JPH0722219A - ハイブリッド回路基体上での抵抗体の製造方法 - Google Patents
ハイブリッド回路基体上での抵抗体の製造方法Info
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- JPH0722219A JPH0722219A JP5165633A JP16563393A JPH0722219A JP H0722219 A JPH0722219 A JP H0722219A JP 5165633 A JP5165633 A JP 5165633A JP 16563393 A JP16563393 A JP 16563393A JP H0722219 A JPH0722219 A JP H0722219A
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- temperature
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 秀れたＴＲＣを有するハイブリッド回路抵抗
体の製造を目的とする。 【構成】 セラミック基板上に抵抗体を形成する方法に
おいて、その抵抗体の焼成及び冷却は下記の温度プロフ
ァイルによって行なう： （i） ５００℃〜６５０℃の温度の第１の加熱領域 （ii） 第１の加熱領域から７００℃〜８５０℃の温度
までの第２の加熱領域 （iii） 第２の加熱から８７０℃〜１０００℃の温度
までの第３の加熱領域、第２の加熱領域における一定時
間当りの加熱速度は第１の加熱領域の一定時間当りの加
熱速度よりも遅く、第３の加熱領域における一定時間当
りの加熱速度は第２の加熱領域における一定時間当りの
加熱速度よりも速く、そして加熱焼成過程における第２
の加熱領域までの平均の昇温速度の絶対値の２倍以上の
冷却速度でその抵抗体層を冷却させ、総処理時間は、１
５〜１２０分の範囲である。
体の製造を目的とする。 【構成】 セラミック基板上に抵抗体を形成する方法に
おいて、その抵抗体の焼成及び冷却は下記の温度プロフ
ァイルによって行なう： （i） ５００℃〜６５０℃の温度の第１の加熱領域 （ii） 第１の加熱領域から７００℃〜８５０℃の温度
までの第２の加熱領域 （iii） 第２の加熱から８７０℃〜１０００℃の温度
までの第３の加熱領域、第２の加熱領域における一定時
間当りの加熱速度は第１の加熱領域の一定時間当りの加
熱速度よりも遅く、第３の加熱領域における一定時間当
りの加熱速度は第２の加熱領域における一定時間当りの
加熱速度よりも速く、そして加熱焼成過程における第２
の加熱領域までの平均の昇温速度の絶対値の２倍以上の
冷却速度でその抵抗体層を冷却させ、総処理時間は、１
５〜１２０分の範囲である。
Description
【０００１】本発明は、ハイブリッド回路製造分野にお
ける改良に関する。さらに詳しくは、セラミック基板上
に抵抗体ペーストを形成させる方法に関する。
ける改良に関する。さらに詳しくは、セラミック基板上
に抵抗体ペーストを形成させる方法に関する。
【０００２】高い充てん密度を有する厚膜抵抗体を持っ
たハイブリッド回路は技術上周知である。ハイブリッド
回路は半導体から成るマルチレベル中間回路すなわちセ
ラミック絶縁体基体上に取付けた集積回路チップであ
る。この回路は半導体チップ、コネクタリード、コンデ
ンサー、レジスター等を取付けるための末端パッドを備
えるように設計される。
たハイブリッド回路は技術上周知である。ハイブリッド
回路は半導体から成るマルチレベル中間回路すなわちセ
ラミック絶縁体基体上に取付けた集積回路チップであ
る。この回路は半導体チップ、コネクタリード、コンデ
ンサー、レジスター等を取付けるための末端パッドを備
えるように設計される。
【０００３】厚フィルム抵抗体は有機溶媒、結合剤及び
抵抗物質からなるペーストから製造される。ペーストは
セラミックまたはガラスのような非導電性基体上に特定
のパターンでスクリーン印刷する。次に印刷した基体を
乾燥させて、ペースト中に含まれる有機溶媒を除去し、
