JPH0722470A - バンプ付きｔａｂテープ及びそれを用いた接合方法 - Google Patents
バンプ付きｔａｂテープ及びそれを用いた接合方法Info
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- JPH0722470A JPH0722470A JP5147418A JP14741893A JPH0722470A JP H0722470 A JPH0722470 A JP H0722470A JP 5147418 A JP5147418 A JP 5147418A JP 14741893 A JP14741893 A JP 14741893A JP H0722470 A JPH0722470 A JP H0722470A
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0388—Other aspects of conductors
- H05K2201/0394—Conductor crossing over a hole in the substrate or a gap between two separate substrate parts
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はバンプ付きＴＡＢテープ及びそれを
用いた接合方法に関し、アウターリードのリフローボン
ディング時にインナーリードのバンプが剥離しないよう
にしたバンプ付きＴＡＢテープ及びそれを用いた接合方
法を実現することを目的とする。 【構成】 誘電体フィルムよりなる基材１０上に、複数
の金属配線１１が施され、該金属配線１１が施された面
と反対側の基材面から金属配線１１に通じるビアホール
１２が設けられ、該金属配線１１の一部にインナーリー
ド接合用のバンプ１３とアウターリード接合用端子とが
設けられたバンプ付きＴＡＢテープにおいて、該インナ
ーリード接合用のバンプ１３の融点がアウターリード接
合用端子の接合用金属１４の融点よりも高くなるように
構成する。
用いた接合方法に関し、アウターリードのリフローボン
ディング時にインナーリードのバンプが剥離しないよう
にしたバンプ付きＴＡＢテープ及びそれを用いた接合方
法を実現することを目的とする。 【構成】 誘電体フィルムよりなる基材１０上に、複数
の金属配線１１が施され、該金属配線１１が施された面
と反対側の基材面から金属配線１１に通じるビアホール
１２が設けられ、該金属配線１１の一部にインナーリー
ド接合用のバンプ１３とアウターリード接合用端子とが
設けられたバンプ付きＴＡＢテープにおいて、該インナ
ーリード接合用のバンプ１３の融点がアウターリード接
合用端子の接合用金属１４の融点よりも高くなるように
構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はバンプ付きＴＡＢテープ
及びそれを用いた接合方法に関する。詳しくは誘電体フ
ィルムよりなる基材の上に設けられた金属配線に、基材
を貫通して設けられたビアホールを通して接続したバン
プ付きＴＡＢテープ及びそれを用いた接合方法に関す
る。
及びそれを用いた接合方法に関する。詳しくは誘電体フ
ィルムよりなる基材の上に設けられた金属配線に、基材
を貫通して設けられたビアホールを通して接続したバン
プ付きＴＡＢテープ及びそれを用いた接合方法に関す
る。
【０００２】近年ＩＣチップの高集積化により高密度接
続が可能なＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｉｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式による半導体装置の組立が注目さ
れている。このＴＡＢ方式はポリイミド又はポリエステ
ル等のフィルムに銅箔をはりつけ、それをホトリソグラ
フィ技術によりエッチングして金属配線を形成し、その
金属配線を利用してＩＣチップをプリント配線板または
パッケージに電気的に接続できるようにしたものであ
る。
続が可能なＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｉｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式による半導体装置の組立が注目さ
れている。このＴＡＢ方式はポリイミド又はポリエステ
ル等のフィルムに銅箔をはりつけ、それをホトリソグラ
フィ技術によりエッチングして金属配線を形成し、その
金属配線を利用してＩＣチップをプリント配線板または
パッケージに電気的に接続できるようにしたものであ
る。
【０００３】
