JPH07221231A - パワー・トランジスタ固定構体 - Google Patents
パワー・トランジスタ固定構体Info
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- JPH07221231A JPH07221231A JP2473994A JP2473994A JPH07221231A JP H07221231 A JPH07221231 A JP H07221231A JP 2473994 A JP2473994 A JP 2473994A JP 2473994 A JP2473994 A JP 2473994A JP H07221231 A JPH07221231 A JP H07221231A
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- Japan
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- power transistor
- heat sink
- electrode
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 パワー・トランジスタ18を回路基板10に
固定する場合に、安全規格を満す沿面距離を取ることが
できるようにする。 【構成】 基板10上のパワー・トランジスタ18の固
定位置には開口部11が形成される。第1ヒートシンク
30の圧着部32は、開口部11を通過してパワー・ト
ランジスタ18の第1主面17に圧着され、肩部34は
開口部11の縁部に係着される。第2ヒートシンク40
の橋梁部42は、パワー・トランジスタ18の第2主面
19に圧着され、足部44は開口部11の縁部に係着さ
れる。第2主面17上に設けられた電極16と第2ヒー
トシンク40の間には、熱伝導性の良い絶縁シート14
を介在させる。ボルト20とナット22により第1及び
第2ヒートシンク30及び40を互いに固定し、これに
よってパワー・トランジスタ18を回路基板10に固定
する。
固定する場合に、安全規格を満す沿面距離を取ることが
できるようにする。 【構成】 基板10上のパワー・トランジスタ18の固
定位置には開口部11が形成される。第1ヒートシンク
30の圧着部32は、開口部11を通過してパワー・ト
ランジスタ18の第1主面17に圧着され、肩部34は
開口部11の縁部に係着される。第2ヒートシンク40
の橋梁部42は、パワー・トランジスタ18の第2主面
19に圧着され、足部44は開口部11の縁部に係着さ
れる。第2主面17上に設けられた電極16と第2ヒー
トシンク40の間には、熱伝導性の良い絶縁シート14
を介在させる。ボルト20とナット22により第1及び
第2ヒートシンク30及び40を互いに固定し、これに
よってパワー・トランジスタ18を回路基板10に固定
する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、パワー・トランジスタ
の固定構体に関し、特に高い電圧を扱い、発熱量の多い
パワー・トランジスタを固定する場合に、沿面放電の危
険を低下させることができる固定構体に関する。
の固定構体に関し、特に高い電圧を扱い、発熱量の多い
パワー・トランジスタを固定する場合に、沿面放電の危
険を低下させることができる固定構体に関する。
【0002】
【従来の技術】パワー・トランジスタなどの高電力素子
を回路基板に取り付ける際には、安全性を確保するため
に種々の条件をクリアする必要がある。その一つの条件
に、大きな電位差がある電極間での放電を防止するとい
うものがある。
を回路基板に取り付ける際には、安全性を確保するため
に種々の条件をクリアする必要がある。その一つの条件
に、大きな電位差がある電極間での放電を防止するとい
うものがある。
【0003】図3を用いて放電の一種である沿面放電を
説明する。この図では、絶縁層3の一方の主面に板状電
極2を設け、他方の主面に小型電極1を当てている。こ
のとき両電極に交流電圧を加えると、小型電極1の接触
部から絶縁層3の面上に沿面放電が生じる。これは、放
電電流による電荷が絶縁層3の表面に蓄積し、交流電圧
の次の半波放電に寄与するからである。
説明する。この図では、絶縁層3の一方の主面に板状電
極2を設け、他方の主面に小型電極1を当てている。こ
のとき両電極に交流電圧を加えると、小型電極1の接触
部から絶縁層3の面上に沿面放電が生じる。これは、放
電電流による電荷が絶縁層3の表面に蓄積し、交流電圧
の次の半波放電に寄与するからである。
【0004】図4は、パワー・トランジスタ18の基板
10への従来の固定構体を示す断面図である。パワー・
トランジスタ18は通常本体に穴が空いており、この穴
にボルト20を通してナット22で締めることにより回
路基板10やヒートシンク12に固定される。パワー・