次に基体を焼成して、無機成分を焼結または融着させて
厚膜抵抗体を基体に結合させる。
抵抗物質からなるペーストから製造される。ペーストは
セラミックまたはガラスのような非導電性基体上に特定
のパターンでスクリーン印刷する。次に印刷した基体を
乾燥させて、ペースト中に含まれる有機溶媒を除去し、
次に基体を焼成して、無機成分を焼結または融着させて
厚膜抵抗体を基体に結合させる。
【０００４】典型的な厚膜焼成方法では、印刷し乾燥し
た基体をマルチゾーンベルト炉に通す。ベルトの速度は
一定であり、基体は典型的に約７００゜〜１０００℃ま
で、温度の増加する加熱ゾーンを通って進む。基体は所
定期間、一般には約５〜１５分間の間ピーク温度に維持
され、その後周囲温度に冷却する。炉内のゾーンは一般
に完全燃焼ゾーン（約６００℃までの温度）、高温ゾー
ン（ピーク温度）、冷却ゾーン（周囲温度）と呼ばれ
る。
た基体をマルチゾーンベルト炉に通す。ベルトの速度は
一定であり、基体は典型的に約７００゜〜１０００℃ま
で、温度の増加する加熱ゾーンを通って進む。基体は所
定期間、一般には約５〜１５分間の間ピーク温度に維持
され、その後周囲温度に冷却する。炉内のゾーンは一般
に完全燃焼ゾーン（約６００℃までの温度）、高温ゾー
ン（ピーク温度）、冷却ゾーン（周囲温度）と呼ばれ
る。
【０００５】従来セラミック基板上にホウ化ランタン及
び／又はドープされた酸化錫等を含む抵抗体ペーストを
塗布し、乾燥して、その後焼成して、セラミック基板上
に抵抗体層を形成していた。しかし従来の方法では、特
に１０，０００オームにおいて高温時抵抗温度係数
（Ｈ，ＴＣＲ）及び低温時抵抗温度係数（Ｃ，ＴＣＲ）
が秀れた抵抗体は得られなかった。
び／又はドープされた酸化錫等を含む抵抗体ペーストを
塗布し、乾燥して、その後焼成して、セラミック基板上
に抵抗体層を形成していた。しかし従来の方法では、特
に１０，０００オームにおいて高温時抵抗温度係数
（Ｈ，ＴＣＲ）及び低温時抵抗温度係数（Ｃ，ＴＣＲ）
が秀れた抵抗体は得られなかった。
【０００６】本発明の発明者は幅広い研究を行ない、焼
成方法、すなわち特定な温度と時間との関係及び特定な
焼成雰囲気で焼成を行ない、セラミック基板上に秀れた
Ｈ−ＴＣＰ及びＣ−ＴＣＲを持った抵抗体を形成するこ
とができた。
成方法、すなわち特定な温度と時間との関係及び特定な
焼成雰囲気で焼成を行ない、セラミック基板上に秀れた
Ｈ−ＴＣＰ及びＣ−ＴＣＲを持った抵抗体を形成するこ
とができた。
【０００７】本発明は、次の工程 （ａ） セラミック基板上に導電体層及び／又は誘電体
層を介して又は介せずに抵抗体ペーストを塗布する工
程、 （ｂ） 基板上の抵抗体ペーストを乾燥させる工程、 （ｃ） 過半量以上の不活性ガスを含む雰囲気で下記の
条件でその抵抗体層を焼成する： （ａ） ５００℃〜６５０℃の温度の第１の加熱領域 （ｂ） 第１の加熱領域から７００℃〜８５０℃の温度
までの第２の加熱領域 （ｃ） 第２の加熱から８７０℃〜１０００℃の温度ま
での第３の加熱領域、第２の加熱領域における一定時間
当りの加熱速度は第１の加熱領域の一定時間当りの加熱
速度よりも遅く、第３の加熱領域における一定時間当り
の加熱速度は第２の加熱領域における一定時間当り加熱
速度よりも速く、そして （ｄ） 加熱焼成過程における第２の加熱領域までの平
均の昇温速度の絶対値の２倍以上の冷却速度でその抵抗
体層を冷却させ、総処理時間は、１５〜１２０分の範囲
であり、加熱完了後その抵抗体層を冷却することを特徴
とするハイブリッド回路基体上での抵抗体の形成方法に
関する。
層を介して又は介せずに抵抗体ペーストを塗布する工
程、 （ｂ） 基板上の抵抗体ペーストを乾燥させる工程、 （ｃ） 過半量以上の不活性ガスを含む雰囲気で下記の
条件でその抵抗体層を焼成する： （ａ） ５００℃〜６５０℃の温度の第１の加熱領域 （ｂ） 第１の加熱領域から７００℃〜８５０℃の温度
までの第２の加熱領域 （ｃ） 第２の加熱から８７０℃〜１０００℃の温度ま
での第３の加熱領域、第２の加熱領域における一定時間
当りの加熱速度は第１の加熱領域の一定時間当りの加熱
