JPH07220974A - 電子部品 - Google Patents
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- JPH07220974A JPH07220974A JP6008254A JP825494A JPH07220974A JP H07220974 A JPH07220974 A JP H07220974A JP 6008254 A JP6008254 A JP 6008254A JP 825494 A JP825494 A JP 825494A JP H07220974 A JPH07220974 A JP H07220974A
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- dielectric material
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- dielectric
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電体損失の小さい優れた電子部品を提供す
ることを目的とするものである。 【構成】 誘電体を(化1)において、m=0,n=
0,0.001≦k≦0.100で、かつ、x,y,z
の三元成分図において、(表1)に示すa,b,c,d
の四角形で表される領域内の組成のものを主成分とし、
副成分としてマンガンをMnO2に換算して0.01〜
1.0重量部含有させたもので形成する。 【化1】 【表1】
ることを目的とするものである。 【構成】 誘電体を(化1)において、m=0,n=
0,0.001≦k≦0.100で、かつ、x,y,z
の三元成分図において、(表1)に示すa,b,c,d
の四角形で表される領域内の組成のものを主成分とし、
副成分としてマンガンをMnO2に換算して0.01〜
1.0重量部含有させたもので形成する。 【化1】 【表1】
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は例えば積層セラミックコ
ンデンサ等の電子部品に関するものである。
ンデンサ等の電子部品に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来積層セラミックコンデンサ等に用い
る誘電体材料として、BaTiO3にBaO,CaO,
TiO2,ZrO2等を適当量添加したものが用いられて
いた。
る誘電体材料として、BaTiO3にBaO,CaO,
TiO2,ZrO2等を適当量添加したものが用いられて
いた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の構成では誘
電体の結晶粒径が10〜20μmと大きく、気孔率も高
いため、積層セラミックコンデンサのように誘電体の厚
さが薄い製品へ使用すると誘電損失が大きくなるという
問題点を有していた。
電体の結晶粒径が10〜20μmと大きく、気孔率も高
いため、積層セラミックコンデンサのように誘電体の厚
さが薄い製品へ使用すると誘電損失が大きくなるという
問題点を有していた。
【0004】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、他の電気特性を変えることなく誘電損失の小さい優
れた電子部品を提供することを目的とするものである。
で、他の電気特性を変えることなく誘電損失の小さい優
れた電子部品を提供することを目的とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の電子部品は誘電体を(化25)において、
0.001≦k≦0.100で、かつ、x,y,zの三
元成分図で(表25)に示すa,b,c,dを頂点とす
る四角形の領域内で表される組成のものを主成分とし、
副成分としてマンガンをMnO2に換算して、0.01
〜1.0重量部含有させたもので形成したものである。
に本発明の電子部品は誘電体を(化25)において、
0.001≦k≦0.100で、かつ、x,y,zの三
元成分図で(表25)に示すa,b,c,dを頂点とす
る四角形の領域内で表される組成のものを主成分とし、
副成分としてマンガンをMnO2に換算して、0.01
〜1.0重量部含有させたもので形成したものである。
【0006】
【化25】
【0007】
【表25】
【0008】
【作用】この構成によると、BaOをMgOで置換する
ことにより、誘電損失が小さくなる。さらに副成分とし
てマンガンを含有させることにより、静電容量と絶縁抵
抗の積(以下CR積とする。)を大きくすることができ
る。
ことにより、誘電損失が小さくなる。さらに副成分とし
てマンガンを含有させることにより、静電容量と絶縁抵
抗の積(以下CR積とする。)を大きくすることができ
る。
【0009】
(実施例1)出発原料として化学的に高純度のBaCO
3,MgO,TiO2,Gd2O3およびMnO2粉末を
(表26)に示す組成比になるように秤量し、試料番号
1〜16とした。
3,MgO,TiO2,Gd2O3およびMnO2粉末を
(表26)に示す組成比になるように秤量し、試料番号
1〜16とした。
【0010】
【表26】
【0011】これらを試料番号ごとに、めのうボールを
備えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿
式混合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質
のルツボに入れ、空気中で1100℃にて2時間仮焼し
た。この仮焼粉末を、めのうボールを備えたゴム内張り
のボールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾
燥した。この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、均質
とした後、32メッシュのふるいを通して整粒し、金型
と油圧プレスを用いて成形圧力1t/cm2で直径15m
m,厚み0.4mmの円板形に成形した。次いで、この成
形円板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入
れ、空気中にて(表26)に示す焼成温度で2時間焼成
し、(表26)に示す組成比の誘電体磁器円板を得た。
備えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿
式混合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質
のルツボに入れ、空気中で1100℃にて2時間仮焼し
た。この仮焼粉末を、めのうボールを備えたゴム内張り
のボールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾
燥した。この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、均質
とした後、32メッシュのふるいを通して整粒し、金型
と油圧プレスを用いて成形圧力1t/cm2で直径15m
m,厚み0.4mmの円板形に成形した。次いで、この成
形円板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入
れ、空気中にて(表26)に示す焼成温度で2時間焼成
し、(表26)に示す組成比の誘電体磁器円板を得た。
【0012】このようにして得られた誘電体磁器円板
の、厚みと直径を測定した。また誘電体磁器円板の両面
全体に銀電極を焼き付けたものの、誘電率、誘電損失、
静電容量温度特性をYHP社製デジタルLCRメータの
モデル4274Aを使用して、測定温度20℃、測定電
圧1Vrms,測定周波数1kHzで測定した。
の、厚みと直径を測定した。また誘電体磁器円板の両面
全体に銀電極を焼き付けたものの、誘電率、誘電損失、
静電容量温度特性をYHP社製デジタルLCRメータの
モデル4274Aを使用して、測定温度20℃、測定電
圧1Vrms,測定周波数1kHzで測定した。
【0013】なお、静電容量温度特性は、20℃を基準
温度とし−25℃〜+85℃の温度範囲内の任意の測定
温度における静電容量との変化率で表している。変化率
は次式より求めた。
温度とし−25℃〜+85℃の温度範囲内の任意の測定
温度における静電容量との変化率で表している。変化率
は次式より求めた。
【0014】dC=(CT−C0)/C0×100 dC:静電容量温度変化率(%) CT:T℃での静電容量(pF) C0:20℃での静電容量(pF) そして、誘電率は次式より求めた。
【0015】K=143.8×C0×t/D2 K:誘電率 C0:20℃での静電容量(pF) D:誘電体磁器円板の直径(mm) t:誘電体磁器円板の厚み(mm) さらに誘電体磁器円板の両面に、その円板の外周より1
mm内側まで銀電極を焼き付けたものの絶縁破壊電圧と絶
縁抵抗を測定した。絶縁破壊電圧は、菊水電子工業
(株)製の高圧直流電源PHS35K−3形を使用し、
試料をシリコンオイル中に入れ、昇圧速度50V/sに
より測定し、次式より誘電体1mm当りの絶縁破壊強度を
求め、これを絶縁破壊電圧とした。
mm内側まで銀電極を焼き付けたものの絶縁破壊電圧と絶
縁抵抗を測定した。絶縁破壊電圧は、菊水電子工業
(株)製の高圧直流電源PHS35K−3形を使用し、
試料をシリコンオイル中に入れ、昇圧速度50V/sに
より測定し、次式より誘電体1mm当りの絶縁破壊強度を
求め、これを絶縁破壊電圧とした。
【0016】B1=B0/t B1:絶縁破壊強度(kV/mm) B0:絶縁破壊電圧(kV) さらに、絶縁抵抗は、タケダ理研社製の高抵抗計を使用
し、測定電圧50V.DC、測定時間1分間で測定し、
次式より求めたCR積で表した。
し、測定電圧50V.DC、測定時間1分間で測定し、
次式より求めたCR積で表した。
【0017】CR=C0×R0/1012 CR:CR積(MΩ・μF) C0:20℃での静電容量(F) R0:絶縁抵抗(Ω) そして結晶粒径を倍率400の光学顕微鏡で測定した。
【0018】以上の結果を(表27)に示す。
【0019】
【表27】
【0020】ここで図1は本実施例における主成分の組
成範囲を示す三元図であり、主成分の組成範囲を限定し
た理由を図1を参照しながら説明する。すなわち、A領
域では誘電率が小さく、実用的でなくなる。また、B領
域ではキュリー点がマイナス側に大きくなりすぎ、温度
特性の静電容量温度変化率がプラス側に大きくはずれ実
用的でなくなる。さらに、C領域では焼結が著しく困難
である。さらにまた、D領域では誘電率が小さく、実用
的でなくなる。
成範囲を示す三元図であり、主成分の組成範囲を限定し
た理由を図1を参照しながら説明する。すなわち、A領
域では誘電率が小さく、実用的でなくなる。また、B領
域ではキュリー点がマイナス側に大きくなりすぎ、温度
特性の静電容量温度変化率がプラス側に大きくはずれ実
用的でなくなる。さらに、C領域では焼結が著しく困難
である。さらにまた、D領域では誘電率が小さく、実用
的でなくなる。
【0021】また、BaOをMgOで置換することによ
り、誘電率、絶縁破壊強度を大きく変えることなく誘電
損失を小さくし、誘電容量と絶縁抵抗の積(CR積)を
大きくする効果を有す。しかしその置換率kが0.00
1未満では効果はなく、一方0.100を越えると誘電
率が低下し実用的でなくなる。
り、誘電率、絶縁破壊強度を大きく変えることなく誘電
損失を小さくし、誘電容量と絶縁抵抗の積(CR積)を
大きくする効果を有す。しかしその置換率kが0.00
1未満では効果はなく、一方0.100を越えると誘電
率が低下し実用的でなくなる。
【0022】さらに、本実施例においては、結晶粒径を
5〜10μmと小さくすることができた。
5〜10μmと小さくすることができた。
【0023】(実施例2)出発原料として、高純度のB
aCO3,CaCO3,TiO2,Gd2O3およびMnO2
粉末を(表28)に示す組成比になるように秤量し、試
料番号17〜32とした。
aCO3,CaCO3,TiO2,Gd2O3およびMnO2
粉末を(表28)に示す組成比になるように秤量し、試
料番号17〜32とした。
【0024】
【表28】
【0025】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表29)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表29)に示す。
【0026】
【表29】
【0027】BaOをCaOで置換することにより、誘
電率、絶縁破壊強度およびCR積を大きく変えることな
く誘電損失を小さくすることができる。しかし、CaO
の置換率mが0.005未満では効果がなく、一方0.
