JPH0722482A - 膜厚測定装置およびそれを用いた薄膜形成装置 - Google Patents
膜厚測定装置およびそれを用いた薄膜形成装置Info
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- JPH0722482A JPH0722482A JP16372293A JP16372293A JPH0722482A JP H0722482 A JPH0722482 A JP H0722482A JP 16372293 A JP16372293 A JP 16372293A JP 16372293 A JP16372293 A JP 16372293A JP H0722482 A JPH0722482 A JP H0722482A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 測定対象の薄膜の物性に影響されることな
く、精密な膜厚の測定が可能な膜厚測定技術を提供す
る。 【構成】 絶縁性基板５ａの中央部に刻設された凹部５
ｂの底部に、所定の間隔で一対の電極５ｃが配置され、
当該電極５ｃは、リード線５ｄを介して電気抵抗測定器
５ｅに接続されてなる膜厚測定装置５である。絶縁性基
板５ａの凹部５ｂを蒸発源に向けた姿勢で、薄膜形成装
置の処理室の内部におけるウエハの近傍に配置され、蒸
発源から発生される物質蒸気２ａによってウエハ、およ
び凹部５ｂの電極５ｃ間に同時に薄膜２ｂが形成され
る。薄膜２ｂの膜厚ｔの増大に応じて電気抵抗測定器５
ｅによって計測される電極５ｃ間の電気抵抗値は漸減
し、当該電気抵抗値変化から、薄膜２ｂの膜厚ｔを知
る。
く、精密な膜厚の測定が可能な膜厚測定技術を提供す
る。 【構成】 絶縁性基板５ａの中央部に刻設された凹部５
ｂの底部に、所定の間隔で一対の電極５ｃが配置され、
当該電極５ｃは、リード線５ｄを介して電気抵抗測定器
５ｅに接続されてなる膜厚測定装置５である。絶縁性基
板５ａの凹部５ｂを蒸発源に向けた姿勢で、薄膜形成装
置の処理室の内部におけるウエハの近傍に配置され、蒸
発源から発生される物質蒸気２ａによってウエハ、およ
び凹部５ｂの電極５ｃ間に同時に薄膜２ｂが形成され
る。薄膜２ｂの膜厚ｔの増大に応じて電気抵抗測定器５
ｅによって計測される電極５ｃ間の電気抵抗値は漸減
し、当該電気抵抗値変化から、薄膜２ｂの膜厚ｔを知
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、膜厚測定技術およびそ
れを用いた薄膜形成技術に関し、特に、半導体装置の製
造プロセスにおける薄膜形成工程等に適用して有効な技
術に関するものである。
れを用いた薄膜形成技術に関し、特に、半導体装置の製
造プロセスにおける薄膜形成工程等に適用して有効な技
術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、半導体装置の製造プロセスで
は、蒸着や化学気相成長等の方法によって半導体基板
（ウエハ）の表面に所望の物質からなる薄膜を形成する
ことが行われている。ところで、このような薄膜形成工
程では、薄膜の膜厚を目的の値に、たとえばμｍ単位に
精密に制御することが要求される。
は、蒸着や化学気相成長等の方法によって半導体基板
（ウエハ）の表面に所望の物質からなる薄膜を形成する
ことが行われている。ところで、このような薄膜形成工
程では、薄膜の膜厚を目的の値に、たとえばμｍ単位に
精密に制御することが要求される。
【０００３】このため、従来では、たとえば、薄膜が形
成されるウエハが置かれる処理雰囲気内に、固有振動数
等の物性が既知の水晶振動子を共に配置し、ウエハに対
する薄膜形成の進行とともに水晶振動子に付着する薄膜
による当該水晶振動子の物性の変化を計測し、膜厚に換
算することによって、ウエハ上に堆積形成された薄膜の
膜厚を間接的に測定することが知られていた。
成されるウエハが置かれる処理雰囲気内に、固有振動数
