JPH0722330A - 歪ヘテロエピタキシャル層の形成方法 - Google Patents

歪ヘテロエピタキシャル層の形成方法

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JPH0722330A
JPH0722330A JP15846393A JP15846393A JPH0722330A JP H0722330 A JPH0722330 A JP H0722330A JP 15846393 A JP15846393 A JP 15846393A JP 15846393 A JP15846393 A JP 15846393A JP H0722330 A JPH0722330 A JP H0722330A
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gas
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mixed
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JP15846393A
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Morifumi Oono
守史 大野
Toshiyuki Nakamura
稔之 中村
Kinya Ashikaga
欣哉 足利
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 臨界膜厚の膜厚を容易に制御でき、かつ、薄
膜の表面の凹凸の少ない、しかも、スループットに最適
な歪ヘテロエピタイキシャル層の形成方法を提供する。 【構成】 この発明の歪ヘテロエピタキシャル層の形成
方法によれば、反応炉内でシリコン基板１０上に付着し
た自然酸化膜１１を除去する。その後、反応炉内に少な
くともシリコン含有ＩＶ族系水素ガス、例えばＳｉＨ4
ガスと炭素含有ＩＶ族系水素ガス、例えばＣＨ4 ガスと
の混合ガスを用いて基板上に炭素原子を有するバッファ
層１２を形成する。その後、ＳｉＨ4 ガスとＧｅＨ4 ガ
スとの混合ガスを用いてバッファ層上にＳｉ−Ｇｅ混晶
薄膜１４を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、歪ヘテロエピタキシ
ャル層を成膜する方法、特に、歪ヘテロ構造の臨界膜厚
及び歪ヘテロエピタキシャル層内の応力を好適に制御す
る成膜方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ヘテロ構造を有するＩＶ族系半導
体薄膜のデバイスの開発が急速に進み、このようなデバ
イスは高速ヘテロバイポ−ラ、マイクロ波用素子または
超格子構造素子として用いられている。これらのデバイ
スに用いられる薄膜として、歪ヘテロ構造を有するＳｉ
−Ｇｅ混晶薄膜が、特に、注目を集めている。この薄膜
は、シリコン基板上にＳｉ−Ｇｅ薄膜をヘテロエピタキ
シャル成長させて形成される。
【０００３】Ｓｉ−Ｇｅ混晶薄膜は、全率固溶体であ
り、それぞれの原子組成比を任意に変えることによって
所望の薄膜を形成することができる。このＳｉ−Ｇｅ混
晶薄膜をＳｉ結晶と組み合わせて、ヘテロ構造にし、デ
バイスに応用する場合、結晶構造や電子帯構造がバルク
の状態から変化する。この結晶構造や電子帯構造の変化
については、文献Ｉ（「シリコン系ヘテロデバイス」、
古川他、丸善（株）、平成３年７月発行）に開示されて
いる。
【０００４】文献Ｉによれば、Ｓｉ−Ｇｅ混晶薄膜は、
全率固溶体であるため、バルクとして作成したＳｉ−Ｇ
ｅ混晶の格子定数は、Ｇｅ原子組成比に対してほぼ比例
することがわかっている。従って、Ｇｅ濃度の増加とと
もにＳｉ−Ｇｅ混晶薄膜の格子定数は大きくなる。この
ため、Ｓｉ結晶上にＳｉ−Ｇｅ混晶薄膜を形成させた場
合、ヘテロ構造は歪ヘテロ構造と格子緩和したヘテロ構
造とになる（文献ＩのＰ．１７７参照）。
【０００５】このとき形成される歪ヘテロ構造は、Ｓｉ
結晶とＳｉ−Ｇｅ混晶薄膜の格子定数の差によって（Ｓ
ｉ結晶に比べてＧｅを含むためＳｉ−Ｇｅ混晶薄膜の格
子定数の方が大きくなる）Ｓｉ−Ｇｅ混晶薄膜中に圧縮
応力が加わり、正方晶型を有する歪みヘテロ構造にな
る。
【０００６】更に、正方晶型が成長すると格子緩和を生
じて立方晶型に変化する。このとき、立方晶型を有する
格子緩和したヘテロ構造はＳｉ−Ｇｅ／Ｓｉ界面にミス
フィット転位が発生する。このミスフィット転位は、ヘ
テロエピタキシャル層の結晶欠陥などと共にデバイスの
電気特性や光学特性に悪い影響を与える要因となる。
【０００７】従って、歪ヘテロ構造の物性研究やデバイ
ス化を進める上で、歪ヘテロエピタキシャル層にミスフ
ィット転位を発生させずに臨界膜厚を制御することが重
要になる。なお、歪みヘテロ構造の状態が継続して行く
と膜厚が厚くなり、歪エネルギーが大きくなって格子緩
和を生じ、ミスフィット転位が発生するようになる。こ
の転位が発生して格子緩和を生じる膜厚のことを臨界膜
厚という。
【０００８】従来Ｓｉ−Ｇｅ／Ｓｉ歪ヘテロ構造に関す
る臨界膜厚の研究は、もっぱらＳｉ−ＧｅのＳｉ濃度と
Ｇｅ濃度との関係から検討されてきた経緯があり、特
に、Ｇｅ濃度を制御することが臨界膜厚の重要な要因と
なっている。
【０００９】従来、Ｓｉ−Ｇｅ混晶の歪ヘテロ構造を形
成する方法として、ＣＶＤ（化学的気相成長）法やＭＢ
Ｅ（分子線エピタキシャル）法などが検討されてきた。
