JPH0722477A - 半導体集積回路測定装置 - Google Patents
半導体集積回路測定装置Info
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- JPH0722477A JPH0722477A JP5158488A JP15848893A JPH0722477A JP H0722477 A JPH0722477 A JP H0722477A JP 5158488 A JP5158488 A JP 5158488A JP 15848893 A JP15848893 A JP 15848893A JP H0722477 A JPH0722477 A JP H0722477A
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- Japan
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- semiconductor integrated
- integrated circuit
- measuring device
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- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 16
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】高温状態で厳しい試験を常温状態で容易に行う
為、半導体ウェハー測定時に測定部に任意の光量を照射
する。 【構成】半導体ウェハー測定装置に設けられた光源及び
光量制御回路を用いて半導体ウェハー測定時に測定部に
任意の光量を照射することにより高温状態で厳しい特性
の試験を常温状態で試験時間を増やすことなく、試験す
ることを可能とする。
為、半導体ウェハー測定時に測定部に任意の光量を照射
する。 【構成】半導体ウェハー測定装置に設けられた光源及び
光量制御回路を用いて半導体ウェハー測定時に測定部に
任意の光量を照射することにより高温状態で厳しい特性
の試験を常温状態で試験時間を増やすことなく、試験す
ることを可能とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路測定装
置に関し、特に半導体ウェハー測定装置に関するもので
ある。
置に関し、特に半導体ウェハー測定装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】拡散工程での加工の完了した半導体ウェ
ハーは、封止工程で組立てる為の良品半導体集積回路を
選別する為、通常半導体ウェハー測定装置により半導体
集積回路の試験を行っている。従来の技術を図２を用い
て説明する。図２は、従来の半導体ウェハー測定装置の
例である。
ハーは、封止工程で組立てる為の良品半導体集積回路を
選別する為、通常半導体ウェハー測定装置により半導体
集積回路の試験を行っている。従来の技術を図２を用い
て説明する。図２は、従来の半導体ウェハー測定装置の
例である。
【０００３】図２は、６探針，３プローブカード，７ウ
ェハーステージ，８ヒーターの半導体ウェハー測定装置
と４半導体ウェハーと、半導体ウェハー上に形成された
５半導体集積回路で構成されている。４半導体ウェハー
は７ウェハーステージに固定され光のあたらない暗室状
態で測定を行う。７ウェハーステージと３プローブカー
ドの間隔を調整し６探針と５半導体集積回路を接触させ
ることにより３プローブカードと電気的に接続された測
定装置により、電気的特性を測定する。
ェハーステージ，８ヒーターの半導体ウェハー測定装置
と４半導体ウェハーと、半導体ウェハー上に形成された
５半導体集積回路で構成されている。４半導体ウェハー
は７ウェハーステージに固定され光のあたらない暗室状
態で測定を行う。７ウェハーステージと３プローブカー
ドの間隔を調整し６探針と５半導体集積回路を接触させ
ることにより３プローブカードと電気的に接続された測
定装置により、電気的特性を測定する。
【０００４】次に、高温状態での試験を行う時は、８ヒ
ーターにより７ウェハーステージを加熱しウェハーを高
温にする。この為高温になるまでの温度上昇時間及び測
定後の温度下降時間を要する。
ーターにより７ウェハーステージを加熱しウェハーを高
温にする。この為高温になるまでの温度上昇時間及び測
定後の温度下降時間を要する。
【０００５】一方、常温状態において、高温状態での試
験の同等の選別能力の試験を行う時には、高温状態を考
慮した加速試験条件にて測定を行う。例えば、半導体集
積回路が図３に示す様な情報保持特性の温度特性を示す
時、常温状態，周囲温度２５℃において、高温状態，周
囲温度９０℃で情報保持時間０．１５秒相当の試験を行
う場合、情報保持時間５秒の加速試験を行う必要があ
る。
験の同等の選別能力の試験を行う時には、高温状態を考
慮した加速試験条件にて測定を行う。例えば、半導体集
積回路が図３に示す様な情報保持特性の温度特性を示す
時、常温状態，周囲温度２５℃において、高温状態，周
囲温度９０℃で情報保持時間０．１５秒相当の試験を行
う場合、情報保持時間５秒の加速試験を行う必要があ
る。
【０００６】又、その他の常温状態より高温状態の方が
厳しい特性に関しても同様に温度特性を考慮して常温状
態での加速試験条件を決定している。
厳しい特性に関しても同様に温度特性を考慮して常温状
