JPH07220855A - 被処理物の加熱方法および加熱装置 - Google Patents
被処理物の加熱方法および加熱装置Info
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- JPH07220855A JPH07220855A JP6011755A JP1175594A JPH07220855A JP H07220855 A JPH07220855 A JP H07220855A JP 6011755 A JP6011755 A JP 6011755A JP 1175594 A JP1175594 A JP 1175594A JP H07220855 A JPH07220855 A JP H07220855A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空容器内で処理される被処理物を、その全
体にわたって均一に加熱すると共に、被処理物の温度を
制御して処理のための最適温度を達成することができる
被処理物の加熱方法および加熱装置を提供する。 【構成】 真空容器（１）の底部に設けられた載置台
（２）の上に被処理物（Ａ，ａ）を載置する。この被処
理物（Ａ，ａ）に加熱用電線（３）を電気的に接続し、
この加熱用電線（３）を介して被処理物（Ａ，ａ）に電
流を流す。この電流によって前記被処理物（Ａ，ａ）の
内部にジュール熱が発生し、このジュール熱によって前
記被処理物（Ａ，ａ）を加熱すると共に、処理中の被処
理物（Ａ，ａ）の温度の変化に応じて被処理物（Ａ，
ａ）に流す電流の大きさを制御して、被処理物（Ａ，
ａ）を所望の温度に制御する。
体にわたって均一に加熱すると共に、被処理物の温度を
制御して処理のための最適温度を達成することができる
被処理物の加熱方法および加熱装置を提供する。 【構成】 真空容器（１）の底部に設けられた載置台
（２）の上に被処理物（Ａ，ａ）を載置する。この被処
理物（Ａ，ａ）に加熱用電線（３）を電気的に接続し、
この加熱用電線（３）を介して被処理物（Ａ，ａ）に電
流を流す。この電流によって前記被処理物（Ａ，ａ）の
内部にジュール熱が発生し、このジュール熱によって前
記被処理物（Ａ，ａ）を加熱すると共に、処理中の被処
理物（Ａ，ａ）の温度の変化に応じて被処理物（Ａ，
ａ）に流す電流の大きさを制御して、被処理物（Ａ，
ａ）を所望の温度に制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は真空容器内で被処理物を
処理する際の被処理物の加熱方法および加熱装置に係
り、特に被処理物それ自体に電流を流してジュール熱を
発生させ、このジュール熱によって被処理物を加熱する
加熱方法および加熱装置に関する。
処理する際の被処理物の加熱方法および加熱装置に係
り、特に被処理物それ自体に電流を流してジュール熱を
発生させ、このジュール熱によって被処理物を加熱する
加熱方法および加熱装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】真空容器内でウェハーやガラス基板等の
被処理物を処理して半導体や液晶を製造する際には、先
ず真空容器内に配置された載置台の上面に被処理物が載
せられる。この載置台の内部には、温度調整された温水
が流れる通路が形成されており、この温水によって載置
台が加熱される。載置台が加熱されると、載置台の上に
載せられた被処理物が載置台からの熱によって加熱され
る。この場合、載置台から被処理物への熱の伝達機構
は、載置台の上面と被処理物の裏面との接触面を介した
熱伝導、および、載置台から被処理物への熱輻射の２つ
である。
被処理物を処理して半導体や液晶を製造する際には、先
ず真空容器内に配置された載置台の上面に被処理物が載
せられる。この載置台の内部には、温度調整された温水
が流れる通路が形成されており、この温水によって載置
台が加熱される。載置台が加熱されると、載置台の上に
載せられた被処理物が載置台からの熱によって加熱され
る。この場合、載置台から被処理物への熱の伝達機構
は、載置台の上面と被処理物の裏面との接触面を介した
熱伝導、および、載置台から被処理物への熱輻射の２つ
である。
【０００３】なお、載置台の加熱方法としては、載置台
の内部に温水を流すかわりに、載置台の内部に電気ヒー
ターを埋設する方法、或いは載置台の内部ではなく真空
容器内の被処理物の近傍に遠赤外線ヒーターを配設する
方法も知られている。
の内部に温水を流すかわりに、載置台の内部に電気ヒー
ターを埋設する方法、或いは載置台の内部ではなく真空
容器内の被処理物の近傍に遠赤外線ヒーターを配設する