【従来の技術】従来のＴＡＢテープの１例を図４に示
す。同図において、１はパーフォレーション２を有する
フィルム状の基材であり、その表面に金属配線３が設け
られている。この金属配線の一端はＩＣチップの電極に
接続するためのインナーリード３ａとなり、他端はプリ
ント配線板またはパッケージの端子に接続するためのア
ウターリード３ｂとなっている。
す。同図において、１はパーフォレーション２を有する
フィルム状の基材であり、その表面に金属配線３が設け
られている。この金属配線の一端はＩＣチップの電極に
接続するためのインナーリード３ａとなり、他端はプリ
ント配線板またはパッケージの端子に接続するためのア
ウターリード３ｂとなっている。
【０００４】そして同図（ｂ）に示すように、インナー
リード３ａにはバンプ４が設けられ、アウターリード３
ｂにはプリント配線板またはパッケージの端子にリフロ
ー接続するための接合用金属５が設けられている。なお
図４における６はＩＣチップ搭載用の窓、７はアウター
リード接続用の窓である。
リード３ａにはバンプ４が設けられ、アウターリード３
ｂにはプリント配線板またはパッケージの端子にリフロ
ー接続するための接合用金属５が設けられている。なお
図４における６はＩＣチップ搭載用の窓、７はアウター
リード接続用の窓である。
【０００５】またＴＡＢテープの他の例として、狭ピッ
チでもショートの恐れがないことを目的として、図５の
如く、基材１に金属配線３が設けられた面と反対側の基
材面から金属配線３に通ずるビアホール８を設け、該ビ
アホール８内にバンプ４を設けたものもある。
チでもショートの恐れがないことを目的として、図５の
如く、基材１に金属配線３が設けられた面と反対側の基
材面から金属配線３に通ずるビアホール８を設け、該ビ
アホール８内にバンプ４を設けたものもある。
【０００６】上記したＴＡＢテープは下記のような利点
を有するため半導体装置組立に多用されている。 ａ：ＩＣチップの最終組込み前に、事前にＩＣチップの
性能検査をすることが可能である。 ｂ：ＩＣチップの、基板等への接続の自由度が向上す
る。（液晶パネル等の裏側へＴＡＢテープを折り曲げて
搭載可能） ｃ：高密度実装が可能となる。 ｄ：基板等への接続方法として、リフロー法の使用が容
易となる。
を有するため半導体装置組立に多用されている。 ａ：ＩＣチップの最終組込み前に、事前にＩＣチップの
性能検査をすることが可能である。 ｂ：ＩＣチップの、基板等への接続の自由度が向上す
る。（液晶パネル等の裏側へＴＡＢテープを折り曲げて
搭載可能） ｃ：高密度実装が可能となる。 ｄ：基板等への接続方法として、リフロー法の使用が容
易となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のＴＡＢテー
プでは、インナーリード接合用のバンプとアウターリー
ド接合用端子の接合用金属とは、一般に同一の金属、例
えば半田が汎用されているため、以下のような問題があ
る。 ａ：インナーリード接合用のバンプとアウターリード接
合用端子の接合用金属とは融点が等しいため、アウター
リード接続中に、さきに接合しているインナーリードの
接合部分が剥れる恐れがあった。 ｂ：特に、短時間で、ＴＡＢテープ全体が均一に加熱さ
れるリフロー法においては、インナーリードの接合部分
が剥れる恐れがあった。
プでは、インナーリード接合用のバンプとアウターリー
ド接合用端子の接合用金属とは、一般に同一の金属、例
えば半田が汎用されているため、以下のような問題があ
る。 ａ：インナーリード接合用のバンプとアウターリード接
合用端子の接合用金属とは融点が等しいため、アウター
リード接続中に、さきに接合しているインナーリードの
接合部分が剥れる恐れがあった。 ｂ：特に、短時間で、ＴＡＢテープ全体が均一に加熱さ
れるリフロー法においては、インナーリードの接合部分
が剥れる恐れがあった。
【０００８】そこで、この問題を解決するため、インナ
ーリード接合用のバンプとアウターリード接合用端子の
接合用金属とを異種金属にしたバンプ付きＴＡＢテープ
が一部実施されている。しかし、異種金属を用いるため
には、インナーリードのバンプとアウターリードの接合
用金属を別々な金属でメッキする必要があり、一方をメ
ッキするときは他方をマスキングするなど複雑なプロセ
スを経る必要が生じ、コストが高くなるとともにメッキ
液等による汚染問題を生じ、ＩＣチップの動作不良の原
因となっていた。
ーリード接合用のバンプとアウターリード接合用端子の
接合用金属とを異種金属にしたバンプ付きＴＡＢテープ
が一部実施されている。しかし、異種金属を用いるため
には、インナーリードのバンプとアウターリードの接合
用金属を別々な金属でメッキする必要があり、一方をメ