態での加速試験条件を決定している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この従来のウェハー試
験装置では、常温状態及び高温状態での情報保持特性試
験を行う時に測定部の上昇時間及び温度下降時間を要す
る為、同時に異る温度条件の試験を行うと測定時間が長
くなるという問題点を有していた。
験装置では、常温状態及び高温状態での情報保持特性試
験を行う時に測定部の上昇時間及び温度下降時間を要す
る為、同時に異る温度条件の試験を行うと測定時間が長
くなるという問題点を有していた。
【０００８】又、常温状態において高温状態を考慮した
試験条件にて測定を行う場合、前述した情報保持特性の
試験を行う時に、試験時間が増加するという問題点を有
している。
試験条件にて測定を行う場合、前述した情報保持特性の
試験を行う時に、試験時間が増加するという問題点を有
している。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
測定装置は、半導体ウェハー上の半導体集積回路に接触
する探針群と前記探針群を保持し、電気的に接続する探
針カードを有する半導体集積回路測定装置において、前
記半導体集積回路に光を照射する光源と、前記半導体集
積回路測定装置からの制御信号により、前記光源の光量
を制御する機能を持つ制御回路を有する。
測定装置は、半導体ウェハー上の半導体集積回路に接触
する探針群と前記探針群を保持し、電気的に接続する探
針カードを有する半導体集積回路測定装置において、前
記半導体集積回路に光を照射する光源と、前記半導体集
積回路測定装置からの制御信号により、前記光源の光量
を制御する機能を持つ制御回路を有する。
【００１０】
【実施例】本発明について図１を参照して説明する。図
１は本発明の半導体ウェハー測定装置の一実施例であ
る。図１は、６探針，３プローブカード，７ウェハース
テージ，２光源，１光量制御回路の半導体ウェハー測定
装置と、４半導体ウェハーと半導体ウェハー上に形成さ
れた５半導体集積回路で構成されている。
１は本発明の半導体ウェハー測定装置の一実施例であ
る。図１は、６探針，３プローブカード，７ウェハース
テージ，２光源，１光量制御回路の半導体ウェハー測定
装置と、４半導体ウェハーと半導体ウェハー上に形成さ
れた５半導体集積回路で構成されている。
【００１１】半導体ウェハー測定開始時の、２光源は光
を発せず、５半導体集積回路測定部は暗室状態で試験を
行う。試験が情報保持特性等の常温状態より高温状態で
厳しい特性を試験する時、測定装置本体からの制御信号
φｐを受け、１光量制御回路が動作し、一定光量を５半
導体集積回路の測定部に照射しながら試験を行う。この
時、２光源から発生した光のエネルギーが５半導体集積
回路上に当りエネルギーを放出し、５半導体集積回路に
蓄えられた電荷を４半導体ウェハー内に放電させる効果
が得られる。前記効果により半導体集積回路上に蓄えら
れた電荷の保持特性である情報保持特性を加速する効果
が得られる。
を発せず、５半導体集積回路測定部は暗室状態で試験を
行う。試験が情報保持特性等の常温状態より高温状態で
厳しい特性を試験する時、測定装置本体からの制御信号
φｐを受け、１光量制御回路が動作し、一定光量を５半
導体集積回路の測定部に照射しながら試験を行う。この
時、２光源から発生した光のエネルギーが５半導体集積
回路上に当りエネルギーを放出し、５半導体集積回路に
蓄えられた電荷を４半導体ウェハー内に放電させる効果
が得られる。前記効果により半導体集積回路上に蓄えら
れた電荷の保持特性である情報保持特性を加速する効果
が得られる。
【００１２】以上説明したように、半導体集積回路に光
を照射することにより常温状態において高温状態に相当
する試験を試験時間を増加させることなく、行うことが
可能となる。
を照射することにより常温状態において高温状態に相当
する試験を試験時間を増加させることなく、行うことが
可能となる。
【００１３】前述、実施例１と同様にウェハー試験が情
報保持特性等の常温状態より高温状態の方が厳しい特性
の試験にさしかかると半導体ウェハー測定装置本体から
の制御信号φｐを受けて１の光量制御回路が動作し一定
光量のウェハー測定部に照射しながら試験を行う。
報保持特性等の常温状態より高温状態の方が厳しい特性
の試験にさしかかると半導体ウェハー測定装置本体から
の制御信号φｐを受けて１の光量制御回路が動作し一定
光量のウェハー測定部に照射しながら試験を行う。
【００１４】次に、制御信号φｐの変化により光量を増
やし、同一試験を行い不良箇所の検出を行う。不良箇所
が冗長回路により正常な回路への置換が可能な量になる
まで光量を段階的に増やし試験を繰返して行う。このよ
うにして検出された不良箇所を冗長回路等により正常回
路への置換を行う。このようにして高温状態で生じる不
良箇所の検出及び救済を行うことを可能とする。
やし、同一試験を行い不良箇所の検出を行う。不良箇所
が冗長回路により正常な回路への置換が可能な量になる
まで光量を段階的に増やし試験を繰返して行う。このよ
うにして検出された不良箇所を冗長回路等により正常回
路への置換を行う。このようにして高温状態で生じる不
良箇所の検出及び救済を行うことを可能とする。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、常温状態
において半導体ウェハー測定部に光を照射することによ