しかし、このＣＶＤ法は、成膜処理の際に加熱温度を高
くしなければならず、Ｓｉ−Ｇｅ／Ｓｉ界面にミスフィ
ット転位が発生しやすくなる。従って、従来、ＣＶＤ法
による歪ヘテロ構造を有するＳｉ−Ｇｅ混晶薄膜を成膜
することは難しかった。
【００１０】一方、歪ヘテロ構造を形成する方法とし
て、ＭＢＥ（分子線エピタキシャル）法が検討されてき
た。このＭＥＢ法は、エピタキシャル層に歪応力をもた
せるため、加熱温度を比較的低い温度で成膜処理が行わ
れている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＣＶＤ
法は、上述したように成膜処理の際に、加熱温度を高く
しなければならず、Ｓｉ−Ｇｅ／Ｓｉ界面にミスフィッ
ト転位が発生しやすく、また、反応炉内でＳｉを含有す
るガスとＧｅを含有するガスとを混合させ、高い加熱温
度でＳｉ−Ｇｅ混晶薄膜を形成するため、Ｇｅ組成比が
大きくなる。従って、Ｓｉ−Ｇｅ混晶の結晶中の格子定
数が大きくなって歪応力が増すため、臨界膜厚を厚くす
ることができなかった。このため、Ｇｅの組成比のみで
臨界膜厚を好適に制御することが難しいという問題があ
る。更に、Ｇｅ濃度によって臨界膜厚の膜厚以下であっ
てもＧｅの偏析効果のため、表面モホロジーが劣化する
という問題がある。
【００１２】また、ＣＶＤ法では、ＭＢＥ法に比べてＳ
ｉ基板上に形成されるＳｉ−Ｇｅ混晶薄膜の表面の凹凸
が大きくなるという問題がある。これは以下に述べる現
象によるためと考えられる。
【００１３】Ｓｉ基板上にＳｉ−Ｇｅ混晶薄膜を形成す
る場合、ＳｉとＳｉ−Ｇｅとの格子定数及び熱膨張係数
の違いによって結晶中のＳｉ−Ｇｅ／Ｓｉ界面に格子不
整合が生じる。このため、Ｓｉ−Ｇｅ混晶薄膜の表面モ
ホロジー（形態）が変化し、表面の凹凸が生じるものと
考えられる。このような表面をもったＳｉ−Ｇｅ混晶薄
膜はデバイスに応用できない。
【００１４】一方、ＭＢＥ法は、低い加熱温度で成膜処
理を行うため、成膜速度がゆるやかになり、不純物、例
えばホウ素（Ｂ）の高濃度不純物の深いドーピングがで
きないこと、また、現状では、まだ実験段階であり、ス
ループット（ウエハ処理量／時間）が得られないため、
量産性に向かないという問題がある。
【００１５】この発明は、上述した問題点に鑑み行われ
たものであり、従って、この発明の第１の目的は、臨界
膜厚の膜厚及び歪応力を容易に制御でき、かつ、薄膜の
表面モホロジーを小さくできる歪ヘテロエピタキシャル
層の形成方法を提供すること。また、第２の目的は、ス
ループットに好適な歪ヘテロエピタキシャル層の形成方
法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明の歪ヘテロエピタキシャル層の形成方法で
は、反応炉内に原料ガスを用いて所定の加熱温度を加え
ることにより、下地上に、バッファ層とＳｉ−Ｇｅ混晶
薄膜を有する歪ヘテロエピタキシャル層を形成するに当
たり、（ａ）前記反応炉内を真空に排気し、前記下地上
に付着した自然酸化膜を除去した後、少なくともシリコ
ン含有ＩＶ族系水素ガスと炭素含有ＩＶ族系水素ガスと
の混合ガスを用いて下地上に炭素（Ｃ）原子を有するバ
ッファ層を形成する工程と、（ｂ）その後、該バッファ
層上にＳｉ−Ｇｅ混晶薄膜を形成する工程とを含むこと
を特徴とする。
【００１７】また、この発明の実施に当たり、好ましく
は、前記（ａ）工程に使用する混合ガスを、シリコン含
有ＩＶ族系水素ガスとゲルマニウム含有ＩＶ族系ガスと
炭素（Ｃ）含有ＩＶ族系水素ガスとの混合ガスとするの
が良い。
【００１８】また、好ましくは、前記（ａ）工程に使用
する混合ガスを、シリコン含有ＩＶ族系水素ガスと炭素
（Ｃ）含有ＩＶ族系水素ガスとの混合ガスとするのが良
い。
【００１９】また、この発明の実施に当たり、好ましく
は、前記（ａ）工程のバッファ層を、Ｓｉ−Ｇｅ−Ｃ系
のバッファ層とするのが良い。
【００２０】また、前記（ａ）工程のバッファ層を、Ｓ
ｉ−Ｃ系のバッファ層とするのが良い。
【００２１】また、この発明の実施に当たり、好ましく
は、請求項１に記載のシリコン含有ＩＶ族系水素ガスを
ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、Ｓｉ（ＣＨ3 ）Ｈ3 、Ｓｉ3 Ｈ
8 、Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｈ2 、Ｓｉ（ＣＨ3 ）3 Ｈ、Ｓｉ
（ＣＨ3 ）4 、Ｓｉ（ＣＨ3）6 およびＳｉ（ＣＨ3 ）
3 Ｆのガス群の中から選ばれた１種類のガスまたは２種
類以上のガスの混合ガスとする。また、好ましくは、炭
素含有ＩＶ族系水素ガスを、ＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ6 、Ｃ3 Ｈ
8 及びＣ2 Ｈ4 のガス群の中から選ばれた１種類のガス
または２種類以上のガスの混合ガスとするのが良い。
【００２２】また、この発明の実施に当たり、好ましく
は、前記（ａ）工程の真空排気の圧力を、１０-7Ｐａ
（パスカル）以下の高真空とするのが良い。
【００２３】
【作用】上述したこの発明の歪ヘテロエピタキシャル層
の形成方法によれば、先ず、反応炉を真空に排気した
後、反応炉内で下地に形成された自然酸化膜を加熱処理
して除去する。このように、真空排気によって自然酸化
膜を除去した後、下地上の表面には酸化物が残存するこ
とはなくなる。その後、反応炉内に、少なくともシリコ
ン含有ＩＶ族系水素ガスと炭素（Ｃ）含有水素系ガスと
の混合ガスを用いて、下地上に炭素原子を有するバッフ
ァ層を形成する。この炭素原子の添加によってシリコン
の格子定数は小さくなる。この詳細な理由については、
後述する。その後、このバッファ層上にＳｉ−Ｇｅ混晶
薄膜を形成する。このようにして形成されたＳｉ−Ｇｅ
混晶薄膜のヘテロ構造は、バッファ層の格子定数の小さ
い単結晶構造を反映して垂直方向に伸びてゆき、Ｇｅ組
成で決まるＳｉ−Ｇｅ混晶薄膜中の歪応力を増加するこ
とができる。
【００２４】上述したバッファ層の形成を混合ガスとし
てシリコン含有ＩＶ族系水素ガスとゲルマニウム含有Ｉ
Ｖ族系ガスと炭素（Ｃ）含有水素系ガスとの混合ガスま
たはシリコン含有ＩＶ族系水素ガスと炭素（Ｃ）含有水
素系ガスとの混合ガスを用いるて行っている。そのた
め、Ｓｉ−Ｇｅ−Ｃ系またはＳｉ−Ｃ系のバッファ層が
形成される。このようなＳｉ−Ｇｅ−Ｃ系またはＳｉ−
Ｃ系のバッファ層を形成することによって、下地（例え
ばシリコン基板）とＳｉ−Ｇｅ−Ｃ系またはＳｉ−Ｃ系
のバッファ層とのヘテロ界面は炭素を有するヘテロ構造
になる。また、バッファ層は、下地のシリコン結晶の格
子定数に近く、しかも短い格子定数を有する結晶層とな
る。従って、このＳｉ−Ｇｅ−Ｃ系のバッファ層上に形
成するＳｉ−Ｇｅ混晶薄膜は、従来のＧｅ濃度のみによ
って歪応力を制御していたのに比べ、少ないＧｅ組成の
導入で所定の歪応力が得られる。この結果、Ｇｅ濃度の
増加によって起こる表面モホロジーの劣化を抑制するこ
とができ、かつ臨界膜厚を厚くすることができる。
【００２５】また、シリコン含有ＩＶ族系水素ガスを用
いているので、下地上にシリコン単結晶を形成できる。
【００２６】また、炭素含有ＩＶガスを用いているの
で、炭素原子は、シリコン原子またはシリコン・ゲルマ
ニウム原子と結合し、バッファ層の格子定数を小さくす
る。
【００２７】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明の実施例につ
き説明する。なお、各図は、この発明が理解出来る程度
に各構成成分の形状、配置および寸法を概略的に示して
いるにすぎない。また、以下に説明する実施例は単なる
好適例にすぎず、従ってこの発明の実施例のみに何ら限
定されるものではないことを理解されたい。
【００２８】この発明の歪ヘテロエピタキシャル層の形
成方法を説明するに先立ち、図３を参照してこの発明に
用いる薄膜形成装置につき説明する。
【００２９】この装置は、加熱炉本体１０１と排気系統
１０２とガス供給系統１０４とから構成されている。
【００３０】加熱炉本体１０１は、反応炉（チャンバ
ー）３０、基板加熱機構３２、基板支持体３４、温度測
定手段３６、ガスヘッド４０、排気口４２及び４４、お
よび真空計５８及び６０を具えている。また、この反応
炉３０の外壁には、水冷管が設けられており、また、こ
の水冷管が、薄膜形成時にチャンバの壁が高温になるの
を防止する役目をしている。チャンバ３０内には、基板
３８を支持するための基板支持体３４を具えており、こ
の支持体３４を用いて基板３８は下向きに設置される。
この加熱炉本体１０１は、基板３８の炉内からの出し入
れまたは支持体３４への載置は、自由にできる構造にな
っている。
【００３１】また、チャンバ３０内には、加熱機構３２
を具えている。この加熱機構３２は例えば抵抗加熱体を
用いる。また、基板３８の近傍には、基板３８の表面温
度を測定するための測定手段３６を具えている。この温
度測定手段３８を、例えば熱電対とする。
【００３２】また、チャンバ３０内は、基板支持体３４
を介して上部と下部とに分かれる。
【００３３】上部は、加熱機構３２部分であり、下部は
ガスヘッド４０部分である。このガスヘッド４０は、チ
ャンバ３０の外壁を貫通して設けたガス導入管６２、６
４と冷却水導入管６６に接続される。
【００３４】更に、上部および下部には、それぞれ独立
に排気口４２及び４４を設けてある。
【００３５】次に、この装置を排気するための排気系統
１０２につき説明する。排気系統１０２は、排気手段４
６、４８及び５０、自動開閉バルブ５４及び５６を具え
ている。また、チャンバ３０内を真空排気するための排
気手段４６、４８および５０に、例えばターボ分子ポン
プを用いる。また、自動開閉バルブ５４及び５６と排気
手段４６、４８および５０とは排気管によって接続され
ている。
【００３６】次に、原料ガスのガス供給系統１０４につ
き説明する。
【００３７】ガス供給系統１０４は、自動開閉バルブ６
８、７０、７２、７３、８８、９０及び９２、自動流量
コントローラ７４、７６、７８及び７９、及びガス供給
源８０、８２、８４及び８６を具えている。また、ガス
導入管を独立して排気できるように排気手段５２を具え
ている。ここで、ガス導入管６２は、自動開閉バルブ６
８、７０、７２と接続されており、また、ガス導入管６
４は自動開閉バルブ７３と接続されている。更に、自動
開閉バルブ６８、７０および７２は、自動流量コントロ
ーラ７４、７６および７８を介して原料ガス供給部８
０、８２および８４と接続されている。このとき原料ガ
スを例えば、シラン（ＳｉＨ4 ）ガス、ゲルマン（Ｇｅ
Ｈ4 ）ガスおよびメタン（ＣＨ4 ）ガスとする。
【００３８】一方、自動開閉バルブ８８、９０および９
２は、排気手段５２とガス導入管によって接続されてい
る。このため、自動開閉バルブ６８、７０、７２、８
８、９０および９２を任意適当に開閉することにより、