ッキするときは他方をマスキングするなど複雑なプロセ
スを経る必要が生じ、コストが高くなるとともにメッキ
液等による汚染問題を生じ、ＩＣチップの動作不良の原
因となっていた。
【０００９】本発明は上記従来の問題点に鑑み、予め接
合されているインナーリードとＩＣチップとの接合部
が、基板等へのアウターリード接合時の加熱により剥離
しないようにし、且つメッキによる汚染の少ないバンプ
付きＴＡＢテープ及びそれを用いた接合方法を実現しよ
うとする。
合されているインナーリードとＩＣチップとの接合部
が、基板等へのアウターリード接合時の加熱により剥離
しないようにし、且つメッキによる汚染の少ないバンプ
付きＴＡＢテープ及びそれを用いた接合方法を実現しよ
うとする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のバンプ付きＴＡ
Ｂテープに於いては、誘電体フィルムよりなる基材上
に、複数の金属配線が施され、該金属配線が施された面
と反対側の基材面から金属配線に通じるビアホールが設
けられ、該金属配線の一部にインナーリード接合用のバ
ンプとアウターリード接合用端子とが設けられたバンプ
付きＴＡＢテープにおいて、該インナーリード接合用の
バンプの融点がアウターリード接合用端子の接合用金属
の融点よりも高いことを特徴とする。
Ｂテープに於いては、誘電体フィルムよりなる基材上
に、複数の金属配線が施され、該金属配線が施された面
と反対側の基材面から金属配線に通じるビアホールが設
けられ、該金属配線の一部にインナーリード接合用のバ
ンプとアウターリード接合用端子とが設けられたバンプ
付きＴＡＢテープにおいて、該インナーリード接合用の
バンプの融点がアウターリード接合用端子の接合用金属
の融点よりも高いことを特徴とする。
【００１１】また、それに加えて、前記インナーリード
接合用のバンプの融点が、前記アウターリード接合用端
子の接合用金属の融点よりも、少なくとも５０℃高いこ
とを特徴とする。また、前記インナーリード接合用のバ
ンプが半田であること、およびボール状であることを特
徴とする。また前記ビアホールが漏斗状であることを特
徴とする。
接合用のバンプの融点が、前記アウターリード接合用端
子の接合用金属の融点よりも、少なくとも５０℃高いこ
とを特徴とする。また、前記インナーリード接合用のバ
ンプが半田であること、およびボール状であることを特
徴とする。また前記ビアホールが漏斗状であることを特
徴とする。
【００１２】また、本発明のバンプ付きＴＡＢテープを
用いた接合方法に於いては、前記バンプ付きＴＡＢテー
プのアウターリードを基板等へ接合するときはリフロー
法により接合することを特徴とする。
用いた接合方法に於いては、前記バンプ付きＴＡＢテー
プのアウターリードを基板等へ接合するときはリフロー
法により接合することを特徴とする。
【００１３】この構成を採ることにより、予め接合され
ているインナーリードとＩＣチップとの接合部が、基板
等へのアウターリード接合時の加熱により剥離しないよ
うにし、且つメッキによる汚染を少なくしたバンプ付き
ＴＡＢテープ及びそれを用いた接合方法が得られる。
ているインナーリードとＩＣチップとの接合部が、基板
等へのアウターリード接合時の加熱により剥離しないよ
うにし、且つメッキによる汚染を少なくしたバンプ付き
ＴＡＢテープ及びそれを用いた接合方法が得られる。
【００１４】
【作用】誘電体フィルムよりなる基材の上に設けられた
金属配線に接合してインナーリード接合用のバンプと、
アウターリード接合用端子の接合用金属が設けられたバ
ンプ付きＴＡＢテープにおいて、先ずインナーリード接
合用のバンプをＩＣチップの電極に接合し、次に、アウ
ターリード接合用端子の接合用金属をプリント板または
パッケージ等の基板のパッドに接合するとき、本発明で
は、インナーリード接合用のバンプの融点をアウターリ
ード接合用端子の接合用金属の融点より高くしてあるた
め、アウターリード接合時の温度ではインナーリードの
バンプは溶融しない。従ってバンプはＩＣチップの電極
から剥離しない。
金属配線に接合してインナーリード接合用のバンプと、
アウターリード接合用端子の接合用金属が設けられたバ
ンプ付きＴＡＢテープにおいて、先ずインナーリード接
合用のバンプをＩＣチップの電極に接合し、次に、アウ
ターリード接合用端子の接合用金属をプリント板または
パッケージ等の基板のパッドに接合するとき、本発明で
は、インナーリード接合用のバンプの融点をアウターリ
ード接合用端子の接合用金属の融点より高くしてあるた
め、アウターリード接合時の温度ではインナーリードの
バンプは溶融しない。従ってバンプはＩＣチップの電極
から剥離しない。
【００１５】
【実施例】図１に本発明のバンプ付きＴＡＢテープの実