り、高温状態で加速する試験の不良を試験時間を増加さ
せることなく検出することが可能となる。又、照射する
光の光量を制御することにより温度条件を制御した結果
と同一効果が得られ、従来必要であった高温上昇及び下
降時間を削除できる為、測定時間を低減することが可能
となるという効果を有する。
において半導体ウェハー測定部に光を照射することによ
り、高温状態で加速する試験の不良を試験時間を増加さ
せることなく検出することが可能となる。又、照射する
光の光量を制御することにより温度条件を制御した結果
と同一効果が得られ、従来必要であった高温上昇及び下
降時間を削除できる為、測定時間を低減することが可能
となるという効果を有する。
【図１】本発明の半導体ウェハー測定装置の例。
【図２】従来の半導体ウェハー測定装置の例。
【図３】半導体集積回路の情報保持特性の温度特性の
例。
例。
１ 光量制御回路 ２ 光源 ３ プローブカード ４ 半導体ウェハー ５ 半導体集積回路 ６ 探針 ７ ウェハーステージ ８ ヒーター φｐ 光量制御信号
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウェハー上の半導体集積回路に接
触する探針群と前記探針群を保持し、電気的に接続する
探針カードを有する半導体集積回路測定装置において、
前記半導体集積回路に光を照射する光源と、前記半導体
集積回路測定装置からの制御信号により、前記光源の光
量を制御する機能を持つ制御回路を備えることを特徴と
する半導体集積回路測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5158488A JPH0722477A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 半導体集積回路測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5158488A JPH0722477A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 半導体集積回路測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722477A true JPH0722477A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15672840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5158488A Withdrawn JPH0722477A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 半導体集積回路測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722477A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000147164A (ja) * | 1998-11-05 | 2000-05-26 | Em Microelectronic Marin Sa | レ―ザで切断できるヒュ―ズを用いて、時計モジュ―ルのパルス繰返し周波数を調整する方法 |
| JP2009147143A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-07-02 | Gyoseiin Genshino Iinkai Kakuno Kenkyusho | 自動化集光型太陽電池チップ測定装置 |
| US7705608B2 (en) | 2002-08-30 | 2010-04-27 | Austriamicrosystems Ag | Calibrating a light-sensitive chip |
| JP2022017971A (ja) * | 2020-07-14 | 2022-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置 |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP5158488A patent/JPH0722477A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000147164A (ja) * | 1998-11-05 | 2000-05-26 | Em Microelectronic Marin Sa | レ―ザで切断できるヒュ―ズを用いて、時計モジュ―ルのパルス繰返し周波数を調整する方法 |
| US7705608B2 (en) | 2002-08-30 | 2010-04-27 | Austriamicrosystems Ag | Calibrating a light-sensitive chip |
| JP2009147143A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-07-02 | Gyoseiin Genshino Iinkai Kakuno Kenkyusho | 自動化集光型太陽電池チップ測定装置 |
| JP2022017971A (ja) * | 2020-07-14 | 2022-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |