JPH0722369A - 基板処理装置用薬液混合装置 - Google Patents

基板処理装置用薬液混合装置

Info

Publication number
JPH0722369A
JPH0722369A JP16139793A JP16139793A JPH0722369A JP H0722369 A JPH0722369 A JP H0722369A JP 16139793 A JP16139793 A JP 16139793A JP 16139793 A JP16139793 A JP 16139793A JP H0722369 A JPH0722369 A JP H0722369A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chemical
pure water
chemical liquid
pressure
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16139793A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Sugimoto
賢司 杉本
Seiya Fujisaki
征也 藤崎
Junichi Yonemura
潤一 米村
Hiroyuki Araki
浩之 荒木
Fumihiro Ikeda
文浩 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP16139793A priority Critical patent/JPH0722369A/ja
Publication of JPH0722369A publication Critical patent/JPH0722369A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 外来要因の影響を受けることなく簡素な構造
で薬液を安定供給する。 【構成】 薬液混合装置は、基板処理装置の基板洗浄槽
12に薬液と純水とを混合して供給する装置である。こ
の装置は、純水供給管18と、薬液貯溜容器22 A 〜2
D と、薬液供給配管40と、耐食レギュレータ34が
配置された窒素ガス配管39とを備えている。純水供給
管18は、基板洗浄槽12に接続され、純水が通過す
る。薬液貯溜容器22A 〜22D は、薬液を貯溜する密
閉式の容器である。薬液供給配管40の先端には、薬液
貯溜容器22A 〜22D から純水供給管18へと薬液を
導く薬液導入弁20A 〜20D が配置されている。窒素
ガス配管39は、薬液貯溜容器22A 〜22D から薬液
供給配管40へ薬液を圧送するため、薬液貯溜容器22
A 〜22D 内を耐食レギュレータ34によって調整され
た圧力の窒素ガスで加圧する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、薬液混合装置、特に、
基板処理装置の基板処理槽に薬液と純水を混合して供給
する基板処理装置の薬液混合装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体基板や液晶用ガラス基板等の薄板
状の被処理基板(以下、単に基板と記す)を表面処理す
る場合には、基板を処理槽内に浸漬して処理する浸漬型
の基板処理装置が一般に用いられる。この種の従来装置
としては、たとえば実開平4−99269号に示された
装置がある。
【0003】この装置は、基板の表面処理を行うための
基板処理槽と、処理液を基板処理槽内へ供給する処理液
供給部とから構成されている。処理液供給部には、処理
液供給管と薬液貯溜容器とが設けられ、この処理液供給
管と薬液貯溜容器との間には薬液導入弁が設けられてい
る。さらに薬液導入弁より上流側に一定量の薬液が導入
されるようにポンプが設けられている。このポンプによ
って薬液を圧送し、薬液導入弁上流側で循環させておく
ことにより、薬液導入弁が開かれた際に、所望量の薬液
を即座に処理液供給管に導入できる。このため、所望濃
度の薬液を即座に基板処理槽内に供給できる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の構成では、
薬液を圧送するために各薬液貯溜容器に対応して複数の
圧送用ポンプが必要になる。一般に、基板処理装置はク
リーンルーム内に設置されるが、複数の圧送用ポンプを
基板処理装置内に設けると大きなスペースが必要にな
り、基板処理装置を大きくしなければならない。また、
ポンプは可動部を有しているので、発塵によって基板処