チャンバ−３０を介せずに独立して反応ガス供給系のガ
ス導入管内を排気することができる。
【００３９】また、ガス導入管６４は、自動開閉バルブ
７３を介して自動流量コントローラ７９と接続されてお
り、更に、キャリヤガス供給部８６、例えば水素
（Ｈ2 ）ガス供給部と接続されている。
【００４０】また、自動開閉バルブ６８と自動流量コン
トローラ７４との間に設けられたガス導入管からはＴ字
形にガス供給管が分岐しており、一方の側のガス導入管
は自動開閉バルブ８８に接続されている。同様に、自動
開閉バルブ７０と自動流量コントローラ７６及びバルブ
７２とコントローラ７８のガス導入管からもＴ字型にガ
ス供給管が分岐しており、それぞれバルブ９０および９
２と接続されている。
【００４１】次に、図１、図２及び図３を参照してこの
発明の第１実施例の歪ヘテロエピタキシャル層の形成方
法につき説明する。
【００４２】図１は、第１実施例の加熱サイクル及びガ
スフロー曲線を示す。図中、横軸に時間をとり、縦軸に
加熱温度を取って表している。また、図２の（Ａ）〜
（Ｄ）は、第１実施例で形成される歪ヘテロエピタキシ
ャル層の工程図を示す。
【００４３】先ず、下地１０としてシリコン基板（以
下、基板と呼ぶ。）を用いる。このとき用いる基板１０
は、Ｓｉ単結晶構造をしているため、結晶面をもってい
る。この発明の第１実施例では、一例として（１００）
面を有するＳｉ単結晶を用いる。
【００４４】チャンバ３０に基板１０（または３８）を
搬入する前に、基板１０は予め、表面に付着している酸
化膜や汚染物を除去するため、洗浄処理を行う。
【００４５】このとき使用する洗浄液は、例えば硫酸
（Ｈ2 ＳＯ4 ）と過酸化水素（Ｈ2 Ｏ4 ）とを任意好適
に混合した混合液とする。そして、この洗浄液を１２０
℃程度に加熱をした後、基板２８を約１０分間洗浄液に
侵す。このような処理により基板２８の表面に約１０Ａ
°（Ａ°の記号は、オングストロームを表す。）程度の
酸化膜（図示せず）を形成する。続いて、基板２８を１
％体積ＨＦ溶液の洗浄液に約３分間浸し、基板１０の表
面に形成された酸化膜を完全に除去する。その後、ただ
ちに、洗浄処理済の基板１０をチャンバ３０内に搬入す
る。
【００４６】チャンバ３０に基板１０を搬入した後、直
ちに、自動開閉バルブ５４、５６を開ける。続いて、排
気手段（例えばターボ分子）４６、４８および５０を用
いてチャンバ３０内を、例えば１×１０-8Ｐａ（パスカ
ル）の超高真空に排気し、洗浄化する（図１のＴ1 期
間）。
【００４７】次に、自動開閉バルブ７３を開き、自動流
量コントローラ７９を調節しながらキャリヤガス８６、
例えば水素ガスをチャンバ３０内に供給する。続いて、
チャンバ３０内を加熱して、例えば９００℃〜１０００
℃程度に所定の期間保持する（図１のＴ2 期間）。この
とき基板１０の表面に付着している自然酸化膜（図２の
（Ａ））は蒸発または水素還元作用によって除去され
る。このときの構造体を図２の（Ｂ）に示す。
【００４８】次に、加熱機構３２を用いて加熱測定手段
３６を見ながら、炉内の加熱温度を降下させてゆき、基
板温度を、例えば約７５０℃とする。ただし、好適な温
度は、６００℃〜９００℃の範囲であれば良い。
【００４９】次に、自動開閉バルブ８８を開け、排気手
段５２で排気しながらシラン含有ＩＶ族系水素ガス、例
えば水素希釈１０％体積シラン（ＳｉＨ4 ）ガス（以
下、ＳｉＨ4 ガスと称する。）を流す。このとき自動開
閉バルブ６８は、閉めておく。続いて、ＳｉＨ4 ガスを
排気手段５２側に流しためままの状態で、バルブ９０を
開きゲルマニウム含有ＩＶ族系、例えば水素希釈１％体
積ゲルマン（ＧｅＨ4 ）ガス（以下、ＧｅＨ4 ガスと称
する。）を排気手段５２側に流す。このとき、水素希釈
１％体積シラン（ＳｉＨ4 ）ガスと水素希釈１％体積ゲ
ルマン（ＧｅＨ4）ガスとの混合比が所定の混合比にな
るように自動流量コントローラ７４及び７６を予め調整
しておく。
【００５０】更に、バルブ９２を開き、炭素含有ＩＶ族
系水素ガス、例えば水素希釈１％体積メタン（ＣＨ4 ）
ガス（以下、ＣＨ4 ガスと称する。）を排気手段５２側
に流す。このとき、水素希釈１％体積メタン（ＣＨ4 ）
ガスと水素希釈１％体積シラン（ＳｉＨ4 ）ガスと水素
希釈１％体積ゲルマン（ＧｅＨ4 ）ガスとの混合ガスが
所定の混合ガス比となるように自動流量コントローラ７
８を予め調整しておく。その後、バルブ８８、９０及び
９２を閉じた後、バルブ６８、７０及び７２を開いてＳ
ｉＨ4 ガス、ＧｅＨ4 ガス及びＣＨ4 ガスの混合ガスを
チャンバ３０内に供給する（図１のＴ3 期間）。 この
とき、基板１０上にＳｉ−Ｇｅ−Ｃ系のバッファ層１２
が形成される（図２の（Ｃ））。なお、このとき形成さ
れたバッファ層１２の膜厚は約１０Ａ°〜１００Ａ°程
度とする。また、バッファ層１２の結晶方位はシリコン
基板１０と同一の（１００）面となる。
【００５１】次に、バルブ６８、７０及び７２を閉めて
ＳｉＨ4 ガス、ＧｅＨ4 ガス及びＣＨ4 ガスがチャンバ
３０内に供給されない状態にする。続いて、バルブ９２
を閉めておき、バルブ８８及び９０を開いてＳｉＨ4 ガ
スとＧｅＨ4 ガスとを排気手段５２側に流す。その後、
直ちに、バルブ６８及び７０を開き、ＳｉＨ4 ガスとＧ
ｅＨ4 ガスの混合ガスをチャンバ３０内に供給、所定の
期間（図１のＴ4 期間）保持する。このときＳｉＨ4 ガ
スとＧｅＨ4 ガスの混合比をチャンバ３０内で所定のガ
