JPH0722175B2 - 半導体基板の非接触搬送装置 - Google Patents
半導体基板の非接触搬送装置Info
- Publication number
- JPH0722175B2 JPH0722175B2 JP14945991A JP14945991A JPH0722175B2 JP H0722175 B2 JPH0722175 B2 JP H0722175B2 JP 14945991 A JP14945991 A JP 14945991A JP 14945991 A JP14945991 A JP 14945991A JP H0722175 B2 JPH0722175 B2 JP H0722175B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- wafer
- gas
- thin film
- quartz
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Gripping Jigs, Holding Jigs, And Positioning Jigs (AREA)
- Specific Conveyance Elements (AREA)
- Sheets, Magazines, And Separation Thereof (AREA)
Description
【０００１】この発明は、半導体基板のＣＶＤ成膜装置
や熱処理装置における基板の非接触搬送装置の改良に係
り、装置主体の絶縁材プレート表面のガス吹出孔近傍に
導電体薄膜によるアース配線を設け、半導体基板へのパ
ーティクルの付着を低減した半導体基板の非接触搬送装
置に関する。
や熱処理装置における基板の非接触搬送装置の改良に係
り、装置主体の絶縁材プレート表面のガス吹出孔近傍に
導電体薄膜によるアース配線を設け、半導体基板へのパ
ーティクルの付着を低減した半導体基板の非接触搬送装
置に関する。
【産業上の利用分野】
【０００２】
【従来の技術】シリコンウエーハ等の半導体基板にＣＶ
Ｄ薄膜を成膜したり、熱処理をする半導体製造装置に使
用されている半導体基板の非接触式の搬送装置は、例え
ば図３に示す如く、チャンバー１とウエーハの搬送用カ
セット２が挿入されたカセット室３との間を接続したハ
ンドリング室４に配設される。
Ｄ薄膜を成膜したり、熱処理をする半導体製造装置に使
用されている半導体基板の非接触式の搬送装置は、例え
ば図３に示す如く、チャンバー１とウエーハの搬送用カ
セット２が挿入されたカセット室３との間を接続したハ
ンドリング室４に配設される。
【０００３】非接触式の搬送装置は、ハンドリング室４
中央にパントグラフ機構５をモーター６で水平回転駆動
可能に支持し、石英製等の絶縁材板からなるウエーハ支
持プレート１０を前記パントグラフ機構５にホルダー７
を介して接続した構成からなる。
中央にパントグラフ機構５をモーター６で水平回転駆動
可能に支持し、石英製等の絶縁材板からなるウエーハ支
持プレート１０を前記パントグラフ機構５にホルダー７
を介して接続した構成からなる。
【０００４】ウエーハ支持プレート１０は、図１に示す
如く表面に複数のガス吹出孔１１が設けられ、Ｎ2ガス
をウエーハ表面に吹きつけることにより、ベルヌーイ効
果を生じてウエーハ２０を持ち上げ、該表面を非接触状
態で保持可能にした構成からなる。
如く表面に複数のガス吹出孔１１が設けられ、Ｎ2ガス
をウエーハ表面に吹きつけることにより、ベルヌーイ効
果を生じてウエーハ２０を持ち上げ、該表面を非接触状
態で保持可能にした構成からなる。
【０００５】前記パントグラフ機構５にてアーム５ａを
延ばしてウエーハ支持プレート１０をカセット室３内に
侵入させて、ウエーハ２０を持ち上げたのちアーム５ａ
を縮めてハンドリング室４に戻して水平回転させ、チャ
ンバー１へアーム５ａを伸長させてウエーハ２０をチャ
ンバー１内のトレイ上まで移動させてＮ2ガスを止める
ことにより、ウエーハ２０のチャンバー１への搬送を完
了する。
延ばしてウエーハ支持プレート１０をカセット室３内に
侵入させて、ウエーハ２０を持ち上げたのちアーム５ａ
を縮めてハンドリング室４に戻して水平回転させ、チャ
ンバー１へアーム５ａを伸長させてウエーハ２０をチャ
ンバー１内のトレイ上まで移動させてＮ2ガスを止める
ことにより、ウエーハ２０のチャンバー１への搬送を完
了する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】非接触搬送装置におい
て、半導体基板にパーティクルが付着する問題があり、
かかる原因について種々検討した結果、石英製支持プレ
ート１０の小さなガス吹出孔１１よりＮ２ガスを吹き出
すため、摩擦により同部付近に静電気を帯び、Ｎ２ガス
のを吹き出しをオフにした時に石英部に発生した静電気
に吸い寄せられるようにパーティクルが付着することが
分かった。（図２のｂ）次にウエーハをチャックするた
めにＮ２ガスの吹き出しを行うと、そのパーティクルが
ウエーハ表面に付着してしまう。（図２のｃ）すなわ
ち、Ｎ２ガスの吹き出しにともない発生した静電気が石
英部から除去できないために、上記のように基板にパー
ティクルが付着してしまうことが判明した。
て、半導体基板にパーティクルが付着する問題があり、
かかる原因について種々検討した結果、石英製支持プレ
ート１０の小さなガス吹出孔１１よりＮ２ガスを吹き出