理用薬液が汚染されるおそれがある。
【0005】これらの2つの要因を抑えるために、本出
願人はすでに、アスピレータを用いた薬液混合装置を提
案している。この薬液混合装置は、純水供給路と、純水
供給路中に配置され、純水の流通によって減圧空間を形
成するアスピレータ部と、一端がアスピレータ部に開口
し、薬液が通過する薬液供給路と、薬液供給路のアスピ
レータ開口部に配置された薬液導入弁とを備えている。
この薬液混合装置では、純水供給路を介して基板処理装
置に純水が供給される。この純水の供給により、アスピ
レータ部において減圧空間が形成される。この減圧空間
が薬液供給路に連結されているので、薬液導入弁を開く
と、減圧空間に純水の流通量に応じた薬液が吸いだされ
る。
【0006】しかし、アスピレータを用いると、薬液や
純水の配管条件、薬液や純水の圧力変動等の外来要因に
より、その薬液導入量が影響を受けやすい。また、アス
ピレータ構造を形成するために、その部分の構造が複雑
になる。本発明の目的は、発塵による薬液汚染を抑えな
がら、外来要因の影響を受けることなく簡素な構造で薬
液を安定供給することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明に係る薬液混合装
置は、基板処理装置の基板処理槽に薬液と純水とを混合
して供給する装置であって、液供給路と耐圧密閉槽と薬
液搬送部と加圧手段とを備えている。液供給路は、基板
処理槽に接続され、純水が通過するものである。耐圧密
閉槽は、薬液を貯溜するものである。薬液搬送部は、耐
圧密閉槽から液供給路へと薬液を導く薬液搬送路と薬液
搬送路に設けられた薬液導入弁とを有している。加圧手
段は、耐圧密閉槽から薬液搬送路へ薬液を圧送するた
め、耐圧密閉槽内を加圧するものである。
【0008】
【作用】本発明に係る薬液混合装置では、純水が液供給
路を通過して基板処理槽に投入される。また耐圧密閉槽
に貯溜された薬液は、薬液搬送路と薬液導入弁とを介し
て液供給路に供給される。この薬液の圧送は、耐圧密閉
槽内を加圧手段が加圧することにより行われる。
【0009】ここでは、耐圧密閉槽の加圧により薬液を
液供給路に供給しているので、薬液の導入量を純水の供
給量に依存することなく決定できる。このため外来要因
の変動による影響を受けることなく簡素な構造で安定し
て薬液を供給できる。また、ポンプが不要となるので発
塵による薬液汚染を抑えることができる。
【0010】
【実施例】図1及び図2において、本発明の一実施例を
採用した浸漬型基板洗浄装置1は、多数の基板を収容し
たキャリアCの搬入・搬出部2と、キャリアCからの基
板Wの取り出しまたはキャリアCへの基板Wの装填を行
う基板移載部3と、キャリアCを洗浄するためのキャリ
ア洗浄器3aと、搬入・搬出部2と基板移載部3とキャ
リア洗浄器3aとの間でキャリアCを移載するキャリア
移載ロボット4と、複数の基板を一括して洗浄する浸漬
型基板洗浄処理部5と、基板の液切り及び乾燥を行うた
めの基板乾燥部6と、基板移載部3でキャリアCから取
り出した複数の基板を一括保持して基板洗浄処理部5及
び基板乾燥部6に搬送する基板搬送ロボット7とから構
成されている。
【0011】基板移載部3はキャリアCを載置する回転
可能な2つのテーブル8を有している。テーブル8は、
キャリアCを必要に応じて90°回転させる。テーブル
8の中心には、矩形の開口が形成されており、この開口
の下方には、キャリアCから基板Wを一括して取り出す
とともに、キャリアCに基板Wを一括して装填するため
の昇降可能な基板受け部8aが配置されている。
【0012】キャリア移載ロボット4は、昇降及び回転
自在でありかつ図1の矢印A方向に移動可能に構成され
ている。キャリア移載ロボット4は、搬入・搬出部2に
搬入されてきたキャリアCをテーブル8上に移載し、基
板洗浄中においてキャリア洗浄器3aとテーブル8との
間でキャリアCを出し入れし、また洗浄済の基板Wを収
容したキャリアCをテーブル8から搬入・搬出部2へ移
載する。
【0013】基板搬送ロボット7は、移動部10内を矢
印B方向に移動可能であり、基板移載部3の基板受け部
8aから受け取った複数の基板Wを挟持する基板挟持ア
ーム9を有している。このロボット7は、基板挟持アー
ム9で挟持した複数の基板Wを移動部10に沿って基板
洗浄処理部5及び基板乾燥部6へ順次搬送する。基板洗
浄処理部5は、オーバーフロー型のものであり、3つの
基板洗浄槽12と、基板洗浄槽12に昇降自在に設けら
れた基板保持具11とを備えている。各洗浄槽12に