ス流量になるように予め、それぞれのガス流量を自動流
量コントローラ７４と７６とで調整しておく。なお、こ
のときの加熱温度は前工程と同一の約７５０℃とする。
ただし、好適な温度は、６００℃〜９００℃の範囲であ
れば良い。
【００５２】このようにして、Ｓｉ−Ｇｅ−Ｃ系のバッ
ファ層１２上に歪ヘテロ構造を有するＳｉ−Ｇｅ混晶薄
膜１４を形成する（図２の（Ｄ））。
【００５３】次に、バルブ６８および７０を閉めた後、
バルブ８８および９０を開けて排気手段５２を用いてガ
ス導入管内を排気する。このとき、ＳｉＨ4 ガスとＧｅ
Ｈ4ガスとは、チャンバ３０内に供給されない状態にな
る。続いて、バルブ７３を開き、自動流量コントローラ
７９のガス流量を調整しながら水素ガスをチャンバ３０
内に流し、加熱温度を下げて基板１０を室温（約２０
℃）になるまで冷却する（図１のＴ5 期間）。その後、
基板１０をチャンバ３０から取り出す。
【００５４】上述した工程により、Ｓｉ基板１０上にバ
ッファ層１２とＳｉ−Ｇｅ混晶薄膜１４とが順次成膜さ
れる。このとき成膜されたバッファ層１２とＳｉ−Ｇｅ
混晶薄膜１４とを総称して歪みヘテロエピタキシャル層
１７と称する。
【００５５】次に、図４を参照してＳｉ−Ｇｅ混晶中に
炭素（Ｃ）を導入した場合のＳｉ格子定数の変化につき
説明する。なお、図中、横軸に角度（秒）を取り、縦軸
にＸ線回折強度を取って表している。また、図４は、実
際に得られたＸ線回折曲線の代表的なピーク値を模写し
て示している。
【００５６】このときの測定条件は、以下の通りとす
る。回折装置は、高分解能Ｘ線回折装置（フィリップ社
製、二結晶指向性）をもちいる。測定試料に用いたバッ
ファ層の膜厚は、この発明の第１実施例のバッファ層の
膜厚よりも十数倍厚い２０００Ａ°〜２５００Ａ°とす
る。また、炭素の組成濃度比は、０．９％と２％とし、
Ｇｅの濃度比は２５％（一定）とする。
【００５７】図４の（Ａ）のピーク値ａは、Ｓｉ1-x-y
Ｇｅx Ｃy （ここで、ｘ，ｙはＧｅとＣの組成比を表
す。）の炭素原子の濃度比を０．９％にしたときのＸ線
回折強度を表している。ピーク値ｂは、Ｓｉ結晶の（４
００）面の回折強度を表している。また、図４の（Ｂ）
のピーク値ｃは、Ｓｉ1-x-y Ｇｅx Ｃy の炭素原子の濃
度比を２％にしたときのＸ線回折強度を表している。ピ
ーク値ｄは、Ｓｉ結晶の（４００）面のＸ線回折強度を
表している。
【００５８】この図４の（Ａ）及び（Ｂ）からも理解で
きるように、炭素の組成濃度比が増加すると、Ｓｉ
1-x-y Ｇｅx Ｃy の回折強度のピーク値ａはプラスの角
度側にシフトしてゆき図４の（Ｂ）のピーク値ｃにな
る。これは、Ｓｉ−Ｇｅに炭素原子を添加させることに
よって、Ｓｉ1-x-y Ｇｅx Ｃy の格子定数を小さくなる
ことを表している。
【００５９】次に、図３、図５及び図７の（Ａ）〜
（Ｄ）を参照してこの発明の第２実施例の歪ヘテロエピ
タキシャル層の形成方法につき説明する。なお、図５
は、第２実施例の加熱サイクル及びガスフローを説明す
るための図である。また、図６は、第２実施例の歪ヘテ
ロエピタキシャル層の形成工程図を示す。ここで、上述
した第１実施例と同一の工程については、その説明を一
部省略する。
【００６０】先ず、下地２０としては、シリコン基板を
用いる。この基板２０はＳｉ単結晶でできており、結晶
面は例えば（１００）面とする。
【００６１】チャンバ３０内に基板２０を搬入する前に
行う基板２０の洗浄方法は、第１実施例と同様であるた
め、その説明を省略する。更に、チャンバ３０内を真空
に排気し、基板２０上に付着した自然酸化膜２１を除去
するまでの工程も第１実施例と同様な方法で行う。従っ
て、図５のＴ11期間及びＴ12期間は、図１のＴ1 期間及
びＴ2 期間と同一である。
【００６２】従って、第２実施例では、自然酸化膜２１
を除去した後の工程（図６の（Ｃ））から説明する。
【００６３】先ず、加熱手段３２を調整して、測定手段
３６を見ながら基板温度を下げる。このとき、基板温度
を約７５０℃に設定する。ただし、加熱温度は、例えば
６５０℃〜８５０℃の範囲にあれば良い。先ず、バルブ
８８を開き、水素希釈１０％体積ＳｉＨ4 ガス８０を排
気手段５２側に流す。このとき、ＳｉＨ4 ガスがチャン
バ３０に供給したときに炉内圧力が例えば１×１０-3Ｔ
ｏｒｒ程度の減圧状態になるように自動流量コントロー
ラ７４を予め、調整しておく。続いて、バルブ９２を開
き、例えば水素希釈１％体積メタン（ＣＨ4 ）ガスを排
気手段５２側に流す。このとき、ＳｉＨ4 ガスとＣＨ4
ガスのガス混合比が所定の値になるように、ＣＨ4 ガス
の自動流量コントローラ７８を予め、調整しておく。
【００６４】次に、バルブ８８及び９２を閉じてバルブ
６８及び７２を開き、ＳｉＨ4 ガスとＣＨ4 ガスの混合
ガスをチャンバ３０内に所定の期間（図４のＴ13期間）
供給する。このとき、Ｓｉ基板２０上には炭素原子を有
するＳｉ−Ｃ系のバッファ層２２が形成される（図６の
（Ｃ））。
【００６５】次に、Ｓｉ−Ｃ系のバッファ層２２上にＳ
ｉ−Ｇｅ混晶薄膜２４を形成する。この形成方法は、第
１実施例と同様である。このようして形成された構造体
を図６の（Ｄ）に示す。ここでは、Ｓｉ−Ｃ系のバッフ
ァ層２２とＳｉ−Ｇｅ混晶薄膜２４とを総称して歪エピ
タキシャル層２７と呼ぶ。
【００６６】次に、図７の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）を
参照して、Ｓｉ1-x Ｃx の格子定数の変化につき説明す