施例を示す。同図において、１０は誘電体フィルムより
なる基材であり、その一方の面には金属配線１１が設け
られている。そして、基材１０のインナーリード１０ａ
となる部分の他方の面からは金属配線１１に達するビア
ホール１２が設けられ、該ビアホール１２内にバンプ１
３が設けられている。また、アウターリード接合用端子
１０ｂとなる部分の金属配線１１上には接合用金属１４
が設けられている。
施例を示す。同図において、１０は誘電体フィルムより
なる基材であり、その一方の面には金属配線１１が設け
られている。そして、基材１０のインナーリード１０ａ
となる部分の他方の面からは金属配線１１に達するビア
ホール１２が設けられ、該ビアホール１２内にバンプ１
３が設けられている。また、アウターリード接合用端子
１０ｂとなる部分の金属配線１１上には接合用金属１４
が設けられている。
【００１６】そして、前記基材１０の誘電体フィルムに
は、ポリイミド、ポリエステル、ポリフェニレンサルフ
ァイト等の樹脂フィルムが用いられ、その厚さは１５μ
ｍ未満では強度が不足し、１２５μｍを超えると薄型化
が困難であるため１５〜１２５μｍの範囲が好ましい。
は、ポリイミド、ポリエステル、ポリフェニレンサルフ
ァイト等の樹脂フィルムが用いられ、その厚さは１５μ
ｍ未満では強度が不足し、１２５μｍを超えると薄型化
が困難であるため１５〜１２５μｍの範囲が好ましい。
【００１７】また、前記金属配線１１には、銅、アルミ
ニウム、金またはこれらの合金、もしくは銅等の上に金
や銀メッキ等を施したものを用いることができる。な
お、好ましくは、基材上に、フラッシュメッキを施した
後、銅等のメッキにより金属配線を形成したものが望ま
しいが、これは、接着剤層がなく、ビアホールの形成が
容易で、不純物イオンが少ないうえ、薄型化が可能であ
る為である。その他、銅箔等の表面に、溶液状のポリイ
ミド樹脂を積層し、接着剤層を有しない複合体を形成し
た後、通常のエッチング技術を用いて、金属配線を設け
ることも可能である。
ニウム、金またはこれらの合金、もしくは銅等の上に金
や銀メッキ等を施したものを用いることができる。な
お、好ましくは、基材上に、フラッシュメッキを施した
後、銅等のメッキにより金属配線を形成したものが望ま
しいが、これは、接着剤層がなく、ビアホールの形成が
容易で、不純物イオンが少ないうえ、薄型化が可能であ
る為である。その他、銅箔等の表面に、溶液状のポリイ
ミド樹脂を積層し、接着剤層を有しない複合体を形成し
た後、通常のエッチング技術を用いて、金属配線を設け
ることも可能である。
【００１８】なお、基材に接着剤を用いてはり付けた銅
箔をエッチングして形成した金属配線は、ビアホール形
成時に基材をエッチングするエッチング剤が接着剤をエ
ッチングしないため、別のエッチング剤を必要とし工程
が複雑になるため使用しない方がよい。
箔をエッチングして形成した金属配線は、ビアホール形
成時に基材をエッチングするエッチング剤が接着剤をエ
ッチングしないため、別のエッチング剤を必要とし工程
が複雑になるため使用しない方がよい。
【００１９】また、前記ビアホール１２は、金属配線１
１が施された面と反対側の基材面から、金属配線１１に
通じる貫通穴を意味し、穴の形状は円形でも角形でもよ
い。また穴の大きさは、２０μｍ未満では、製造上困難
であり、またバンプ形成用の金属が容易に流れ出し、シ
ョート発生の恐れがあるため、最小径が２０μｍ以上が
望ましい。また、該ビアホール１２の形状は、図２に示
すように金属配線面と反対面に開口するような漏斗状が
好ましい。これは漏斗状であればＩＣチップの端子との
接触面積を大きくすることができる為である。
１が施された面と反対側の基材面から、金属配線１１に
通じる貫通穴を意味し、穴の形状は円形でも角形でもよ
い。また穴の大きさは、２０μｍ未満では、製造上困難
であり、またバンプ形成用の金属が容易に流れ出し、シ
ョート発生の恐れがあるため、最小径が２０μｍ以上が
望ましい。また、該ビアホール１２の形状は、図２に示
すように金属配線面と反対面に開口するような漏斗状が
好ましい。これは漏斗状であればＩＣチップの端子との
接触面積を大きくすることができる為である。
【００２０】また前記バンプ１３には、アウターリード
接合用端子１０ｂの接合用金属１４の融点より少なくと
も高い融点を持つ金属、好ましくは５０℃以上高いもの
が良い。通常アウターリード接合用端子の接合用金属１
４にはリフロー用に半田が用いられるため、本発明で
は、これよりも融点の高い半田、金、銀等の金属または
合金が使用可能であるが、その選択はアウターリード接
合用端子の接合用金属１４の融点を考慮して決定するの
が望ましい。さらにバンプ１３の融点または熱拡散温度