方法も知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来技
術においては、真空中での熱の伝達機構が伝導と輻射に
限られ、対流による熱伝達が行われないために、加熱さ
れた載置台から被処理物への熱伝達が不十分となるとい
う問題がある。すなわち、載置台の上面または被処理物
の裏面は微視的に見ると多くの凹凸を有しているため、
載置台の上面と被処理物裏面との接触面積が小さくな
り、載置台から被処理物への熱伝導効率が著しく低下す
る。この結果、被処理物を処理する際の被処理物の温度
を、処理のための最適温度に制御することが困難であっ
た。
術においては、真空中での熱の伝達機構が伝導と輻射に
限られ、対流による熱伝達が行われないために、加熱さ
れた載置台から被処理物への熱伝達が不十分となるとい
う問題がある。すなわち、載置台の上面または被処理物
の裏面は微視的に見ると多くの凹凸を有しているため、
載置台の上面と被処理物裏面との接触面積が小さくな
り、載置台から被処理物への熱伝導効率が著しく低下す
る。この結果、被処理物を処理する際の被処理物の温度
を、処理のための最適温度に制御することが困難であっ
た。
【０００５】また、載置台の上面と被処理物の裏面との
接触面積を微視的に観察した場合、この微視的接触面積
が被処理物全体で均一とはならない。このため、載置台
から被処理物への熱伝達効率も被処理物全体で均一とは
ならず、被処理物面内の温度分布にばらつきが生じる。
この温度分布のばらつきは、例えば大口径のウェハーに
エッチング処理を施す場合、ウェハーのエッチング速度
がウェハーの被処理面内の場所によって異なるという不
都合をもたらす。最終的には、一枚のウェハーから製造
した半導体素子であるにもかかわらず、素子間の品質に
ばらつきが生じて製品の歩留まりの低下をもたらすとい
う問題を生じる。
接触面積を微視的に観察した場合、この微視的接触面積
が被処理物全体で均一とはならない。このため、載置台
から被処理物への熱伝達効率も被処理物全体で均一とは
ならず、被処理物面内の温度分布にばらつきが生じる。
この温度分布のばらつきは、例えば大口径のウェハーに
エッチング処理を施す場合、ウェハーのエッチング速度
がウェハーの被処理面内の場所によって異なるという不
都合をもたらす。最終的には、一枚のウェハーから製造
した半導体素子であるにもかかわらず、素子間の品質に
ばらつきが生じて製品の歩留まりの低下をもたらすとい
う問題を生じる。
【０００６】さらに、複数の被処理物を次々に処理する
場合、載置台の上面および被処理物の裏面に存在する凹
凸形状のために、載置面と被処理物の裏面との接触面積
は一連の処理の間で一定しない。このため、載置台を加
熱するための温水の温度条件を一定にした場合において
も、載置台から被処理物への熱伝達効率が一定せず、こ
の結果、処理中の被処理物の温度が各被処理物間でまち
まちとなる。この各被処理物間での処理中温度のばらつ
きは、最終的に完成された製品（半導体素子等）の品質
のばらつきをもたらし、製品の歩留まりの低下を引き起
こすという問題がある。なお、同じ理由で、複数の被処
理物を同時に処理するバッチ処理においても、各被処理
物間で処理にばらつきが生じる。
場合、載置台の上面および被処理物の裏面に存在する凹
凸形状のために、載置面と被処理物の裏面との接触面積
は一連の処理の間で一定しない。このため、載置台を加
熱するための温水の温度条件を一定にした場合において
も、載置台から被処理物への熱伝達効率が一定せず、こ
の結果、処理中の被処理物の温度が各被処理物間でまち
まちとなる。この各被処理物間での処理中温度のばらつ
きは、最終的に完成された製品（半導体素子等）の品質
のばらつきをもたらし、製品の歩留まりの低下を引き起
こすという問題がある。なお、同じ理由で、複数の被処
理物を同時に処理するバッチ処理においても、各被処理
物間で処理にばらつきが生じる。
【０００７】また、真空容器内に遠赤外線ヒーターを配
設した場合、被処理物への熱伝達機構は輻射に限定され
るため、被処理物を効率的に加熱することが難しいとい
う問題がある。さらに、被処理物全体を均一に加熱する
ためには被処理物とヒーターとの位置関係を適切に取ら
なければならないが、真空容器内のスペースには限りが
あるために実際には非常な困難が伴い、被処理物を均一
に加熱することは不可能である。また、被処理物の処理
面が既に前の工程によって処理されて、表面に凹凸形状
が形成されている場合、凹部への輻射熱が凸部によって
遮られる。このため、凹部の加熱が不十分となり、被処
理物全体を均一に加熱することが困難となる。
設した場合、被処理物への熱伝達機構は輻射に限定され