等の物性が既知の水晶振動子を共に配置し、ウエハに対
する薄膜形成の進行とともに水晶振動子に付着する薄膜
による当該水晶振動子の物性の変化を計測し、膜厚に換
算することによって、ウエハ上に堆積形成された薄膜の
膜厚を間接的に測定することが知られていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような従来技術では、形成される薄膜の比重などの物性
が既知でないと、水晶振動子の物性の変化を薄膜の膜厚
に換算できないという問題があった。また、測定精度も
それほど高くなく、精密な測定は難しいという問題があ
った。
ような従来技術では、形成される薄膜の比重などの物性
が既知でないと、水晶振動子の物性の変化を薄膜の膜厚
に換算できないという問題があった。また、測定精度も
それほど高くなく、精密な測定は難しいという問題があ
った。
【０００５】本発明の目的は、測定対象の薄膜の物性に
影響されることなく、精密な膜厚の測定が可能な薄膜測
定技術を提供することにある。
影響されることなく、精密な膜厚の測定が可能な薄膜測
定技術を提供することにある。
【０００６】本発明の他の目的は、対象物に形成される
薄膜の形成速度や膜厚等を精密に制御することが可能な
薄膜形成技術を提供することにある。
薄膜の形成速度や膜厚等を精密に制御することが可能な
薄膜形成技術を提供することにある。
【０００７】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになる
であろう。
特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになる
であろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【０００９】すなわち、本発明の膜厚測定装置は、絶縁
性基板と、この絶縁性基板上に所定の間隔で配置された
電極と、この電極間の電気抵抗値を測定する電気抵抗測
定手段とからなり、前記絶縁性基板の前記電極間に堆積
する所望の導電性物質の薄膜の膜厚を、前記電極間の電
気抵抗値に基づいて測定するものである。
性基板と、この絶縁性基板上に所定の間隔で配置された
電極と、この電極間の電気抵抗値を測定する電気抵抗測
定手段とからなり、前記絶縁性基板の前記電極間に堆積
する所望の導電性物質の薄膜の膜厚を、前記電極間の電
気抵抗値に基づいて測定するものである。
【００１０】また、本発明の膜厚測定装置は、絶縁性基
板と、この絶縁性基板上に所定の間隔で配置された電極
と、この電極間の電気容量値を測定する電気容量測定手
段とからなり、前記絶縁性基板の前記電極間に堆積する
所望の導電性物質の薄膜の膜厚を、前記電極間の電気容
量値に基づいて測定するものである。
板と、この絶縁性基板上に所定の間隔で配置された電極
と、この電極間の電気容量値を測定する電気容量測定手
段とからなり、前記絶縁性基板の前記電極間に堆積する
所望の導電性物質の薄膜の膜厚を、前記電極間の電気容
量値に基づいて測定するものである。
【００１１】また、本発明の膜厚測定装置は、所望の測
定光を発生する光源と、この光源から入射する前記測定
光の光量を測定する光量検出手段と、前記光源から前記
光量検出手段に至る前記測定光の光路上に介設された透
明基板とからなり、前記透明基板上に堆積した所望の物
質の薄膜の膜厚を、前記薄膜および前記透明基板を透過
する前記測定光の光量の変化に基づいて計測するもので
あるまた、本発明の薄膜形成装置は、請求項１，２また
は３記載の膜厚測定装置を備え、所望の対象物に対して
形成される薄膜の膜厚を測定するものである。
定光を発生する光源と、この光源から入射する前記測定
光の光量を測定する光量検出手段と、前記光源から前記
光量検出手段に至る前記測定光の光路上に介設された透
明基板とからなり、前記透明基板上に堆積した所望の物
質の薄膜の膜厚を、前記薄膜および前記透明基板を透過
