JPH07226526A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- JPH07226526A JPH07226526A JP6016303A JP1630394A JPH07226526A JP H07226526 A JPH07226526 A JP H07226526A JP 6016303 A JP6016303 A JP 6016303A JP 1630394 A JP1630394 A JP 1630394A JP H07226526 A JPH07226526 A JP H07226526A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた太陽電池
の製造バラツキを低減し、かつ、変換効率を向上するこ
とのできる製造方法を提供することである。 【構成】 一の導電型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体から
なる第１層を形成する工程と、前記第２層上に他の導電
型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体第２層を形成する工程
と、前記第２層と同一導電型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体からなる第３層を化学的析出により前記第２層上に形
成する工程と、前記第３層上に電極を形成する工程を有
してある。
の製造バラツキを低減し、かつ、変換効率を向上するこ
とのできる製造方法を提供することである。 【構成】 一の導電型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体から
なる第１層を形成する工程と、前記第２層上に他の導電
型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体第２層を形成する工程
と、前記第２層と同一導電型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体からなる第３層を化学的析出により前記第２層上に形
成する工程と、前記第３層上に電極を形成する工程を有
してある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体を用いた太陽電池の製造方法に関し、特にＣｄＳ
（硫化カドミウム）やＣｄＴｅ（テルル化カドミウム）
を用いて、高い光電変換効率を得ることができ、さら
に、上記太陽電池の大面積化に際しても高い光電変換効
率を維持することができる太陽電池の製造方法に関す
る。
導体を用いた太陽電池の製造方法に関し、特にＣｄＳ
（硫化カドミウム）やＣｄＴｅ（テルル化カドミウム）
を用いて、高い光電変換効率を得ることができ、さら
に、上記太陽電池の大面積化に際しても高い光電変換効
率を維持することができる太陽電池の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池とは、その表面に照射される光
のエネルギ−の一部を電気エネルギ−に変換する機能を
有する光電変換素子である。上記太陽電池の中でも従来
から、製造コストが比較的低く、光電変換効率が比較的
良好であるＣｄＳやＣｄＴｅ等のＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体を用いた太陽電池（以下、ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電
池という）は有用である。従って、上記ＣｄＳ／ＣｄＴ
ｅ太陽電池の製造方法についての様々な研究がされてい
る。
のエネルギ−の一部を電気エネルギ−に変換する機能を
有する光電変換素子である。上記太陽電池の中でも従来
から、製造コストが比較的低く、光電変換効率が比較的
良好であるＣｄＳやＣｄＴｅ等のＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体を用いた太陽電池（以下、ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電
池という）は有用である。従って、上記ＣｄＳ／ＣｄＴ
ｅ太陽電池の製造方法についての様々な研究がされてい
る。
【０００３】以下、図面を参照しながら従来の太陽電池
について説明する。