トランジスタ18は本体表面に電極(コレクタ電極)1
6(斜線で示す)が設けられている。これは、主にパワ
ー・トランジスタで発生する大きな熱を逃がすためであ
る。熱伝導性の良い絶縁シート14は、電極16とヒー
トシンク12を絶縁すると同時に、パワー・トランジス
タ18で発生する熱を効率的にヒートシンク12に伝達
する。
10への従来の固定構体を示す断面図である。パワー・
トランジスタ18は通常本体に穴が空いており、この穴
にボルト20を通してナット22で締めることにより回
路基板10やヒートシンク12に固定される。パワー・
トランジスタ18は本体表面に電極(コレクタ電極)1
6(斜線で示す)が設けられている。これは、主にパワ
ー・トランジスタで発生する大きな熱を逃がすためであ
る。熱伝導性の良い絶縁シート14は、電極16とヒー
トシンク12を絶縁すると同時に、パワー・トランジス
タ18で発生する熱を効率的にヒートシンク12に伝達
する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ボルト20やヒートシ
ンク12は通常接地されており、電極16との間には電
位差が存在する。この電位差が所定値より小さいとき
は、図4に示した固定方法でも問題がない。しかし、電
位差が所定値を越える場合には上述の沿面放電等が起き
る危険があり、種々の安全規格(UL規格など)で求め
られているように、ボルト20等と電極16との間の沿
面距離(電極16が設けられた面に沿った電極16に対
するボルト20及びヒートシンク12の距離)を充分に
取る必要がある。
ンク12は通常接地されており、電極16との間には電
位差が存在する。この電位差が所定値より小さいとき
は、図4に示した固定方法でも問題がない。しかし、電
位差が所定値を越える場合には上述の沿面放電等が起き
る危険があり、種々の安全規格(UL規格など)で求め
られているように、ボルト20等と電極16との間の沿
面距離(電極16が設けられた面に沿った電極16に対
するボルト20及びヒートシンク12の距離)を充分に
取る必要がある。
【0006】そこで本発明の目的は、沿面距離を充分に
取ることができ、安全性の高いパワー・トランジスタ固
定構体を提供することである。本発明の他の目的は、組
立工程が簡素なパワー・トランジスタ固定構体を提供す
ることである。本発明のさらに他の目的は、より効率的
な放熱を可能にするパワー・トランジスタ固定構体を提
供することである。
取ることができ、安全性の高いパワー・トランジスタ固
定構体を提供することである。本発明の他の目的は、組
立工程が簡素なパワー・トランジスタ固定構体を提供す
ることである。本発明のさらに他の目的は、より効率的
な放熱を可能にするパワー・トランジスタ固定構体を提
供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のパワー・トラン
ジスタ固定構体は、次のように構成される。即ち、基板
10上のパワー・トランジスタ18の固定位置には開口
部11が形成される。第1ヒートシンク30は、圧着部
32及び肩部34を有し、圧着部32が開口部11を通
過してパワー・トランジスタ18の第1主面17に圧着
され、肩部34が開口部11の縁部に係着される。第2
ヒートシンク40は、橋梁部42及び足部44を有し、
橋梁部42がパワー・トランジスタ18の第2主面19
に圧着され、足部44が開口部11の縁部に係着され
る。第1又は第2主面17又は19上に設けられた電極
16と第1又は第2ヒートシンク30又は40の間には
絶縁手段(絶縁シート)14を介在させる。電極16
は、周知のように主にパワー・トランジスタ18の放熱
を助けるために設けられるので、絶縁手段14は絶縁性
が高いと同時に熱伝導性も高いものを使用する。固定手
段20及び22は、第1及び第2ヒートシンク30及び
40を互いに固定し、これによってパワー・トランジス
タは回路基板10に固定される。
ジスタ固定構体は、次のように構成される。即ち、基板
10上のパワー・トランジスタ18の固定位置には開口
部11が形成される。第1ヒートシンク30は、圧着部
32及び肩部34を有し、圧着部32が開口部11を通
過してパワー・トランジスタ18の第1主面17に圧着
され、肩部34が開口部11の縁部に係着される。第2
ヒートシンク40は、橋梁部42及び足部44を有し、
橋梁部42がパワー・トランジスタ18の第2主面19
に圧着され、足部44が開口部11の縁部に係着され
る。第1又は第2主面17又は19上に設けられた電極
16と第1又は第2ヒートシンク30又は40の間には
絶縁手段(絶縁シート)14を介在させる。電極16
は、周知のように主にパワー・トランジスタ18の放熱
を助けるために設けられるので、絶縁手段14は絶縁性
が高いと同時に熱伝導性も高いものを使用する。固定手
段20及び22は、第1及び第2ヒートシンク30及び