すため、摩擦により同部付近に静電気を帯び、Ｎ２ガス
のを吹き出しをオフにした時に石英部に発生した静電気
に吸い寄せられるようにパーティクルが付着することが
分かった。（図２のｂ）次にウエーハをチャックするた
めにＮ２ガスの吹き出しを行うと、そのパーティクルが
ウエーハ表面に付着してしまう。（図２のｃ）すなわ
ち、Ｎ２ガスの吹き出しにともない発生した静電気が石
英部から除去できないために、上記のように基板にパー
ティクルが付着してしまうことが判明した。
【０００７】この発明は、基板へのパーティクルの付着
を低減した構成からなる半導体基板の非接触搬送装置の
提供を目的としている。
を低減した構成からなる半導体基板の非接触搬送装置の
提供を目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、絶縁材プレ
ート表面のガス吹出孔より基板表面にガスを吹きつけて
非接触で半導体基板を保持搬送する半導体基板の搬送装
置において、絶縁材プレート表面の少なくともガス吹出
孔近傍に導電体薄膜によるアース配線を設けたことを特
徴とする半導体基板の非接触搬送装置である。
ート表面のガス吹出孔より基板表面にガスを吹きつけて
非接触で半導体基板を保持搬送する半導体基板の搬送装
置において、絶縁材プレート表面の少なくともガス吹出
孔近傍に導電体薄膜によるアース配線を設けたことを特
徴とする半導体基板の非接触搬送装置である。
【０００９】
【作用】この発明は、石英製のウエーハ支持プレートの
Ｎ２ガス吹出孔付近に、シリサイド膜等の導電体薄膜を
蒸着させ、発生する静電気をすみやかに石英製のプレー
トから装置外へ除去させ常に静電気が帯電しないように
構成したことを特徴とする。Ｎ２ガス吹き出孔付近に配
線した導電体薄膜により静電気が除去されることによ
り、石英製のプレートへのパーティクルの付着が押さえ
られ、ガス吹き出しを止めた際のウエーハ表面へのパー
ティクルの付着も少なくなる。
Ｎ２ガス吹出孔付近に、シリサイド膜等の導電体薄膜を
蒸着させ、発生する静電気をすみやかに石英製のプレー
トから装置外へ除去させ常に静電気が帯電しないように
構成したことを特徴とする。Ｎ２ガス吹き出孔付近に配
線した導電体薄膜により静電気が除去されることによ
り、石英製のプレートへのパーティクルの付着が押さえ
られ、ガス吹き出しを止めた際のウエーハ表面へのパー
ティクルの付着も少なくなる。
【００１０】この発明において、導電体薄膜によるアー
ス配線は少なくともガス吹出孔近傍に設けるが、ガス吹
き出しに伴い発生した静電気を石英部から装置外へ導出
するため、少なくとも各ガス吹出孔近傍の一ヵ所を通る
よう配線されれば、ガス吹出孔の接線方向にあるいは孔
部の一部または全部を囲む如く配線するなど、何れのパ
ターニングであっても利用できる。静電気の導出先も任
意であるが、パーティクルの付着防止効果を得かつ安全
性を確保するために、ハンドリング室外へ導出し、確実
にアースすることが望ましい。
ス配線は少なくともガス吹出孔近傍に設けるが、ガス吹
き出しに伴い発生した静電気を石英部から装置外へ導出
するため、少なくとも各ガス吹出孔近傍の一ヵ所を通る
よう配線されれば、ガス吹出孔の接線方向にあるいは孔
部の一部または全部を囲む如く配線するなど、何れのパ
ターニングであっても利用できる。静電気の導出先も任
意であるが、パーティクルの付着防止効果を得かつ安全
性を確保するために、ハンドリング室外へ導出し、確実
にアースすることが望ましい。
【００１１】この発明において、アース配線の導電体薄
膜には、装置を配置するチャンバーが高温にさらされる
ことから、石英材に付着させやすく融点が高く不純物を
放出しない安定的な材料であれば、種々の材質のものが
採用可能であり、例えば公知の種々組成からなるシリサ
イドから適宜選定するとよく、融点が高いＴａＳｉ2、
ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2などが特に好ましい。また、導電体
薄膜の膜厚みは特に限定しないが、発生した静電気を導
出に十分な厚みを蒸着などの成膜方法に応じて適宜選定
して断線することなく設ける必要がある。特に、石英材
のプレートから他の材質部材表面にアース配線を行う際
の接続には、前記シリサイドにて連続して成膜するほ
か、必要に応じて前記導電体薄膜と異材質を用いて配線
することができる。
膜には、装置を配置するチャンバーが高温にさらされる
ことから、石英材に付着させやすく融点が高く不純物を
放出しない安定的な材料であれば、種々の材質のものが
採用可能であり、例えば公知の種々組成からなるシリサ
イドから適宜選定するとよく、融点が高いＴａＳｉ2、
ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2などが特に好ましい。また、導電体
薄膜の膜厚みは特に限定しないが、発生した静電気を導
出に十分な厚みを蒸着などの成膜方法に応じて適宜選定
して断線することなく設ける必要がある。特に、石英材
のプレートから他の材質部材表面にアース配線を行う際
の接続には、前記シリサイドにて連続して成膜するほ
か、必要に応じて前記導電体薄膜と異材質を用いて配線
することができる。
【００１２】
【実施例】この発明による非接触搬送装置は、図２に示
す如く、ハンドリング室４中央にパントグラフ機構５を
モーター６で水平回転駆動可能に支持し、石英板からな
るウエーハ支持プレート１０を前記パントグラフ機構５
にホルダー７を介して接続した構成からなる。アース配
線はウエーハ支持プレート１０の導電体薄膜１２と導線
１３からなり、導電体薄膜１２は図１に示す如く、ウエ
ーハ支持プレート１０の下面に設けられた各ガス吹出孔
１１の周囲と計８ケの該孔１１間を接続するが如くＴａ
Ｓｉ2を蒸着にて設けてあり、該薄膜によるアース配線
はさらにタングステンカーバイト等からなる導線１３に
て支持プレート１０からホルダー７、アーム５ａ、モー
ター６へと配線して、モーター６のアースに結線してあ
る。
す如く、ハンドリング室４中央にパントグラフ機構５を
モーター６で水平回転駆動可能に支持し、石英板からな
るウエーハ支持プレート１０を前記パントグラフ機構５
にホルダー７を介して接続した構成からなる。アース配
線はウエーハ支持プレート１０の導電体薄膜１２と導線
１３からなり、導電体薄膜１２は図１に示す如く、ウエ
ーハ支持プレート１０の下面に設けられた各ガス吹出孔
１１の周囲と計８ケの該孔１１間を接続するが如くＴａ
Ｓｉ2を蒸着にて設けてあり、該薄膜によるアース配線
はさらにタングステンカーバイト等からなる導線１３に
て支持プレート１０からホルダー７、アーム５ａ、モー
ター６へと配線して、モーター６のアースに結線してあ
る。
【００１３】かかるアース配線を設けた非接触搬送装置
は、ウエーハの搬送に際してＮ２ガスの吹き出しのオ
ン、オフを行うが、ガス吹き出しに伴い発生した静電気
を石英部から装置外へ導出することができ、ウエーハ表
面へのパーティクルの付着が防止できる。ちなみに、ア
ース配線を設けない従来装置で５００枚のウエーハを取
り扱った場合、２７枚のウエーハにパーティクルの付着
があったが、上記のアース配線を設けたこの発明による
非接触搬送装置では、パーティクルの付着したウエーハ
は皆無であった。
は、ウエーハの搬送に際してＮ２ガスの吹き出しのオ
ン、オフを行うが、ガス吹き出しに伴い発生した静電気
を石英部から装置外へ導出することができ、ウエーハ表
面へのパーティクルの付着が防止できる。ちなみに、ア
ース配線を設けない従来装置で５００枚のウエーハを取
り扱った場合、２７枚のウエーハにパーティクルの付着
があったが、上記のアース配線を設けたこの発明による
非接触搬送装置では、パーティクルの付着したウエーハ
は皆無であった。
【００１４】
【発明の効果】この発明による半導体基板の非接触搬送
装置は、石英製のウエーハ支持プレートのＮ２ガス吹出
孔付近に、シリサイド膜の導電体薄膜を蒸着させ、発生
する静電気をすみやかに石英製のプレートから装置外へ
除去させて常に静電気が帯電しないように構成したこと
により、石英製のプレートへのパーティクルの付着が押
さえられ、ガス吹き出しを止めた際のウエーハ表面への
パーティクルの付着が防止される。
装置は、石英製のウエーハ支持プレートのＮ２ガス吹出
孔付近に、シリサイド膜の導電体薄膜を蒸着させ、発生
する静電気をすみやかに石英製のプレートから装置外へ
除去させて常に静電気が帯電しないように構成したこと
により、石英製のプレートへのパーティクルの付着が押
さえられ、ガス吹き出しを止めた際のウエーハ表面への
パーティクルの付着が防止される。
【図１】半導体基板の非接触搬送装置を示す説明図であ
り、ａは側面説明図、ｂは下面説明図である。
り、ａは側面説明図、ｂは下面説明図である。
【図２】半導体基板のＣＶＤ成膜装置に接続する半導体
基板の非接触搬送装置を示す斜視説明図である。
基板の非接触搬送装置を示す斜視説明図である。
【図３】非接触搬送装置におけるウエーハ表面へのパー
ティクルの付着を示すウエーハ支持プレートの側面説明
図である。
ティクルの付着を示すウエーハ支持プレートの側面説明
図である。
１ チャンバー ２ 搬送用カセット ３ カセット室 ４ ハンドリング室 ５ パントグラフ機構 ５ａ アーム ６ モーター ７ ホルダー １０ ウエーハ支持プレート １１ ガス吹出孔 １２ 導電体薄膜 １３ 導線 ２０ ウエーハ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ６５Ｇ 49/07 9244−3Ｆ Ｂ６５Ｈ 3/14 8712−3Ｆ Ｈ０１Ｌ 21/205 21/31
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁材プレート表面のガス吹出孔より基
板表面にガスを吹きつけて非接触で半導体基板を保持搬
送する半導体基板の搬送装置において、絶縁材プレート
表面の少なくともガス吹出孔近傍に導電体薄膜によるア
ース配線を設けたことを特徴とする半導体基板の非接触
搬送装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14945991A JPH0722175B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 半導体基板の非接触搬送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14945991A JPH0722175B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 半導体基板の非接触搬送装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04348052A JPH04348052A (ja) | 1992-12-03 |