はＩＣチップ、ＴＡＢテープ等に熱損傷を与えないよう
な温度であることが好ましく、具体的には３５０℃以下
が望ましい。
接合用端子１０ｂの接合用金属１４の融点より少なくと
も高い融点を持つ金属、好ましくは５０℃以上高いもの
が良い。通常アウターリード接合用端子の接合用金属１
４にはリフロー用に半田が用いられるため、本発明で
は、これよりも融点の高い半田、金、銀等の金属または
合金が使用可能であるが、その選択はアウターリード接
合用端子の接合用金属１４の融点を考慮して決定するの
が望ましい。さらにバンプ１３の融点または熱拡散温度
はＩＣチップ、ＴＡＢテープ等に熱損傷を与えないよう
な温度であることが好ましく、具体的には３５０℃以下
が望ましい。
【００２１】また、バンプ１３に用いる金属の形状は、
熱が均一に伝導、溶解し、ショートの発生が防止できる
とともにビアホール中に埋め込み易い形状としてボール
状が好ましい。そのボールの大きさは、ビアホール１２
の容積の５０％未満では、ＩＣチップとの接続が困難と
なり、一方２００％を超えると、溶解金属が外部へ流れ
出し、ショート発生の恐れがあるため、５０〜２００％
が好ましい。なお、ボール状バンプは単一でも複数ボー
ルを組み合わせたものでも良い。
熱が均一に伝導、溶解し、ショートの発生が防止できる
とともにビアホール中に埋め込み易い形状としてボール
状が好ましい。そのボールの大きさは、ビアホール１２
の容積の５０％未満では、ＩＣチップとの接続が困難と
なり、一方２００％を超えると、溶解金属が外部へ流れ
出し、ショート発生の恐れがあるため、５０〜２００％
が好ましい。なお、ボール状バンプは単一でも複数ボー
ルを組み合わせたものでも良い。
【００２２】また、ボール状金属をビアホール１２に充
填後、ＴＡＢテープに保持するため、一部加熱または圧
着して、金属配線１１と密着させてもよく、その他低分
子量の結合剤、例えばアルコール等をバンプ上に塗布し
てもよい。
填後、ＴＡＢテープに保持するため、一部加熱または圧
着して、金属配線１１と密着させてもよく、その他低分
子量の結合剤、例えばアルコール等をバンプ上に塗布し
てもよい。
【００２３】このように構成された本実施例は、インナ
ーリード接合用のバンプの形成にメッキ法を用いないた
め、メッキ液による汚染がない。またバンプの溶融温度
をアウターリード接合用端子の接合用金属の融点より高
くしてあるため、アウターリードを基板等に接合すると
き、その温度でバンプがＩＣチップとＴＡＢテープから
剥れることはない。
ーリード接合用のバンプの形成にメッキ法を用いないた
め、メッキ液による汚染がない。またバンプの溶融温度
をアウターリード接合用端子の接合用金属の融点より高
くしてあるため、アウターリードを基板等に接合すると
き、その温度でバンプがＩＣチップとＴＡＢテープから
剥れることはない。
【００２４】図３は本発明のバンプ付きＴＡＢテープの
接合方法を説明する図である。本発明のバンプ付きＴＡ
Ｂテープを使用するには、先ず図３（ａ）の如くバンプ
付きＴＡＢテープ１５のバンプ１３をＩＣチップ１６の
電極１７に位置合わせする。次に図３（ｂ）に示すよう
にボンディングツール１８を用いてバンプ付きＴＡＢテ
ープ１５を加熱することにより、バンプ１３をＩＣチッ
プ１６の電極１７に接合する。この場合バンプ１３が半
田等の低融点金属の単体又は合金である場合は溶融して
接合し、金銅等の高融点金属の単体又は合金の場合は拡
散により接合する。
接合方法を説明する図である。本発明のバンプ付きＴＡ
Ｂテープを使用するには、先ず図３（ａ）の如くバンプ
付きＴＡＢテープ１５のバンプ１３をＩＣチップ１６の
電極１７に位置合わせする。次に図３（ｂ）に示すよう
にボンディングツール１８を用いてバンプ付きＴＡＢテ
ープ１５を加熱することにより、バンプ１３をＩＣチッ
プ１６の電極１７に接合する。この場合バンプ１３が半
田等の低融点金属の単体又は合金である場合は溶融して
接合し、金銅等の高融点金属の単体又は合金の場合は拡
散により接合する。
【００２５】次にＩＣチップを接合した状態のバンプ付
きＴＡＢテープ１５を裏返し、図３（ｃ）に示すよう
に、そのアウターリード接合用端子の接合用金属１４を
プリント板等の基板１９の接合用パッド２０に位置合わ
せして載置し、加熱炉等を用いて全体を加熱し、アウタ
ーリード接合用端子の接合用金属１４をリフローしてパ
ッド２０に接合するのである。この場合、さきにＩＣチ
ップの電極１７に接合したバンプ１３の融点（又は拡散
温度）はアウターリード接合用端子の接合用金属１４の
融点より高くしてあるので剥離することはない。
きＴＡＢテープ１５を裏返し、図３（ｃ）に示すよう
に、そのアウターリード接合用端子の接合用金属１４を
プリント板等の基板１９の接合用パッド２０に位置合わ