るため、被処理物を効率的に加熱することが難しいとい
う問題がある。さらに、被処理物全体を均一に加熱する
ためには被処理物とヒーターとの位置関係を適切に取ら
なければならないが、真空容器内のスペースには限りが
あるために実際には非常な困難が伴い、被処理物を均一
に加熱することは不可能である。また、被処理物の処理
面が既に前の工程によって処理されて、表面に凹凸形状
が形成されている場合、凹部への輻射熱が凸部によって
遮られる。このため、凹部の加熱が不十分となり、被処
理物全体を均一に加熱することが困難となる。
【０００８】そこで、本発明の目的は、真空容器内で被
処理物を処理する際に、被処理物をその全体にわたって
均一に加熱することができるとともに、被処理物の温度
制御を適切に行って、処理のための最適温度を達成する
ことができる被処理物の加熱方法および加熱装置を提供
することにある。
処理物を処理する際に、被処理物をその全体にわたって
均一に加熱することができるとともに、被処理物の温度
制御を適切に行って、処理のための最適温度を達成する
ことができる被処理物の加熱方法および加熱装置を提供
することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、真空容器内で被処理物を処理する際の被
処理物の加熱方法であって、前記被処理物に電流を流
し、この電流によって前記被処理物の内部に発生するジ
ュール熱によって前記被処理物を加熱することを特徴と
するものである。
に、本発明は、真空容器内で被処理物を処理する際の被
処理物の加熱方法であって、前記被処理物に電流を流
し、この電流によって前記被処理物の内部に発生するジ
ュール熱によって前記被処理物を加熱することを特徴と
するものである。
【００１０】また、被処理物に流す電流を、被処理物の
全体にわたって均一な分布で流すことによって、被処理
物全体を均一に加熱することができる。
全体にわたって均一な分布で流すことによって、被処理
物全体を均一に加熱することができる。
【００１１】さらに、被処理物の温度の変化に応じて被
処理物に流す電流の大きさを変えることによって、被処
理物の加熱温度を制御することが好ましい。
処理物に流す電流の大きさを変えることによって、被処
理物の加熱温度を制御することが好ましい。
【００１２】また、被処理物の温度の変化に応じて前記
被処理物に流す電流のオン・オフを制御することによっ
て、前記被処理物の内部に発生するジュール熱の量を制
御し、被処理物の加熱温度を制御することもできる。
被処理物に流す電流のオン・オフを制御することによっ
て、前記被処理物の内部に発生するジュール熱の量を制
御し、被処理物の加熱温度を制御することもできる。
【００１３】また、被処理物が載置される載置台を加熱
手段によって加熱し、加熱された載置台からの熱および
被処理物の内部を流れる電流によって生じるジュール熱
の両方によって被処理物を加熱することもできる。
手段によって加熱し、加熱された載置台からの熱および
被処理物の内部を流れる電流によって生じるジュール熱
の両方によって被処理物を加熱することもできる。
【００１４】
【作用】真空容器内の被処理物に電流を流すと、被処理
物の固有の抵抗値に応じて被処理物内部にジュール熱が
発生し、被処理物が加熱される。ここで、被処理物に流
される電流をｉ、被処理物の固有抵抗値をＲ、被処理物
内部に発生するジュール熱をＱ、通電時間をｔとすれ
ば、ジュール熱Ｑの発生率ｄＱ／ｄｔは、ｄＱ／ｄｔ＝
ｉ2 Ｒで表される。
物の固有の抵抗値に応じて被処理物内部にジュール熱が
発生し、被処理物が加熱される。ここで、被処理物に流
される電流をｉ、被処理物の固有抵抗値をＲ、被処理物
内部に発生するジュール熱をＱ、通電時間をｔとすれ
ば、ジュール熱Ｑの発生率ｄＱ／ｄｔは、ｄＱ／ｄｔ＝
ｉ2 Ｒで表される。
【００１５】また、被処理物に流す電流を、被処理物の
全体にわたって均一な分布で流すことによって、被処理
物全体を均一に加熱して、被処理物の処理をその全体に
わたって均一に施すことができる。
全体にわたって均一な分布で流すことによって、被処理
物全体を均一に加熱して、被処理物の処理をその全体に
わたって均一に施すことができる。
【００１６】さらに、被処理物の温度の変化に応じて被
処理物に流す電流ｉの大きさを制御することによって、
被処理物の内部に発生するジュール熱Ｑの発生率ｄＱ／
ｄｔを制御することが可能であり、これによって被処理
物の加熱温度を制御することができる。
処理物に流す電流ｉの大きさを制御することによって、
被処理物の内部に発生するジュール熱Ｑの発生率ｄＱ／
ｄｔを制御することが可能であり、これによって被処理
物の加熱温度を制御することができる。