する前記測定光の光量の変化に基づいて計測するもので
あるまた、本発明の薄膜形成装置は、請求項１，２また
は３記載の膜厚測定装置を備え、所望の対象物に対して
形成される薄膜の膜厚を測定するものである。
【００１２】
【作用】上記した請求項１記載の本発明の膜厚測定装置
によれば、以下のようにして導電性の薄膜の膜厚を精密
に測定できる。すなわち、図５に例示されるように、導
電性物質の電気抵抗Ｒは、 Ｒ＝Ｌ／Ｓ ・・・・・・（１） （ただし、Ｒ：電気抵抗、Ｌ：長さ、Ｓ：断面積） で表され、予め電極間の距離（長さ）Ｌを精密に測定し
ておけば、薄膜の抵抗値は断面積Ｓのみに比例し、当該
断面積Ｓは膜厚ｔにのみ比例するので、電気抵抗測定手
段によって測定される電極間の抵抗値から、当該電極間
に堆積した薄膜の膜厚ｔを精密に求めることができる。
また、水晶振動子等の固有振動数のような機械的な特性
を測定する場合に比較して、測定環境に起因する外乱等
の影響も小さく、高い測定精度を実現できる。
によれば、以下のようにして導電性の薄膜の膜厚を精密
に測定できる。すなわち、図５に例示されるように、導
電性物質の電気抵抗Ｒは、 Ｒ＝Ｌ／Ｓ ・・・・・・（１） （ただし、Ｒ：電気抵抗、Ｌ：長さ、Ｓ：断面積） で表され、予め電極間の距離（長さ）Ｌを精密に測定し
ておけば、薄膜の抵抗値は断面積Ｓのみに比例し、当該
断面積Ｓは膜厚ｔにのみ比例するので、電気抵抗測定手
段によって測定される電極間の抵抗値から、当該電極間
に堆積した薄膜の膜厚ｔを精密に求めることができる。
また、水晶振動子等の固有振動数のような機械的な特性
を測定する場合に比較して、測定環境に起因する外乱等
の影響も小さく、高い測定精度を実現できる。
【００１３】また、請求項２記載の本発明の膜厚測定装
置によれば、同様に、電極間の電気容量は薄膜の膜厚に
比例するので、当該薄膜の膜厚を精密に測定できる。ま
た、この場合には、薄膜は、必ずしも導電性である必要
はなく、より広範囲の物質の薄膜の膜厚測定を行うこと
ができる、という利点がある。
置によれば、同様に、電極間の電気容量は薄膜の膜厚に
比例するので、当該薄膜の膜厚を精密に測定できる。ま
た、この場合には、薄膜は、必ずしも導電性である必要
はなく、より広範囲の物質の薄膜の膜厚測定を行うこと
ができる、という利点がある。
【００１４】また、請求項３記載の本発明の膜厚測定装
置によれば、光源から光量検出手段に入射する測定光の
透過率は、透明基板上に堆積する薄膜の膜厚に比例する
ので、光量検出手段に入射する測定光の計測結果から透
明基板上に堆積した薄膜の膜厚を精密に測定することが
できる。この場合にも、薄膜は、必ずしも導電性である
必要はなく、より広範囲の物質の薄膜の膜厚測定を行う
ことができる、という利点がある。
置によれば、光源から光量検出手段に入射する測定光の
透過率は、透明基板上に堆積する薄膜の膜厚に比例する
ので、光量検出手段に入射する測定光の計測結果から透
明基板上に堆積した薄膜の膜厚を精密に測定することが
できる。この場合にも、薄膜は、必ずしも導電性である
必要はなく、より広範囲の物質の薄膜の膜厚測定を行う
ことができる、という利点がある。
【００１５】また、本発明の薄膜形成装置によれば、請
求項１，２または３記載の膜厚測定装置を用いるので、
対象物に形成される薄膜の膜厚を精密に制御できる。
求項１，２または３記載の膜厚測定装置を用いるので、
対象物に形成される薄膜の膜厚を精密に制御できる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１７】（実施例１）図１は、本発明の一実施例で
ある膜厚測定装置の一例を示す略断面図であり、図２
は、それを用いた薄膜形成装置の一例を示す概念図であ
る。
ある膜厚測定装置の一例を示す略断面図であり、図２
は、それを用いた薄膜形成装置の一例を示す概念図であ
る。
【００１８】まず、図２を参照しながら、本実施例の薄
膜形成装置１の概略を説明する。なお、以下の説明で