は、基板搬送ロボット7から受け取った複数の基板Wが
基板保持具11で保持され浸漬される。
【0014】基板洗浄槽12は、石英ガラス製であり、
側面視略V字状,平面視略矩形状に形成されている。基
板洗浄槽12内は、洗浄液の均一な上昇流を形成して基
板Wを表面処理するとともに、洗浄液を複数種の洗浄処
理工程ごとに迅速に置換し得るオーバーフロー槽として
構成されている。なお、基板洗浄槽12は石英ガラス製
に限られず、たとえば、洗浄液として石英ガラスを払拭
させてしまうフッ酸等を用いる場合には、4フッ化エチ
レン樹脂等の樹脂製材料で形成したものでもよい。
【0015】洗浄処理部5は、図3に示すように、各基
板洗浄槽12へ下方より複数種の洗浄液を供給する洗浄
液供給部13と、各基板洗浄槽12よりオーバーフロー
した洗浄液を排出する洗浄液排出部14とを有してい
る。基板洗浄槽12の周囲には、洗浄液排出部14を構
成するオーバーフロー液回収部15が設けられている。
このオーバーフロー液回収部15には排液管16が接続
され、排液管16には排液ドレイン17が接続されてい
る。ここでは、オーバーフロー液回収部15でオーバー
フローした洗浄液は、排液管16を介して排液ドレイン
17へ排出される。
【0016】洗浄液供給部13は、各基板洗浄槽12の
下部にそれぞれ連結された純水供給管18を備えてい
る。純水供給管18には、基板洗浄槽12より上流側へ
順に導入弁連結管19、流量計26及び制御弁27が配
置されている。純水供給管18には、常温のまたは所定
温度に加熱された純水DW が供給される。導入弁連結管
19には、上流側(洗浄槽12と逆側)の端部から順
に、純水供給弁23と、排液弁25と、複数の薬液導入
弁20A 〜20D とが設けられている。各薬液導入弁2
A 〜20D には、薬液QA 〜QD を供給するための薬
液圧送部21が連結されている(薬液導入弁20A 用の
みを図示)。この薬液導入弁20A 〜20D は選択的に
開閉制御され、薬液圧送部21からの所定の薬液を純水
供給管18に導入する。
【0017】導入弁連結管19の内部には、図4に示す
ように、上流側端から下流側(洗浄槽12側)端に直線
状の流体通路24が形成されている。そして、下流端に
は洗浄槽12からの配管が接続される接続口24aが形
成されており、中間部の内壁には4つの薬液導入弁20
A 〜20D の2次側流路が流体の供給方向に沿って開口
している。また、導入弁連結管19の側面には、薬液導
入口20a〜20d(20dのみ図示)が形成されてお
り、この薬液導入口20a〜20dに薬液圧送部21か
らの配管が接続されている。さらに、導入弁連結管19
の上流端には、流体通路24に連通する純水供給ポート
23aが形成されている。純水供給ポート23aには純
水供給管18が連結されている。純水供給ポート23a
の下流側に隣接して、流体通路24に連通する排液ポー
ト25aが形成されている。この排液ポート25aには
排液管16が接続されている。純水供給ポート23a及
び排液ポート25aは、それぞれ純水供給弁23及び排
液弁25により開閉されるようになっている。
【0018】さらに、導入弁連結管19には、図5に示
すように、排液弁25の2次側流路と純水供給弁23の
1次側流路とを結ぶ流路30が形成されており、この流
路30には、配管中の死水(通路に液が滞留すること)
を防止するためのドレイン弁29が配置されている。各
薬液圧送部21は、1種類の薬液を貯溜するための薬液
貯溜容器22A (22B 〜22D )を有している。薬液
貯溜容器22A (22B 〜22D )は密閉型の容器であ
り、この容器22A には、窒素ガス配管39と薬液供給
配管40とが接続されている。窒素ガス配管39は、容
器22A の上部に開口し、薬液供給配管40は、容器2
A の底部近傍まで達している。薬液貯溜容器22A
は、窒素ガス配管39を介して窒素ガス源31から窒素
ガスが供給される。薬液貯溜容器22A と窒素ガス源3
1との間の窒素ガス配管39には、上流側から順に窒素
供給バルブ32、フィルタ33及び圧力調整用の耐食レ
ギュレータ34が配置されている。ここで耐食レギュレ
ータ34を用いたのは、薬液貯溜容器22A から腐食性
の薬液のガスが逆流することがあるからである。
【0019】耐食レギュレータ34のパイロットポート
には、電空レギュレータ35から圧力調整された空気が
供給される。電空レギュレータ35は、電気信号により
空気圧を制御する弁であり、そこには、空気圧源36か
ら加圧された空気が供給される。電空レギュレータ35
には、プログラマブルコントローラ37が接続されてい