る。このとき用いた実験試料のバッファ層の膜厚は、上
述した図４で説明したときと同様に、第２実施例のバッ
ファ層の膜厚よりも１０数倍厚くしてある。ここでは、
約１０００Ａ°〜２０００Ａ°程度とする。なお、ピー
ク値ａ、ｂ及びｃは、炭素の組成比を０．０８％、０．
１９％及び０．７６％にしたときのＸ線回折強度の値で
ある。
【００６７】図７の（Ａ）〜（Ｃ）から理解できるよう
に、炭素の組成濃度比が高くなるにしたがってＳｉ1-x
Ｃx のピーク強度は、ピーク値ａ、ピーク値ｂ、ピーク
値ｃの順に、次第にプラスの角度方向へシフトしてゆ
く。なお、ピーク値ｐ1 、ｐ2及びｐ3 は、Ｓｉ単結晶
（４００）面に生じるＸ線回折強度を表している。図７
の（Ａ）〜（Ｃ）の結果は、Ｓｉ原子よりも格子定数の
小さい炭素を添加させることによって、バッファ層２２
のＳｉ1-x Ｃx の格子定数を小さくなることを表してい
る。このとき、バッファ層上に形成されるＳｉ−Ｇｅ混
晶薄膜は、横方向に圧縮応力を受けてヘテロ構造のエピ
タキシャル層を垂直方向に伸ばす働きをする。
【００６８】また、炭素を添加しないＳｉ−Ｇｅ混晶薄
膜に比べ、炭素を添加したＳｉ−Ｇｅ混晶薄膜の表面の
凹凸は小さくなる。この理由としては、炭素を有するバ
ッファ層があるため、Ｓｉ−Ｇｅ／Ｓｉのヘテロ界面の
熱膨張係数が小さくなり、応力緩和が生じるためと考え
られる。
【００６９】また、この発明の第１及び第２実施例で説
明したように、従来、難しいとされてきたＣＶＤ法で歪
ヘテロエピタキシャル層を形成できるため、スループッ
トの向上を図ることができる。
【００７０】上述したこの発明の第１及び第２実施例で
は、シリコン含有ＩＶ族系水素ガスにシランガスを用い
たが、なんらこのガスに制限されるものではなく、例え
ばジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）、メチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ
3 ）Ｈ3 ）、トリシラン（Ｓｉ3 Ｈ8 ）、ジメチルシラ
ン（Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｈ2 ）、トリメチルシラン（Ｓｉ
（ＣＨ3 ）3 Ｈ）、テトラメチルシラン（Ｓｉ（Ｃ
Ｈ3 ）4 ）、ヘキサメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ3 ）6 ）
およびフルオロトリメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ3 ）
3 Ｆ）のガス群の中から選ばれた１種類または２種類以
上のガスを用いても良い。
【００７１】また、この発明の第１及び第２実施例で
は、ゲルマニウム含有ＩＶ族系ガスにゲルマン（ＧｅＨ
4 ）ガスを用いたが、例えば四フッ化ゲルマニウム（Ｇ
ｅＦ4）、二フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ2 ）、フッ化
ゲルマニウム（ＧｅＦ）およびフルオロゲルマン（Ｇｅ
Ｈ3 Ｆ）のガス群の中から選ばれた１種類のガスまたは
２種類以上のガスの混合ガスであっても良い。
【００７２】この発明の実施例では、炭素含有ＩＶ族系
水素ガスにメタンガスを用いたが、例えばエタン（Ｃ2
Ｈ6 ）、プロパン（Ｃ3 Ｈ8 ）、及びエチレン（Ｃ2 Ｈ
4 ）のガス群の中から選ばれた１種類のガスまたは２種
類以上のガスの混合ガスであっても良い。
【００７３】また、この発明の実施例では、Ｓｉ基板の
基板として結晶面（１００）面方位基板を用いたが、こ
れ以外の好適な結晶面であっても良い。
【００７４】
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明の歪ヘテロエピタキシャル層の形成方法によれ
ば、反応炉内を真空に排気して、先ず、下地上の自然酸
化膜を除去する。その後、少なくともシリコン含有ＩＶ
族系水素ガスと炭素含有ＩＶ族系水素ガスとの混合ガス
を用いて下地上に炭素原子を有するバッファ層を形成す
る。続いて、バッファ層上にＳｉ−Ｇｅ混晶薄膜を形成
する。このような方法によって形成されたバッファ層中
のＳｉ−Ｇｅ−Ｃ或いはＳｉ−Ｃの格子定数は、炭素原
子を有するため、シリコン単独の格子定数よりも小さく
なる。従って、このバッファ層上にＳｉ−Ｇｅ混晶薄膜
を形成した場合、Ｓｉ−Ｇｅ混晶薄膜のヘテロ構造は、
圧縮応力を受けて垂直方向に伸びてゆく。従って、バッ
ファ層上に形成されるＳｉ−Ｇｅ混晶薄膜は、従来のＧ
ｅ濃度のみによって歪応力を制御するものに比べて、わ
ずかのＧｅ原子の導入によって所望の歪応力が得られ
る。この結果、Ｇｅ濃度の増加によって起こる表面モホ
ロジーの劣化を抑制し、臨界膜厚を厚くすることができ
る。
【００７５】また、バッファ層中に炭素原子を添加させ
ることによってＳｉ−Ｇｅ−Ｃ／ＳｉまたはＳｉ−Ｃ／
Ｓｉの格子不整合も小さくできるため、歪ヘテロエピタ
キシャル層の表面の凹凸は少なくなる。
【００７６】また、バッファ層を形成するに当たり、シ
リコン含有ＩＶ族系水素ガスと炭素含有ＩＶ族系水素ガ
スとの混合ガスを用いてＳｉ−Ｃ系のバッファ層を形成
しても良い。このようなＳｉ−Ｃ系のバッファ層であっ
てもバッファ層の格子定数をシリコン単独の格子定数よ
りも小さくできる。
【００７７】また、従来、難しいとされてきたＣＶＤ法