速度よりも遅く、第３の加熱領域における一定時間当り
の加熱速度は第２の加熱領域における一定時間当り加熱
速度よりも速く、そして （ｄ） 加熱焼成過程における第２の加熱領域までの平
均の昇温速度の絶対値の２倍以上の冷却速度でその抵抗
体層を冷却させ、総処理時間は、１５〜１２０分の範囲
であり、加熱完了後その抵抗体層を冷却することを特徴
とするハイブリッド回路基体上での抵抗体の形成方法に
関する。
【０００８】焼成を行なう、被焼成サンプルは、ベルト
によって連続的に焼成炉に導入される。炉の中の各部分
は、所定の温度となるように調節できる。炉のベルトの
速度も調整できる。従って一つの被焼成サンプルがその
炉を通過する間に所望の温度プロファイルでの焼成が可
能となる。
によって連続的に焼成炉に導入される。炉の中の各部分
は、所定の温度となるように調節できる。炉のベルトの
速度も調整できる。従って一つの被焼成サンプルがその
炉を通過する間に所望の温度プロファイルでの焼成が可
能となる。
【０００９】その加熱雰囲気は０．５〜２５容量％の二
酸化炭素を含む不活性ガス雰囲気で行なうことが好まし
く、又その加熱雰囲気は、０．５〜２５容量％の二酸化
炭素及び１０〜２０００ｐｐｍの水を含む不活性ガス雰
囲気で行なうことがより好ましい。
酸化炭素を含む不活性ガス雰囲気で行なうことが好まし
く、又その加熱雰囲気は、０．５〜２５容量％の二酸化
炭素及び１０〜２０００ｐｐｍの水を含む不活性ガス雰
囲気で行なうことがより好ましい。
【００１０】焼成工程の第１，第２及び第３の加熱領域
の好ましい実施態様において （i）第１の加熱領域は ｙ＝ｐ（ｘ−ｘ1）a＋Ｌ ｙは温度（℃）の変数、ｘは時間（分）の変数、ｘ1は
被焼成物が温度Ｌ℃の温度雰囲気に達するまでの時間
（分）であり、ｐは１〜１．４、ａは１．７から２．５
である。
の好ましい実施態様において （i）第１の加熱領域は ｙ＝ｐ（ｘ−ｘ1）a＋Ｌ ｙは温度（℃）の変数、ｘは時間（分）の変数、ｘ1は
被焼成物が温度Ｌ℃の温度雰囲気に達するまでの時間
（分）であり、ｐは１〜１．４、ａは１．７から２．５
である。
【００１１】（ii）第２の加熱領域は ｙ＝ｑ（ｘ−ｘ2）b＋Ｍ 式中ｙ及びｘは前述の通りであり、ｑは０．２５〜０．
５５であり、ｂは１．７〜２．５であり、そしてＭは第
１の加熱領域の終点温度である。
５５であり、ｂは１．７〜２．５であり、そしてＭは第
１の加熱領域の終点温度である。
【００１２】（iii）第３の加熱領域は、 ｙ＝ｒ（ｘ−ｘ3−５．５）c＋Ｎ 式中ｙ及びｘは前述の通りである、ｒは−３〜−７であ
り、ｘ3は第２の加熱領域の終点の温度であり、Ｎは第
３の加熱領域の終点の温度、そしてｃは１．７〜２．３
である。
り、ｘ3は第２の加熱領域の終点の温度であり、Ｎは第
３の加熱領域の終点の温度、そしてｃは１．７〜２．３
である。
【００１３】本発明の加熱焼成温度をさらに好ましい態
様を示す図面で説明する。
様を示す図面で説明する。
【００１４】本発明の焼成工程の第１の加熱領域は５０
０℃〜６５０℃までの加熱領域である。これは図１の曲
線Ａのイの部分に相当する。図１の曲線Ａの実施態様で
は第１の加熱領域は５７０℃となっているが勿論第１の
加熱領域の終点は５００〜６５０℃である。
０℃〜６５０℃までの加熱領域である。これは図１の曲
線Ａのイの部分に相当する。図１の曲線Ａの実施態様で
は第１の加熱領域は５７０℃となっているが勿論第１の
加熱領域の終点は５００〜６５０℃である。
【００１５】図１の曲線Ａのイの部分は ｙ＝１．２（ｘ−５)2＋５０（式中ｙは温度（℃）そし
てｘは時間（分）である） により表わされる。
てｘは時間（分）である） により表わされる。
【００１６】焼成工程の第２の加熱領域は、第１の加熱
領域の終点から７００℃〜８５０℃の温度までの加熱領
域である。図１の曲線Ａの実施態様では第２の加熱領域
の終点は７５０℃となっているが勿論第２の加熱領域の
終点は７００℃〜８５０℃である。第２の加熱領域は図
１の曲線Ａのロ部分に相当する。図１の曲線Ａのロ部分
は ｙ＝０．４（ｘ−２５)2＋５７０（式中ｙ及びｘは前述