せして載置し、加熱炉等を用いて全体を加熱し、アウタ
ーリード接合用端子の接合用金属１４をリフローしてパ
ッド２０に接合するのである。この場合、さきにＩＣチ
ップの電極１７に接合したバンプ１３の融点（又は拡散
温度）はアウターリード接合用端子の接合用金属１４の
融点より高くしてあるので剥離することはない。
【００２６】表２はバンプ付きＴＡＢテープを用いて表
１に示す条件で半導体チップ及び基板に接合したときの
試験結果である。なお表２において、チップ状態とは、
ＩＣチップのＴＡＢテープからの剥がれを目視検査及び
導通検査した結果であり、ＯＫとは目視及び導通検査と
も異常のない場合、一部とは一部チップとＴＡＢテープ
の導通不良の場合、はがれとは目視で剥がれが認められ
た場合である。
１に示す条件で半導体チップ及び基板に接合したときの
試験結果である。なお表２において、チップ状態とは、
ＩＣチップのＴＡＢテープからの剥がれを目視検査及び
導通検査した結果であり、ＯＫとは目視及び導通検査と
も異常のない場合、一部とは一部チップとＴＡＢテープ
の導通不良の場合、はがれとは目視で剥がれが認められ
た場合である。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【表２】
【００２９】表２より、バンプとアウターリード接合用
金属の融点の温度の差が０°の試験番号４と、−２０°
の試験番号５がチップ状態不良であり、他の５０°以上
あるものは良好であることがわかる。
金属の融点の温度の差が０°の試験番号４と、−２０°
の試験番号５がチップ状態不良であり、他の５０°以上
あるものは良好であることがわかる。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、インナーリード接合用
のバンプにアウターリード接合用端子の接合用金属より
も融点の高い金属を用い、且つ、該バンプをボール状と
し、基材に設けたビアホールを通して金属配線に接続す
るように一部加熱または圧着したことにより、メッキ法
によらずにバンプを形成できるため、メッキ液による汚
染が防止でき、またアウターリードの基板等へのリフロ
ー接合時に、その温度でバンプが剥れることが防止で
き、半導体装置組立の品質及び歩留り向上に寄与すると
ころ大である。
のバンプにアウターリード接合用端子の接合用金属より
も融点の高い金属を用い、且つ、該バンプをボール状と
し、基材に設けたビアホールを通して金属配線に接続す
るように一部加熱または圧着したことにより、メッキ法
によらずにバンプを形成できるため、メッキ液による汚
染が防止でき、またアウターリードの基板等へのリフロ
ー接合時に、その温度でバンプが剥れることが防止で
き、半導体装置組立の品質及び歩留り向上に寄与すると
ころ大である。
【図１】本発明のバンプ付きＴＡＢテープの実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】本発明のバンプ付きＴＡＢテープの実施例にお
けるビアホールを示す断面図である。
けるビアホールを示す断面図である。
【図３】本発明のバンプ付きＴＡＢテープを用いた接合
方法を説明するための図である。
方法を説明するための図である。
【図４】従来のＴＡＢテープの１例を示す図で、（ａ）
は平面図、（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ線における断面図
である。
は平面図、（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ線における断面図
である。
【図５】従来のＴＡＢテープの他の例を示す断面図であ
る。
る。
１０…基材 １１…金属配線 １２…ビアホール １３…バンプ １４…アウターリード接合用金属
Claims (6)
- 【請求項１】 誘電体フィルムよりなる基材上に、複数
の金属配線が施され、該金属配線が施された面と反対側
の基材面から金属配線に通じるビアホールが設けられ、
該金属配線の一部にインナーリード接合用のバンプとア
ウターリード接合用端子とが設けられたバンプ付きＴＡ
Ｂテープにおいて、 該インナーリード接合用のバンプの融点がアウターリー
ド接合用端子の接合用金属の融点よりも高いことを特徴
とするバンプ付きＴＡＢテープ。 - 【請求項２】 前記インナーリード接合用のバンプの融
点が、前記アウターリード接合用端子の接合用金属の融
点よりも、少なくとも５０℃高いことを特徴とする請求
項１に記載のバンプ付きＴＡＢテープ。 - 【請求項３】 前記インナーリード接合用のバンプが半
田であることを特徴とする請求項１または２記載のバン
プ付きＴＡＢテープ。 - 【請求項４】 前記インナーリード接合用のバンプがボ