る。プログラマブルコントローラ37には、薬液供給配
管40の圧力を検出する圧力センサ38からの圧力信号
が与えられる。プログラマブルコントローラ37は、検
出された圧力値に応じたフィードバック信号を電空レギ
ュレータ35に与える。
【0020】薬液供給配管40は、各洗浄槽12の薬液
導入弁20A に分岐している。薬液供給配管40の分岐
部より上流側には、流量計41とフィルタ42とが配置
されている。フィルタ42には、加圧ドレイン用のスト
ップ弁44が接続されている。ストップ弁44はドレイ
ン17に接続されている。また薬液貯溜容器22A
は、リリーフ用の調整弁43も接続されている。
【0021】次に洗浄液供給部13の制御弁27につい
て説明する。制御弁27は、純水DW を定流量・定圧に
制御するためのものであり、図6に示すように、PVD
F等の樹脂製の弁本体48と、弁本体48の上部に配置
された弁カバー49と、弁本体48と弁カバー49との
間に配置されたダイヤフラム50と、ダイヤフラム50
に連動して弁本体48中を上下に移動可能な弁体51と
を有している。
【0022】弁本体48の上部には、吐出側(2次側)
の純水が導入される液圧導入室52が形成されている。
また弁本体48の内部には、純水が流通する純水流路5
3が形成されている。純水流路53は、基端に導入口5
4が形成された導入流路55と、導入流路55の先端か
ら上方に延びる弁体流路56と、弁体流路56の先端か
ら図6の右方に延びる吐出流路57とから構成されてい
る。弁体流路56には弁座72が形成されている。吐出
流路57の先端には吐出口58が形成されている。吐出
流路57と液圧導入室52との間には、これらを連通す
る連通孔59が形成されている。
【0023】弁体流路56の下方には空気室60が形成
されている。空気室60には、弁体51に当接可能なピ
ストン61が上下移動可能に配置されている。この空気
室60は、カバー62により気密に封止されている。こ
のカバー62には、空気導入口63が形成されている。
また空気室60の上部には、弁本体48の側部に形成さ
れた空気導入口64に連通する空気孔65が開口してい
る。
【0024】弁カバー49は、下部に空気導入室66が
形成されている。この空気導入室66は、ダイヤフラム
50により液圧導入室52に対して気密に分離されてい
る。空気導入室66には、空気導入口67が連通してい
る。また空気導入室66には、上下に移動可能なピスト
ン68が配置されている。ピストン68の下端には、大
径のフランジ部69が形成されている。
【0025】弁体51は上部に、フランジ部69ととも
にダイヤフラム50を挟むフランジ部70を有してい
る。これにより弁体51は、ダイヤフラム50に連動し
て上下動する。弁体51の下部は、上部に比べて径が大
きくなっている。弁体51の上部と下部との間にはテー
パ部71が形成されている。このテーパ部71は、弁本
体48の弁体流路56に形成された弁座72に嵌合し
て、導入流路35と吐出流路37とを遮断可能である。
なお、弁体51及び弁座72は、互いに嵌合する形状で
あれば任意の形状が採用できる。
【0026】また、弁体51の上下位置は、空気導入室
66に導入された空気の圧力と、液圧導入室52に導入
された2次側の純水の圧力との差圧により定まる。した
がって、圧力調整時には、空気導入室66に所望の圧力
を導入することにより、純水流路53における吐出流路
57側の圧力が一定の圧力となるとともに、その流量が
一定の流量となる。また、空気導入室66に低い圧力の
空気を導入することにより、少量の純水を流すことがで
きる。これにより、節水機能を実現できる。さらに、空
気導入口63から高圧の空気を導入することにより、弁
体51が上方に押し上げられ、純水流路53が遮断され
る。
【0027】次に耐食レギュレータ34について説明す
る。耐食レギュレータ34は、図7に示すように、PV
DF等の樹脂製の弁本体81と、弁本体81の上部に配
置された上カバー82と、弁本体81の下部に配置され
た下カバー83とを主に有している。弁本体81の上部
には、ガス圧導入室86が形成されている。また弁本体
81の内部には、窒素ガスが流通するガス流路84が形
成されている。ガス流路84は、弁本体81の図7左側
面に開口する入側ポート85に連なる入側流路87と、
入側流路87の先端からガス圧導入室86に向かって上
方に延びる弁体流路88と、ガス圧導入室86から下方
に延び、90°折れ曲がって弁本体81の図7右側面に
開口する出側流路89とから構成されている。出側流路
89の先端には出側ポート90が形成されている。ま
