JPH07230628A - マルチビーム光ピックアップ装置 - Google Patents
マルチビーム光ピックアップ装置Info
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- JPH07230628A JPH07230628A JP6019700A JP1970094A JPH07230628A JP H07230628 A JPH07230628 A JP H07230628A JP 6019700 A JP6019700 A JP 6019700A JP 1970094 A JP1970094 A JP 1970094A JP H07230628 A JPH07230628 A JP H07230628A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数のレーザー光の光出力を別個に制御する
マルチビーム光ピックアップ装置を提供することを目的
とする。 【構成】 光源より発光された複数の光束を臨界角プリ
ズムでそれぞれの光束に分離してその強度を検出し、そ
の検出結果に基づいて各光束のパワーを独立に制御す
る。
マルチビーム光ピックアップ装置を提供することを目的
とする。 【構成】 光源より発光された複数の光束を臨界角プリ
ズムでそれぞれの光束に分離してその強度を検出し、そ
の検出結果に基づいて各光束のパワーを独立に制御す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、複数の光束のパワー
をそれぞれ独立に制御することが可能がマルチビーム光
ピックアップ装置に関する。
をそれぞれ独立に制御することが可能がマルチビーム光
ピックアップ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術としては、例えば、特開昭６２
−１４０２５３号公報に示されるものがある。
−１４０２５３号公報に示されるものがある。
【０００３】すなわち、レーザ光によって記録媒体に情
報の記録又は再生を行なう光学的情報処理装置におい
て、情報の記録又は再生のためのレーザ光を放射する半
導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子からのレーザ光
出力によって情報の記録又は再生が行なわれる記録媒体
と、該記録媒体の情報を光信号として読み取る情報読取
手段と、上記半導体レーザ素子と記録媒体との間に配設
され、上記半導体レーザ素子から放射されるレーザ光の
うち一部を反射し、残りを透過するとともに上記記録媒
体からの光信号を上記情報読取手段へ反射させるビーム
スプリッターと、上記ビームスプッターで反射された半
導体レーザ素子からのレーザ光を受光し、レーザ光出力
の変動分を検出する検出手段と、この変動分に基づいて
上記半導体レーザ素子から放射するレーザ光出力を制御
する制御手段とを備えた光学的情報処理装置が記載され
ている。
報の記録又は再生を行なう光学的情報処理装置におい
て、情報の記録又は再生のためのレーザ光を放射する半
導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子からのレーザ光
出力によって情報の記録又は再生が行なわれる記録媒体
と、該記録媒体の情報を光信号として読み取る情報読取
手段と、上記半導体レーザ素子と記録媒体との間に配設
され、上記半導体レーザ素子から放射されるレーザ光の
うち一部を反射し、残りを透過するとともに上記記録媒
体からの光信号を上記情報読取手段へ反射させるビーム
スプリッターと、上記ビームスプッターで反射された半
導体レーザ素子からのレーザ光を受光し、レーザ光出力
の変動分を検出する検出手段と、この変動分に基づいて
上記半導体レーザ素子から放射するレーザ光出力を制御
する制御手段とを備えた光学的情報処理装置が記載され
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の装
置は、１つの半導体レーザからの１本の光束を対物レン
ズによって光ディスク上に集光し、１つのスポットによ
って消去、記録、再生を行なうものなので、例えば光デ
ィスク上に情報を記録する場合、消去、記録、ベリファ
イを順次行なうため、光ディスクを３回転させなくては
ならず、再生のみのデータ転送速度に対して記録時のデ
ータ転送速度は約３倍になってしまうという問題点があ
る。
置は、１つの半導体レーザからの１本の光束を対物レン
ズによって光ディスク上に集光し、１つのスポットによ
って消去、記録、再生を行なうものなので、例えば光デ
ィスク上に情報を記録する場合、消去、記録、ベリファ
イを順次行なうため、光ディスクを３回転させなくては
ならず、再生のみのデータ転送速度に対して記録時のデ
ータ転送速度は約３倍になってしまうという問題点があ
る。
【０００５】そこで、例えば特公昭５７−６０６９７号
公報に示すように、光ディスク上に形成するスポットを
複数にし、スポットごとに機能を割り振り、記録、再生
を同時に行なうことが考えられる。この場合、これら複
数のレーザ光束をいかに分離、検出し、その出力を制御
するかの課題が解決されなければならない。
公報に示すように、光ディスク上に形成するスポットを
複数にし、スポットごとに機能を割り振り、記録、再生
を同時に行なうことが考えられる。この場合、これら複
数のレーザ光束をいかに分離、検出し、その出力を制御
するかの課題が解決されなければならない。
【０００６】本発明は、上記課題をその課題とし、複数
のレーザ光の光出力を別個に検出し、制御するマルチビ
ーム光ピックアップ装置を提供することを目的とする。
のレーザ光の光出力を別個に検出し、制御するマルチビ
ーム光ピックアップ装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は上記の目的を
達成するためになされたもので、複数の発光点を有する
半導体レーザ、又は複数の半導体レーザからなる光源よ
り発せられた複数の光束をコリメートレンズで平行光と
し、ビームスプリッターを介して対物レンズにより光デ
ィスク上に複数のスポットを形成することにより光ディ
スクに情報を記録または再生するためのマルチビーム光
ピックアップ装置において、前記ビームスプリッターで
分離された前記複数の光束を各光束ごとに分離する臨界
角プリズムと、この臨界角プリズムにより分離された各
光束を検出するための複数の検出手段と、これら検出手
段により検出された結果に基づいて前記光源のパワーを
制御する制御手段とを具備することを特徴とするマルチ
ビーム光ピックアップ装置である。前記臨界角プリズム
に入射する光束はＰ偏光であること、前記複数の光束の
うち、再生用の光束のパワーを臨界角プリズムの透過光
で制御すること、及び複数の臨界角プリズムを有し、一
方の臨界角プリズムの透過光側に他の臨界角プリズムが
配置されていることを特徴とするマルチビーム光ピック
アップ装置である。
達成するためになされたもので、複数の発光点を有する
半導体レーザ、又は複数の半導体レーザからなる光源よ
り発せられた複数の光束をコリメートレンズで平行光と
し、ビームスプリッターを介して対物レンズにより光デ
ィスク上に複数のスポットを形成することにより光ディ
スクに情報を記録または再生するためのマルチビーム光
ピックアップ装置において、前記ビームスプリッターで
分離された前記複数の光束を各光束ごとに分離する臨界
角プリズムと、この臨界角プリズムにより分離された各
光束を検出するための複数の検出手段と、これら検出手
段により検出された結果に基づいて前記光源のパワーを
制御する制御手段とを具備することを特徴とするマルチ
ビーム光ピックアップ装置である。前記臨界角プリズム
に入射する光束はＰ偏光であること、前記複数の光束の
うち、再生用の光束のパワーを臨界角プリズムの透過光
で制御すること、及び複数の臨界角プリズムを有し、一
方の臨界角プリズムの透過光側に他の臨界角プリズムが
配置されていることを特徴とするマルチビーム光ピック
アップ装置である。
【０００８】
【作用】本発明によれば、光源から発せられた複数の光
束は、ビームスプリッターにより分離され、この分離さ
れた複数の光束は臨界角プリズムによりそれぞれの光束
に分けられ、各検出手段に入射する。そして、各検出手
段より得られた結果に基づいて各光束のパワーは制御さ
れ、各光束はそれぞれ適切なパワーに制御される。
束は、ビームスプリッターにより分離され、この分離さ
れた複数の光束は臨界角プリズムによりそれぞれの光束
に分けられ、各検出手段に入射する。そして、各検出手
段より得られた結果に基づいて各光束のパワーは制御さ