| JPH0722175B2 true JPH0722175B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=15475588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14945991A Expired - Lifetime JPH0722175B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 半導体基板の非接触搬送装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722175B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0902966A1 (en) * | 1996-05-31 | 1999-03-24 | IPEC Precision, Inc. | Non-contact holder for wafer-like articles |
| TW500651B (en) * | 2001-02-20 | 2002-09-01 | Harmotec Corp | Non-contact transfer device |
| KR102845579B1 (ko) * | 2020-11-06 | 2025-08-11 | 세메스 주식회사 | 반송 플레이트, 반송 유닛의 제조방법 및 기판 처리 장치 |
-
1991
- 1991-05-24 JP JP14945991A patent/JPH0722175B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04348052A (ja) | 1992-12-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3266537B2 (ja) | ワークピースの支持チャックの支持面に離間してワークピースを支持する装置及び離間マスクの製造方法 | |
| JP5086172B2 (ja) | ワークピースの縁部をシールドする装置 | |
| US5841624A (en) | Cover layer for a substrate support chuck and method of fabricating same | |
| US6709218B1 (en) | Robot blade for semiconductor processing equipment | |
| KR100376643B1 (ko) | 반도체 기판을 처리하기 위한 웨이퍼 캐리어 및 반도체 장치 | |
| US5762714A (en) | Plasma guard for chamber equipped with electrostatic chuck | |
| US5669644A (en) | Wafer transfer plate | |
| US4962441A (en) | Isolated electrostatic wafer blade clamp | |
| JPH06283431A (ja) | 基板支持装置、基板支持・運搬装置、及び基板裏側への被着防止方法 | |
| US20090252582A1 (en) | Processing thin wafers | |
| TWI470722B (zh) | 基板搬送機構、基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 | |
| WO2004030085A1 (ja) | 被処理体の搬送方法 | |
| JP3196719B2 (ja) | 汚染防御用隔離ラインを有する半導体製造ライン、ウエハ搬送機構および半導体の製造方法 | |
| JPH1064986A (ja) | 汚染抑制層を有する基板支持チャック及びその製造方法 | |
| JPS63133644A (ja) | ウエハ搬送フオ−ク | |
| JPH04348052A (ja) | 半導体基板の非接触搬送装置 | |
| JP3314982B2 (ja) | 全自動半導体及び液晶パネル製造装置 | |
| CN108754458B (zh) | 一种化学气相淀积机台及处理机台报警的方法 | |
| JP3373394B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP3249755B2 (ja) | 気相成長方法及びこれに用いられるウエハー搬送装置 | |
| US6302459B1 (en) | Conveyance arm device | |
| JP2979230B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| EP0905745A3 (en) | Semiconductor device manufacting apparatus | |
| JP2019195055A (ja) | 半導体プロセス用の基板搬送機構及び成膜装置 | |
| JP3976386B2 (ja) | フッ素ガスを用いた選択ｃｖｄ方法 |