た、弁体流路88の途中にはテーパ状の弁座91が形成
されている上カバー82の下面には、ガス圧導入室86
に対向する空気圧導入室94が形成されている。空気圧
導入室94は、上カバー82の右側面に開口するパイロ
ットポート101に連通している。ガス圧導入室86と
空気圧導入室94とは、弁本体81と上カバー82との
間に配置されたダイヤフラム92により気密に分離され
ている。ダイヤフラム92にはピストン93が一体的に
取り付けられており、ピストン93は、空気圧導入室9
4内を上下に移動可能である。ピストン93の上方に
は、上カバー82に排気ポート95が形成されている。
【0028】ピストン93の下部には、弁体流路88を
上下に移動可能な弁体96が当接配置されている。弁体
96は、下方にいくにつれて径が徐々に大きくなる拡径
部102を中間に有しており、この拡径部102が弁座
91に係合する。弁体96の下部には、上部が伸縮自在
でありかつ下部が弁本体81と下カバー83とを封止す
るシール97が嵌め込まれている。シール97には、上
下に移動するバネ受け99が嵌め込まれている。
【0029】下カバー83の上面にはバネ室98が形成
されており、バネ室98内には、バネ受け99に当接す
るバネ100が圧縮状態で配置されている。この結果、
弁体96は、バネ受け99、シール97を介して常にバ
ネ100により上方に付勢されている。従って、耐食レ
ギュレータ34は、バネ100の付勢力と、空気室94
に導入される空気圧とのバランスにより上下に移動し、
空気圧により調整された圧力の窒素ガスを薬液貯溜容器
22A に供給可能である。
【0030】次に上述の実施例の動作について説明す
る。基板Wが収容されたキャリアCが搬入・搬出部2に
載置されると、キャリア移載ロボット4がそれを受け取
り、基板移載部3に載置する。キャリアCが基板移載部
3に移載されると、基板受け部8aがキャリアCから基
板Wを取り出し、基板搬送ロボット7に基板Wを渡す。
基板搬送ロボット7は、洗浄処理部5のいずれか1つの
基板洗浄槽12に基板Wを搬送する。洗浄処理が終了す
ると、浸漬されていた基板Wは基板搬送ロボット7によ
り次の工程に運ばれる。
【0031】前記洗浄工程においては、基板洗浄槽12
に基板洗浄液が充填されている。基板洗浄槽12に洗浄
液を供給する際には以下の動作が行われる。なお、供給
動作を開始する前に、制御弁27により供給される純水
の流量及び圧力を調整する。また、電空レギュレータ3
5により空気圧源36からの空気圧を所定の圧力に調整
し、その空気圧により耐食レギュレータ34を調整す
る。これにより、窒素ガス源31から供給されるガスが
所定のガス圧に調整される。
【0032】このような状態で窒素供給弁32を開き、
圧力調整された窒素ガスを薬液貯溜容器22A 内に導入
する。窒素ガスが薬液貯溜容器22A に導入されると、
その圧力により、容器22A 内の薬液が流量計41、フ
ィルタ42を介して薬液導入弁20A に導入される。こ
の薬液供給配管40内の圧力は、圧力センサ38により
検出される。ここで、他系統の隣接のバルブの開閉によ
り薬液供給配管40内の圧力が変動すると、圧力センサ
38で検出した圧力と目標圧力との間に偏差が生じる。
この偏差をプログラマブルコントローラ37が算出し、
その偏差に応じた指令電圧を電空レギュレータ35に出
力する。そして電空レギュレータ35で制御された圧力
の空気がパイロット圧として耐食レギュレータ34に与
えられ、耐食レギュレータ34の弁体96が上下に移動
し、パイロット圧に応じた圧力の窒素ガスが容器22A
に与えられる。この結果、窒素ガスの圧力が外来要因の
変動に係わらず一定になり、容器22A から所定量の薬
液が吐出される。
【0033】ここでは、純水が制御弁27により定量か
つ定圧に制御され、薬液が耐食レギュレータ34及び電
空レギュレータ35により定流量に制御されるので、薬
液の導入圧力や純水の供給圧力が変化しても薬液及び純
水を定流量に混合できる。このため外来要因による変動
の影響を受けることなく所定の混合比の薬液を得ること
ができる。
【0034】また、導入弁連結部19に薬液導入弁と排
液弁25と純水供給弁23とが一体化して配置されてい
るので、配管スペースが小さくなる。また配管材料も少
なくて済むので、配管費用が低減する。さらにメンテナ
ンス部分が減少するので、メンテナンス費用も低減す
る。 〔他の実施例〕図8に示すように、導入弁連結管19に
おいて、流体通路24の上流端に排液ポート25a を形
成してもよい。ここでは、薬液導入弁20A と排液ポー
