Mg、Ni、Zr、Ta
を特定割合で含有する酸化物組成物とすることによって
目的を達し得ることを見出して本発明を完成するに至っ
た。すなわち、本発明は、BaOとして59.0mol％以上66.0
mol％以下、ZnOとして10mol％未満、MgOとして10mol％
未満、NiOとして10mol％未満、ZrO2として10mol％未
満、Ta2O5として19.0mol％以上24mol％未満とを含有す
る誘電体磁器組成物である。
本発明における各成分は、それぞれ99.9重量％程度の純
度の酸化物粉末を使用することが好ましく、BaOが59.0m
ol％未満であったり、66.0mol％を超えると無負荷Ｑが
低下し、ZnOが10mol％以上になると無負荷Ｑが低下し、
ZnOがないと誘電率が低下したり無負荷Ｑが低下したり
し、MgOが10mol％以上になると誘電率が低下し、MgOが
ないと無負荷Ｑが低く、NiOが10mol％以上になると無負
荷Ｑが低下し、NiOがないと共振周波数の温度係数が正
に大きくなり過ぎ、ZrO2が10mol％を超えると温度係数
が大きくなり過ぎZrO2がないと誘電率が低下し、Ta2O5
が19mol％以上24mol％未満の範囲外では無負荷Ｑが低下
するので、各酸化物の含有範囲を前記範囲に限定したも
のである。
度の酸化物粉末を使用することが好ましく、BaOが59.0m
ol％未満であったり、66.0mol％を超えると無負荷Ｑが
低下し、ZnOが10mol％以上になると無負荷Ｑが低下し、
ZnOがないと誘電率が低下したり無負荷Ｑが低下したり
し、MgOが10mol％以上になると誘電率が低下し、MgOが
ないと無負荷Ｑが低く、NiOが10mol％以上になると無負
荷Ｑが低下し、NiOがないと共振周波数の温度係数が正
に大きくなり過ぎ、ZrO2が10mol％を超えると温度係数
が大きくなり過ぎZrO2がないと誘電率が低下し、Ta2O5
が19mol％以上24mol％未満の範囲外では無負荷Ｑが低下
するので、各酸化物の含有範囲を前記範囲に限定したも
のである。
このような割合で配合した原料粉末は、純水とともに、
たとえば樹脂製ポツトにいれ樹脂コーティングしたボー
ルを用いて、10〜20時間湿式混合した後、100〜150℃で
１〜３時間乾燥し、酸素雰囲気中、又は、大気中におい
て、1000〜1300℃で１〜５時間仮焼し、仮焼物を40〜10
0メッシュ程度に粉砕し、たとえば静水圧プレスで１〜2
kg/cm2の圧力で加圧成形し、加圧成形体を酸素雰囲気
中、又は、大気中において1450〜1650℃で２〜10時間焼
成して製品を得るものである。
たとえば樹脂製ポツトにいれ樹脂コーティングしたボー
ルを用いて、10〜20時間湿式混合した後、100〜150℃で
１〜３時間乾燥し、酸素雰囲気中、又は、大気中におい
て、1000〜1300℃で１〜５時間仮焼し、仮焼物を40〜10
0メッシュ程度に粉砕し、たとえば静水圧プレスで１〜2
kg/cm2の圧力で加圧成形し、加圧成形体を酸素雰囲気
中、又は、大気中において1450〜1650℃で２〜10時間焼
成して製品を得るものである。
（実施例） 次に、本発明の実施例を述べる。
実施例１〜９ 原料として、それぞれ純度99.9重量％の炭酸バリウム、
酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化ニッケル、酸化ジル
コニウム、酸化タンタルの各粉末を、製品誘導体磁器の
組成が表１に示すような種種の組成となるように秤取
し、これら秤取した原料粉末は、それぞれ純水とともに
樹脂製ポットにいれ、樹脂コーティングしたボールを用
いて16時間湿式で混合した。この混合物を、150℃で３
時間乾燥した後、酸素雰囲気中において、1000〜1200℃
で２時間仮焼成した。この仮焼物を粉砕して42メッシュ
の篩を通して整粒し、得られた粉末を金型を用いて500k
g/cm2の圧力で直径10mm、厚さ5mmの円板に１次成形した
後、2000kg/cm2の圧力で静水圧プレスして加圧成形体と
した。次に、この成形体を酸素雰囲気中で1500〜1650℃
で４時間焼成して誘電体磁器を得た。
酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化ニッケル、酸化ジル
コニウム、酸化タンタルの各粉末を、製品誘導体磁器の
組成が表１に示すような種種の組成となるように秤取
し、これら秤取した原料粉末は、それぞれ純水とともに
樹脂製ポットにいれ、樹脂コーティングしたボールを用
いて16時間湿式で混合した。この混合物を、150℃で３
時間乾燥した後、酸素雰囲気中において、1000〜1200℃
で２時間仮焼成した。この仮焼物を粉砕して42メッシュ
の篩を通して整粒し、得られた粉末を金型を用いて500k
g/cm2の圧力で直径10mm、厚さ5mmの円板に１次成形した
後、2000kg/cm2の圧力で静水圧プレスして加圧成形体と
した。次に、この成形体を酸素雰囲気中で1500〜1650℃
で４時間焼成して誘電体磁器を得た。
得られた誘電体磁器（εｒ）、無負荷Ｑ（Q0）及び共振
周波数の温度係数（τｆ）を誘電体円柱共振器法により
約10GHzの周波数において測定した。
周波数の温度係数（τｆ）を誘電体円柱共振器法により
約10GHzの周波数において測定した。
これらの結果を表１に示す。
比較例１〜10 実施例と同様にして表１中に示す組成の誘電体磁器を製
造し、実施例と同様にして各種試験を行なった。これら
の結果を表１に示す。
造し、実施例と同様にして各種試験を行なった。これら
の結果を表１に示す。
（発明の効果） 本発明は、Ba、Zn、Mg、Ni、Zr、Taなどを特定割合で含
有するようにしたので、誘電率及び無負荷Ｑがともに優
れ、温度特性も安定しているといったように、従来にな
い誘電体磁器組成物が得られたものであって、きわめて
顕著な効果が認められる。
有するようにしたので、誘電率及び無負荷Ｑがともに優
れ、温度特性も安定しているといったように、従来にな
い誘電体磁器組成物が得られたものであって、きわめて
顕著な効果が認められる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｐ 11/00 Ｊ
Claims (1)
- 【請求項１】BaOとして59.0mol％以上66.0mol％以下、Z
nOとして10mol％未満、MgOとして10mol％未満、NiOとし
て10mol％未満、ZrO2として10mol％未満、Ta2O5として1
9.0mol％以上24mol％未満を含有することを特徴とする
誘電体磁器組成物。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63324425A JPH0721970B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 誘電体磁器組成物 |
| US07/437,582 US4973567A (en) | 1988-12-22 | 1989-11-17 | Electric ceramic composition |