200を越えると焼結性が悪くなり、誘電率が低下し実
用的ではなくなる。
電率、絶縁破壊強度およびCR積を大きく変えることな
く誘電損失を小さくすることができる。しかし、CaO
の置換率mが0.005未満では効果がなく、一方0.
200を越えると焼結性が悪くなり、誘電率が低下し実
用的ではなくなる。
【0028】ここで主成分の組成範囲(x,y,z)を
限定した理由は実施例1で述べた通りである。
限定した理由は実施例1で述べた通りである。
【0029】さらに、実施例1と同様に結晶粒径を5〜
10μmと小さくすることができた。
10μmと小さくすることができた。
【0030】(実施例3)出発原料として、高純度のB
aCO3,MgO,CaCO3,TiO2,Gd2O 3およ
びMnO2粉末を(表30)に示す組成比になるように
秤量し、試料番号33〜48とした。
aCO3,MgO,CaCO3,TiO2,Gd2O 3およ
びMnO2粉末を(表30)に示す組成比になるように
秤量し、試料番号33〜48とした。
【0031】
【表30】
【0032】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表31)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表31)に示す。
【0033】
【表31】
【0034】BaOをMgOおよびCaOで置換するこ
とにより、誘電率、絶縁破壊強度およびCR積を大きく
変えることなく誘電損失を小さくすることができる。し
かし、MgOの置換率kが0.001未満では効果がな
く、一方0.100を越えると誘電率が低下し実用的で
なくなる。またCaOの置換率mが0.005未満では
効果がなく、一方0.200を越えると焼結性が悪くな
り、誘電率が低下し実用的ではなくなる。
とにより、誘電率、絶縁破壊強度およびCR積を大きく
変えることなく誘電損失を小さくすることができる。し
かし、MgOの置換率kが0.001未満では効果がな
く、一方0.100を越えると誘電率が低下し実用的で
なくなる。またCaOの置換率mが0.005未満では
効果がなく、一方0.200を越えると焼結性が悪くな
り、誘電率が低下し実用的ではなくなる。
【0035】ここで主成分の組成範囲(x,y,z)を
限定した理由は実施例1で述べた通りである。
限定した理由は実施例1で述べた通りである。
【0036】さらに実施例1と同様結晶粒径を5〜10
μmと小さくすることができた。 (実施例4)出発原料として、高純度のBaCO3,M
gO,SrCO3,TiO2,Gd2O 3およびMnO2粉
末を(表32)に示す組成比になるように秤量し、試料
番号49〜64とした。
μmと小さくすることができた。 (実施例4)出発原料として、高純度のBaCO3,M
gO,SrCO3,TiO2,Gd2O 3およびMnO2粉
末を(表32)に示す組成比になるように秤量し、試料
番号49〜64とした。
【0037】
【表32】
【0038】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表33)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表33)に示す。
【0039】
【表33】
【0040】BaOをMgOおよびSrOで置換するこ
とにより、誘電率、絶縁破壊強度を大きく変えることな
く誘電損失を小さくし、CR積を大きくすることができ
る。しかし、MgOの置換率kが0.001未満では効
果がなく、一方0.100を越えると誘電率が低下し実
用的でなくなる。またSrOの置換率nが0.005未
満では効果がなく、一方0.200を越えると誘電率が
低下し実用的ではなくなる。
とにより、誘電率、絶縁破壊強度を大きく変えることな
く誘電損失を小さくし、CR積を大きくすることができ
る。しかし、MgOの置換率kが0.001未満では効
果がなく、一方0.100を越えると誘電率が低下し実
用的でなくなる。またSrOの置換率nが0.005未
満では効果がなく、一方0.200を越えると誘電率が
低下し実用的ではなくなる。
【0041】ここで主成分の組成範囲(x,y,z)を
限定した理由は実施例1で述べた通りである。
限定した理由は実施例1で述べた通りである。
【0042】さらに実施例1と同様、結晶粒径を5〜1
0μmと小さくすることができた。 (実施例5)出発原料として、高純度のBaCO3,C
aCO3,SrCO3,TiO2,Gd 2O3およびMnO2
粉末を(表34)に示す組成比になるように秤量し、試
料番号65〜80とした。
0μmと小さくすることができた。 (実施例5)出発原料として、高純度のBaCO3,C
aCO3,SrCO3,TiO2,Gd 2O3およびMnO2
粉末を(表34)に示す組成比になるように秤量し、試
料番号65〜80とした。
【0043】
【表34】
【0044】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表35)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表35)に示す。
【0045】
【表35】
【0046】BaOをSrOおよびCaOで置換するこ
とにより、誘電率、絶縁破壊強度を大きく変えることな
く誘電損失を小さくし、CR積を大きくすることができ
る。しかし、CaOの置換率mが0.005未満では効
果がなく、一方0.200を越えると焼結性が悪くなる
と共に誘電率が低下し実用的ではなくなる。また、Sr
Oの置換率nが0.005未満では効果がなく、一方
0.200を越えると誘電率が低下し実用的でなくな
る。
とにより、誘電率、絶縁破壊強度を大きく変えることな
く誘電損失を小さくし、CR積を大きくすることができ
る。しかし、CaOの置換率mが0.005未満では効
果がなく、一方0.200を越えると焼結性が悪くなる
と共に誘電率が低下し実用的ではなくなる。また、Sr
Oの置換率nが0.005未満では効果がなく、一方
0.200を越えると誘電率が低下し実用的でなくな
る。
【0047】ここで主成分の組成範囲(x,y,z)を
限定した理由は実施例1で述べた通りである。
限定した理由は実施例1で述べた通りである。
【0048】さらに実施例1と同様結晶粒径を5〜10
μmと小さくすることができる。 (実施例6)出発原料として、高純度のBaCO3,M
gO,CaCO3,SrCO3,TiO2,Gd2O3およ
びMnO2粉末を(表36)に示す組成比になるように
秤量し、試料番号81〜96とした。
μmと小さくすることができる。 (実施例6)出発原料として、高純度のBaCO3,M
gO,CaCO3,SrCO3,TiO2,Gd2O3およ
びMnO2粉末を(表36)に示す組成比になるように
秤量し、試料番号81〜96とした。
【0049】
【表36】
【0050】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表37)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表37)に示す。
【0051】
【表37】
【0052】BaOをMgO,CaO,SrOで置換す
ることにより、誘電率、絶縁破壊強度およびCR積を大
きく変えることなく誘電損失を小さくすることができ
る。しかし、MgOの置換率kが0.001未満では効
果はなく、一方0.100を越えると誘電率が低下し実
用的でなくなる。またCaOの置換率mが0.005未
満では効果はなく、一方0.200を越えると焼結性が
悪くなり、誘電率が低下し実用的でなくなる。さらに、
SrOの置換率nが0.005未満では効果はなく、一
方0.200を越えると誘電率が低下し実用的でなくな
る。
ることにより、誘電率、絶縁破壊強度およびCR積を大
きく変えることなく誘電損失を小さくすることができ
る。しかし、MgOの置換率kが0.001未満では効
果はなく、一方0.100を越えると誘電率が低下し実
用的でなくなる。またCaOの置換率mが0.005未
満では効果はなく、一方0.200を越えると焼結性が
悪くなり、誘電率が低下し実用的でなくなる。さらに、
SrOの置換率nが0.005未満では効果はなく、一
方0.200を越えると誘電率が低下し実用的でなくな
る。
【0053】ここで主成分の組成範囲(x,y,z)を
限定した理由は実施例1で述べた通りである。
限定した理由は実施例1で述べた通りである。
【0054】さらに実施例1と同様、結晶粒径を5〜1
0μmと小さくすることができた。 (実施例7)出発原料として、高純度のBaCO3,M
gO,CaCO3,SrCO3,TiO2,Gd2O3およ
びMnO2,Nb2O5の粉末を(表38)に示す組成比
になるように秤量し、試料番号97〜110とした。
0μmと小さくすることができた。 (実施例7)出発原料として、高純度のBaCO3,M
gO,CaCO3,SrCO3,TiO2,Gd2O3およ
びMnO2,Nb2O5の粉末を(表38)に示す組成比
になるように秤量し、試料番号97〜110とした。
【0055】
【表38】
【0056】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定し、その結
果を(表39)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定し、その結