について説明する。
【０００４】図２は従来のＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の
断面図を拡大して示したものである。
断面図を拡大して示したものである。
【０００５】上記ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池は、ｎ型の
ＣｄＳ膜５と、上記ＣｄＳ膜５の下部に形成されたｐ型
のＣｄＴｅ多結晶膜７とを備えており、ガラス基板１側
から入射された光は、透明導電（酸化インジウムスズ）
膜３を通じて上記ＣｄＳ膜５を照射する。この場合、上
記ＣｄＳ膜５とＣｄＴｅ多結晶膜７との接合部付近に着
目すると、該接合部付近に生じた電子及び正孔は接合部
障壁の電位勾配によって電子はｎ型部分に、正孔はｐ型
部分に移動する。すると、上記ＣｄＳ膜５を負に、ま
た、上記ＣｄＴｅ多結晶膜７を正に帯電させる。そのた
め、上記透明導電膜３及び上記ＣｄＴｅ多結晶膜７下に
形成された各々のＩｎ電極１３の間に開放電圧を生じる
ことになる。
ＣｄＳ膜５と、上記ＣｄＳ膜５の下部に形成されたｐ型
のＣｄＴｅ多結晶膜７とを備えており、ガラス基板１側
から入射された光は、透明導電（酸化インジウムスズ）
膜３を通じて上記ＣｄＳ膜５を照射する。この場合、上
記ＣｄＳ膜５とＣｄＴｅ多結晶膜７との接合部付近に着
目すると、該接合部付近に生じた電子及び正孔は接合部
障壁の電位勾配によって電子はｎ型部分に、正孔はｐ型
部分に移動する。すると、上記ＣｄＳ膜５を負に、ま
た、上記ＣｄＴｅ多結晶膜７を正に帯電させる。そのた
め、上記透明導電膜３及び上記ＣｄＴｅ多結晶膜７下に
形成された各々のＩｎ電極１３の間に開放電圧を生じる
ことになる。
【０００６】次に、上記ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の製
造方法について説明する。説明に際し、上記ＣｄＳ／Ｃ
ｄＴｅ太陽電池の製造過程は図２において上の層から下
の層へ形成していくことになる。まず、ガラス基板１
に、透明導電膜３、ＣｄＳ膜５、ＣｄＴｅ多結晶膜７の
順番にて形成する。上記ＣｄＳ膜５及び上記ＣｄＴｅ多
結晶膜７の形成方法としては、真空蒸着法や、粉末結晶
をスクリ−ン印刷により形成するスクリ−ン印刷法や、
ＣｄやＴｅを含む化合物を吹き付けて熱分解するスプレ
−法等がある。
造方法について説明する。説明に際し、上記ＣｄＳ／Ｃ
ｄＴｅ太陽電池の製造過程は図２において上の層から下
の層へ形成していくことになる。まず、ガラス基板１
に、透明導電膜３、ＣｄＳ膜５、ＣｄＴｅ多結晶膜７の
順番にて形成する。上記ＣｄＳ膜５及び上記ＣｄＴｅ多
結晶膜７の形成方法としては、真空蒸着法や、粉末結晶
をスクリ−ン印刷により形成するスクリ−ン印刷法や、
ＣｄやＴｅを含む化合物を吹き付けて熱分解するスプレ
−法等がある。
【０００７】次に、上記ＣｄＳ膜５及び上記ＣｄＴｅ多
結晶膜７をアニ−ルし、その後上記ＣｄＴｅ多結晶膜７
にＣｕ／Ａｕ電極１１を形成し、該Ｃｕ／Ａｕ電極１１
及び上記透明導電膜３にＩｎ電極１３を形成する。上記
アニ−ルにより、結晶の大粒径化、即ち、多結晶膜の形
成を行うことで、結晶性が良好となり、変換効率を向上
させることができる。
結晶膜７をアニ−ルし、その後上記ＣｄＴｅ多結晶膜７
にＣｕ／Ａｕ電極１１を形成し、該Ｃｕ／Ａｕ電極１１
及び上記透明導電膜３にＩｎ電極１３を形成する。上記
アニ−ルにより、結晶の大粒径化、即ち、多結晶膜の形
成を行うことで、結晶性が良好となり、変換効率を向上
させることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
製造方法によるＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池では、アニ−
ルの際のＣｄＴｅ多結晶膜７の大粒径化により、ＣｄＳ
膜５と上記ＣｄＴｅ多結晶膜７の接合面に隙間を生じて
しまい、接合特性が劣化し、開放電圧の低下を引き起こ
していた。更に、上記ＣｄＴｅ多結晶膜７の剥離や、ピ
ンホール（図２内符号１５）と呼ばれる孔を生じる場合
があった。そのため、上記ＣｄＳ膜５が露出してしまう
ことになり、上記ＣｄＴｅ多結晶膜７に上記Ｃｕ／Ａｕ
電極１１を形成すると、上記Ｃｕ／Ａｕ電極１１が上記
ＣｄＳ膜５と短絡してしまい、特に、上記ＣｄＳ膜５と
上記ＣｄＴｅ多結晶膜７との接合面が大面積（１００
[cm2] 以上）となると、上記ピンホールの総合計も増え
るため、特に光電変換効率の低下をも招いていた。
製造方法によるＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池では、アニ−
ルの際のＣｄＴｅ多結晶膜７の大粒径化により、ＣｄＳ
膜５と上記ＣｄＴｅ多結晶膜７の接合面に隙間を生じて
しまい、接合特性が劣化し、開放電圧の低下を引き起こ
していた。更に、上記ＣｄＴｅ多結晶膜７の剥離や、ピ
ンホール（図２内符号１５）と呼ばれる孔を生じる場合
があった。そのため、上記ＣｄＳ膜５が露出してしまう
ことになり、上記ＣｄＴｅ多結晶膜７に上記Ｃｕ／Ａｕ
電極１１を形成すると、上記Ｃｕ／Ａｕ電極１１が上記
ＣｄＳ膜５と短絡してしまい、特に、上記ＣｄＳ膜５と
上記ＣｄＴｅ多結晶膜７との接合面が大面積（１００
[cm2] 以上）となると、上記ピンホールの総合計も増え
るため、特に光電変換効率の低下をも招いていた。
【０００９】本発明は上記事情に鑑みて成されたもので
あり、その目的とするところは、ＣｄＳ／ＣｄＴｅなど
のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた太陽電池の変換効
率の製造工程によるバラツキを低減し、かつ、高い上記
変換効率が得られ、さらに大面積においても高い変換効
率を維持することができる太陽電池の製造方法を提供す
ることである。
あり、その目的とするところは、ＣｄＳ／ＣｄＴｅなど
のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた太陽電池の変換効
率の製造工程によるバラツキを低減し、かつ、高い上記
変換効率が得られ、さらに大面積においても高い変換効
率を維持することができる太陽電池の製造方法を提供す
ることである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の特徴は、一の導電型のＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体からなる第１層を形成する工程と、前記第１層上
に他の導電型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体からなる第２
層を形成する工程と、前記第２層と同一導電型のＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体からなる第３層を化学的析出により
前記第２層上に形成する工程と、前記第３層上に電極を
形成する工程を有するようにしたことである。
めの本発明の特徴は、一の導電型のＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体からなる第１層を形成する工程と、前記第１層上
に他の導電型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体からなる第２
層を形成する工程と、前記第２層と同一導電型のＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体からなる第３層を化学的析出により
前記第２層上に形成する工程と、前記第３層上に電極を
形成する工程を有するようにしたことである。
【００１１】上記第１層としてはｎ型のＩＩ−ＶＩ族化
合物からなる半導体が好ましく、特に、製造コストが比
較的低く、太陽光の光電変換効率が比較的高いという点
で、ＣｄＳ（硫化カドニウム）が好ましい。また、上記
第２層、及び第３層としては共に同一の導電型を有して
いれば足り、中でもｐ型のＩＩ−ＶＩ族化合物からなる
半導体が好ましく、特に、製造コストが比較的低く、太
陽光の光電変換効率が比較的高い点で、ＣｄＴｅ（テル
ル化カドニウム）が好ましい。
合物からなる半導体が好ましく、特に、製造コストが比
較的低く、太陽光の光電変換効率が比較的高いという点
で、ＣｄＳ（硫化カドニウム）が好ましい。また、上記
第２層、及び第３層としては共に同一の導電型を有して
いれば足り、中でもｐ型のＩＩ−ＶＩ族化合物からなる
半導体が好ましく、特に、製造コストが比較的低く、太
陽光の光電変換効率が比較的高い点で、ＣｄＴｅ（テル
ル化カドニウム）が好ましい。
【００１２】また、好ましくは上記第１層を光入射面と
する。これは、上記第１層、即ち、ＣｄＳ半導体を光入
射面とすることにより、バンドギャップを合わせること
で光電変換効率をより向上させることができるためであ
る。従って、予め透明導電膜（例えば、ＩＴＯ膜）を形
成した上に第１層、即ち、ＣｄＳ半導体を形成すること
が好ましい。
する。これは、上記第１層、即ち、ＣｄＳ半導体を光入
射面とすることにより、バンドギャップを合わせること
で光電変換効率をより向上させることができるためであ
る。従って、予め透明導電膜（例えば、ＩＴＯ膜）を形
成した上に第１層、即ち、ＣｄＳ半導体を形成すること
が好ましい。
【００１３】また、上記第１層（及び第２層）の形成方
法としては真空蒸着法，スパッタリング法などのＰＶＤ
法が好ましく、上記ＰＶＤ法の中でも、真空蒸着法によ
る形成方法が膜の厚さを精度良く比較的容易に制御する
ことができるという点で好ましく、特に上記第２層がＣ
ｄＴｅであり積層方法として真空蒸着方法又は結晶粒子
を塗布する方法は生産性の向上という点で好ましい。
法としては真空蒸着法，スパッタリング法などのＰＶＤ
法が好ましく、上記ＰＶＤ法の中でも、真空蒸着法によ
る形成方法が膜の厚さを精度良く比較的容易に制御する
ことができるという点で好ましく、特に上記第２層がＣ
ｄＴｅであり積層方法として真空蒸着方法又は結晶粒子
を塗布する方法は生産性の向上という点で好ましい。
【００１４】また、前記第３層を前記第２層の表面に形
成する工程として、液相中，気相中における化学的析出
方法を用いることができ、特に、上記第２層の被覆が均
一にすることができ、かつ、複雑な表面に被覆すること
ができるという点で、溶液中の化学反応による形成が好
ましい。
成する工程として、液相中，気相中における化学的析出
方法を用いることができ、特に、上記第２層の被覆が均
一にすることができ、かつ、複雑な表面に被覆すること
ができるという点で、溶液中の化学反応による形成が好
ましい。
【００１５】また、上記第２層の厚さは、０．１ [μm]
から１０［μm]が好ましく、特に、太陽光の光電変換効
率が優れるという点で、２ [μm]から５［μm]が好まし
い。
から１０［μm]が好ましく、特に、太陽光の光電変換効
率が優れるという点で、２ [μm]から５［μm]が好まし
い。
【００１６】また、上記第３層の厚さは上記熱処理によ
り生じるピンホール径と同程度（１０[nm]から１ [μm]
程度）が、上記ピンホールにより生じる短絡を十分に防
ぐことができ、かつ、光電変換効率の低下の防止という
点で好ましい。
り生じるピンホール径と同程度（１０[nm]から１ [μm]
程度）が、上記ピンホールにより生じる短絡を十分に防
ぐことができ、かつ、光電変換効率の低下の防止という
点で好ましい。
【００１７】
【作用】上記構成によれば、第３層を形成することによ
り、上述したような第２層の熱処理によって生じるピン
ホール等の表面欠陥の部分や不均一性形状の部分を覆う
ことができる。従って、上記第１層と電極との短絡を回
避することができる。
り、上述したような第２層の熱処理によって生じるピン
ホール等の表面欠陥の部分や不均一性形状の部分を覆う
ことができる。従って、上記第１層と電極との短絡を回
避することができる。
【００１８】また、第３層形成方法として、特に、溶液
中における化学的析出方法を用いた場合は、複雑に入り
組んだ第２層表面の隅々まで確実に、かつ、均一に第３
層を成長させることができるため、簡単な工程において
も変換効率の劣化を防止できるのである。
中における化学的析出方法を用いた場合は、複雑に入り
組んだ第２層表面の隅々まで確実に、かつ、均一に第３
層を成長させることができるため、簡単な工程において
も変換効率の劣化を防止できるのである。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００２０】図１は本発明の一実施例である太陽電池の
製造方法により製作されたＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の
概要構成の断面図を拡大して示したものである。
製造方法により製作されたＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の
概要構成の断面図を拡大して示したものである。
【００２１】上記ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池は、光の入
射面側に採置されたガラス基板１と、透明導電膜として
上記ガラス基板１下に形成されたＩＴＯ膜３（スパッタ
リング法によるＳｎを含む酸化インジウム膜）と、該Ｉ
ＴＯ膜３下に形成されたＣｄＳ膜５と、上記ＣｄＳ膜５
下に形成され、熱処理により多結晶膜化されたＣｄＴｅ
多結晶膜７と、上記ＣｄＴｅ多結晶膜７下に化学析出方
法により形成されたＣｄＴｅ膜９とを有し、ＣｄＴｅ膜
９下にＣｕ／Ａｕ電極１１が設けられている。更に、上
記ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池は、上記ＩＴＯ膜３、及
び、Ｃｕ／Ａｕ電極１１下にＩｎ電極１３がそれぞれ設
けられている。
射面側に採置されたガラス基板１と、透明導電膜として
上記ガラス基板１下に形成されたＩＴＯ膜３（スパッタ
リング法によるＳｎを含む酸化インジウム膜）と、該Ｉ
ＴＯ膜３下に形成されたＣｄＳ膜５と、上記ＣｄＳ膜５
下に形成され、熱処理により多結晶膜化されたＣｄＴｅ
多結晶膜７と、上記ＣｄＴｅ多結晶膜７下に化学析出方
法により形成されたＣｄＴｅ膜９とを有し、ＣｄＴｅ膜
９下にＣｕ／Ａｕ電極１１が設けられている。更に、上
記ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池は、上記ＩＴＯ膜３、及
び、Ｃｕ／Ａｕ電極１１下にＩｎ電極１３がそれぞれ設
けられている。
【００２２】次に、本発明を実施したＣｄＳ／ＣｄＴｅ
太陽電池の動作について説明する。
太陽電池の動作について説明する。
【００２３】動作については従来例と同様に、ガラス基
板１側から入射された光は、上記ＩＴＯ膜３を通じて上
記ＣｄＳ膜５を照射する。この場合、上記ＣｄＳ膜５と
ＣｄＴｅ多結晶膜７との接合部付近に着目すると、該接
合部付近に生じた電子及び正孔は接合部障壁の電位勾配
によって電子はｎ型部分に、正孔はｐ型部分に移動す
る。すると、上記ＣｄＳ膜５を負に、また、上記ＣｄＴ
ｅ多結晶膜７を正に帯電させるため、上記各々形成され
たＩｎ電極１３の間に電位差を生じることになる。
板１側から入射された光は、上記ＩＴＯ膜３を通じて上
記ＣｄＳ膜５を照射する。この場合、上記ＣｄＳ膜５と
ＣｄＴｅ多結晶膜７との接合部付近に着目すると、該接
合部付近に生じた電子及び正孔は接合部障壁の電位勾配
によって電子はｎ型部分に、正孔はｐ型部分に移動す
る。すると、上記ＣｄＳ膜５を負に、また、上記ＣｄＴ
ｅ多結晶膜７を正に帯電させるため、上記各々形成され
たＩｎ電極１３の間に電位差を生じることになる。
【００２４】次に、本発明を実施したＣｄＳ／ＣｄＴｅ
太陽電池の製造工程について説明する。説明に際し、従
来例と同様に、図１において上の層から下の層へ形成し
ていくことになる。
太陽電池の製造工程について説明する。説明に際し、従
来例と同様に、図１において上の層から下の層へ形成し
ていくことになる。
【００２５】まず、十分に洗浄した透明なガラス基板１
（好ましくはコーニング社製７０５９）に上記ＩＴＯ膜
３を１ [μm]形成する。次に、上記ＩＴＯ膜３上に第１
層としてｎ型のＣｄＳ膜５を真空蒸着方法により、厚さ
１ [μm]（０．０５ [μm]から１０ [μm]でもよい）形
成する。また、上記ＣｄＳ膜５は１ [μm]程度の粒子の
ＣｄＳ結晶をスクリーン印刷法等を用いても形成するこ
ともできる。その後、上記ＣｄＳ膜５をＮ2 雰囲気下
（非酸化性雰囲気でもよい）で、４００℃（４００℃か
ら５５０℃でもよい）の温度において、３０分間の熱処
理（アニール）を行う。次に、第２層としてｐ型のＣｄ
Ｔｅ膜を真空蒸着方法により、厚さ３ [μm]〜４ [μm]
を形成する。その後、上記ＣｄＴｅ膜５を空気中で、４
００℃（３８０℃から４５０℃でもよい）の温度におい
て３０分間の熱処理を行い、上記ＣｄＴｅ多結晶膜７を
形成する。ＣｄＴｅ多結晶膜７は上記熱処理により、５
０[nm]程度の径のピンホール等が生じる。
（好ましくはコーニング社製７０５９）に上記ＩＴＯ膜
３を１ [μm]形成する。次に、上記ＩＴＯ膜３上に第１
層としてｎ型のＣｄＳ膜５を真空蒸着方法により、厚さ
１ [μm]（０．０５ [μm]から１０ [μm]でもよい）形
成する。また、上記ＣｄＳ膜５は１ [μm]程度の粒子の
ＣｄＳ結晶をスクリーン印刷法等を用いても形成するこ
ともできる。その後、上記ＣｄＳ膜５をＮ2 雰囲気下
（非酸化性雰囲気でもよい）で、４００℃（４００℃か
ら５５０℃でもよい）の温度において、３０分間の熱処
理（アニール）を行う。次に、第２層としてｐ型のＣｄ
Ｔｅ膜を真空蒸着方法により、厚さ３ [μm]〜４ [μm]
を形成する。その後、上記ＣｄＴｅ膜５を空気中で、４
００℃（３８０℃から４５０℃でもよい）の温度におい
て３０分間の熱処理を行い、上記ＣｄＴｅ多結晶膜７を
形成する。ＣｄＴｅ多結晶膜７は上記熱処理により、５
０[nm]程度の径のピンホール等が生じる。
【００２６】次に、第３層として上記ＣｄＴｅ多結晶膜
７と同一組成からなる化合物半導体であるＣｄＴｅ膜９
を化学析出方法により析出させる。上記化学析出方法と
しては、０．５[mol] のＣｄＣｌ2 水溶液と７．４[mo
l] のＴＥＡ（トリエチルアミン）水溶液と、１３．４
[mol] のアンモニア水の混合液に、ヒドラジンとＴｅＯ
2 水溶液を加えた液中にて、９０℃の温度において、６
０分間成長させることにより析出させる。これにより、
厚さ３０００ [Å] の上記ＣｄＴｅ膜９を析出させるこ
とができる。
７と同一組成からなる化合物半導体であるＣｄＴｅ膜９
を化学析出方法により析出させる。上記化学析出方法と
しては、０．５[mol] のＣｄＣｌ2 水溶液と７．４[mo
l] のＴＥＡ（トリエチルアミン）水溶液と、１３．４
[mol] のアンモニア水の混合液に、ヒドラジンとＴｅＯ
2 水溶液を加えた液中にて、９０℃の温度において、６
０分間成長させることにより析出させる。これにより、
厚さ３０００ [Å] の上記ＣｄＴｅ膜９を析出させるこ
とができる。
【００２７】上記化学析出方法による水溶液中で上記第
３層である上記ＣｄＴｅ膜９を成長させるため、他の成
長方法に比べ安価であり、また、極めて低温で良質の結
晶を成長させることができ、さらに、熱処理により複雑
に入り組んだ上記第２層表面及び露出した上記第１層表
面に確実に成長させることができるという点で優れてい
る。
３層である上記ＣｄＴｅ膜９を成長させるため、他の成
長方法に比べ安価であり、また、極めて低温で良質の結
晶を成長させることができ、さらに、熱処理により複雑
に入り組んだ上記第２層表面及び露出した上記第１層表
面に確実に成長させることができるという点で優れてい
る。
【００２８】最後にＣｕ（１００ [Å] （５０ [Å] か
ら１００ [Å] でもよい））とＡｕ（２０００ [Å] ）
を積層したＣｕ／Ａｕ電極１１を形成し、その後、上記
電極を１６０℃から２００℃の温度において３０分から
６０分間の熱処理を行い、その上にインジウムの金属膜
であるＩｎ電極１３を形成する。
ら１００ [Å] でもよい））とＡｕ（２０００ [Å] ）
を積層したＣｕ／Ａｕ電極１１を形成し、その後、上記
電極を１６０℃から２００℃の温度において３０分から
６０分間の熱処理を行い、その上にインジウムの金属膜
であるＩｎ電極１３を形成する。
【００２９】このように本実施例では、上記ｐ型のＣｄ
Ｔｅ膜９を有しているため、ピンホールによる上記Ｃｄ
Ｓ膜５の露出を防止することができ、電気的特性の低下
を防止することができる。
Ｔｅ膜９を有しているため、ピンホールによる上記Ｃｄ
Ｓ膜５の露出を防止することができ、電気的特性の低下
を防止することができる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ピ
ンホール等の表面欠陥を生じた他の導電型のＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体からなる第２層上に該第２層と同一導電
型の第３層を形成することで、該第２層の熱処理により
生じたピンホール等の表面欠陥による一の導電型のＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体からなる第１層の露出を防止する
ことができるため、太陽電池全体としての電気的特性の
低下を防止することができる。また、太陽電池のｐ／ｎ
接合面が大面積の場合においては更に大きい効果を得る
ことができる。
ンホール等の表面欠陥を生じた他の導電型のＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体からなる第２層上に該第２層と同一導電
型の第３層を形成することで、該第２層の熱処理により
生じたピンホール等の表面欠陥による一の導電型のＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体からなる第１層の露出を防止する
ことができるため、太陽電池全体としての電気的特性の
低下を防止することができる。また、太陽電池のｐ／ｎ
接合面が大面積の場合においては更に大きい効果を得る
ことができる。
【００３１】他方、上記第３層を化学析出方法により析
出させるため、他の成長方法に比べ安価であり、また、
極めて低温で良質の結晶を成長させることができ、更
に、上記第２層表面及び露出した上記第１層表面が複雑
に入り組んだ場合にも、確実に成長させることができ
る。
出させるため、他の成長方法に比べ安価であり、また、
極めて低温で良質の結晶を成長させることができ、更
に、上記第２層表面及び露出した上記第１層表面が複雑
に入り組んだ場合にも、確実に成長させることができ
る。
【図１】本発明を実施した太陽電池製造方法による太陽
電池の断面図の拡大したものである。
電池の断面図の拡大したものである。
【図２】従来の太陽電池製造方法による太陽電池の断面
図の拡大したものである。
図の拡大したものである。
１ ガラス基板 ３ 透明導電膜（ＩＴＯ膜） ５ ＣｄＳ膜 ７ ＣｄＴｅ多結晶膜 ９ ＣｄＴｅ膜 １１ Ｃｕ／Ａｕ電極 １３ Ｉｎ電極 １５ ピンホール １７ 粒界
Claims (1)
- 【請求項１】 一の導電型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
からなる第１層を形成する工程と、前記第１層上に他の
導電型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体からなる第２層を形
成する工程と、 前記第２層と同一導電型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体か
らなる第３層を化学的析出により前記第２層上に形成す
る工程と、 前記第３層上に電極を形成する工程を有することを特徴
とする太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6016303A JPH07226526A (ja) | 1994-02-10 | 1994-02-10 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6016303A JPH07226526A (ja) | 1994-02-10 | 1994-02-10 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07226526A true JPH07226526A (ja) | 1995-08-22 |
Family
ID=11912780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6016303A Pending JPH07226526A (ja) | 1994-02-10 | 1994-02-10 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07226526A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997021252A1 (en) * | 1995-12-07 | 1997-06-12 | Japan Energy Corporation | Method of producing photoelectric conversion device |
-
1994
- 1994-02-10 JP JP6016303A patent/JPH07226526A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997021252A1 (en) * | 1995-12-07 | 1997-06-12 | Japan Energy Corporation | Method of producing photoelectric conversion device |
| US5916375A (en) * | 1995-12-07 | 1999-06-29 | Japan Energy Corporation | Method of producing photoelectric conversion device |
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