40を互いに固定し、これによってパワー・トランジス
タは回路基板10に固定される。
【0008】固定手段20及び22によって第1及び第
2ヒートシンク30及び40を互いに固定する場合に
は、特に足部44と第1ヒートシンク30を互いに固定
するようにして良い。つまり、従来のようにパワー・ト
ランジスタ18本体の穴にボルト20を通してヒートシ
ンクに固定する必要はなく、ボルト20と電極16との
間の沿面距離を充分に長くできる。また、絶縁手段の電
極に接する面の面積を電極の面積より広くし、電極と第
1又は第2ヒートシンクの間の上記絶縁手段の表面に沿
った沿面距離を所定値以上にしても良い。これらによっ
て種々の安全規格に適合させることができ、効果的に沿
面放電を防止できる。
2ヒートシンク30及び40を互いに固定する場合に
は、特に足部44と第1ヒートシンク30を互いに固定
するようにして良い。つまり、従来のようにパワー・ト
ランジスタ18本体の穴にボルト20を通してヒートシ
ンクに固定する必要はなく、ボルト20と電極16との
間の沿面距離を充分に長くできる。また、絶縁手段の電
極に接する面の面積を電極の面積より広くし、電極と第
1又は第2ヒートシンクの間の上記絶縁手段の表面に沿
った沿面距離を所定値以上にしても良い。これらによっ
て種々の安全規格に適合させることができ、効果的に沿
面放電を防止できる。
【0009】
【作用】本発明のパワー・トランジスタ固定構体では、
2つのヒートシンクをパワー・トランジスタの第1及び
第2主面に圧着させる。これによって、一方の主面にの
みヒートシンクを圧着させる場合に比較して、より効率
的に熱を逃がすことができる。よって、回路を小型化し
た場合にも発熱の問題を低減できる。またこれらと同時
に沿面距離を充分に取ることができる。
2つのヒートシンクをパワー・トランジスタの第1及び
第2主面に圧着させる。これによって、一方の主面にの
みヒートシンクを圧着させる場合に比較して、より効率
的に熱を逃がすことができる。よって、回路を小型化し
た場合にも発熱の問題を低減できる。またこれらと同時
に沿面距離を充分に取ることができる。
【0010】
【実施例】図1は、本発明の一好適実施例の分解斜視図
である。また図2は、図1の組立断面図である。なお、
図4と対応するものには同じ番号を付している。また、
図では、パワー・トランジスタが2個の場合を示してい
るが、本発明は1個について適用できる。もちろん、パ
ワー・トランジスタが2個以上の場合にも容易に拡張で
きる。
である。また図2は、図1の組立断面図である。なお、
図4と対応するものには同じ番号を付している。また、
図では、パワー・トランジスタが2個の場合を示してい
るが、本発明は1個について適用できる。もちろん、パ
ワー・トランジスタが2個以上の場合にも容易に拡張で
きる。
【0011】本発明のパワー・トランジスタ固定構体で
は、ヒートシンクが2つ使用される。第1ヒートシンク
30は圧着部32及び肩部34を有している。圧着部3
2は、回路基板10に形成された開口部11を通過でき
るように、開口部11の形状よりやや小さく形成する。
また、圧着部32の厚みdは、例えば基板10の厚みと
同じにする。ただし、パワー・トランジスタ18の第1
主面17との間に絶縁シート(絶縁手段)を介在させる
場合には、その厚みも考慮する。肩部34は開口部11
よりも大きく形成し、圧着部32を通過させたときに開
口部11の縁部に引っかかって係着できるようにしてい
る。なお主面という用語は、パワー・トランジスタの他
の4つの面(側面)と区別する意味で使用している。
は、ヒートシンクが2つ使用される。第1ヒートシンク
30は圧着部32及び肩部34を有している。圧着部3
2は、回路基板10に形成された開口部11を通過でき
るように、開口部11の形状よりやや小さく形成する。
また、圧着部32の厚みdは、例えば基板10の厚みと
同じにする。ただし、パワー・トランジスタ18の第1
主面17との間に絶縁シート(絶縁手段)を介在させる
場合には、その厚みも考慮する。肩部34は開口部11
よりも大きく形成し、圧着部32を通過させたときに開
口部11の縁部に引っかかって係着できるようにしてい
る。なお主面という用語は、パワー・トランジスタの他
の4つの面(側面)と区別する意味で使用している。
【0012】第2ヒートシンク40は、橋梁部42及び
足部44を有している。足部44の長さhは、パワー・
トランジスタ18の厚みを考慮し、足部44を基板10
に係着させたときにパワー・トランジスタ18の第2主
面19に圧着する長さにする。絶縁シート(絶縁手段)
14を間に挟むときには、その厚みも考慮してhを決定
する。
足部44を有している。足部44の長さhは、パワー・
トランジスタ18の厚みを考慮し、足部44を基板10
に係着させたときにパワー・トランジスタ18の第2主
