JPH0722261U - 接触型均一加熱装置 - Google Patents

接触型均一加熱装置

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JPH0722261U
JPH0722261U JP5739693U JP5739693U JPH0722261U JP H0722261 U JPH0722261 U JP H0722261U JP 5739693 U JP5739693 U JP 5739693U JP 5739693 U JP5739693 U JP 5739693U JP H0722261 U JPH0722261 U JP H0722261U
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建一 大井
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 簡単な構成で、均一な温度分布を得る。 【構成】 LCDガラス基板100を載せた加熱面1の
略全域に対応して設けられ密閉された空間部2と、その
下方の中心部に位置する液溜部2a内に入れられた熱媒
液3と、液溜部2a内の熱媒液3を加熱する電熱器4と
を備えている。空間部2内には、加熱面1と空間部2を
形成する底板5とにろう付け等で固定されたフィン6が
設けられ、内部はその温度に対応した熱媒液3の飽和気
体で満たされている。電熱器4には、電力源7から操作
端8を介して加熱用電流が送られ、温度センサ9及び温
度調節器10で熱媒液2の蒸発量が制御される。 【効果】 加熱面から放散する熱量に変化が生じても、
加熱面の温度を極めて精度良く均一に保持することがで
きる。又、調整が不要で取り扱い性が良い。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、被加熱物を加熱面上に載せてこれに接触させることにより加熱する ための接触加熱装置に関する。
【0002】 例えば液晶ディスプレー(LCD)の製造工程では、ガラス基板上への配向膜 の形成や、パターン形成及び駆動デバイス形成のためのレジスト等は、材料をガ ラス基板上に塗布した後高温で乾燥・焼成することにより行われるが、これを熱 風乾燥により行うと、表面が早く乾燥し、乾燥が遅れた内部に溶媒蒸気の気泡が 残留し、品質不良が発生することがある。又風紋が残るという問題もある。この ため、LCDガラス基板のベーキング装置としては、無風に近い状態で乾燥可能 なように、加熱源としてホットプレートを用いている。又、半導体素子の製造に おいて、その作動テストのうち高温下で行われるテストでは、素子を予めテスト 温度まで予熱してテスト部に送るが、この予熱やテスト部における加熱のための 半導体用高温ハンドラの熱源として、ホットプレートやヒートブロックが用いら れる。本考案の接触加熱装置は、例えばこのようなホットプレートやヒートブロ ックに利用される。更に、料理用等の工業用途以外のホットプレート等にも利用 されるものである。
【0003】
【従来の技術】
ホットプレートやヒートブロック等の接触加熱装置としては、従来、アルミニ ウムやその合金等の熱伝導性の良い金属に発熱体として電熱器を取り付けて構成 したものが用いられている。このものの電熱器取付け方法としては、薄型ヒータ を金属板でサンドイッチ状に挟み込む機械的圧接方法や、金属中にシーズドヒー タを鋳込む方法等が採られている。ホットプレートやヒートブロックの性能とし ては、表面の温度分布が最も重要な要素になるが、上記のような圧接方式のヒー タでは、圧接状態にばらつきが生ずるため、全体を均一な容量の電熱器で加熱し ても、良好な温度分布を得ることができない。又、このような接触加熱装置では 、その中心部よりも周辺部で熱放散が大きいため、供給熱量が同じであば、それ らの間で温度差を生ずる。