ール状であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか
１項に記載のバンプ付きＴＡＢテープ。 - 【請求項５】 前記ビアホールが漏斗状であることを特
徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載のバンプ付き
ＴＡＢテープ。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項記載のバン
プ付きＴＡＢテープのアウターリードを基板等へ接合す
るときはリフロー法により接合することを特徴とするバ
ンプ付きＴＡＢテープの接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5147418A JPH0722470A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | バンプ付きｔａｂテープ及びそれを用いた接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5147418A JPH0722470A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | バンプ付きｔａｂテープ及びそれを用いた接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722470A true JPH0722470A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15429866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5147418A Pending JPH0722470A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | バンプ付きｔａｂテープ及びそれを用いた接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722470A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09199247A (ja) * | 1996-01-11 | 1997-07-31 | Texas Instr Japan Ltd | ソケット |
| KR100487463B1 (ko) * | 1997-12-27 | 2005-08-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체칩과리드프레임이직접전기적으로접속되는반도체칩패키지소자 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5718347A (en) * | 1980-07-08 | 1982-01-30 | Citizen Watch Co Ltd | Mounting structure of ic |
| JPS6267829A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-27 | Sharp Corp | フリップチップの実装構造 |
| JPH0371649A (ja) * | 1989-08-11 | 1991-03-27 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
| JPH04154136A (ja) * | 1990-10-18 | 1992-05-27 | Fujitsu Ltd | ベアチップの実装方法 |
-
1993
- 1993-06-18 JP JP5147418A patent/JPH0722470A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5718347A (en) * | 1980-07-08 | 1982-01-30 | Citizen Watch Co Ltd | Mounting structure of ic |
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| KR100487463B1 (ko) * | 1997-12-27 | 2005-08-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체칩과리드프레임이직접전기적으로접속되는반도체칩패키지소자 |
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