【００１７】また、被処理物の温度の変化に応じて前記
被処理物に流す電流のオン・オフを制御することによっ
て、前記被処理物の内部に発生するジュール熱の量を制
御することが可能であり、これによって被処理物の加熱
温度を制御することができる。
被処理物に流す電流のオン・オフを制御することによっ
て、前記被処理物の内部に発生するジュール熱の量を制
御することが可能であり、これによって被処理物の加熱
温度を制御することができる。
【００１８】また、載置台を加熱手段によって加熱し、
加熱された載置台からの熱および被処理物の内部を流れ
る電流によって生じるジュール熱の両方によって被処理
物を加熱することによって、被処理物を効率的に加熱す
ることができる。
加熱された載置台からの熱および被処理物の内部を流れ
る電流によって生じるジュール熱の両方によって被処理
物を加熱することによって、被処理物を効率的に加熱す
ることができる。
【００１９】
【実施例】以下本発明による被処理物の加熱装置の一実
施例について図面を参照して説明する。
施例について図面を参照して説明する。
【００２０】図１において、符号１は真空容器を示し、
この真空容器１は、その内部を排気して真空にするため
の排気手段（図示を省略）と接続されている。真空容器
１の内部には直方体形状の外形を有する載置台２が真空
容器１と絶縁的に配設されている。
この真空容器１は、その内部を排気して真空にするため
の排気手段（図示を省略）と接続されている。真空容器
１の内部には直方体形状の外形を有する載置台２が真空
容器１と絶縁的に配設されている。
【００２１】この載置台２の上面には、この面に載せら
れる被処理基板Ａの温度を測定するための測温手段（図
示を省略）が設けられている。この測温手段は、被処理
基板Ａを載置台２に載せたときに被処理基板Ａの裏面に
接触するように配設されている。なお、測温手段には熱
電対等が使用される。
れる被処理基板Ａの温度を測定するための測温手段（図
示を省略）が設けられている。この測温手段は、被処理
基板Ａを載置台２に載せたときに被処理基板Ａの裏面に
接触するように配設されている。なお、測温手段には熱
電対等が使用される。
【００２２】また、この載置台２の内部には流体通路が
形成されており、この流体通路には所定の温度に制御さ
れた温水が流れている。
形成されており、この流体通路には所定の温度に制御さ
れた温水が流れている。
【００２３】載置台２の近くには複数の加熱用電線３、
３…３が配設されており、これらの加熱用電線３、３…
３のそれぞれの一端には端子４、４…４が取り付けられ
ている。
３…３が配設されており、これらの加熱用電線３、３…
３のそれぞれの一端には端子４、４…４が取り付けられ
ている。
【００２４】加熱用電線３、３…３は、加熱用電源（図
示を省略）に電気的に接続されている。この加熱用電源
は、印加電圧の大きさを制御する電圧制御手段（図示を
省略）を有している。この電圧制御手段は、被処理基板
Ａの温度を測定するための測温手段と電気的に接続され
ている。
示を省略）に電気的に接続されている。この加熱用電源
は、印加電圧の大きさを制御する電圧制御手段（図示を
省略）を有している。この電圧制御手段は、被処理基板
Ａの温度を測定するための測温手段と電気的に接続され
ている。
【００２５】なお、加熱用電源には、直流電源または交
流電源のいずれを使用することもできる。
流電源のいずれを使用することもできる。
【００２６】次に、上述のように構成された本発明によ
る被処理物の加熱装置の作用を説明する。
る被処理物の加熱装置の作用を説明する。
【００２７】図１において、先ず、載置台２の上面に被
処理基板Ａを載置し、真空容器１内を排気手段によって
真空に排気する。被処理基板Ａの上面には薄膜ａが形成
されており、この薄膜ａが処理の対象である。なお、薄
膜ａは、被処理基板Ａの上面に、この上面の外周付近に
一定の幅を残して長方形状に形成されている。
処理基板Ａを載置し、真空容器１内を排気手段によって
真空に排気する。被処理基板Ａの上面には薄膜ａが形成
されており、この薄膜ａが処理の対象である。なお、薄
膜ａは、被処理基板Ａの上面に、この上面の外周付近に
一定の幅を残して長方形状に形成されている。
【００２８】被処理基板Ａが載置台２の上面に載せられ
ると、載置台２はその内部を流れる温水によって加熱さ
れているため、被処理基板Ａは載置台２からの伝導熱お
よび輻射熱によって加熱される。また、載置台２の上面
に設けらた測温手段は、被処理基板Ａが載置台２の上に
載せられると同時に被処理基板Ａの裏面に接触する。
ると、載置台２はその内部を流れる温水によって加熱さ
れているため、被処理基板Ａは載置台２からの伝導熱お
よび輻射熱によって加熱される。また、載置台２の上面
に設けらた測温手段は、被処理基板Ａが載置台２の上に
載せられると同時に被処理基板Ａの裏面に接触する。
【００２９】次に、薄膜ａの上面に複数の端子４、４…
４を取り付ける。これらの端子４、４…４の取り付け位
置は、長方形状の薄膜ａの一対の長辺の近傍に、それぞ
れの端子４、４…４が長辺と平行に等間隔で直線状に並
ぶようにする。
４を取り付ける。これらの端子４、４…４の取り付け位
置は、長方形状の薄膜ａの一対の長辺の近傍に、それぞ
れの端子４、４…４が長辺と平行に等間隔で直線状に並
ぶようにする。
【００３０】これらの端子４、４…４は加熱用電線３、
３…３を介して加熱用電源に接続されているが、これら
の端子４、４…４の内、薄膜ａの一方の長辺の近傍に一
列に並べられた第１端子群は、加熱用電源の一方の端子
に接続されると共に、薄膜ａの他方の長辺の近傍に一列
に並べられた第２端子群は、加熱用電源の他方の端子に
接続されている。
３…３を介して加熱用電源に接続されているが、これら
の端子４、４…４の内、薄膜ａの一方の長辺の近傍に一
列に並べられた第１端子群は、加熱用電源の一方の端子
に接続されると共に、薄膜ａの他方の長辺の近傍に一列
に並べられた第２端子群は、加熱用電源の他方の端子に
接続されている。
【００３１】次に、加熱用電源のスイッチを入れて加熱
用電線３、３…３に電流を流し、この電流を端子４、４
…４を介して被処理基板Ａの上面に形成された薄膜ａに
流入させる。ここで、端子４、４…４の第１端子群と第
２端子群とが薄膜ａ上面で対称的に配置されているた
め、薄膜ａに流れ込んだ電流は薄膜ａの内部を均一分布
で流れる。薄膜ａ内を流れる電流によって、薄膜ａの抵
抗値に応じたジュール熱が薄膜ａ内に発生し、このジュ
ール熱によって薄膜ａが加熱される。
用電線３、３…３に電流を流し、この電流を端子４、４
…４を介して被処理基板Ａの上面に形成された薄膜ａに
流入させる。ここで、端子４、４…４の第１端子群と第
２端子群とが薄膜ａ上面で対称的に配置されているた
め、薄膜ａに流れ込んだ電流は薄膜ａの内部を均一分布
で流れる。薄膜ａ内を流れる電流によって、薄膜ａの抵
抗値に応じたジュール熱が薄膜ａ内に発生し、このジュ
ール熱によって薄膜ａが加熱される。
【００３２】加熱された薄膜ａが所定の温度に達した
後、真空容器１内に反応性ガス等を導入して薄膜ａの処
理作業を開始する。通常、処理作業が開始されると、処
理に伴って薄膜ａに反応熱等が発生し、この反応熱によ
って薄膜ａおよび被処理基板Ａの温度が変化する。
後、真空容器１内に反応性ガス等を導入して薄膜ａの処
理作業を開始する。通常、処理作業が開始されると、処
理に伴って薄膜ａに反応熱等が発生し、この反応熱によ
って薄膜ａおよび被処理基板Ａの温度が変化する。
【００３３】そこで、薄膜ａの温度を所定値に制御する
ために、被処理基板Ａの裏面に接触している熱電対で被
処理基板Ａの温度を測定する。この熱電対からの信号は
加熱用電源の電圧を制御する電圧制御手段に送られる。
もし処理中の被処理基板Ａの温度が所定の温度よりも高
くなった場合には、印加電圧を下げるか、またはゼロに
して、薄膜ａの内部を流れる電流の量を制限し、薄膜ａ
の加熱率を小さくする。逆に、被処理基板Ａの温度が所
定の温度よりも低くなった場合には、印加電圧を上げ
て、薄膜ａの内部を流れる電流の量を増加させ、薄膜ａ
の加熱率を大きくする。
ために、被処理基板Ａの裏面に接触している熱電対で被
処理基板Ａの温度を測定する。この熱電対からの信号は
加熱用電源の電圧を制御する電圧制御手段に送られる。
もし処理中の被処理基板Ａの温度が所定の温度よりも高
くなった場合には、印加電圧を下げるか、またはゼロに
して、薄膜ａの内部を流れる電流の量を制限し、薄膜ａ
の加熱率を小さくする。逆に、被処理基板Ａの温度が所
定の温度よりも低くなった場合には、印加電圧を上げ
て、薄膜ａの内部を流れる電流の量を増加させ、薄膜ａ
の加熱率を大きくする。
【００３４】このように、処理中に被処理基板Ａの温度
を測定し、この温度に応じて薄膜ａの内部を流れる電流
の量を制御することによって、薄膜ａの温度を所望の値
に制御することができる。
を測定し、この温度に応じて薄膜ａの内部を流れる電流
の量を制御することによって、薄膜ａの温度を所望の値
に制御することができる。
【００３５】なお、前記薄膜ａは、モリブデン（Ｍ
ｏ）、モリブデン化合物（モリブデンタンタル等）、ア
ルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、クロム（Ｃ
ｒ）、クロム合金、チタン（Ｔｉ）、チタン化合物（Ｔ