【0004】 このような問題を解決する接触加熱装置として、加熱区画を多数に分割し、そ れぞれの区画毎に分割された小容量の加熱器と温度センサとを設け、それぞれの センサを区画と同数の温度調節器に接続し、区画毎に対応する加熱器を個別に温 度制御する装置も採用されている。この装置では、多数個の温度調節器の温度設 定値は原則的には同一であるが、温度分布を実測しつつ微調整される。又、全体 を代表できる1区画を選定し、これに温度センサを取り付けて温度調節器に接続 し、全区画を制御するようにした装置もある。この装置では、区画毎に設けられ た加熱器の容量が個別の電圧調整や位相制御により変更可能になっていて、温度 分布を実測しながらそれぞれの容量を調整し、温度分布が最良になるように容量 を設定していた。
【0005】 しかしながら、このように多数の温度調整器や加熱器の容量調節器を設けると 、装置が複雑になり多大の費用がかかると共に、温度分布の調整に長時間を要す る。又、区画毎に加熱容量を調整しても、ホットプレートやヒートブロックの表 面を流れる風の状態が変わったり、気温の変化により、調整時の温度分布が再現 されない場合もある。そして、断線等により加熱器を交換すると、その度毎に温 度分布を実測し、容量の再調整を必要とした。更に、断線や絶縁不良等の加熱器 の故障の際、鋳込み型のものでは全体を交換しなければならず、多額の出費とな った。
【0006】
【考案が解決しようとする課題】
本考案は従来技術に於ける上記問題を解決し、簡単な構成で、特別な調整を必 要とせず、又表面の風の状態や気温に変化があっても、高精度で均一な温度分布 が得られる性能及び操作性の良い接触加熱装置を提供することを課題とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】 本考案は上記課題を解決するために、請求項1の考案は、被加熱物を加熱面上 に載せてこれに接触させることにより加熱するための接触加熱装置において、前 記加熱面の略全域に対応して設けられ熱媒液とその飽和気体とが入れられ密閉さ れた空間部と、前記熱媒液を加熱する加熱手段と、を有することを特徴とし、請 求項2の考案は、上記に加えて、前記加熱面は相当の広がりを持った平面である ことを特徴とし、請求項3の考案は、請求項1の考案の特徴に加えて、前記加熱 面は細長い面であることを特徴とする。
【0008】
【作用】
請求項1の考案によれば、密閉された空間部に熱媒液とその飽和気体が入れら れているので、加熱手段により熱媒液を加熱すると、その温度が上昇すると同時 に、その一部分が同じ温度で気化し、空間部内の圧力が上昇する。このような変 化では、飽和温度及び飽和圧力の関係が維持される。気化した飽和気体は、直ち に空間部内に広がる。この空間部は、被加熱物が載せられる加熱面の略全域に対 応して設けられているので、空間部内に充満した気体は、加熱面の略全域に熱を 与える。この場合、この気体が飽和気体であるため、空間部内の壁面において凝 縮することにより加熱面に熱を与えるので、熱伝達率が極めて良い。そして、飽 和気体が凝縮する状態変化は一定温度の下に行われるから、飽和気体は一定温度 下で大きな潜熱だけを加熱面に与えることになり、加熱面が一様に加熱されて一 定温度になり、温度のばらつきが生じない。更に、加熱手段が熱媒液を蒸発させ ることにより、常に飽和気体が供給されるので、加熱面のうち例えば被加熱物が 載せられた部分や周縁部で放熱が大きくなったとしても、その部分の熱吸収能力 の増加により、その部分に対応する空間部では他の部分よりも多くの気体が供給 されて液化し、熱供給量の必然的増加によって加熱面の部分的な温度降下が抑制 される。即ち、空間部内の壁面では凝縮した液滴が落下し、必要に応じて順次継 続的に自由に飽和気体が供給され、全体的に加熱面温度の均一性が維持される。 例えば電熱線等による加熱では、供給熱量が一定であるため、このような作用は 生じず、加熱面の周縁部等では温度が大幅に低下する。