果を(表39)に示す。
【0057】
【表39】
【0058】副成分として新たにNb2O5を含有させる
ことにより、誘電損失を小さくすることができるだけで
なく、静電容量とCR積と絶縁破壊電圧を向上させるこ
とができる。しかしNb2O5の含有量が、主成分100
重量部に対し、0.3重量部未満では効果がなく、一方
30重量部を越えるとキュリー点がマイナス側にずれ誘
電率を低下させることになるので実用的でなくなる。
ことにより、誘電損失を小さくすることができるだけで
なく、静電容量とCR積と絶縁破壊電圧を向上させるこ
とができる。しかしNb2O5の含有量が、主成分100
重量部に対し、0.3重量部未満では効果がなく、一方
30重量部を越えるとキュリー点がマイナス側にずれ誘
電率を低下させることになるので実用的でなくなる。
【0059】ここで主成分の組成範囲(x,y,z)を
限定した理由は実施例1で述べた通りである。
限定した理由は実施例1で述べた通りである。
【0060】さらに実施例1と同様結晶粒径を3〜8μ
mと小さくすることができた。 (実施例8)出発原料として、高純度のBaCO3,M
gO,TiO2,Pr6O11およびMnO2粉末を(表4
0)に示す組成比になるように秤量し、試料番号111
〜126とした。
mと小さくすることができた。 (実施例8)出発原料として、高純度のBaCO3,M
gO,TiO2,Pr6O11およびMnO2粉末を(表4
0)に示す組成比になるように秤量し、試料番号111
〜126とした。
【0061】
【表40】
【0062】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表41)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表41)に示す。
【0063】
【表41】
【0064】BaOをMgOで置換することにより、誘
電率、絶縁破壊強度を大きく変えることなく誘電損失を
小さくし、静電容量とCR積を大きくすることができ
る。しかし、MgOの置換率kが0.001未満では効
果がなく、一方0.100を越えると誘電率が低下し実
用的ではなくなる。
電率、絶縁破壊強度を大きく変えることなく誘電損失を
小さくし、静電容量とCR積を大きくすることができ
る。しかし、MgOの置換率kが0.001未満では効
果がなく、一方0.100を越えると誘電率が低下し実
用的ではなくなる。
【0065】ここで図2は本実施例における主成分の組
成範囲を示す三元図であり、主成分の組成範囲を限定し
た理由を図2を参照しながら説明する。すなわち、A領
域では誘電率が小さく、実用的でなくなる。また、B領
域ではキュリー点がマイナス側に大きくなりすぎ、温度
特性の静電容量温度変化率がプラス側に大きくはずれ実
用的でなくなる。さらに、C領域では焼結が著しく困難
である。さらにまた、D領域では誘電率が小さく、実用
的でなくなる。
成範囲を示す三元図であり、主成分の組成範囲を限定し
た理由を図2を参照しながら説明する。すなわち、A領
域では誘電率が小さく、実用的でなくなる。また、B領
域ではキュリー点がマイナス側に大きくなりすぎ、温度
特性の静電容量温度変化率がプラス側に大きくはずれ実
用的でなくなる。さらに、C領域では焼結が著しく困難
である。さらにまた、D領域では誘電率が小さく、実用
的でなくなる。
【0066】さらに結晶粒径も5〜10μmと小さくす
ることができた。 (実施例9)出発原料として、高純度のBaCO3,C
aCO3,TiO2,Pr6O11およびMnO2粉末を(表
42)に示す組成比になるように秤量し、試料番号12
7〜142とした。
ることができた。 (実施例9)出発原料として、高純度のBaCO3,C
aCO3,TiO2,Pr6O11およびMnO2粉末を(表
42)に示す組成比になるように秤量し、試料番号12
7〜142とした。
【0067】
【表42】
【0068】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表43)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表43)に示す。
【0069】
【表43】
【0070】BaOをCaOで置換することにより、誘
電率、絶縁破壊強度およびCR積を大きく変えることな
く誘電損失を小さくすることができる。しかし、CaO
の置換率mが0.005未満では効果がなく、一方0.
200を越えると焼結性が悪くなり、誘電率が低下し実
用的ではなくなる。
電率、絶縁破壊強度およびCR積を大きく変えることな
く誘電損失を小さくすることができる。しかし、CaO
の置換率mが0.005未満では効果がなく、一方0.
200を越えると焼結性が悪くなり、誘電率が低下し実
用的ではなくなる。
【0071】ここで主成分の組成範囲(x,y,z)を
限定した理由は実施例8で述べた通りである。
限定した理由は実施例8で述べた通りである。
【0072】さらに実施例8と同様結晶粒径を5〜10
μmと小さくすることができた。 (実施例10)出発原料として、高純度のBaCO3,
MgO,CaCO3,TiO2,Pr6O 11およびMnO2
粉末を(表44)に示す組成比になるように秤量し、試
料番号143〜158とした。
μmと小さくすることができた。 (実施例10)出発原料として、高純度のBaCO3,
MgO,CaCO3,TiO2,Pr6O 11およびMnO2
粉末を(表44)に示す組成比になるように秤量し、試
料番号143〜158とした。
【0073】
【表44】
【0074】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表45)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表45)に示す。
【0075】
【表45】
【0076】BaOをMgOおよびCaOで置換するこ
とにより、誘電率、絶縁破壊強度およびCR積を大きく
変えることなく誘電損失を小さくすることができる。し
かし、MgOの置換率kが0.001未満では効果がな
く、一方0.100を越えると誘電率が低下し実用的で
なくなる。またCaOの置換率mが0.005未満では
効果がなく、一方0.200を越えると焼結性が悪くな
り、誘電率が低下し実用的ではなくなる。
とにより、誘電率、絶縁破壊強度およびCR積を大きく
変えることなく誘電損失を小さくすることができる。し
かし、MgOの置換率kが0.001未満では効果がな
く、一方0.100を越えると誘電率が低下し実用的で
なくなる。またCaOの置換率mが0.005未満では
効果がなく、一方0.200を越えると焼結性が悪くな
り、誘電率が低下し実用的ではなくなる。
【0077】ここで主成分の組成範囲(x,y,z)を
限定した理由は実施例8で述べた通りである。
限定した理由は実施例8で述べた通りである。
【0078】さらに実施例8と同様結晶粒径を5〜10
μmと小さくすることができる。 (実施例11)出発原料として、高純度のBaCO3,
MgO,SrCO3,TiO2,Pr6O 11およびMnO2
粉末を(表46)に示す組成比になるように秤量し、試
料番号159〜174とした。
μmと小さくすることができる。 (実施例11)出発原料として、高純度のBaCO3,
MgO,SrCO3,TiO2,Pr6O 11およびMnO2
粉末を(表46)に示す組成比になるように秤量し、試
料番号159〜174とした。
【0079】
【表46】
【0080】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表47)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表47)に示す。
【0081】
【表47】
【0082】BaOをMgOおよびSrOで置換するこ
とにより、誘電率、絶縁破壊強度を大きく変えることな
く誘電損失を小さくし、CR積を大きくすることができ
る。しかし、MgOの置換率kが0.001未満では効
果がなく、一方0.100を越えると誘電率が低下し実
用的ではなくなる。またSrOの置換率nも0.005
未満では効果がなく一方0.200を越えると誘電率が
低下し実用的でなくなる。
とにより、誘電率、絶縁破壊強度を大きく変えることな
く誘電損失を小さくし、CR積を大きくすることができ
る。しかし、MgOの置換率kが0.001未満では効
果がなく、一方0.100を越えると誘電率が低下し実
用的ではなくなる。またSrOの置換率nも0.005
未満では効果がなく一方0.200を越えると誘電率が
低下し実用的でなくなる。
【0083】ここで主成分の組成範囲(x,y,z)を
限定した理由は実施例8で述べた通りである。
限定した理由は実施例8で述べた通りである。
【0084】さらに実施例8と同様結晶粒径を5〜10
μmと小さくすることができる。 (実施例12)出発原料として、高純度のBaCO3,
CaCO3,SrCO3,TiO2,Pr 6O11およびMn
O2粉末を(表48)に示す組成比になるように秤量
し、試料番号175〜190とした。
μmと小さくすることができる。 (実施例12)出発原料として、高純度のBaCO3,
CaCO3,SrCO3,TiO2,Pr 6O11およびMn
O2粉末を(表48)に示す組成比になるように秤量
し、試料番号175〜190とした。
【0085】
【表48】