の通り）となる。
領域の終点から７００℃〜８５０℃の温度までの加熱領
域である。図１の曲線Ａの実施態様では第２の加熱領域
の終点は７５０℃となっているが勿論第２の加熱領域の
終点は７００℃〜８５０℃である。第２の加熱領域は図
１の曲線Ａのロ部分に相当する。図１の曲線Ａのロ部分
は ｙ＝０．４（ｘ−２５)2＋５７０（式中ｙ及びｘは前述
の通り）となる。
【００１７】第２の加熱領域における単位時間当りの加
熱速度は第１の加熱領域における単位時間当りの加熱速
度よりも遅いことが必要である。
熱速度は第１の加熱領域における単位時間当りの加熱速
度よりも遅いことが必要である。
【００１８】焼成工程の第３の加熱領域は、第２の加熱
領域の終点から８７０℃〜１０００℃の温度までの加熱
領域である。図１の曲線Ａの実施態様では第３の加熱領
域の終点は、９００℃となっているが勿論第３の加熱領
域の終点は８７０℃〜１０００℃である。第３の加熱領
域は図１の曲線Ａのハ部分に相当する。図１の曲線Ａの
ハの部分は ｙ＝−５（ｘ−５０）2＋９００（式中ｙ及びｘは前述
の通り）となる。
領域の終点から８７０℃〜１０００℃の温度までの加熱
領域である。図１の曲線Ａの実施態様では第３の加熱領
域の終点は、９００℃となっているが勿論第３の加熱領
域の終点は８７０℃〜１０００℃である。第３の加熱領
域は図１の曲線Ａのハ部分に相当する。図１の曲線Ａの
ハの部分は ｙ＝−５（ｘ−５０）2＋９００（式中ｙ及びｘは前述
の通り）となる。
【００１９】第３の加熱領域における単位時間当りの加
熱速度は第２の加熱領域における単位時間当りの加熱速
度よりも速いことが必要である。
熱速度は第２の加熱領域における単位時間当りの加熱速
度よりも速いことが必要である。
【００２０】第１の加熱領域の終点は５７０℃、第２の
加熱領域の終点は７５０℃そして第３の加熱領域の終点
は９００℃であると仮定した場合、好ましい態様では３
つの加熱領域は下記の式で表わされる：ｙは温度（℃）
そしてｘは時間（分）である。
加熱領域の終点は７５０℃そして第３の加熱領域の終点
は９００℃であると仮定した場合、好ましい態様では３
つの加熱領域は下記の式で表わされる：ｙは温度（℃）
そしてｘは時間（分）である。
【００２１】（i）第１の加熱領域 ｙ＝１．２（ｘ−ｘ1）a＋５０（式中ｘ1は５０℃とな
った時の時間（分） そして１．７＜ａ＜２．５ （ii）第２の加熱領域 ｙ＝０．４（ｘ−ｘ2）b＋５７０ 式中ｘ2は５７０℃になった時の時間（分）、そして
１．７＜ｂ＜２．５ （iii）第３の加熱領域 ｙ＝−５（ｘ−ｘ3−５．５）2＋９００ （式中ｘ3は７５０℃となった時の時間（分）である） 第３の加熱領域の後、その抵抗体被覆セラミック基板を
冷却する。
った時の時間（分） そして１．７＜ａ＜２．５ （ii）第２の加熱領域 ｙ＝０．４（ｘ−ｘ2）b＋５７０ 式中ｘ2は５７０℃になった時の時間（分）、そして
１．７＜ｂ＜２．５ （iii）第３の加熱領域 ｙ＝−５（ｘ−ｘ3−５．５）2＋９００ （式中ｘ3は７５０℃となった時の時間（分）である） 第３の加熱領域の後、その抵抗体被覆セラミック基板を
冷却する。
【００２２】総加熱時間は１５〜１２０分であり、好ま
しい総加熱時間は、２０〜６０分である。
しい総加熱時間は、２０〜６０分である。
【００２３】図１の曲線Ｂ及びＣは、本発明による別の
温度プロファイルを示す。
温度プロファイルを示す。
【００２４】図１の曲線Ｂの式は次の通りである。
【００２５】（i）５０℃〜５７０℃（第１の加熱領
域） ｙ＝１．２（ｘ−５）2.5＋５０ （ii）５７０℃〜７５０℃（第２の加熱領域） ｙ＝０．４（ｘ−１６）2.5＋５７０ （iii）７５０℃〜９００℃（第３の加熱領域） ｙ＝−５（ｘ−３２）2＋９００ 図１の曲線Ｃの式は次の通りである。
域） ｙ＝１．２（ｘ−５）2.5＋５０ （ii）５７０℃〜７５０℃（第２の加熱領域） ｙ＝０．４（ｘ−１６）2.5＋５７０ （iii）７５０℃〜９００℃（第３の加熱領域） ｙ＝−５（ｘ−３２）2＋９００ 図１の曲線Ｃの式は次の通りである。
【００２６】（i）５０℃〜５７０℃（第１の加熱領
域） ｙ＝１．２（ｘ−５）1.7＋５０ （ii）５７０℃〜７５０℃（第２の加熱領域） ｙ＝０．４（ｘ−４０）1.7＋５７０ （iii）７５０℃〜９００℃ ｙ＝−５（ｘ−７７）2＋９００ 本発明で使用される抵抗体ペーストは、例示 本発明を下記の実施例によってさらに説明するが、これ
らの実施例は特許請求の範囲の全範囲を限定するもので
はない。
域） ｙ＝１．２（ｘ−５）1.7＋５０ （ii）５７０℃〜７５０℃（第２の加熱領域） ｙ＝０．４（ｘ−４０）1.7＋５７０ （iii）７５０℃〜９００℃ ｙ＝−５（ｘ−７７）2＋９００ 本発明で使用される抵抗体ペーストは、例示 本発明を下記の実施例によってさらに説明するが、これ
らの実施例は特許請求の範囲の全範囲を限定するもので
はない。
【００２７】実施例１ 厚膜抵抗体の製造方法の典型的な例には、次のような工
程が含まれる：（ａ）セラミック基体への塗布に適した
ペーストを形成する； （ｂ）スクリーン印刷のような通常の方法によって、基
体にペーストを塗布する； （ｃ）印刷した基体を乾燥する； （ｄ）基体とペーストを下記の組成から成る雰囲気中で
高温において、図１に示されるような温度プロフィルで
焼成して抵抗体を形成する。
程が含まれる：（ａ）セラミック基体への塗布に適した
ペーストを形成する； （ｂ）スクリーン印刷のような通常の方法によって、基
体にペーストを塗布する； （ｃ）印刷した基体を乾燥する； （ｄ）基体とペーストを下記の組成から成る雰囲気中で
高温において、図１に示されるような温度プロフィルで
焼成して抵抗体を形成する。
【００２８】次の例における抵抗体はマルチゾーンベル
ト炉内で焼成した。ベルトの速度は一定であり、加熱ゾ
ーンを通る。
ト炉内で焼成した。ベルトの速度は一定であり、加熱ゾ
ーンを通る。
【００２９】抵抗体ペーストは、デュポン社製の１００
００Ｋオームの抵抗体（ＱＰ６０４）であった。
００Ｋオームの抵抗体（ＱＰ６０４）であった。
【００３０】ガス雰囲気は、 ＣＯ2 ２％ Ｏ2 ５ｐｐｍ Ｈ2Ｏ １００ｐｐｍ バランスガス Ｎ2 印刷屋の厚みは２５μｍであった。
【００３１】比較のため、図２に示されるような温度プ
ロファイルに従って、同一のサンプルの焼成を行なっ
た。図２に示される温度プロファイルは従来公知の温度
プロファイルであった。その結果は比較例として下記に
示す。得られた焼成品についてＨ−ＴＣＲ及びＣ−ＴＣ
Ｒを測定した。ＨＴＣＲ；ＣＴＣＲ及び比抵抗値は次の
ように計算される。
ロファイルに従って、同一のサンプルの焼成を行なっ
た。図２に示される温度プロファイルは従来公知の温度
プロファイルであった。その結果は比較例として下記に
示す。得られた焼成品についてＨ−ＴＣＲ及びＣ−ＴＣ
Ｒを測定した。ＨＴＣＲ；ＣＴＣＲ及び比抵抗値は次の
ように計算される。
【００３２】
ＴＣＲとは温度が１℃変化すると抵抗値はどれくらい変
化するかを示すもので、当然値の絶対値が少ない程、結
果が良好であることを示す。
化するかを示すもので、当然値の絶対値が少ない程、結
果が良好であることを示す。
【００３３】本発明に従えばＴＣＲにおいて大きな改善
が見られた。
が見られた。
【００３４】実施例２ デュポン製抵抗体において１０Ｋオーム（ＱＰ６０４）
以外の抵抗体（１０オーム（ＱＰ６０１）、１００オー
ム（ＱＰ６０２）及び１０００オーム（ＱＰ６０３）を
使用した。
以外の抵抗体（１０オーム（ＱＰ６０１）、１００オー
ム（ＱＰ６０２）及び１０００オーム（ＱＰ６０３）を
使用した。
【００３５】雰囲気 Ｏ2 ５ｐｐｍ ＣＯ2 ２％ Ｈ2Ｏ １００ｐｐｍ バランスガス Ｎ2 温度プロファイル （i）５０〜５７０℃ ５０℃になった時間をｘ1とすると ｙ＝１．２（ｘ−ｘ1）2＋５０ （ii）５７０℃〜７５０℃ ５７０℃になった時間をｘ2とすると ｙ＝０．４（ｘ−ｘ2）2.05＋５７０ ７５０℃〜９００℃ ７５０℃になった時間をｘ3とすると ｙ＝−５（ｘ−ｘ3−５．５）3＋９００ 比較のため図２に示す公知の温度プロファイルによって