によって歪エピタキシャル層を形成することができるた
め、スループット（時間当たりの処理量）も向上し、量
産化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１実施例の説明に供するための加
熱曲線とガスフローの関係を表す図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は、この発明の第１実施例の歪
ヘテロエピタキシャル層の形成方法を説明するために供
する工程図である。
【図３】この発明の歪ヘテロエピタキシャル層の形成を
説明するために供する薄膜形成装置である。
【図４】（Ａ）〜（Ｂ）は、この発明の第１実施例のＳ
ｉ−Ｇｅ−Ｃ系のバッファ層領域のＸ線回折強度曲線で
ある。
【図５】この発明の第２実施例の説明に供するための加
熱曲線とガスフローの関係を表す図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｄ）は、この発明の第２実施例の歪
ヘテロエピタキシャル層の形成方法を説明するために供
する工程図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｃ）は、この発明の第２実施例のＳ
ｉ−Ｃ系のバッファ層領域のＸ線回折強度曲線である。
【符号の説明】
１０、２０：シリコン基板 １１、２１：自然酸化膜 １２：Ｓｉ−Ｇｅ−Ｃ系のバッファ層 １４、２４：Ｓｉ−Ｇｅ混晶薄膜 １７、２７：歪ヘテロエピタキシャル層 ２２：Ｓｉ−Ｃ系のバッファ層 ３０：反応炉（チャンバ） ３２：加熱機構 ３４：基板支持体 ３６：温度測定手段 ３８：基板 ４０：ガスヘッド ４２、４４：排気口 ４６、４８、５２、５２：排気手段 ５４、５６：自動開閉バルブ ５８、６０：真空計 ６２、６４：ガス導入管 ６６：冷却水導入管 ６８、７０、７２、７３、８８、９０、９２：自動開閉
バルブ ７４、７６、７８、７９：自動流量コントローラ ８０：水素希釈１０％体積シラン（ＳｉＨ4 ）ガス ８２：水素希釈１％体積ゲルマン（ＧｅＨ4 ）ガス ８４：水素希釈１％体積メタン（ＣＨ4 ）ガス ８６：水素（Ｈ2 ）ガス

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 反応炉内に原料ガスを用いて所定の加熱
    温度を加えることにより、下地上に、バッファ層とＳｉ
    −Ｇｅ混晶薄膜を有する歪ヘテロエピタキシャル層を形
    成するに当たり、 （ａ）前記反応炉内を真空に排気し、前記下地に形成さ
    れた自然酸化膜を除去した後、少なくともシリコン含有
    ＩＶ族系水素ガスと炭素含有ＩＶ族系水素ガスとの混合
    ガスを用いて下地上に炭素（Ｃ）原子を有するバッファ
    層を形成する工程と、 （ｂ）その後、該バッファ層上にＳｉ−Ｇｅ混晶薄膜を
    形成する工程とを含むことを特徴とする歪ヘテロエピタ
    キシャル層の形成方法。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の歪ヘテロエピタキシャ
    ル層の形成において、 前記（ａ）工程に使用する混合ガスを、シリコン含有Ｉ
    Ｖ族系水素ガスとゲルマニウム含有ＩＶ族系ガスと炭素
    （Ｃ）含有ＩＶ族系水素ガスとの混合ガスとすることを
    特徴とする歪ヘテロエピタキシャル層の形成方法。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の歪ヘテロエピタキシャ
    ル層の形成において、 前記（ａ）工程に使用する混合ガスを、シリコン含有Ｉ
    Ｖ族系水素ガスと炭素（Ｃ）含有ＩＶ族系水素ガスとの
    混合ガスとすることを特徴とする歪ヘテロエピタキシャ
    ル層の形成方法。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載の歪ヘテロエピタキシャ
    ル層の形成において、 前記（ａ）工程のバッファ層を、Ｓｉ−Ｇｅ−Ｃ系のバ
    ッファ層とすることを特徴とする歪ヘテロエピタキシャ
    ル層の形成方法。
  5. 【請求項５】 請求項１に記載の歪ヘテロエピタキシャ
    ル層の形成において、 前記（ａ）工程のバッファ層を、Ｓｉ−Ｃ系のバッファ
    層とすることを特徴とする歪ヘテロエピタキシャル層の
    形成方法。
  6. 【請求項６】 請求項１に記載のシリコン含有ＩＶ族系
    水素ガスをＳｉＨ4、Ｓｉ2 Ｈ6 、Ｓｉ（ＣＨ3 ）
    Ｈ3 、Ｓｉ3 Ｈ8 、Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｈ2 、Ｓｉ（ＣＨ
    3 ）3 Ｈ、Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 、Ｓｉ（ＣＨ3 ）6 および
    Ｓｉ（ＣＨ3 ）3Ｆのガス群の中から選ばれた１種類の
    ガスまたは２種類以上のガスの混合ガスとすることを特
    徴とする歪みヘテロエピタキシャル層の形成方法。
  7. 【請求項７】 請求項１に記載の炭素含有ＩＶ族系水素
    ガスを、ＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ6 、Ｃ3 Ｈ8 及びＣ2 Ｈ4 のガ
    ス群の中から選ばれた１種類のガスまたは２種類以上の
    ガスの混合ガスとすることを特徴とする歪みヘテロエピ