は、薄膜形成装置１の一例として、蒸着装置について説
明するが、本発明は、これに限定されるものではないこ
とは言うまでもない。
膜形成装置１の概略を説明する。なお、以下の説明で
は、薄膜形成装置１の一例として、蒸着装置について説
明するが、本発明は、これに限定されるものではないこ
とは言うまでもない。
【００１９】密閉された処理室３の内部には、蒸発源６
が設けられ、その内部には、目的の薄膜となる導電性の
蒸発物質２が貯留されている。蒸発源６には、ヒータ１
０が設けられおり、蒸発物質２が蒸発する温度に加熱す
ることが可能になっている。処理室３には、真空排気系
１１が接続されており、処理室３の内部を、所望の高真
空に排気することが可能になっている。
が設けられ、その内部には、目的の薄膜となる導電性の
蒸発物質２が貯留されている。蒸発源６には、ヒータ１
０が設けられおり、蒸発物質２が蒸発する温度に加熱す
ることが可能になっている。処理室３には、真空排気系
１１が接続されており、処理室３の内部を、所望の高真
空に排気することが可能になっている。
【００２０】処理室３内の上部には、図示しない保持機
構に支持されたウエハ４が、目的の薄膜の形成面を、下
側の蒸発源６に向けた姿勢で配置されており、蒸発源６
から発生する物質蒸気２ａに接することによって、蒸発
物質２からなる導電性の薄膜２ｂが形成される。
構に支持されたウエハ４が、目的の薄膜の形成面を、下
側の蒸発源６に向けた姿勢で配置されており、蒸発源６
から発生する物質蒸気２ａに接することによって、蒸発
物質２からなる導電性の薄膜２ｂが形成される。
【００２１】蒸発源６を加熱するヒータ１０は、ヒータ
ＯＮ／ＯＦＦスイッチ９、ヒータ制御系８を介して膜厚
コントローラ７に接続されている。そして、当該膜厚コ
ントローラ７は、ヒータ制御系８およびヒータＯＮ／Ｏ
ＦＦスイッチ９を介して、蒸発源６による蒸発物質２の
加熱状態を制御することにより、ウエハ４に対する薄膜
２ｂの形成速度や、薄膜形成操作の開始／停止等の制御
動作を行うものである。
ＯＮ／ＯＦＦスイッチ９、ヒータ制御系８を介して膜厚
コントローラ７に接続されている。そして、当該膜厚コ
ントローラ７は、ヒータ制御系８およびヒータＯＮ／Ｏ
ＦＦスイッチ９を介して、蒸発源６による蒸発物質２の
加熱状態を制御することにより、ウエハ４に対する薄膜
２ｂの形成速度や、薄膜形成操作の開始／停止等の制御
動作を行うものである。
【００２２】この場合、処理室３の内部には、膜厚測定
装置５が設けられている。
装置５が設けられている。
【００２３】この膜厚測定装置５は、たとえば、図１に
例示されるように、絶縁性基板５ａの中央部に刻設され
た凹部５ｂの底部に、所定の間隔で一対の電極５ｃを配
置した構成となっており、当該電極５ｃは、リード線５
ｄを介して電気抵抗測定器５ｅに接続されている。
例示されるように、絶縁性基板５ａの中央部に刻設され
た凹部５ｂの底部に、所定の間隔で一対の電極５ｃを配
置した構成となっており、当該電極５ｃは、リード線５
ｄを介して電気抵抗測定器５ｅに接続されている。
【００２４】そして、上述のような構成の膜厚測定装置
５は、絶縁性基板５ａの凹部５ｂを、蒸発源６に向けた
姿勢で、薄膜形成装置１の処理室３の内部におけるウエ
ハ４の近傍に配置されている。なお、蒸発源６に対する
膜厚測定装置５の距離や姿勢は、当該蒸発源６に対する
ウエハ４のそれと等しくなるように設定されており、ウ
エハ４および膜厚測定装置５の双方における薄膜２ｂの
形成速度等の条件が等価になるように配慮されている。
５は、絶縁性基板５ａの凹部５ｂを、蒸発源６に向けた
姿勢で、薄膜形成装置１の処理室３の内部におけるウエ
ハ４の近傍に配置されている。なお、蒸発源６に対する
膜厚測定装置５の距離や姿勢は、当該蒸発源６に対する
ウエハ４のそれと等しくなるように設定されており、ウ
エハ４および膜厚測定装置５の双方における薄膜２ｂの
形成速度等の条件が等価になるように配慮されている。
【００２５】膜厚測定装置５の電気抵抗測定器５ｅは、
薄膜形成装置１の膜厚コントローラ７に接続されてい
る。そして、本実施例の場合、膜厚コントローラ７は、
電気抵抗測定器５ｅから得られる電極５ｃの間の電気抵
抗値に基づいて、ウエハ４の表面と同時に形成される薄
膜２ｂの厚さｔを監視し、当該薄膜２ｂの膜厚が目的の
寸法になるように、蒸発源６を制御する動作を行う。
薄膜形成装置１の膜厚コントローラ７に接続されてい
る。そして、本実施例の場合、膜厚コントローラ７は、
電気抵抗測定器５ｅから得られる電極５ｃの間の電気抵
抗値に基づいて、ウエハ４の表面と同時に形成される薄
膜２ｂの厚さｔを監視し、当該薄膜２ｂの膜厚が目的の
寸法になるように、蒸発源６を制御する動作を行う。
【００２６】以下、本実施例における膜厚測定装置５お
よび薄膜形成装置１の作用の一例を説明する。
よび薄膜形成装置１の作用の一例を説明する。
【００２７】まず、処理室３の内部を所定の真空度にし
た状態で、蒸発源６を加熱し、処理室３の内部に蒸発物
質２の物質蒸気２ａを発生させる。これにより、物質蒸
気２ａに接するウエハ４の表面には、薄膜２ｂが形成さ
れ始める。この時、同時に、膜厚測定装置５の凹部５ｂ
内の電極５ｃの間にも薄膜２ｂが同様の状態で形成され
始め、電気抵抗測定器５ｅによって測定される電極５ｃ
間の電気抵抗値は、図５に例示される原理から明らかな
ように、薄膜２ｂの膜厚ｔの増大に応じて漸減する。
た状態で、蒸発源６を加熱し、処理室３の内部に蒸発物
質２の物質蒸気２ａを発生させる。これにより、物質蒸
気２ａに接するウエハ４の表面には、薄膜２ｂが形成さ
れ始める。この時、同時に、膜厚測定装置５の凹部５ｂ
内の電極５ｃの間にも薄膜２ｂが同様の状態で形成され
始め、電気抵抗測定器５ｅによって測定される電極５ｃ
間の電気抵抗値は、図５に例示される原理から明らかな
ように、薄膜２ｂの膜厚ｔの増大に応じて漸減する。
【００２８】膜厚コントローラ７は、前記電気抵抗値に
基づいて、薄膜２ｂの膜厚ｔの変化を監視し、ヒータ制
御系８を介してヒータ１０による蒸発源６の加熱操作を
制御することにより、薄膜２ｂの堆積速度等を目的の値
に制御する。
基づいて、薄膜２ｂの膜厚ｔの変化を監視し、ヒータ制
御系８を介してヒータ１０による蒸発源６の加熱操作を
制御することにより、薄膜２ｂの堆積速度等を目的の値
に制御する。
【００２９】なお、電気抵抗測定器５ｅによって測定さ
れる電極５ｃ間の電気抵抗値と実際の薄膜２ｂの膜厚ｔ
との関係を予め、実験等によって求めておき、実測値を
校正することにより、当該膜厚ｔの値を精密に知ること
ができる。
れる電極５ｃ間の電気抵抗値と実際の薄膜２ｂの膜厚ｔ
との関係を予め、実験等によって求めておき、実測値を
校正することにより、当該膜厚ｔの値を精密に知ること
ができる。
【００３０】こうして、ウエハ４に形成された薄膜２ｂ
の厚さが目的の値になった時点で、薄膜２ｂの形成操作
を停止し、処理室３の外部に処理済みのウエハ４を取り
出す。
の厚さが目的の値になった時点で、薄膜２ｂの形成操作
を停止し、処理室３の外部に処理済みのウエハ４を取り
出す。
【００３１】このように、本実施例の膜厚測定装置によ
れば、一対の電極５ｃ間に形成される薄膜２ｂの電気抵
抗値を測定するという簡明な操作によって、当該薄膜２
ｂの他の物性等の測定を必要とすることなく、膜厚ｔを
精密に知ることができる。また、膜厚測定装置５には、
機械的に動作を伴う部分がなく、たとえば、従来の水晶
振動子等を用いた機械的な測定方法に比較して、遙に高
い測定精度を実現できる。
れば、一対の電極５ｃ間に形成される薄膜２ｂの電気抵
抗値を測定するという簡明な操作によって、当該薄膜２
ｂの他の物性等の測定を必要とすることなく、膜厚ｔを
精密に知ることができる。また、膜厚測定装置５には、
機械的に動作を伴う部分がなく、たとえば、従来の水晶
振動子等を用いた機械的な測定方法に比較して、遙に高
い測定精度を実現できる。
【００３２】このため、本実施例の膜厚測定装置５を用
いた薄膜形成装置１によれば、ウエハ４に形成される薄
膜２ｂの形成速度（膜質）や膜厚を所望の値に精密に制
御でき、良好な薄膜形成結果を得ることができる。
いた薄膜形成装置１によれば、ウエハ４に形成される薄
膜２ｂの形成速度（膜質）や膜厚を所望の値に精密に制
御でき、良好な薄膜形成結果を得ることができる。
【００３３】（実施例２）図３は、本発明の他の実施例
である膜厚測定装置５１の構成の一例を示す概念図であ
る。
である膜厚測定装置５１の構成の一例を示す概念図であ
る。
【００３４】この実施例２の場合には、薄膜２ｂが被着
形成される透明基板５１ａを挟んで、レーザ光源などか
らなる光源５１ｂおよび光量検出器５１ｃを対向させて
配置し、光源５１ｂから放射され、薄膜２ｂおよび透明
基板５１ａを透過して光量検出器５１ｃに入射する測定
光５１ｄの強度変化を観測することにより、薄膜２ｂの
膜厚ｔの変化を知るものである。
形成される透明基板５１ａを挟んで、レーザ光源などか
らなる光源５１ｂおよび光量検出器５１ｃを対向させて
配置し、光源５１ｂから放射され、薄膜２ｂおよび透明
基板５１ａを透過して光量検出器５１ｃに入射する測定
光５１ｄの強度変化を観測することにより、薄膜２ｂの
膜厚ｔの変化を知るものである。
【００３５】すなわち、透明基板５１ａの上に被着され
る薄膜２ｂの膜厚ｔの増大とともに、光量検出器５１ｃ
に入射する測定光５１ｄの強度は漸減するので、この強
度変化を薄膜２ｂの膜厚ｔに換算して精密に求めること
ができる。なお、この実施例３の場合には、薄膜２ｂを
構成する物質は必ずしも導電性である必要はなく、より
多様な物質の薄膜２ｂの測定を精密に行うことができ
る、という利点がある。
る薄膜２ｂの膜厚ｔの増大とともに、光量検出器５１ｃ
に入射する測定光５１ｄの強度は漸減するので、この強
度変化を薄膜２ｂの膜厚ｔに換算して精密に求めること
ができる。なお、この実施例３の場合には、薄膜２ｂを
構成する物質は必ずしも導電性である必要はなく、より
多様な物質の薄膜２ｂの測定を精密に行うことができ
る、という利点がある。
【００３６】（実施例３）図４は、本発明のさらに他の
実施例である膜厚測定装置５２の構成の一例を示す概念
図である。
実施例である膜厚測定装置５２の構成の一例を示す概念
図である。
【００３７】この実施例３の場合には、薄膜２ｂが形成
される絶縁性基板５２ａの上に所定の間隔で一対の電極
５２ｂを配置し、この電極５２ｂの間の電気容量を、電
気容量測定器５２ｃによって測定するものである。すな
わち、絶縁性基板５２ａに堆積形成される薄膜２ｂの膜
厚ｔの変化に応じて変動する電極５２ｂ間の電気容量を
測定することにより、当該膜厚ｔを精密に測定する。な
お、この実施例３の場合にも、薄膜２ｂを構成する物質
は必ずしも導電性である必要はなく、より多様な物質の
薄膜２ｂの測定を精密に行うことができる、という利点
がある。
される絶縁性基板５２ａの上に所定の間隔で一対の電極
５２ｂを配置し、この電極５２ｂの間の電気容量を、電
気容量測定器５２ｃによって測定するものである。すな
わち、絶縁性基板５２ａに堆積形成される薄膜２ｂの膜
厚ｔの変化に応じて変動する電極５２ｂ間の電気容量を
測定することにより、当該膜厚ｔを精密に測定する。な
お、この実施例３の場合にも、薄膜２ｂを構成する物質
は必ずしも導電性である必要はなく、より多様な物質の
薄膜２ｂの測定を精密に行うことができる、という利点
がある。
【００３８】以上発明者によってなされた発明を実施例
に基づき説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものでなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
である事はいうまでもない。
に基づき説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものでなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
である事はいうまでもない。
【００３９】
【発明の効果】本願において開示される発明の代表的な
ものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の
通りである。
ものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の
通りである。
【００４０】すなわち、本発明の膜厚測定装置によれ
ば、測定対象の薄膜の物性に影響されることなく、精密
な膜厚の測定ができる、という効果が得られる。
ば、測定対象の薄膜の物性に影響されることなく、精密
な膜厚の測定ができる、という効果が得られる。
【００４１】また、本発明の薄膜形成装置によれば、対
象物に形成される薄膜の形成速度、膜質、膜厚等を精密
に制御することができる、という効果が得られる。
象物に形成される薄膜の形成速度、膜質、膜厚等を精密
に制御することができる、という効果が得られる。
【図１】本発明の一実施例である膜厚測定装置の一例を
示す略断面図である。
示す略断面図である。
【図２】それを用いた薄膜形成装置の一例を示す概念図
である。
である。
【図３】本発明の他の実施例である膜厚測定装置の構成
の一例を示す概念図である。
の一例を示す概念図である。
【図４】本発明のさらに他の実施例である膜厚測定装置
の構成の一例を示す概念図である。
の構成の一例を示す概念図である。
【図５】本発明の膜厚測定装置の測定原理の一例を示す
概念図である。
概念図である。
１ 薄膜形成装置 ２ 蒸発物質 ２ａ 物質蒸気 ２ｂ 薄膜 ｔ 膜厚 ３ 処理室 ４ ウエハ ５ 膜厚測定装置 ５ａ 絶縁性基板 ５ｂ 凹部 ５ｃ 電極 ５ｄ リード線 ５ｅ 電気抵抗測定器 ６ 蒸発源 ７ 膜厚コントローラ ８ ヒータ制御系 ９ ヒータＯＮ／ＯＦＦスイッチ １０ ヒータ １１ 真空排気系 ５１ 膜厚測定装置 ５１ａ 透明基板 ５１ｂ 光源 ５１ｃ 光量検出器 ５１ｄ 測定光 ５２ 膜厚測定装置 ５２ａ 絶縁性基板 ５２ｂ 電極 ５２ｃ 電気容量測定器
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁性基板と、この絶縁性基板上に所定
の間隔で配置された電極と、この電極間の電気抵抗値を
測定する電気抵抗測定手段とからなり、前記絶縁性基板
の前記電極間に堆積する所望の導電性物質の薄膜の膜厚
を、前記電極間の電気抵抗値に基づいて測定することを
特徴とする膜厚測定装置。 - 【請求項２】 絶縁性基板と、この絶縁性基板上に所定
の間隔で配置された電極と、この電極間の電気容量値を
測定する電気容量測定手段とからなり、前記絶縁性基板
の前記電極間に堆積する所望の導電性物質の薄膜の膜厚
を、前記電極間の電気容量値に基づいて測定することを
特徴とする膜厚測定装置。 - 【請求項３】 所望の測定光を発生する光源と、この光
源から入射する前記測定光の光量を測定する光量検出手
段と、前記光源から前記光量検出手段に至る前記測定光
の光路上に介設された透明基板とからなり、前記透明基
板上に堆積した所望の物質の薄膜の膜厚を、前記薄膜お
よび前記透明基板を透過する前記測定光の光量の変化に
基づいて計測することを特徴とする膜厚測定装置。 - 【請求項４】 請求項１，２または３記載の膜厚測定装
置を備え、所望の対象物に対して形成される薄膜の膜厚
を測定することを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16372293A JPH0722482A (ja) | 1993-07-02 | 1993-07-02 | 膜厚測定装置およびそれを用いた薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16372293A JPH0722482A (ja) | 1993-07-02 | 1993-07-02 | 膜厚測定装置およびそれを用いた薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722482A true JPH0722482A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15779423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16372293A Pending JPH0722482A (ja) | 1993-07-02 | 1993-07-02 | 膜厚測定装置およびそれを用いた薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722482A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5795190A (en) * | 1995-06-30 | 1998-08-18 | Japan Aviation Electronics Industry Limited | Connector having ground plate for PC cards |
| US6208421B1 (en) * | 1996-01-23 | 2001-03-27 | Brown University Research Foundation | Optical stress generator and detector |
| DE19958202A1 (de) * | 1999-12-02 | 2001-07-12 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer Metallschicht mit einer vorgegebenen Dicke |
| JP2017528758A (ja) * | 2014-09-11 | 2017-09-28 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 放射源を監視するためのデバイス、放射源、放射源を監視する方法、デバイス製造方法 |
| CN116005124A (zh) * | 2022-12-30 | 2023-04-25 | 佛山市博顿光电科技有限公司 | 镀膜换层判停方法、装置及镀膜控制设备 |
-
1993
- 1993-07-02 JP JP16372293A patent/JPH0722482A/ja active Pending
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| US6303401B2 (en) | 1999-12-02 | 2001-10-16 | Infineon Technologies Ag | Method for producing a metal layer with a given thickness |
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| JP2017528758A (ja) * | 2014-09-11 | 2017-09-28 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 放射源を監視するためのデバイス、放射源、放射源を監視する方法、デバイス製造方法 |
| CN116005124A (zh) * | 2022-12-30 | 2023-04-25 | 佛山市博顿光电科技有限公司 | 镀膜换层判停方法、装置及镀膜控制设备 |
| CN116005124B (zh) * | 2022-12-30 | 2023-08-15 | 佛山市博顿光电科技有限公司 | 镀膜换层判停方法、装置及镀膜控制设备 |
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