上記のテストを繰返した。その結果を図３に示す。図３
には実施例１の結果（１００００Ｋオーム）も一緒に示
されている。
上記のテストを繰返した。その結果を図３に示す。図３
には実施例１の結果（１００００Ｋオーム）も一緒に示
されている。
【００３６】図３から明らかなごとく、実施例（本発
明）の抵抗体の方が比較例（従来技術）より、Ｈ−ＴＣ
Ｒ及びＣ−ＴＣＲの変化が少ない。
明）の抵抗体の方が比較例（従来技術）より、Ｈ−ＴＣ
Ｒ及びＣ−ＴＣＲの変化が少ない。
【００３７】本発明の実施態様は次の通りである。
【００３８】１．次の工程 （ａ） セラミック基板上に導電体層及び／又は誘電体
層を介して又は介せずに抵抗体ペーストを塗布する工
程、 （ｂ） 基板上の抵抗体ペーストを乾燥させる工程、 （ｃ） 過半量以上の不活性ガスを含む雰囲気で下記の
条件でその抵抗体層を焼成する： （i） ５００℃〜６５０℃の温度の第１の加熱領域 （ii） 第１の加熱領域から７００℃〜８５０℃の温度
までの第２の加熱領域 （iii） 第２の加熱から８７０℃〜１０００℃の温度
までの第３の加熱領域、第２の加熱領域における一定時
間当りの加熱速度は第１の加熱領域の一定時間当りの加
熱速度よりも遅く、第３の加熱領域における一定時間当
りの加熱速度は第２の加熱領域における一定時間当りの
加熱速度よりも速く、そして （ｄ） 加熱焼成過程における第２の加熱領域までの平
均の昇温速度の絶対値の２倍以上の冷却速度でその抵抗
体層を冷却させ、総処理時間はともに１５〜１２０分の
範囲であることを特徴とするハイブリッド回路基体上で
の抵抗体の形成方法。
層を介して又は介せずに抵抗体ペーストを塗布する工
程、 （ｂ） 基板上の抵抗体ペーストを乾燥させる工程、 （ｃ） 過半量以上の不活性ガスを含む雰囲気で下記の
条件でその抵抗体層を焼成する： （i） ５００℃〜６５０℃の温度の第１の加熱領域 （ii） 第１の加熱領域から７００℃〜８５０℃の温度
までの第２の加熱領域 （iii） 第２の加熱から８７０℃〜１０００℃の温度
までの第３の加熱領域、第２の加熱領域における一定時
間当りの加熱速度は第１の加熱領域の一定時間当りの加
熱速度よりも遅く、第３の加熱領域における一定時間当
りの加熱速度は第２の加熱領域における一定時間当りの
加熱速度よりも速く、そして （ｄ） 加熱焼成過程における第２の加熱領域までの平
均の昇温速度の絶対値の２倍以上の冷却速度でその抵抗
体層を冷却させ、総処理時間はともに１５〜１２０分の
範囲であることを特徴とするハイブリッド回路基体上で
の抵抗体の形成方法。
【００３９】２． ペーストに含まれる有機成分を分解
させる工程において温度が１６０℃から６５０℃の過程
に要する時間が１０分から６０分とする上記１に記載の
方法。
させる工程において温度が１６０℃から６５０℃の過程
に要する時間が１０分から６０分とする上記１に記載の
方法。
【００４０】３．セラミックと抵抗部品を焼結する工程
において温度が６５０℃から１０００℃の過程に要する
時間が１５分以下とする上記１に記載の方法。
において温度が６５０℃から１０００℃の過程に要する
時間が１５分以下とする上記１に記載の方法。
【００４１】４．セラミックと抵抗部品を焼鈍する工程
において３項に示した最高温度から常温まで冷却に要す
る時間が２分から３０分とする上記１に記載の方法。
において３項に示した最高温度から常温まで冷却に要す
る時間が２分から３０分とする上記１に記載の方法。
【００４２】５．雰囲気が０．５から２０容量％の二酸
化炭素を含む上記１に記載の方法。
化炭素を含む上記１に記載の方法。
【００４３】６．雰囲気が１０から２０００ｐｐｍの水
を含む上記１に記載の方法。
を含む上記１に記載の方法。
【００４４】７．不活性ガスが窒素、アルゴン及びヘリ
ウムより成る上記１に記載の方法。
ウムより成る上記１に記載の方法。
【００４５】８．スクリーン印刷によって抵抗ペースト
を基板に塗布する上記１に記載の方法。
を基板に塗布する上記１に記載の方法。
【図１】 本発明の焼成工程のもっとも好ましい態様の
温度プロファイルを示すグラフ。
温度プロファイルを示すグラフ。
【図２】 従来技術の焼成工程の温度プロファイルを示
すグラフ。
すグラフ。
【図３】 本発明の方法と従来技術の方法で得られた抵
抗体サンプルのＨ−ＴＣＲ及びＣ−ＴＣＲの結果を示す
グラフである。
抗体サンプルのＨ−ＴＣＲ及びＣ−ＴＣＲの結果を示す
グラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 麻 秀吉 大阪府堺市上670 大阪酸素工業株式会社 内 (72)発明者 橋本 泰司 大阪府堺市上670 大阪酸素工業株式会社 内
Claims (1)
- 【請求項１】 次の工程 （ａ） セラミック基板上に導電体層及び／又は誘電体
層を介して又は介せずに抵抗体ペーストを塗布する工
程、 （ｂ） 基板上の抵抗体ペーストを乾燥させる工程、 （ｃ） 過半量以上の不活性ガスを含む雰囲気で下記の
条件でその抵抗体層を焼成する： （i） ５００℃〜６５０℃の温度の第１の加熱領域 （ii） 第１の加熱領域から７００℃〜８５０℃の温度
までの第２の加熱領域 （iii） 第２の加熱から８７０℃〜１０００℃の温度
までの第３の加熱領域、 第２の加熱領域における一定時間当りの加熱速度は第１
の加熱領域の一定時間当りの加熱速度よりも遅く、第３
の加熱領域における一定時間当りの加熱速度は第２の加
熱領域における一定時間当りの加熱速度よりも速く、そ
して （ｄ） 加熱焼成過程における第２の加熱領域までの平
均の昇温速度の絶対値の２倍以上の冷却速度でその抵抗
体層を冷却させ、 総処理時間はともに１５〜１２０分の範囲であることを
特徴とするハイブリッド回路基体上での抵抗体の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5165633A JPH0722219A (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | ハイブリッド回路基体上での抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5165633A JPH0722219A (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | ハイブリッド回路基体上での抵抗体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722219A true JPH0722219A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15816075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5165633A Pending JPH0722219A (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | ハイブリッド回路基体上での抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722219A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101529230B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2015-06-16 | 한국표준과학연구원 | 면저항 인증표준물질 및 그 제조방법 |
-
1993
- 1993-07-05 JP JP5165633A patent/JPH0722219A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101529230B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2015-06-16 | 한국표준과학연구원 | 면저항 인증표준물질 및 그 제조방법 |
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