【0086】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表49)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表49)に示す。
【0087】
【表49】
【0088】BaOをCaOおよびSrOで置換するこ
とにより、誘電率、絶縁破壊強度を大きく変えることな
く誘電損失を小さくし、CR積を大きくすることができ
る。しかし、CaOの置換率mが0.005未満では効
果がなく、一方0.200を越えると焼結性が悪くな
り、誘電率が低下し実用的ではなくなる。またSrOの
置換率nが0.005未満では効果がなく一方0.20
0を越えると誘電率が低下し実用的でなくなる。
とにより、誘電率、絶縁破壊強度を大きく変えることな
く誘電損失を小さくし、CR積を大きくすることができ
る。しかし、CaOの置換率mが0.005未満では効
果がなく、一方0.200を越えると焼結性が悪くな
り、誘電率が低下し実用的ではなくなる。またSrOの
置換率nが0.005未満では効果がなく一方0.20
0を越えると誘電率が低下し実用的でなくなる。
【0089】ここで主成分の組成範囲(x,y,z)を
限定した理由は実施例8で述べた通りである。
限定した理由は実施例8で述べた通りである。
【0090】さらに実施例8と同様結晶粒径を5〜10
μmと小さくすることができた。 (実施例13)出発原料として、高純度のBaCO3,
MgO,CaCO3,SrCO3,TiO2,Pr6O11お
よびMnO2粉末を(表50)に示す組成比になるよう
に秤量し、試料番号191〜206とした。
μmと小さくすることができた。 (実施例13)出発原料として、高純度のBaCO3,
MgO,CaCO3,SrCO3,TiO2,Pr6O11お
よびMnO2粉末を(表50)に示す組成比になるよう
に秤量し、試料番号191〜206とした。
【0091】
【表50】
【0092】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表51)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表51)に示す。
【0093】
【表51】
【0094】BaOをMgO,CaOおよびSrOで置
換することにより、誘電率、絶縁破壊強度およびCR積
を大きく変えることなく誘電損失を小さくすることがで
きる。しかし、MgOの置換率kが0.001未満では
効果がなく、一方0.100を越えると誘電率が低下し
実用的でなくなる。またCaOの置換率mが0.005
未満では効果がなく、一方0.200を越えると焼結性
が悪くなり、誘電率が低下し実用的ではなくなる。さら
にSrOの置換率nが0.005未満では効果がなく、
一方0.200を越えると誘電率が低下し実用的でなく
なる。
換することにより、誘電率、絶縁破壊強度およびCR積
を大きく変えることなく誘電損失を小さくすることがで
きる。しかし、MgOの置換率kが0.001未満では
効果がなく、一方0.100を越えると誘電率が低下し
実用的でなくなる。またCaOの置換率mが0.005
未満では効果がなく、一方0.200を越えると焼結性
が悪くなり、誘電率が低下し実用的ではなくなる。さら
にSrOの置換率nが0.005未満では効果がなく、
一方0.200を越えると誘電率が低下し実用的でなく
なる。
【0095】ここで主成分の組成範囲(x,y,z)を
限定した理由は実施例8で述べた通りである。
限定した理由は実施例8で述べた通りである。
【0096】さらに実施例8と同様結晶粒径を5〜10
μmと小さくすることができた。 (実施例14)出発原料として、高純度のBaCO3,
MgO,CaCO3,SrCO3,TiO2,Pr6O11お
よびMnO2,Nb2O5の粉末を(表52)に示す組成
比になるように秤量し、試料番号207〜220とし
た。
μmと小さくすることができた。 (実施例14)出発原料として、高純度のBaCO3,
MgO,CaCO3,SrCO3,TiO2,Pr6O11お
よびMnO2,Nb2O5の粉末を(表52)に示す組成
比になるように秤量し、試料番号207〜220とし
た。
【0097】
【表52】
【0098】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定し、その結
果を(表53)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定し、その結
果を(表53)に示す。
【0099】
【表53】
【0100】副成分として新たにNb2O5を含有させる
ことにより、誘電損失を小さくすることができるだけで
なく、静電容量とCR積と絶縁破壊電圧を向上させるこ
とができる。しかしNb2O5の含有量が、主成分100
重量部に対し、0.3重量部未満では効果がなく、一方
30重量部を越えるとキュリー点がマイナス側にずれ誘
電率を低下させることになるので実用的でなくなる。
ことにより、誘電損失を小さくすることができるだけで
なく、静電容量とCR積と絶縁破壊電圧を向上させるこ
とができる。しかしNb2O5の含有量が、主成分100
重量部に対し、0.3重量部未満では効果がなく、一方
30重量部を越えるとキュリー点がマイナス側にずれ誘
電率を低下させることになるので実用的でなくなる。
【0101】ここで主成分の組成範囲(x,y,z)を
限定した理由は実施例8で述べた通りである。
限定した理由は実施例8で述べた通りである。
【0102】さらに実施例8と同様結晶粒径を3〜8μ
mと小さくすることができる。 (実施例15)出発原料として、高純度のBaCO3,
MgO,TiO2,Dy2O3およびMnO2粉末を(表5
4)に示す組成比になるように秤量し、試料番号221
〜236とした。
mと小さくすることができる。 (実施例15)出発原料として、高純度のBaCO3,
MgO,TiO2,Dy2O3およびMnO2粉末を(表5
4)に示す組成比になるように秤量し、試料番号221
〜236とした。
【0103】
【表54】
【0104】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表55)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表55)に示す。
【0105】
【表55】
【0106】BaOをMgOで置換することにより、誘
電率、絶縁破壊強度を大きく変えることなく誘電損失を
小さくし、静電容量とCR積を大きくすることができ
る。しかし、MgOの置換率kが0.001未満では効
果がなく、一方0.100を越えると誘電率が低下し実
用的ではなくなる。
電率、絶縁破壊強度を大きく変えることなく誘電損失を
小さくし、静電容量とCR積を大きくすることができ
る。しかし、MgOの置換率kが0.001未満では効
果がなく、一方0.100を越えると誘電率が低下し実
用的ではなくなる。
【0107】図3は本実施例における主成分の組成範囲
を示す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由
を図3を参照しながら説明する。すなわち、A領域では
誘電率が小さく、実用的でなくなる。また、B領域では
キュリー点がマイナス側に大きくなりすぎ、温度特性の
静電容量温度変化率がプラス側に大きくはずれ実用的で
なくなる。さらに、C領域では焼結が著しく困難であ
る。さらにまた、D領域では誘電率が小さく、実用的で
なくなる。
を示す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由
を図3を参照しながら説明する。すなわち、A領域では
誘電率が小さく、実用的でなくなる。また、B領域では
キュリー点がマイナス側に大きくなりすぎ、温度特性の
静電容量温度変化率がプラス側に大きくはずれ実用的で
なくなる。さらに、C領域では焼結が著しく困難であ
る。さらにまた、D領域では誘電率が小さく、実用的で
なくなる。
【0108】さらに本実施例においても結晶粒径を5〜
10μmと小さくすることができた。
10μmと小さくすることができた。
【0109】(実施例16)出発原料として、高純度の
BaCO3,CaCO3,TiO2,Dy2O3およびMn
O2粉末を(表56)に示す組成比になるように秤量
し、試料番号237〜252とした。
BaCO3,CaCO3,TiO2,Dy2O3およびMn
O2粉末を(表56)に示す組成比になるように秤量
し、試料番号237〜252とした。
【0110】
【表56】
【0111】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表57)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表57)に示す。
【0112】
【表57】
【0113】BaOをCaOで置換することにより、誘
電率、絶縁破壊強度およびCR積を大きく変えることな
く誘電損失を小さくすることができる。しかし、CaO
の置換率mが0.005未満では効果がなく、一方0.
200を越えると焼結性が悪くなり、誘電率が低下し実
用的ではなくなる。
電率、絶縁破壊強度およびCR積を大きく変えることな
く誘電損失を小さくすることができる。しかし、CaO
の置換率mが0.005未満では効果がなく、一方0.