| DE89312158T DE68908382T2 (de) | 1988-12-22 | 1989-11-22 | Dielektrische keramische Zusammensetzung. |
| EP89312158A EP0377280B1 (en) | 1988-12-22 | 1989-11-22 | Dielectric ceramic composition |
| CA002003709A CA2003709C (en) | 1988-12-22 | 1989-11-23 | Electric ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63324425A JPH0721970B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02170307A JPH02170307A (ja) | 1990-07-02 |
| JPH0721970B2 true JPH0721970B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=18165656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63324425A Expired - Lifetime JPH0721970B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4973567A (ja) |
| EP (1) | EP0377280B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0721970B2 (ja) |
| CA (1) | CA2003709C (ja) |
| DE (1) | DE68908382T2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0838446B1 (en) * | 1996-10-25 | 2007-08-15 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | A dielectric material, a method for producing the same and a dielectric resonator device comprising same |
| CN114804867B (zh) * | 2022-04-29 | 2023-04-07 | 厦门松元电子股份有限公司 | 适合热压烧结的陶瓷介质材料、陶瓷器件及其制备方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5923044A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-06 | Kogata Gas Reibou Gijutsu Kenkyu Kumiai | ガスエンジン使用空気調和装置 |
| US4485180A (en) * | 1982-09-06 | 1984-11-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency dielectric ceramic compositions |
| JPS5948484A (ja) * | 1982-09-14 | 1984-03-19 | Kitasato Inst:The | 抗生物質ＯＭ−１７３α↓２およびβ↓２物質ならびにその製造方法 |
| JPS60216407A (ja) * | 1984-04-11 | 1985-10-29 | 株式会社村田製作所 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
| JPS618804A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-16 | 株式会社村田製作所 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
| JPS6287453A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-21 | 株式会社村田製作所 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
| JPH01142602A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-05 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Ｃｒｔフィルター |
| JPH0617263B2 (ja) * | 1988-09-30 | 1994-03-09 | 住友金属鉱山株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
-
1988
- 1988-12-22 JP JP63324425A patent/JPH0721970B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-11-17 US US07/437,582 patent/US4973567A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-11-22 DE DE89312158T patent/DE68908382T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-11-22 EP EP89312158A patent/EP0377280B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-11-23 CA CA002003709A patent/CA2003709C/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2003709C (en) | 1994-03-15 |
| DE68908382D1 (de) | 1993-09-16 |
| JPH02170307A (ja) | 1990-07-02 |
| EP0377280B1 (en) | 1993-08-11 |
| DE68908382T2 (de) | 1994-02-24 |
| EP0377280A1 (en) | 1990-07-11 |
| CA2003709A1 (en) | 1990-06-22 |
| US4973567A (en) | 1990-11-27 |
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