【0009】 請求項2の考案によれば、加熱面が相当の広がりを持った平面であるため、接 触加熱装置を例えばホットプレートとして使用することができる。ホットプレー トを加熱する場合、例えば、電熱器等で一様に加熱し、且つ局部的な表面温度の ばらつきを防止するために加熱面の下にヒートパイプを複数本並設するような構 成も考えられるが、この構成では、ヒートパイプの有る部分とそれらの間の部分 とで温度差が生じる。又、ヒートパイプが動作するときには、蒸発側及び凝縮側 のそれぞれで吸熱及び放熱が起こるので、この間で或る程度の温度差が必要にな り、表面にある程度の温度差が生ずることは避けられない。しかしながら、本考 案では、加熱面に対応して空間部が設けられ、この空間部に自由に飽和気体が供 給されるので、二次元的な広がりを持った加熱面であっても、どの方向にも温度 差が発生せず、このような加熱面に対して特に本考案が効果的になる。
【0010】 請求項3の考案は加熱面が細長い場合を対象にしている。このような加熱面を 持った接触加熱装置は、例えば半導体素子を加熱するヒートブロックとして用い られる。この場合、飽和気体が加熱面に熱を与えて凝縮すると、その液は加熱手 段で再び加熱蒸発される位置まで戻される必要があるが、ヒートブロックの長さ が特に長い場合には、水平な加熱面では液の戻りが悪くなり、熱輸送能力が若干 低下する(10〜30%)。この問題は、低下分を予め見込んだ設計をするか、 又は、加熱面を傾斜させることにより解消される。加熱面を傾斜させれば、被加 熱物を自重で落下させつつ加熱できるという作用も生ずる。なお、加熱面が水平 である場合には、半導体素子のような被加熱物は機械力で強制的に送られる。
【0011】
【実施例】
図1は実施例の接触加熱装置としてのホットプレートの断面構造を示す。 ホットプレートは、被加熱物として例えばLCDガラス基板100を加熱面1 上に載せてこれに接触させることにより加熱する装置で、加熱面1の略全域に対 応して設けられ密閉された空間部2と、その下方の中心部に位置する液溜部2a 内に入れられた熱媒液3と、液溜部2aの外部にこれに接触するように設けられ 熱媒液3を加熱する加熱手段としての電熱器4とを備えている。
【0012】 空間部2内は、その温度に対応した熱媒液3の飽和気体で満たされている。本 実施例では、加熱面1は平面状に形成されている。但し、これを凹面状にしたり 傾斜面にすることも当然可能である。又、空間部2内には、加熱面1と空間部2 を形成する底板5とにろう付け等で固定されたフィン6が全面的に設けられてい る(図1(a)では中間部分を省略している)。なおフィン6は、空間部2から 加熱面1への熱伝達量を増大させるために拡張された伝熱面であると共に、内圧 による加熱面1の変形を防止してその平面度を維持する強度メンバーにもなる。 フィン6には、多数のフィン間における気体の流通を良くするために切欠き6a が設けられている。
【0013】 接触加熱装置に使用することができる熱媒液3には非常に多くの種類があるが 、何れを用いるかは、被加熱物に対応して定まる加熱面の温度範囲により選択さ れる。例えば、負圧から10〜15kg/cm2 程度の圧力範囲で使用するとす れば、フロンR114、フロンR11、フロンR113及び水は、それぞれ80 °C、110°C、140°C及び200°C程度の温度まで作動させることが できる。LCDガラス基板の製造工程では、加熱面1の温度を80〜120°C 位にするのが適当であるから、熱媒液としては、例えばフロンR113や水等を 使用できる。高温域の熱媒液としては、例えばナフタレンや金属ナトリウムのよ うに、常温では固体で、温度が高くなると液化し、更に熱が加えられると気化す るようなものも用いられる。ナフタレンは200°C〜350°C程度の温度範 囲で作動される。
【0014】 電熱器4には、電力源7から操作端8を介して加熱用電流が送られる。又本実 施例では、温度センサ9及び温度調節器10を設け、検出した加熱面1の温度を 温度調節器10内で設定値と比較し、偏差に応じた操作量を出力することにより 、加熱面1の温度が操作端8で設定した希望の温度になるように、電源7から送 られる電流を調整し、熱媒液3の蒸発量を制御するようにしている。温度センサ 9は、加熱面の平面度を阻害しないように取り付けられる。なおホットプレート では、その加熱面を除いた全周を図示しない断熱材で保温し、熱放散を減少させ て電力量の低減を図っている。