200を越えると焼結性が悪くなり、誘電率が低下し実
用的ではなくなる。
【0114】ここで主成分の組成範囲(x,y,z)を
限定した理由は実施例15で述べた通りである。
限定した理由は実施例15で述べた通りである。
【0115】さらに、実施例15と同様に結晶粒径を5
〜10μmと小さくすることができた。
〜10μmと小さくすることができた。
【0116】(実施例17)出発原料として、高純度の
BaCO3,MgO,CaCO3,TiO2,Dy2O 3お
よびMnO2粉末を(表58)に示す組成比になるよう
に秤量し、試料番号253〜268とした。
BaCO3,MgO,CaCO3,TiO2,Dy2O 3お
よびMnO2粉末を(表58)に示す組成比になるよう
に秤量し、試料番号253〜268とした。
【0117】
【表58】
【0118】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表59)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表59)に示す。
【0119】
【表59】
【0120】BaOをMgOおよびCaOで置換するこ
とにより、誘電率、絶縁破壊強度およびCR積を大きく
変えることなく誘電損失を小さくすることができる。し
かし、MgOの置換率kが0.001未満では効果がな
く、一方0.100を越えると誘電率が低下し実用的で
なくなる。またCaOの置換率mが0.005未満では
効果がなく、一方0.200を越えると焼結性が悪くな
り、誘電率が低下し実用的ではなくなる。
とにより、誘電率、絶縁破壊強度およびCR積を大きく
変えることなく誘電損失を小さくすることができる。し
かし、MgOの置換率kが0.001未満では効果がな
く、一方0.100を越えると誘電率が低下し実用的で
なくなる。またCaOの置換率mが0.005未満では
効果がなく、一方0.200を越えると焼結性が悪くな
り、誘電率が低下し実用的ではなくなる。
【0121】ここで主成分の組成範囲(x,y,z)を
限定した理由は実施例15で述べた通りである。
限定した理由は実施例15で述べた通りである。
【0122】さらに実施例15と同様結晶粒径を5〜1
0μmと小さくすることができた。 (実施例18)出発原料として、高純度のBaCO3,
MgO,SrCO3,TiO2,Dy2O 3およびMnO2
粉末を(表60)に示す組成比になるように秤量し、試
料番号269〜284とした。
0μmと小さくすることができた。 (実施例18)出発原料として、高純度のBaCO3,
MgO,SrCO3,TiO2,Dy2O 3およびMnO2
粉末を(表60)に示す組成比になるように秤量し、試
料番号269〜284とした。
【0123】
【表60】
【0124】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表61)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表61)に示す。
【0125】
【表61】
【0126】BaOをMgOおよびSrOで置換するこ
とにより、誘電率、絶縁破壊強度を大きく変えることな
く誘電損失を小さくし、CR積を大きくすることができ
る。しかし、MgOの置換率kが0.001未満では効
果がなく、一方0.100を越えると誘電率が低下し実
用的でなくなる。またSrOの置換率nが0.005未
満では効果なく、一方0.200を越えると誘電率が低
下し実用的ではなくなる。
とにより、誘電率、絶縁破壊強度を大きく変えることな
く誘電損失を小さくし、CR積を大きくすることができ
る。しかし、MgOの置換率kが0.001未満では効
果がなく、一方0.100を越えると誘電率が低下し実
用的でなくなる。またSrOの置換率nが0.005未
満では効果なく、一方0.200を越えると誘電率が低
下し実用的ではなくなる。
【0127】ここで主成分の組成範囲(x,y,z)を
限定した理由は実施例15で述べた通りである。
限定した理由は実施例15で述べた通りである。
【0128】さらに実施例15と同様、結晶粒径を5〜
10μmと小さくすることができた。
10μmと小さくすることができた。
【0129】(実施例19)出発原料として、高純度の
BaCO3,CaCO3,SrCO3,TiO2,Dy 2O3
およびMnO2粉末を(表62)に示す組成比になるよ
うに秤量し、試料番号285〜300とした。
BaCO3,CaCO3,SrCO3,TiO2,Dy 2O3
およびMnO2粉末を(表62)に示す組成比になるよ
うに秤量し、試料番号285〜300とした。
【0130】
【表62】
【0131】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表63)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表63)に示す。
【0132】
【表63】
【0133】BaOをSrOおよびCaOで置換するこ
とにより、誘電率、絶縁破壊強度を大きく変えることな
く誘電損失を小さくし、CR積を大きくすることができ
る。しかし、CaOの置換率mが0.005未満では効
果がなく、一方0.200を越えると焼結性が悪くなる
と共に誘電率が低下し実用的ではなくなる。また、Sr
Oの置換率nが0.005未満では効果がなく、一方
0.200を越えると誘電率が低下し実用的でなくな
る。
とにより、誘電率、絶縁破壊強度を大きく変えることな
く誘電損失を小さくし、CR積を大きくすることができ
る。しかし、CaOの置換率mが0.005未満では効
果がなく、一方0.200を越えると焼結性が悪くなる
と共に誘電率が低下し実用的ではなくなる。また、Sr
Oの置換率nが0.005未満では効果がなく、一方
0.200を越えると誘電率が低下し実用的でなくな
る。
【0134】ここで主成分の組成範囲(x,y,z)を
限定した理由は実施例15で述べた通りである。
限定した理由は実施例15で述べた通りである。
【0135】さらに実施例15と同様結晶粒径を5〜1
0μmと小さくすることができる。 (実施例20)出発原料として、高純度のBaCO3,
MgO,CaCO3,SrCO3,TiO2,Dy2O3お
よびMnO2粉末を(表64)に示す組成比になるよう
に秤量し、試料番号301〜316とした。
0μmと小さくすることができる。 (実施例20)出発原料として、高純度のBaCO3,
MgO,CaCO3,SrCO3,TiO2,Dy2O3お
よびMnO2粉末を(表64)に示す組成比になるよう
に秤量し、試料番号301〜316とした。
【0136】
【表64】
【0137】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表65)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表65)に示す。
【0138】
【表65】
【0139】BaOをMgO,CaO,SrOで置換す
ることにより、誘電率、絶縁破壊強度およびCR積を大
きく変えることなく誘電損失を小さくすることができ
る。しかし、MgOの置換率kが0.001未満では効
果はなく、一方0.100を越えると誘電率が低下し実
用的でなくなる。またCaOの置換率mが0.005未
満では効果はなく、一方0.200を越えると焼結性が
悪くなり、誘電率が低下し実用的でなくなる。さらに、
SrOの置換率nが0.005未満では効果はなく、一
方0.200を越えると誘電率が低下し実用的でなくな
る。
ることにより、誘電率、絶縁破壊強度およびCR積を大
きく変えることなく誘電損失を小さくすることができ
る。しかし、MgOの置換率kが0.001未満では効
果はなく、一方0.100を越えると誘電率が低下し実
用的でなくなる。またCaOの置換率mが0.005未
満では効果はなく、一方0.200を越えると焼結性が
悪くなり、誘電率が低下し実用的でなくなる。さらに、
SrOの置換率nが0.005未満では効果はなく、一
方0.200を越えると誘電率が低下し実用的でなくな
る。
【0140】ここで主成分の組成範囲(x,y,z)を
限定した理由は実施例15で述べた通りである。
限定した理由は実施例15で述べた通りである。
【0141】さらに実施例15と同様、結晶粒径を5〜
10μmと小さくすることができた。
10μmと小さくすることができた。
【0142】(実施例21)出発原料として、高純度の
BaCO3,MgO,CaCO3,SrCO3,TiO2,
Dy2O3およびMnO2,Nb2O5粉末を(表66)に
示す組成比になるように秤量し、試料番号317〜33
0とした。
BaCO3,MgO,CaCO3,SrCO3,TiO2,
Dy2O3およびMnO2,Nb2O5粉末を(表66)に
示す組成比になるように秤量し、試料番号317〜33
0とした。
【0143】
【表66】
【0144】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定し、その結
果を(表67)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定し、その結
果を(表67)に示す。
【0145】
【表67】
【0146】副成分として新たにNb2O5を含有させる
ことにより、誘電損失を小さくすることができるだけで
なく、静電容量とCR積と絶縁破壊電圧を向上させるこ
とができる。しかしNb2O5の含有量が、主成分100
重量部に対し、0.3重量部未満では効果がなく、一方
3.0重量部を越えるとキュリー点がマイナス側にずれ
誘電率を低下させることになるので実用的でなくなる。
ことにより、誘電損失を小さくすることができるだけで
なく、静電容量とCR積と絶縁破壊電圧を向上させるこ
とができる。しかしNb2O5の含有量が、主成分100
重量部に対し、0.3重量部未満では効果がなく、一方
3.0重量部を越えるとキュリー点がマイナス側にずれ
誘電率を低下させることになるので実用的でなくなる。
【0147】また主成分の組成範囲(x,y,z)を限
定した理由は実施例15で述べた通りである。
定した理由は実施例15で述べた通りである。
【0148】そして実施例15と同様結晶粒径を3〜8
μmと小さくすることができる。 (実施例22)出発原料として、高純度のBaCO3,
MgO,TiO2,Sm2O3およびMnO2粉末を(表6
8)に示す組成比になるように秤量し、試料番号331
〜346とした。
μmと小さくすることができる。 (実施例22)出発原料として、高純度のBaCO3,
MgO,TiO2,Sm2O3およびMnO2粉末を(表6
8)に示す組成比になるように秤量し、試料番号331
〜346とした。
【0149】
【表68】
【0150】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表69)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表69)に示す。
【0151】
【表69】
【0152】BaOをMgOで置換することにより、誘
電率、絶縁破壊強度およびCR積を大きく変えることな
く誘電損失を小さくすることができる。しかし、MgO
の置換率kが0.001未満では効果がなく、一方0.
100を越えると誘電率が低下し実用的ではなくなる。
電率、絶縁破壊強度およびCR積を大きく変えることな
く誘電損失を小さくすることができる。しかし、MgO
の置換率kが0.001未満では効果がなく、一方0.
100を越えると誘電率が低下し実用的ではなくなる。
【0153】ここで図4は本実施例における主成分の組
成範囲を示す三元図であり、主成分の組成範囲を限定し
た理由を図4を参照しながら説明する。すなわち、A領
域では誘電率が小さく、実用的でなくなる。また、B領
域ではキュリー点がマイナス側に大きくなりすぎ、温度
特性の静電容量温度変化率がプラス側に大きくはずれ実
用的でなくなる。さらに、C領域では焼結が著しく困難
である。さらにまた、D領域では誘電率が小さく、実用
的でなくなる。
成範囲を示す三元図であり、主成分の組成範囲を限定し
た理由を図4を参照しながら説明する。すなわち、A領
域では誘電率が小さく、実用的でなくなる。また、B領
域ではキュリー点がマイナス側に大きくなりすぎ、温度
特性の静電容量温度変化率がプラス側に大きくはずれ実
用的でなくなる。さらに、C領域では焼結が著しく困難
である。さらにまた、D領域では誘電率が小さく、実用
的でなくなる。
【0154】さらに本実施例においても、結晶粒径を5
〜10μmと小さくすることができた。
〜10μmと小さくすることができた。
【0155】(実施例23)出発原料として、高純度の
BaCO3,CaCO3,TiO2,Sm2O3およびMn
O2粉末を(表70)に示す組成比になるように秤量
し、試料番号347〜362とした。
BaCO3,CaCO3,TiO2,Sm2O3およびMn
O2粉末を(表70)に示す組成比になるように秤量
し、試料番号347〜362とした。
【0156】
【表70】
【0157】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表71)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表71)に示す。
【0158】
【表71】
【0159】BaOをCaOで置換することにより、誘
電率、絶縁破壊強度およびCR積を大きく変えることな
く誘電損失を小さくすることができる。しかし、CaO
の置換率mが0.005未満では効果がなく、一方0.