ト25 a との間に純水供給ポート23aが形成されてい
る。この構成では、排液時に流体通路24に滞留する液
がさらに少なくなる。
【0035】
【発明の効果】本発明に係る薬液混合装置では、耐圧密
閉槽を加圧することにより薬液搬送路を薬液を圧送して
いるので、発塵による薬液汚染を抑えながら、外来要因
の変動による影響を受けることなく薬液を簡素な構造で
安定して供給できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例が採用された基板処理装置の
斜視概略図。
【図2】その縦断面概略図。
【図3】その処理液供給部の配管回路図。
【図4】導入弁連結管の縦断面図。
【図5】その配管回路図。
【図6】制御弁の縦断面図。
【図7】耐食レギュレータの縦断面図。
【図8】他の実施例の図4に相当する図。
【符号の説明】
1 基板洗浄装置 12 基板洗浄槽 19 導入弁連結管 20A 〜20D 薬液導入弁 22A 〜22D 薬液貯溜容器 31 窒素ガス源 34 耐食レギュレータ 35 電空レギュレータ 37 プログラマブルコントローラ 38 圧力センサ 39 窒素ガス配管 40 薬液供給配管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米村 潤一 滋賀県野洲郡野洲町大字三上字口ノ川原 2426番1 大日本スクリーン製造株式会社 野洲事業所内 (72)発明者 荒木 浩之 滋賀県野洲郡野洲町大字三上字口ノ川原 2426番1 大日本スクリーン製造株式会社 野洲事業所内 (72)発明者 池田 文浩 滋賀県野洲郡野洲町大字三上字口ノ川原 2426番1 大日本スクリーン製造株式会社 野洲事業所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板処理装置の基板処理槽に薬液と純水と
    を混合して供給する基板処理装置の薬液混合装置であっ
    て、 前記基板処理槽に接続され、前記純水が通過する液供給
    路と、 前記薬液を貯溜する耐圧密閉槽と、 前記耐圧密閉槽から前記液供給路へと薬液を導く薬液搬
    送路と前記薬液搬送路に設けられた薬液導入弁とを有す
    る薬液搬送部と、 前記耐圧密閉槽から前記薬液搬送路へ前記薬液を圧送す
    るため、前記耐圧密閉槽内を加圧する加圧手段と、を備
    えた基板処理装置用薬液混合装置。
JP16139793A 1993-06-30 1993-06-30 基板処理装置用薬液混合装置 Pending JPH0722369A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16139793A JPH0722369A (ja) 1993-06-30 1993-06-30 基板処理装置用薬液混合装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16139793A JPH0722369A (ja) 1993-06-30 1993-06-30 基板処理装置用薬液混合装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0722369A true JPH0722369A (ja) 1995-01-24

Family

ID=15734321

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16139793A Pending JPH0722369A (ja) 1993-06-30 1993-06-30 基板処理装置用薬液混合装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0722369A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6158447A (en) * 1997-09-09 2000-12-12 Tokyo Electron Limited Cleaning method and cleaning equipment
US6833109B1 (en) 1999-03-26 2004-12-21 Nec Electronics Corporation Method and apparatus for storing a semiconductor wafer after its CMP polishing