ｉＮ等）、タングステン（Ｗ）、タングステン化合物
（ＴｉＷ等）等の金属膜、または、シリコン（Ｓｉ）、
ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等の
半導体膜および液晶等が対象となる。
ｏ）、モリブデン化合物（モリブデンタンタル等）、ア
ルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、クロム（Ｃ
ｒ）、クロム合金、チタン（Ｔｉ）、チタン化合物（Ｔ
ｉＮ等）、タングステン（Ｗ）、タングステン化合物
（ＴｉＷ等）等の金属膜、または、シリコン（Ｓｉ）、
ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等の
半導体膜および液晶等が対象となる。
【００３６】また、本実施例における被処理物は長方形
状であるが、本発明による加熱方法および加熱装置は、
長方形状の被処理物以外にも適用できるものであり、例
えば円盤形状を有する被処理物（シリコンウェハー等）
に適用することも可能である。
状であるが、本発明による加熱方法および加熱装置は、
長方形状の被処理物以外にも適用できるものであり、例
えば円盤形状を有する被処理物（シリコンウェハー等）
に適用することも可能である。
【００３７】さらに、薄膜ａの上面への端子４、４…４
の取り付け方法は、例えば端子４、４…４を適度の重さ
を有する材料によって形成し、端子４、４…４を薄膜ａ
の上面へ載置し、端子４、４…４の自重によって取り付
ける方法、薄膜ａの上面の端子４、４…４の取り付け位
置に粘着性の導電材を塗り付け、この導電材を介して端
子４、４…４を取り付けることによって薄膜ａと端子
４、４…４を電気的に接続する方法、端子４、４…４を
クリップタイプのものとし、被処理基板Ａと共に薄膜ａ
をクリップで挟持することによって電気的に接続する方
法、端子４、４…４を適度のバネ力で伸縮する構造の物
で形成し、端子４、４…４を薄膜ａの上部で上下する機
構の板状の物に取り付け、その上下の動きとバネ力によ
り常に一定の押し付け圧力で、薄膜ａと端子４、４…４
を電気的に接続する方法、さらに、上記各種の方法にお
いて、端子４、４…４の薄膜ａと接触する部分を針状に
することにより、薄膜ａの上に有機系薄膜等が塗布され
ている場合でも、有機系薄膜を突き抜けて薄膜ａと端子
４、４…４を電気的に接続する方法等がある。
の取り付け方法は、例えば端子４、４…４を適度の重さ
を有する材料によって形成し、端子４、４…４を薄膜ａ
の上面へ載置し、端子４、４…４の自重によって取り付
ける方法、薄膜ａの上面の端子４、４…４の取り付け位
置に粘着性の導電材を塗り付け、この導電材を介して端
子４、４…４を取り付けることによって薄膜ａと端子
４、４…４を電気的に接続する方法、端子４、４…４を
クリップタイプのものとし、被処理基板Ａと共に薄膜ａ
をクリップで挟持することによって電気的に接続する方
法、端子４、４…４を適度のバネ力で伸縮する構造の物
で形成し、端子４、４…４を薄膜ａの上部で上下する機
構の板状の物に取り付け、その上下の動きとバネ力によ
り常に一定の押し付け圧力で、薄膜ａと端子４、４…４
を電気的に接続する方法、さらに、上記各種の方法にお
いて、端子４、４…４の薄膜ａと接触する部分を針状に
することにより、薄膜ａの上に有機系薄膜等が塗布され
ている場合でも、有機系薄膜を突き抜けて薄膜ａと端子
４、４…４を電気的に接続する方法等がある。
【００３８】また、前記端子４、４…４は、一対の細長
の帯状導体または細長の板状導体によって形成すること
もできる。この場合、一方の導体を薄膜ａの一対の長辺
のいずれか一方の近傍に、この長辺と平行になるように
薄膜ａの上面に載置し、他方の帯状導体を他方の長辺の
近傍に、この長辺と平行になるように薄膜ａの上面に載
置する。このように、一対の細長の帯状または板状導体
を使用し、両導体を互いに平行に配置することによっ
て、薄膜ａの内部を流れる電流の分布を均一化すること
ができる。
の帯状導体または細長の板状導体によって形成すること
もできる。この場合、一方の導体を薄膜ａの一対の長辺
のいずれか一方の近傍に、この長辺と平行になるように
薄膜ａの上面に載置し、他方の帯状導体を他方の長辺の
近傍に、この長辺と平行になるように薄膜ａの上面に載
置する。このように、一対の細長の帯状または板状導体
を使用し、両導体を互いに平行に配置することによっ
て、薄膜ａの内部を流れる電流の分布を均一化すること
ができる。
【００３９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、被処理物に電流を流して被処理物の内部で発