面19に圧着する長さにする。絶縁シート(絶縁手段)
14を間に挟むときには、その厚みも考慮してhを決定
する。
【0013】図1においてパワー・トランジスタ18の
第1主面17は、第1ヒートシンク30の圧着部32を
向いて下向きに画かれている。第2主面19上には、電
極(コレクタ電極)16が設けられている。ただし、電
極16は第1主面に設けても良い。絶縁シート(絶縁手
段)14は、電極16と第1又は第2ヒートシンク(図
1では第2ヒートシンク40)との間に設けられる。こ
の絶縁シート14は、絶縁性が良いと同時に熱伝導性の
良い部材を使用し、放熱を主目的とする電極16からの
熱を効果的に伝達する。絶縁手段14としては、ヒート
シンクと独立した絶縁シートを使用する他に、予め第1
又は第2ヒートシンクに絶縁性の層を形成しておいても
良い。例えば、第1ヒートシンク30にこの絶縁層を形
成するならば、圧着部34の第1主面17に接する面に
絶縁層を形成する。第2ヒートシンク40ならば、橋梁
部42の第2主面19に接する面に絶縁層を形成する。
第1主面17は、第1ヒートシンク30の圧着部32を
向いて下向きに画かれている。第2主面19上には、電
極(コレクタ電極)16が設けられている。ただし、電
極16は第1主面に設けても良い。絶縁シート(絶縁手
段)14は、電極16と第1又は第2ヒートシンク(図
1では第2ヒートシンク40)との間に設けられる。こ
の絶縁シート14は、絶縁性が良いと同時に熱伝導性の
良い部材を使用し、放熱を主目的とする電極16からの
熱を効果的に伝達する。絶縁手段14としては、ヒート
シンクと独立した絶縁シートを使用する他に、予め第1
又は第2ヒートシンクに絶縁性の層を形成しておいても
良い。例えば、第1ヒートシンク30にこの絶縁層を形
成するならば、圧着部34の第1主面17に接する面に
絶縁層を形成する。第2ヒートシンク40ならば、橋梁
部42の第2主面19に接する面に絶縁層を形成する。
【0014】ヒートシンクと電極16との間の沿面距離
が安全規格等に定める所定値以上になるように、絶縁手
段の電極16に接する面の面積は電極16の面積より充
分に広くする必要がある。例えば沿面距離が4ミリ・メ
ータならば、電極16の外縁から4ミリ・メータ以上に
渡って絶縁手段が広がっている必要がある。もちろんこ
れにともなって、橋梁部42とその両端にある足部44
との間の距離や、開口部の大きさを設計する。
が安全規格等に定める所定値以上になるように、絶縁手
段の電極16に接する面の面積は電極16の面積より充
分に広くする必要がある。例えば沿面距離が4ミリ・メ
ータならば、電極16の外縁から4ミリ・メータ以上に
渡って絶縁手段が広がっている必要がある。もちろんこ
れにともなって、橋梁部42とその両端にある足部44
との間の距離や、開口部の大きさを設計する。
【0015】第1及び第2ヒートシンク30及び40
は、固定手段であるボルト20及びナット22によって
基板10に固定され、これと同時にパワー・トランジス
タ18も固定される。ボルト20は、例えば第2ヒート
シンク40の足部44に設けた穴46と、これに位置関
係を対応させた第1ヒートシンク30の穴36に通され
てナット22で締め付けられる。これによると、ボルト
20はパワー・トランジスタ18の電極16と大きく離
れた位置に配置されることになり、ボルト20と電極1
6との間の沿面距離を充分に取ることができる。つまり
固定手段は、固定するパワー・トランジスタを挟んたヒ
ートシンクの両端部に設けるのが良い。
は、固定手段であるボルト20及びナット22によって
基板10に固定され、これと同時にパワー・トランジス
タ18も固定される。ボルト20は、例えば第2ヒート
シンク40の足部44に設けた穴46と、これに位置関
係を対応させた第1ヒートシンク30の穴36に通され
てナット22で締め付けられる。これによると、ボルト
20はパワー・トランジスタ18の電極16と大きく離
れた位置に配置されることになり、ボルト20と電極1
6との間の沿面距離を充分に取ることができる。つまり
固定手段は、固定するパワー・トランジスタを挟んたヒ
ートシンクの両端部に設けるのが良い。
【0016】近年、表面実装(SMD)によって基板の
表面に電子部品を直接半田付けすることにより、機器の
小型化が行われている。この場合、基板に応力がかかる
と部品がはがれ落ちる危険がある。また、小型であるた
めに発熱も大きな問題である。しかし本発明のパワー・
トランジスタ固定構体によれば、基板10の他の領域に
応力が及ぶことがない。またパワー・トランジスタの発
熱についても、ヒートシンクをパワー・トランジスタの
2つの面に圧着させたことで、効果的に放熱できる。よ
って表面実装で回路基板を製造する場合に適し、機器の
小型化に寄与する。
表面に電子部品を直接半田付けすることにより、機器の
小型化が行われている。この場合、基板に応力がかかる