JP2012074642A (ja) * 2010-09-30 2012-04-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液供給装置およびこれを備えた基板処理装置
JP2015167161A (ja) * 2014-03-03 2015-09-24 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6158447A (en) * 1997-09-09 2000-12-12 Tokyo Electron Limited Cleaning method and cleaning equipment
US6592678B1 (en) 1997-09-09 2003-07-15 Tokyo Electron Limited Cleaning method and cleaning equipment
US6833109B1 (en) 1999-03-26 2004-12-21 Nec Electronics Corporation Method and apparatus for storing a semiconductor wafer after its CMP polishing
JP2012074642A (ja) * 2010-09-30 2012-04-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液供給装置およびこれを備えた基板処理装置
JP2015167161A (ja) * 2014-03-03 2015-09-24 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6592678B1 (en) Cleaning method and cleaning equipment
US6884317B2 (en) Method and installation for etching a substrate
US6231672B1 (en) Apparatus for depositing thin films on semiconductor wafer by continuous gas injection
US5832948A (en) Liquid transfer system
EP0806573B1 (en) Fluid control device
US5427625A (en) Method for cleaning heat treatment processing apparatus
KR960000374B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 세정 방법 및 세정 장치
EP1448319B1 (en) Source liquid supply apparatus having a cleaning function
US6293849B1 (en) Polishing solution supply system
KR100274925B1 (ko) 액체 분배 장치 및 방법
KR102142211B1 (ko) 약액 공급 시스템
US5900045A (en) Method and apparatus for eliminating air bubbles from a liquid dispensing line
EP1837894B1 (en) Process liquid supply system, process liquid supply method, and storage medium
US5722447A (en) Continuous recirculation fluid delivery system and method
JP2739419B2 (ja) 基板処理装置
JPH0722369A (ja) 基板処理装置用薬液混合装置
US7435396B2 (en) High-pressure processing apparatus and high-pressure processing method
KR100554497B1 (ko) 공기구동식 액체공급장치
JP2605001Y2 (ja) 基板処理装置用薬液混合装置
JPH09260332A (ja) 基板処理装置の薬液供給装置
JPH11138438A (ja) 研磨装置及び砥液供給システム
KR200357003Y1 (ko) 반도체 제조용 가스공급장치
JPH06244163A (ja) 基板処理装置
KR101159656B1 (ko) 원료 공급장치 및 공급 방법
KR20040079469A (ko) 소스 가스 공급 장치