【0015】 このホットプレートは次のように作動される。 操作端8で加熱面1の温度を所望の温度に設定し、電力源7をオンにすると、 電熱器4に電流が流され、液溜部2aに溜められた熱媒液3が加熱され、その温 度が上昇すると共にその気化量が多くなり、空間部2内の気体量が増加しその圧 力及び温度が上昇する。この圧力と温度とは、熱媒液3の特性に基づく飽和圧力 と飽和温度との関係を維持した状態で変化する。又、内部の気体が飽和温度の気 体であるから、少しでも温度が下がると液化するので、空間部2内では何処でも 気体の温度が同じである。そして、気体がフィン6の間及びその切欠き部6aを 通って空間部2内で広がり、フィン6及び断熱されていない加熱面1の裏面側に 触れると、接触部で熱を奪われて凝縮液化する。このとき、接触部から加熱面1 に凝縮の潜熱が与えられる。一方、液化した熱媒液の液滴は、伝熱面から落下す るか又は流れ落ち、傾斜した底板5を伝って液溜部2a内に回収され、再び加熱 ・蒸発される。空間部内で同じ温度で同じ潜熱を持つ気体がこのような作用をな すので、加熱面1は全域で一様に加熱される。この場合、加熱面1の周縁部では 放熱が大きいため、温度降下し易いが、温度降下すればこの部分の吸熱能力が増 加するので、内部の気体の凝縮量が多くなる。その結果、周縁部でも中央部と同 程度の温度が維持される。
【0016】 加熱面1の温度が設定温度になると、電熱器4へ送られる電流が少なくなり、 熱媒液1の気化量が低下し、加熱面1は設定温度に維持される。この状態で被加 熱体が加熱面に載せられると、この間で熱伝達が生じ、加熱面のその部分の温度 が低下するが、この温度が設定温度になるように熱媒液1の蒸発量が増加し、温 度が低下した部分への気体供給量が増加し、その部分の温度を上昇させる。この ようにして、全体的に略均一な温度が維持される。従来のホットプレートでは、 そのサイズが大きくなり設定温度が高くなるに従って温度のばらつきが増大し、 その値が±5°C〜±10°Cであったのに対し、本実施例のものでは、サイズ や温度に関係なく、温度のばらつきを容易に±1°C〜±2°C程度にすること ができた。
【0017】 なお以上では、ホットプレートが四角形である場合を示したが、円形等他の形 状であってもよいことは言うまでもない。又、空間部2内にフィン6を設けたが 、これを省略することもできる。更に、空間部2は、全体的に連通し加熱面1の 略全域に対応して設けられればよく、例えば、一体的な板材の周囲から多数の傾 斜した穴を穿孔した後、その外部への開口部を閉鎖するような方法により形成さ れてもよい。
【0018】 図2は、接触加熱装置の他の実施例としてヒートブロックの構造を示す。 ヒートブロックは、被加熱物としての例えば半導体素子101を加熱面1上に 整列配置して載せ、これを加熱面1に接触させることにより加熱する装置で、細 長い加熱面1の略全域に対応して設けられ密閉された空間部2と、空間部2の下 端部に位置する液溜部2a内に入れられた熱媒液3と、液溜部2aの外部にこれ と接触するように設けられ熱媒液3を加熱する加熱手段としての電熱器4とを備 えている。
【0019】 空間部2は、本体部11内を穿孔するか又はその中に管12を挿入することに より形成されている。液溜部2aは、管12を曲げて本体部11の外部に突出さ せ、その下部の管内に設けられている。熱媒液3としては、ホットプレートの場 合と同様のものを使用できる。電熱器4には、図示しないが、図1のものと同様 に、電力源、操作端、温度センサ及び温度調節器が設けられ、加熱面1が所望の 温度になるように熱媒液3の蒸発量が制御される。この場合、温度センサは半導 体素子101の搬送の障害にならない位置に取り付けられる。符号102は半導 体素子101の搬送ガイドである。なお、加熱面1を、図2(b)では溝形にし たが、図3に示す如く山形にしてもよい。