    タキシャル層の形成方法。
  8. 【請求項８】 請求項１に記載の歪ヘテロエピタキシャ
    ル層の形成において、 前記（ａ）工程の真空排気の圧力を、１０-7Ｐａ（パス
    カル）以下の高真空とすることを特徴とする歪ヘテロエ
    ピタキシャル層の形成方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001073827A1 (en) * 2000-03-27 2001-10-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor wafer and production method therefor
WO2002061842A1 (en) * 2001-01-31 2002-08-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor crystal film and method for preparation thereof
WO2002099890A1 (en) * 2001-06-05 2002-12-12 Sony Corporation Semiconductor layer and forming method therefor, and semiconductor device and production method therefor
JP2003068663A (ja) * 2001-06-14 2003-03-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体結晶膜の製造方法
RU2586009C1 (ru) * 2014-12-10 2016-06-10 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова Способ изготовления полупроводниковой структуры

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001073827A1 (en) * 2000-03-27 2001-10-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor wafer and production method therefor
US6645836B2 (en) * 2000-03-27 2003-11-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of forming a semiconductor wafer having a crystalline layer thereon containing silicon, germanium and carbon
US6930026B2 (en) 2000-03-27 2005-08-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of forming a semiconductor wafer having a crystalline layer thereon containing silicon, germanium and carbon
WO2002061842A1 (en) * 2001-01-31 2002-08-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor crystal film and method for preparation thereof
US6852602B2 (en) 2001-01-31 2005-02-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor crystal film and method for preparation thereof
WO2002099890A1 (en) * 2001-06-05 2002-12-12 Sony Corporation Semiconductor layer and forming method therefor, and semiconductor device and production method therefor
US7060582B2 (en) 2001-06-05 2006-06-13 Sony Corporation Adjusting the germanium concentration of a semiconductor layer for equal thermal expansion for a hetero-junction bipolar transistor device
JP2003068663A (ja) * 2001-06-14 2003-03-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体結晶膜の製造方法
RU2586009C1 (ru) * 2014-12-10 2016-06-10 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова Способ изготовления полупроводниковой структуры

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