200を越えると焼結性が悪くなり、誘電率が低下し実
用的ではなくなる。
電率、絶縁破壊強度およびCR積を大きく変えることな
く誘電損失を小さくすることができる。しかし、CaO
の置換率mが0.005未満では効果がなく、一方0.
200を越えると焼結性が悪くなり、誘電率が低下し実
用的ではなくなる。
【0160】ここで主成分の組成範囲(x,y,z)を
限定した理由は実施例22で述べた通りである。
限定した理由は実施例22で述べた通りである。
【0161】さらに、実施例22と同様に結晶粒径を5
〜10μmと小さくすることができた。
〜10μmと小さくすることができた。
【0162】(実施例24)出発原料として、高純度の
BaCO3,MgO,CaCO3,TiO2,Sm2O 3お
よびMnO2粉末を(表72)に示す組成比になるよう
に秤量し、試料番号363〜378とした。
BaCO3,MgO,CaCO3,TiO2,Sm2O 3お
よびMnO2粉末を(表72)に示す組成比になるよう
に秤量し、試料番号363〜378とした。
【0163】
【表72】
【0164】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表73)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表73)に示す。
【0165】
【表73】
【0166】BaOをMgOおよびCaOで置換するこ
とにより、誘電率、絶縁破壊強度およびCR積を大きく
変えることなく誘電損失を小さくすることができる。し
かし、MgOの置換率kが0.001未満では効果がな
く、一方0.100を越えると誘電率が低下し実用的で
なくなる。またCaOの置換率mが0.005未満では
効果がなく、一方0.200を越えると焼結性が悪くな
り、誘電率が低下し実用的ではなくなる。
とにより、誘電率、絶縁破壊強度およびCR積を大きく
変えることなく誘電損失を小さくすることができる。し
かし、MgOの置換率kが0.001未満では効果がな
く、一方0.100を越えると誘電率が低下し実用的で
なくなる。またCaOの置換率mが0.005未満では
効果がなく、一方0.200を越えると焼結性が悪くな
り、誘電率が低下し実用的ではなくなる。
【0167】ここで主成分の組成範囲(x,y,z)を
限定した理由は実施例22で述べた通りである。
限定した理由は実施例22で述べた通りである。
【0168】さらに、実施例22と同様結晶粒径を5〜
10μmと小さくすることができた。
10μmと小さくすることができた。
【0169】(実施例25)出発原料として、高純度の
BaCO3,MgO,SrCO3,TiO2,Sm2O 3お
よびMnO2粉末を(表74)に示す組成比になるよう
に秤量し、試料番号379〜394とした。
BaCO3,MgO,SrCO3,TiO2,Sm2O 3お
よびMnO2粉末を(表74)に示す組成比になるよう
に秤量し、試料番号379〜394とした。
【0170】
【表74】
【0171】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表75)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表75)に示す。
【0172】
【表75】
【0173】BaOをMgOおよびSrOで置換するこ
とにより、誘電率、絶縁破壊強度を大きく変えることな
く誘電損失を小さくし、CR積を大きくすることができ
る。しかし、MgOの置換率kが0.001未満では効
果がなく、一方0.100を越えると誘電率が低下し実
用的でなくなる。またSrOの置換率nが0.005未
満では効果がなく、一方0.200を越えると誘電率が
低下し実用的ではなくなる。
とにより、誘電率、絶縁破壊強度を大きく変えることな
く誘電損失を小さくし、CR積を大きくすることができ
る。しかし、MgOの置換率kが0.001未満では効
果がなく、一方0.100を越えると誘電率が低下し実
用的でなくなる。またSrOの置換率nが0.005未
満では効果がなく、一方0.200を越えると誘電率が
低下し実用的ではなくなる。
【0174】ここで主成分の組成範囲(x,y,z)を
限定した理由は実施例22で述べた通りである。
限定した理由は実施例22で述べた通りである。
【0175】さらに実施例22と同様、結晶粒径を5〜
10μmと小さくすることができた。
10μmと小さくすることができた。
【0176】(実施例26)出発原料として、高純度の
BaCO3,CaCO3,SrCO3,TiO2,Sm 2O3
およびMnO2粉末を(表76)に示す組成比になるよ
うに秤量し、試料番号395〜410とした。
BaCO3,CaCO3,SrCO3,TiO2,Sm 2O3
およびMnO2粉末を(表76)に示す組成比になるよ
うに秤量し、試料番号395〜410とした。
【0177】
【表76】
【0178】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表77)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表77)に示す。
【0179】
【表77】
【0180】BaOをSrOおよびCaOで置換するこ
とにより、誘電率、絶縁破壊強度を大きく変えることな
く誘電損失を小さくし、CR積を大きくすることができ
る。しかし、CaOの置換率mが0.005未満では効
果がなく、一方0.200を越えると焼結性が悪くなる
と共に誘電率が低下し実用的ではなくなる。また、Sr
Oの置換率nが0.005未満では効果がなく、一方
0.200を越えると誘電率が低下し実用的でなくな
る。
とにより、誘電率、絶縁破壊強度を大きく変えることな
く誘電損失を小さくし、CR積を大きくすることができ
る。しかし、CaOの置換率mが0.005未満では効
果がなく、一方0.200を越えると焼結性が悪くなる
と共に誘電率が低下し実用的ではなくなる。また、Sr
Oの置換率nが0.005未満では効果がなく、一方
0.200を越えると誘電率が低下し実用的でなくな
る。
【0181】ここで主成分の組成範囲(x,y,z)を
限定した理由は実施例22で述べた通りである。
限定した理由は実施例22で述べた通りである。
【0182】さらに実施例22と同様結晶粒径を5〜1
0μmと小さくすることができる。 (実施例27)出発原料として、高純度のBaCO3,
MgO,CaCO3,SrCO3,TiO2,Sm2O3お
よびMnO2粉末を(表78)に示す組成比になるよう
に秤量し、試料番号411〜426とした。
0μmと小さくすることができる。 (実施例27)出発原料として、高純度のBaCO3,
MgO,CaCO3,SrCO3,TiO2,Sm2O3お
よびMnO2粉末を(表78)に示す組成比になるよう
に秤量し、試料番号411〜426とした。
【0183】
【表78】
【0184】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表79)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定した結果を
(表79)に示す。
【0185】
【表79】
【0186】BaOをMgO,CaO,SrOで置換す
ることにより、誘電率、絶縁破壊強度およびCR積を大
きく変えることなく誘電損失を小さくすることができ
る。しかし、MgOの置換率kが0.001未満では効
果はなく、一方0.100を越えると誘電率が低下し実
用的でなくなる。またCaOの置換率mが0.005未
満では効果はなく、一方0.200を越えると焼結性が
悪くなり、誘電率が低下し実用的でなくなる。さらに、
SrOの置換率nが0.005未満では効果はなく、一
方0.200を越えると誘電率が低下し実用的でなくな
る。
ることにより、誘電率、絶縁破壊強度およびCR積を大
きく変えることなく誘電損失を小さくすることができ
る。しかし、MgOの置換率kが0.001未満では効
果はなく、一方0.100を越えると誘電率が低下し実
用的でなくなる。またCaOの置換率mが0.005未
満では効果はなく、一方0.200を越えると焼結性が
悪くなり、誘電率が低下し実用的でなくなる。さらに、
SrOの置換率nが0.005未満では効果はなく、一
方0.200を越えると誘電率が低下し実用的でなくな
る。
【0187】ここで主成分の組成範囲(x,y,z)を
限定した理由は実施例22で述べた通りである。
限定した理由は実施例22で述べた通りである。
【0188】さらに実施例22と同様、結晶粒径を5〜
10μmと小さくすることができた。
10μmと小さくすることができた。
【0189】(実施例28)出発原料として、高純度の
BaCO3,MgO,CaCO3,SrCO3,TiO2,
Sm2O3およびMnO2,Nb2O5粉末を(表80)に
示す組成比になるように秤量し、試料番号427〜44
0とした。
BaCO3,MgO,CaCO3,SrCO3,TiO2,
Sm2O3およびMnO2,Nb2O5粉末を(表80)に
示す組成比になるように秤量し、試料番号427〜44
0とした。
【0190】
【表80】
【0191】これらを実施例1と同様にして、誘電体磁
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定し、その結
果を(表81)に示す。
器円板を得、電気特性および結晶粒径を測定し、その結
果を(表81)に示す。
【0192】
【表81】
【0193】副成分として新たにNb2O5を含有させる
ことにより、誘電損失を小さくすることができるだけで
なく、静電容量とCR積と絶縁破壊電圧を向上させるこ
とができる。しかしNb2O5の含有量が、主成分100
重量部に対し、0.3重量部未満では効果がなく、一方
3.0重量部を越えるとキュリー点がマイナス側にずれ