【0020】 このヒートブロックは次のように作動される。 加熱面1の温度が所望の温度になるように図示しない制御系で制御しつつ電熱 器4で液溜部2aに溜められた熱媒液3を加熱すると、飽和気体が発生して管1 2で形成された空間部2内に充満し、管12の内壁に触れて液化し、このとき管 12に凝縮の潜熱を与えて加熱面1を加熱する。液化した熱媒液は、管壁から流 れ落ち、管内に或る程度溜まると液溜部2a内に回収され、再び加熱・蒸発され る。管内のどこでも同じ温度で同じ潜熱を持つ飽和気体がこのような作用をなす ので、ホットプレートの場合と同様に、加熱面1は全域一様に加熱され、均一な 温度になる。又、加熱面1の両端部や半導体素子101の載置された部分では放 熱量が多くなるが、気体の凝縮量が多くなることにより温度降下が阻止され、全 体的に均一な温度が維持される。その結果、従来のヒートブロックよりも、温度 のばらつきが大幅に低減する。例えば本実施例のものでは、サイズや温度に関係 なく、温度のばらつきを容易に±2°C程度にすることができた。
【0021】 図4は加熱面1を傾斜させた例を示す。このようにすれば、液化した熱媒液の 戻りが良くなり、加熱面1の温度が一層均一化される。又、半導体素子101を 滑らせて搬送させることも可能になる。
【0022】 図5はヒートブロックが多条型である場合の管12の構成を示す。この場合に は、それぞれの管12をヘッダー管13で連結し、ヘッダー管13を包むように 電熱器4を設けている。但し、電熱器4をヘッダー管13の下に接触するように 配設してもよい。このような構造にすれば、構造が簡素化されると共に、全ての 管12に同じ圧力・温度の飽和気体が供給されるので、多条のヒートブロックの 全てを均一の温度にすることができる。
【0023】
【考案の効果】
以上の如く本考案によれば、被加熱物の接触、中心部と周辺部との差、風の流 れ、気温の変化等により、接触加熱装置の加熱面から放散する熱量に各種の変化 が生じても、又その変化が急速であっても、飽和気体の潜熱という形で必要な所 に必要な熱量が自然現象として即座に供給されることにより、加熱面の温度を極 めて精度良く均一に保持することができる。又、加熱面に対応した空間部を設け ると共に、熱媒液を加熱する加熱手段を設けるだけで接触加熱装置が形成される ので、その構造が簡単で製造も容易になる。従ってコストの低減が図られる。そ して、従来の装置で必要とされた初期の温度調整や故障交換後の際調整等が一切 不要になり、取り扱い性が極めて良くなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例のホットプレートの構造を示し、(a)
は断面図で、(b)は(a)のb−b線断面に制御系の
説明を加えた図である。
【図2】実施例のヒートブロックの構造を示し、(a)
は断面図で、(b)は(a)のb−b線断面図である。
【図3】実施例のヒートブロックの加熱面部の他の構造
を示す断面図である。
【図4】他の実施例のヒートブロックの構造を示す断面
図である。
【図5】更に他の実施例のヒートブロックの管配置を示
す斜視図である。
【符号の説明】
1 加熱面 2 空間部 3 熱媒液 4 電熱器(加熱手段)

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被加熱物を加熱面上に載せてこれに接触
    させることにより加熱するための接触加熱装置におい
    て、 前記加熱面の略全域に対応して設けられ熱媒液とその飽
    和気体とが入れられ密閉された空間部と、前記熱媒液を
    加熱する加熱手段と、を有することを特徴とする接触加
    熱装置。
  2. 【請求項2】 前記加熱面は相当の広がりを持った平面
    であることを特徴とする請求項1に記載の接触加熱装
    置。
  3. 【請求項3】 前記加熱面は細長い面であることを特徴
    とする請求項1に記載の接触加熱装置。
JP1993057396U 1993-09-28 1993-09-28 接触型均一加熱装置 Expired - Lifetime JP2604988Y2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001307978A (ja) * 2000-04-18 2001-11-02 Tokyo Electron Ltd 基板載置台

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