生するジュール熱によって被処理物を加熱するようにし
たので、被処理物が真空中におかれているにもかかわら
ず、被処理物を確実に加熱することができる。
によれば、被処理物に電流を流して被処理物の内部で発
生するジュール熱によって被処理物を加熱するようにし
たので、被処理物が真空中におかれているにもかかわら
ず、被処理物を確実に加熱することができる。
【００４０】また、被処理物に取り付ける端子の配置
を、被処理物の形状に応じて適切に選択することによっ
て、被処理物内を流れる電流の分布を被処理物全体にわ
たって均一化することが可能であり、これによって被処
理物全体を均一に加熱することができるため、被処理物
の全体にわたって均一に処理を施すことができる。
を、被処理物の形状に応じて適切に選択することによっ
て、被処理物内を流れる電流の分布を被処理物全体にわ
たって均一化することが可能であり、これによって被処
理物全体を均一に加熱することができるため、被処理物
の全体にわたって均一に処理を施すことができる。
【００４１】さらに、被処理物の温度に応じて被処理物
に流す電流の量を制御するようにしたので、処理中の被
処理物の温度を的確に制御することができ、被処理物の
温度を処理のための最適温度に維持して良好な処理を施
すことができる。
に流す電流の量を制御するようにしたので、処理中の被
処理物の温度を的確に制御することができ、被処理物の
温度を処理のための最適温度に維持して良好な処理を施
すことができる。
【００４２】また、被処理物の温度の変化に応じて前記
被処理物に流す電流のオン・オフを制御するようにした
ので、前記被処理物の内部に発生するジュール熱の量を
制御することが可能であり、これによって被処理物の加
熱温度を的確に制御することができ、被処理物の温度を
処理のための最適温度に維持して良好な処理を施すこと
ができる。
被処理物に流す電流のオン・オフを制御するようにした
ので、前記被処理物の内部に発生するジュール熱の量を
制御することが可能であり、これによって被処理物の加
熱温度を的確に制御することができ、被処理物の温度を
処理のための最適温度に維持して良好な処理を施すこと
ができる。
【００４３】また、被処理物が載置される載置台を加熱
手段によって加熱し、この加熱された載置台からの熱お
よび被処理物の内部を流れる電流によって生じるジュー
ル熱の両方によって被処理物を加熱するようにしたか
ら、被処理物の加熱を効率的に行うことができる。
手段によって加熱し、この加熱された載置台からの熱お
よび被処理物の内部を流れる電流によって生じるジュー
ル熱の両方によって被処理物を加熱するようにしたか
ら、被処理物の加熱を効率的に行うことができる。
【図１】本発明による被処理物の加熱装置の一実施例を
示した斜視図。
示した斜視図。
１ 真空容器 ２ 載置台 ３ 加熱用電線 ４ 端子 Ａ 被処理基板 ａ 被処理基板の上面に形成された薄膜
Claims (9)
- 【請求項１】真空容器内で被処理物を処理する際の被処
理物の加熱方法であって、前記被処理物に電流を流し、
この電流によって前記被処理物の内部に発生するジュー
ル熱によって前記被処理物を加熱することを特徴とする
被処理物の加熱方法。 - 【請求項２】前記被処理物に流す電流は、前記被処理物
の全体にわたって均一に流されることを特徴とする請求
項１に記載の被処理物の加熱方法。 - 【請求項３】前記被処理物の温度の変化に応じて前記被
処理物に流す電流の大きさを制御することによって前記
被処理物の加熱率を制御することを特徴とする請求項１
または２に記載の被処理物の加熱方法。 - 【請求項４】前記被処理物の温度の変化に応じて前記被
処理物に流す電流のオン・オフを制御することによって
前記被処理物の内部に発生するジュール熱の量を制御す
ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の
被処理物の加熱方法。 - 【請求項５】前記真空容器の底部にはこの真空容器と絶
縁的に載置台が取り付けられており、この載置台の上に
は前記被処理物が載置され、前記載置台は加熱手段によ
って加熱され、前記載置台の上に載置されている前記被
処理物は加熱された前記載置台からの熱および前記被処
理物の内部を流れる電流によって生じるジュール熱の両
方によって加熱されることを特徴とする請求項１乃至４
のいずれかに記載の被処理物の加熱方法。 - 【請求項６】真空容器と、この真空容器の底部にこれと
絶縁的に取り付けられた載置台と、前記真空容器の内部
に設けられた加熱用電線と、前記加熱用電線に電流を流
すための加熱用電源とを備え、前記載置台の上に載置さ
れた被処理物に前記加熱用電線が電気的に接続され、前