誘電率を低下させることになるので実用的でなくなる。
ことにより、誘電損失を小さくすることができるだけで
なく、静電容量とCR積と絶縁破壊電圧を向上させるこ
とができる。しかしNb2O5の含有量が、主成分100
重量部に対し、0.3重量部未満では効果がなく、一方
3.0重量部を越えるとキュリー点がマイナス側にずれ
誘電率を低下させることになるので実用的でなくなる。
【0194】ここで主成分の組成範囲(x,y,z)を
限定した理由は実施例22で述べた通りである。
限定した理由は実施例22で述べた通りである。
【0195】さらに実施例22と同様結晶粒径を3〜8
μmと小さくすることができる。なお、比較例として、
主成分を(化26)とし(表82)に示す組成のもつ誘
電体磁器円板を実施例1と同じようにして製造し、この
電気特性、結晶粒径を測定し(表83)に示す。なお焼
成温度は1330℃とした。
μmと小さくすることができる。なお、比較例として、
主成分を(化26)とし(表82)に示す組成のもつ誘
電体磁器円板を実施例1と同じようにして製造し、この
電気特性、結晶粒径を測定し(表83)に示す。なお焼
成温度は1330℃とした。
【0196】
【化26】
【0197】
【表82】
【0198】
【表83】
【0199】この表を見ると誘電体を構成する希土類元
素はCeO2より実施例1〜28に用いたGd2O3,P
r6O11,Dy2O3,Sm2O3の方が、温度特性、およ
びCR積を大きく改善できることがわかる。
素はCeO2より実施例1〜28に用いたGd2O3,P
r6O11,Dy2O3,Sm2O3の方が、温度特性、およ
びCR積を大きく改善できることがわかる。
【0200】また、実施例1〜28においてはBaCO
3,MgO,CaCO3,SrCO3,TiO2,Gd
2O3,Pr6O11,Dy2O3,Sm2O3,MnO2および
Nb2O 5を使用したが、所望の組成比になるようにBa
TiO3などの化合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など
空気中での加熱により、BaO,SrO,CaO,Ti
O 2,Gd2O3,Nb2O5およびMnO2となる化合物を
使用しても実施例と同程度の特性を得ることができる。
3,MgO,CaCO3,SrCO3,TiO2,Gd
2O3,Pr6O11,Dy2O3,Sm2O3,MnO2および
Nb2O 5を使用したが、所望の組成比になるようにBa
TiO3などの化合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など
空気中での加熱により、BaO,SrO,CaO,Ti
O 2,Gd2O3,Nb2O5およびMnO2となる化合物を
使用しても実施例と同程度の特性を得ることができる。
【0201】また、一般に使用されている工業用BaT
iO3のBa/Ti比は0.98以上であり、BaTi
O3を出発原料として使用した場合不足分のBaOまた
はTiO2を添加しても実施例と同程度の特性を得るこ
とができる。
iO3のBa/Ti比は0.98以上であり、BaTi
O3を出発原料として使用した場合不足分のBaOまた
はTiO2を添加しても実施例と同程度の特性を得るこ
とができる。
【0202】さらに、主成分をあらかじめ仮焼し、その
後副成分を添加しても実施例と同程度の特性を得ること
ができる。
後副成分を添加しても実施例と同程度の特性を得ること
ができる。
【0203】さらにまた、誘電体磁器用として一般に使
用される工業用原料の二酸化チタン、例えばチタン工業
(株)製二酸化チタンKA−10、古河鉱業(株)製二
酸化チタンFA−55Wには最大0.45重量%のNb
2O5が含まれるが、これらの二酸化チタンを使用して誘
電体磁器円板を作成しても主成分100重量%に対し
て、Nb2O5の含有量は最大で0.17重量%であり、
本発明の範囲外であるが、工業用原料の酸化チタン中の
Nb2O5量を考慮し、不足分のNb2O5を含有させるこ
とにより、実施例と同程度の特性を得ることができる。
用される工業用原料の二酸化チタン、例えばチタン工業
(株)製二酸化チタンKA−10、古河鉱業(株)製二
酸化チタンFA−55Wには最大0.45重量%のNb
2O5が含まれるが、これらの二酸化チタンを使用して誘
電体磁器円板を作成しても主成分100重量%に対し
て、Nb2O5の含有量は最大で0.17重量%であり、
本発明の範囲外であるが、工業用原料の酸化チタン中の
Nb2O5量を考慮し、不足分のNb2O5を含有させるこ
とにより、実施例と同程度の特性を得ることができる。
【0204】それから、上述の基本組成のほかに、Zn
O,SiO2,Fe2O3など、一般にフラックスと考え
られている塩類、酸化物などを特性を損なわない範囲で
加えることもできる。
O,SiO2,Fe2O3など、一般にフラックスと考え
られている塩類、酸化物などを特性を損なわない範囲で
加えることもできる。
【0205】
【発明の効果】以上のように、本発明によると、高い誘
電率を有しかつ誘電損失が小さく、その上絶縁破壊電
圧、絶縁抵抗の大きな電子部品を得ることができる。
電率を有しかつ誘電損失が小さく、その上絶縁破壊電
圧、絶縁抵抗の大きな電子部品を得ることができる。
【0206】また、この電子部品に用いる誘電体磁器は
結晶粒径が小さいので、誘電体厚みを薄くすることがで
きる。その結果、例えば積層セラミックコンデンサにお
いては、製品の小型化、大容量化を図ることができる。
結晶粒径が小さいので、誘電体厚みを薄くすることがで
きる。その結果、例えば積層セラミックコンデンサにお
いては、製品の小型化、大容量化を図ることができる。
【図1】本発明の一実施例の主成分の組成範囲を示す三
元成分図
元成分図
【図2】本発明の一実施例の主成分の組成範囲を示す三
元成分図
元成分図
【図3】本発明の一実施例の主成分の組成範囲を示す三
元成分図
元成分図
【図4】本発明の一実施例の主成分の組成範囲を示す三
元成分図
元成分図
Claims (28)
- 【請求項1】 誘電体と、この誘電体に少なくとも二つ
設けた電極とを備え、前記誘電体は、(化1)におい
て、0.001≦k≦0.100で、かつ、x,y,z
の三元成分図で(表1)に示すa,b,c,dで囲まれ
た四角形の領域内で表される組成を主成分とし、さらに
副成分としてマンガンをMnO2に換算して、0.01
〜1.0重量部含有させたもので形成した電子部品。 【化1】 【表1】 - 【請求項2】 誘電体と、この誘電体に少なくとも二つ
設けた電極とを備え、前記誘電体は、(化2)におい
て、0.005≦m≦0.200で、かつ、x,y,z
の三元成分図で(表2)に示すa,b,c,dで囲まれ
た四角形の領域内で表される組成を主成分とし、さらに
副成分としてマンガンをMnO2に換算して、0.01
〜1.0重量部含有させたもので形成した電子部品。 【化2】 【表2】 - 【請求項3】 誘電体と、この誘電体に少なくとも二つ
設けた電極とを備え、前記誘電体は、(化3)におい
て、0.001≦k≦0.100,0.005≦m≦
0.200で、かつ、x,y,zの三元成分図で(表
3)に示すa,b,c,dで囲まれた四角形の領域内で
表される組成を主成分とし、さらに副成分としてマンガ
ンをMnO2に換算して、0.01〜1.0重量部含有
させたもので形成した電子部品。 【化3】 【表3】 - 【請求項4】 誘電体と、この誘電体に少なくとも二つ
設けた電極とを備え、前記誘電体は、(化4)におい
て、0.001≦k≦0.100,0.005≦n≦
0.200で、かつ、x,y,zの三元成分図で(表
4)に示すa,b,c,dで囲まれた四角形の領域内で
表される組成を主成分とし、さらに副成分としてマンガ
ンをMnO2に換算して、0.01〜1.0重量部含有
させたもので形成した電子部品。 【化4】 【表4】 - 【請求項5】 誘電体と、この誘電体に少なくとも二つ
設けた電極とを備え、前記誘電体は、(化5)におい
て、0.005≦m≦0.200,0.005≦n≦
0.200で、かつ、x,y,zの三元成分図で(表
5)に示すa,b,c,dで囲まれた四角形の領域内で
表される組成を主成分とし、さらに副成分としてマンガ
ンをMnO2に換算して、0.01〜1.0重量部含有
させたもので形成した電子部品。 【化5】 【表5】 - 【請求項6】 誘電体と、この誘電体に少なくとも二つ
設けた電極とを備え、前記誘電体は、(化6)におい
て、0.001≦k≦0.100,0.005≦m≦
0.200,0.005≦n≦0.200で、かつ、
x,y,zの三元成分図で(表6)に示すa,b,c,
dで囲まれた四角形の領域内で表される組成を主成分と
し、さらに副成分としてマンガンをMnO2に換算し
て、0.01〜1.0重量部含有させたもので形成した
電子部品。 【化6】 【表6】 - 【請求項7】 誘電体の副成分として、さらにニオブを
Nb2O5に換算して、0.3〜3.0重量部含有させた
請求項1〜6のいずれか一つに記載の電子部品。 - 【請求項8】 誘電体と、この誘電体に少なくとも二つ
設けた電極とを備え、前記誘電体は、(化7)におい
て、0.001≦k≦0.100で、かつ、x,y,z
の三元成分図で(表7)に示すa,b,c,dで囲まれ
た四角形の領域内で表される組成を主成分とし、さらに
副成分としてマンガンをMnO2に換算して、0.01
〜1.0重量部含有させたもので形成した電子部品。 【化7】 【表7】 - 【請求項9】 誘電体と、この誘電体に少なくとも二つ
設けた電極とを備え、前記誘電体は、(化8)におい
て、0.005≦m≦0.200で、かつ、x,y,z
の三元成分図で(表8)に示すa,b,c,dで囲まれ
た四角形の領域内で表される組成を主成分とし、さらに
副成分としてマンガンをMnO2に換算して、0.01