と部品がはがれ落ちる危険がある。また、小型であるた
めに発熱も大きな問題である。しかし本発明のパワー・
トランジスタ固定構体によれば、基板10の他の領域に
応力が及ぶことがない。またパワー・トランジスタの発
熱についても、ヒートシンクをパワー・トランジスタの
2つの面に圧着させたことで、効果的に放熱できる。よ
って表面実装で回路基板を製造する場合に適し、機器の
小型化に寄与する。
【0017】
【発明の効果】本発明のパワー・トランジスタ固定構体
によれば、パワー・トランジスタ本体の穴にボルトを通
して固定する必要がなく、充分な沿面距離を取ることが
できる。また、パワー・トランジスタの2つの主面を2
つのヒートシンクで圧着し、効果的に熱を逃がすことが
できる。さらの基板に応力を及ぼすことがないので、表
面実装による基板の製造にも適している。
によれば、パワー・トランジスタ本体の穴にボルトを通
して固定する必要がなく、充分な沿面距離を取ることが
できる。また、パワー・トランジスタの2つの主面を2
つのヒートシンクで圧着し、効果的に熱を逃がすことが
できる。さらの基板に応力を及ぼすことがないので、表
面実装による基板の製造にも適している。
【図1】本発明の一好適実施例の分解斜視図である。
【図2】図1の組立断面図である。
【図3】沿面放電を説明する図である。
【図4】パワー・トランジスタ固定構体の一従来例の断
面図である。
面図である。
10 回路基板 11 開口部 14 絶縁シート 16 電極 17 第1主面 18 パワー・トランジスタ 19 第2主面 20 ボルト 21 ワッシャ 22 ナット 30 第1ヒートシンク 32 圧着部 34 肩部 36 穴 40 第2ヒートシンク 42 橋梁部 44 足部 46 穴
Claims (3)
- 【請求項1】 基板上のパワー・トランジスタの固定位
置に形成した開口部と、 圧着部及び肩部を有し、上記圧着部が上記開口部を通過
して上記パワー・トランジスタの第1主面に圧着され、
上記肩部が上記開口部の縁部に係着される第1ヒートシ
ンクと、 橋梁部及び足部を有し、上記橋梁部が上記パワー・トラ
ンジスタの第2主面に圧着され、上記足部が上記開口部
の縁部に係着される第2ヒートシンクと、 上記第1又は第2主面上に設けられた電極と上記第1又
は第2ヒートシンクの間に介在する絶縁手段と、 上記第1及び第2ヒートシンクを互いに固定する固定手
段とを具えるパワー・トランジスタ固定構体。 - 【請求項2】 上記固定手段によって上記足部と上記第
1ヒートシンクを互いに固定することを特徴とする特許
請求の範囲1記載のパワー・トランジスタ固定構体。 - 【請求項3】 上記絶縁手段の上記電極に接する面の面
積を上記電極の面積より広くし、上記第1又は第2ヒー
トシンクの間の上記絶縁手段の表面に沿った沿面距離を
所定値以上にすることを特徴とする請求項1又は2記載
のパワー・トランジスタ固定構体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2473994A JPH07221231A (ja) | 1994-01-27 | 1994-01-27 | パワー・トランジスタ固定構体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2473994A JPH07221231A (ja) | 1994-01-27 | 1994-01-27 | パワー・トランジスタ固定構体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07221231A true JPH07221231A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=12146528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2473994A Pending JPH07221231A (ja) | 1994-01-27 | 1994-01-27 | パワー・トランジスタ固定構体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07221231A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100363834B1 (ko) * | 2000-03-29 | 2002-12-11 | 조준상 | 대전력용 회로부품의 특성을 향상시키기 위한 방열장치 |
| US6917523B2 (en) * | 2002-02-20 | 2005-07-12 | Intel Corporation | Thermal solution for a mezzanine card |
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