記加熱用電線を介して前記被処理物内に電流が流され、
この電流によって前記被処理物の内部にジュール熱が発
生し、このジュール熱によって前記被処理物が加熱され
ること特徴とする被処理物の加熱装置。 - 【請求項７】前記被処理物に流す電流は、前記被処理物
の全体にわたって均一に流されることを特徴とする請求
項６に記載の被処理物の加熱装置。 - 【請求項８】前記加熱用電源は電圧制御手段を有し、こ
の電圧制御手段によって前記加熱用電源の印加電圧の大
きさが制御され、この印加電圧の制御によって前記被処
理物に流れる電流の大きさを制御することを特徴とする
請求項６または７に記載の被処理物の加熱装置。 - 【請求項９】前記載置台は加熱手段によって加熱され、
前記被処理物は加熱された載置台からの熱および前記被
処理物の内部を流れる電流によって生じるジュール熱の
双方によって加熱されることを特徴とする請求項６乃至
８のいずれかに記載の被処理物の加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6011755A JP2771442B2 (ja) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 被処理物の加熱方法および加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6011755A JP2771442B2 (ja) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 被処理物の加熱方法および加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07220855A true JPH07220855A (ja) | 1995-08-18 |
| JP2771442B2 JP2771442B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=11786813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6011755A Expired - Fee Related JP2771442B2 (ja) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 被処理物の加熱方法および加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2771442B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001044209A (ja) * | 1999-07-27 | 2001-02-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ＧａＮ系半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58170531A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-07 | Toshiba Corp | 真空用試料加熱装置 |
| JPH0593610U (ja) * | 1992-05-28 | 1993-12-21 | 石川島播磨重工業株式会社 | ロール加熱圧延装置 |
-
1994
- 1994-02-03 JP JP6011755A patent/JP2771442B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58170531A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-07 | Toshiba Corp | 真空用試料加熱装置 |
| JPH0593610U (ja) * | 1992-05-28 | 1993-12-21 | 石川島播磨重工業株式会社 | ロール加熱圧延装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001044209A (ja) * | 1999-07-27 | 2001-02-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ＧａＮ系半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2771442B2 (ja) | 1998-07-02 |
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