〜1.0重量部含有させたもので形成した電子部品。 【化8】 【表8】 - 【請求項10】 誘電体と、この誘電体に少なくとも二
つ設けた電極とを備え、前記誘電体は、(化9)におい
て、0.001≦k≦0.100,0.005≦m≦
0.200で、かつ、x,y,zの三元成分図で(表
9)に示すa,b,c,dで囲まれた四角形の領域内で
表される組成を主成分とし、さらに副成分としてマンガ
ンをMnO2に換算して、0.01〜1.0重量部含有
させたもので形成した電子部品。 【化9】 【表9】 - 【請求項11】 誘電体と、この誘電体に少なくとも二
つ設けた電極とを備え、前記誘電体は、(化10)にお
いて、0.001≦k≦0.100,0.005≦n≦
0.200で、かつ、x,y,zの三元成分図で(表1
0)に示すa,b,c,dで囲まれた四角形の領域内で
表される組成を主成分とし、さらに副成分としてマンガ
ンをMnO2に換算して、0.01〜1.0重量部含有
させたもので形成した電子部品。 【化10】 【表10】 - 【請求項12】 誘電体と、この誘電体に少なくとも二
つ設けた電極とを備え、前記誘電体は、(化11)にお
いて、0.005≦m≦0.200,0.005≦n≦
0.200で、かつ、x,y,zの三元成分図で(表1
1)に示すa,b,c,dで囲まれた四角形の領域内で
表される組成を主成分とし、さらに副成分としてマンガ
ンをMnO2に換算して、0.01〜1.0重量部含有
させたもので形成した電子部品。 【化11】 【表11】 - 【請求項13】 誘電体と、この誘電体に少なくとも二
つ設けた電極とを備え、前記誘電体は、(化12)にお
いて、0.001≦k≦0.100,0.005≦m≦
0.200,0.005≦n≦0.200で、かつ、
x,y,zの三元成分図で(表12)に示すa,b,
c,dで囲まれた四角形の領域内で表される組成を主成
分とし、さらに副成分としてマンガンをMnO2に換算
して、0.01〜1.0重量部含有させたもので形成し
た電子部品。 【化12】 【表12】 - 【請求項14】 誘電体の副成分として、さらにニオブ
をNb2O5に換算して、0.3〜3.0重量部含有させ
た請求項8〜13のいずれか一つに記載の電子部品。 - 【請求項15】 誘電体と、この誘電体に少なくとも二
つ設けた電極とを備え、前記誘電体は、(化13)にお
いて、0.001≦k≦0.100で、かつ、x,y,
zの三元成分図で(表13)に示すa,b,c,dで囲
まれた四角形の領域内で表される組成を主成分とし、さ
らに副成分としてマンガンをMnO2に換算して、0.
01〜1.0重量部含有させたもので形成した電子部
品。 【化13】 【表13】 - 【請求項16】 誘電体と、この誘電体に少なくとも二
つ設けた電極とを備え、前記誘電体は、(化14)にお
いて、0.005≦m≦0.200で、かつ、x,y,
zの三元成分図で(表14)に示すa,b,c,dで囲
まれた四角形の領域内で表される組成を主成分とし、さ
らに副成分としてマンガンをMnO2に換算して、0.
01〜1.0重量部含有させたもので形成した電子部
品。 【化14】 【表14】 - 【請求項17】 誘電体と、この誘電体に少なくとも二
つ設けた電極とを備え、前記誘電体は、(化15)にお
いて、0.001≦k≦0.100,0.005≦m≦
0.200で、かつ、x,y,zの三元成分図で(表1
5)に示すa,b,c,dで囲まれた四角形の領域内で
表される組成を主成分とし、さらに副成分としてマンガ
ンをMnO2に換算して、0.01〜1.0重量部含有
させたもので形成した電子部品。 【化15】 【表15】 - 【請求項18】 誘電体と、この誘電体に少なくとも二
つ設けた電極とを備え、前記誘電体は、(化16)にお
いて、0.001≦k≦0.100,0.005≦n≦
0.200で、かつ、x,y,zの三元成分図で(表1
6)に示すa,b,c,dで囲まれた四角形の領域内で
表される組成を主成分とし、さらに副成分としてマンガ
ンをMnO2に換算して、0.01〜1.0重量部含有
させたもので形成した電子部品。 【化16】 【表16】 - 【請求項19】 誘電体と、この誘電体に少なくとも二
つ設けた電極とを備え、前記誘電体は、(化17)にお
いて、0.005≦m≦0.200,0.005≦n≦
0.200で、かつ、x,y,zの三元成分図で(表1
7)に示すa,b,c,dで囲まれた四角形の領域内で
表される組成を主成分とし、さらに副成分としてマンガ
ンをMnO2に換算して、0.01〜1.0重量部含有
させたもので形成した電子部品。 【化17】 【表17】 - 【請求項20】 誘電体と、この誘電体に少なくとも二
つ設けた電極とを備え、前記誘電体は、(化18)にお
いて、0.001≦k≦0.100,0.005≦m≦
0.200,0.005≦n≦0.200で、かつ、
x,y,zの三元成分図で(表18)に示すa,b,
c,dで囲まれた四角形の領域内で表される組成を主成
分とし、さらに副成分としてマンガンをMnO2に換算
して、0.01〜1.0重量部含有させたもので形成し
た電子部品。 【化18】 【表18】 - 【請求項21】 誘電体の副成分として、さらにニオブ
をNb2O5に換算して、0.3〜3.0重量部含有させ
た請求項15〜20のいずれか一つに記載の電子部品。 - 【請求項22】 誘電体と、この誘電体に少なくとも二
つ設けた電極とを備え、前記誘電体は、(化19)にお
いて、0.001≦k≦0.100で、かつ、x,y,
zの三元成分図で(表19)に示すa,b,c,dで囲
まれた四角形の領域内で表される組成を主成分とし、さ
らに副成分としてマンガンをMnO2に換算して、0.
01〜1.0重量部含有させたもので形成した電子部
品。 【化19】 【表19】 - 【請求項23】 誘電体と、この誘電体に少なくとも二
つ設けた電極とを備え、前記誘電体は、(化20)にお
いて、0.005≦m≦0.200で、かつ、x,y,
zの三元成分図で(表20)に示すa,b,c,dで囲
まれた四角形の領域内で表される組成を主成分とし、さ
らに副成分としてマンガンをMnO2に換算して、0.
01〜1.0重量部含有させたもので形成した電子部
品。 【化20】 【表20】 - 【請求項24】 誘電体と、この誘電体に少なくとも二
つ設けた電極とを備え、前記誘電体は、(化21)にお
いて、0.001≦k≦0.100,0.005≦m≦
0.200で、かつ、x,y,zの三元成分図で(表2
1)に示すa,b,c,dで囲まれた四角形の領域内で
表される組成を主成分とし、さらに副成分としてマンガ
ンをMnO2に換算して、0.01〜1.0重量部含有
させたもので形成した電子部品。 【化21】 【表21】 - 【請求項25】 誘電体と、この誘電体に少なくとも二
つ設けた電極とを備え、前記誘電体は、(化22)にお
いて、0.001≦k≦0.100,0.005≦n≦
0.200で、かつ、x,y,zの三元成分図で(表2
2)に示すa,b,c,dで囲まれた四角形の領域内で
表される組成を主成分とし、さらに副成分としてマンガ
ンをMnO2に換算して、0.01〜1.0重量部含有
させたもので形成した電子部品。 【化22】 【表22】 - 【請求項26】 誘電体と、この誘電体に少なくとも二
つ設けた電極とを備え、前記誘電体は、(化23)にお
いて、0.005≦m≦0.200,0.005≦n≦
0.200で、かつ、x,y,zの三元成分図で(表2
3)に示すa,b,c,dで囲まれた四角形の領域内で
表される組成を主成分とし、さらに副成分としてマンガ
ンをMnO2に換算して、0.01〜1.0重量部含有
させたもので形成した電子部品。 【化23】 【表23】 - 【請求項27】 誘電体と、この誘電体に少なくとも二
つ設けた電極とを備え、前記誘電体は、(化24)にお
いて、0.001≦k≦0.100,0.005≦m≦
0.200,0.005≦n≦0.200で、かつ、
x,y,zの三元成分図で(表24)に示すa,b,
c,dで囲まれた四角形の領域内で表される組成を主成
分とし、さらに副成分としてマンガンをMnO2に換算
して、0.01〜1.0重量部含有させたもので形成し
た電子部品。 【化24】 【表24】 - 【請求項28】 誘電体の副成分として、さらにニオブ
をNb2O5に換算して、0.3〜3.0重量部含有させ
た請求項22〜27のいずれか一つに記載の電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6008254A JPH07220974A (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6008254A JPH07220974A (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | 電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07220974A true JPH07220974A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=11688009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6008254A Pending JPH07220974A (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | 電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07220974A (ja) |
-
1994
- 1994-01-28 JP JP6008254A patent/JPH07220974A/ja active Pending
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