れ、各光束はそれぞれ適切なパワーに制御される。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の実施例を添付図面に基づい
て具体的に説明する。図１は本発明の第１の実施例を示
す説明図で、図中１は半導体レーザで、この半導体レー
ザ１は２つの発光点を有し、２つの光束が発光可能なも
のである。かかる半導体レーザ１と光ティスク５との間
の出射光路上には、この半導体レーザ１からの２つの光
束を平行光にするためのコリメートレンズ２と、この平
行光を透過及び図中右方へ反射し、一方光ディスク５か
らの反射光を図中左方へ反射するビームスプリッター
３、及び前記平行光を集光して光ディスク５上に微小な
スポットを形成する対物レンズ４が順次配置されてい
る。
て具体的に説明する。図１は本発明の第１の実施例を示
す説明図で、図中１は半導体レーザで、この半導体レー
ザ１は２つの発光点を有し、２つの光束が発光可能なも
のである。かかる半導体レーザ１と光ティスク５との間
の出射光路上には、この半導体レーザ１からの２つの光
束を平行光にするためのコリメートレンズ２と、この平
行光を透過及び図中右方へ反射し、一方光ディスク５か
らの反射光を図中左方へ反射するビームスプリッター
３、及び前記平行光を集光して光ディスク５上に微小な
スポットを形成する対物レンズ４が順次配置されてい
る。
【００１０】また、前記ビームスプリッター３は、前記
半導体レーザ１より発せられた光束を図中右方へ反射
し、ビームスプリッター３により反射された光束の光路
上には複数の光束をそれぞれの光束に分ける臨界角プリ
ズム６と、この臨界角プリズム６によって分けられた各
光束を受光するための第１の受光素子７，第２の受光素
子８が配置されている。そして、この第１の受光素子７
で得られた信号を入力し、前記光束の一方のパワーを制
御する第１の半導体レーザ駆動回路９、及び前記第２の
受光素子８で得られた信号を入力し、前記光束の他方の
パワーを制御する第２の半導体レーザ駆動回路１０が、
前記半導体レーザ１に接続されている。
半導体レーザ１より発せられた光束を図中右方へ反射
し、ビームスプリッター３により反射された光束の光路
上には複数の光束をそれぞれの光束に分ける臨界角プリ
ズム６と、この臨界角プリズム６によって分けられた各
光束を受光するための第１の受光素子７，第２の受光素
子８が配置されている。そして、この第１の受光素子７
で得られた信号を入力し、前記光束の一方のパワーを制
御する第１の半導体レーザ駆動回路９、及び前記第２の
受光素子８で得られた信号を入力し、前記光束の他方の
パワーを制御する第２の半導体レーザ駆動回路１０が、
前記半導体レーザ１に接続されている。
【００１１】次に、本装置による動作について説明す
る。本装置においては、半導体レーザ１の２つの発光点
から発せられた２つの光束はコリメートレンズ２で平行
光となり、ビームスプリッター３を透過し、対物レンズ
４により集光されて光ディスク５上に２つの微小なスポ
ットが形成される。光ディスク５で反射した光は再び対
物レンズ４を通り、ビームスプリッター３によって図中
左方に反射し、検出光学系（図示せず）に導かれ、光デ
ィスク５上に記録された情報信号や、光ディスク５上の
スポット位置を制御する信号いわゆるフォーカスエラー
信号やトラックエラー信号等を検出する。
る。本装置においては、半導体レーザ１の２つの発光点
から発せられた２つの光束はコリメートレンズ２で平行
光となり、ビームスプリッター３を透過し、対物レンズ
４により集光されて光ディスク５上に２つの微小なスポ
ットが形成される。光ディスク５で反射した光は再び対
物レンズ４を通り、ビームスプリッター３によって図中
左方に反射し、検出光学系（図示せず）に導かれ、光デ
ィスク５上に記録された情報信号や、光ディスク５上の
スポット位置を制御する信号いわゆるフォーカスエラー
信号やトラックエラー信号等を検出する。
【００１２】一方、前記半導体レーザ１から発せられた
光束は、コリメートレンズ２で平行光になった後、その
一部はビームスプリッター３によって図中右方へ向けら
れ、臨界角プリズム６に導かれる。この臨界角プリズム
６に入射した光束のうち、一方の光束は反射して第１の
受光素子７に入射して電気信号に変換され、この信号に
基づいて第１の半導体駆動回路９は半導体レーザ１から
発せられた前記一方の光束のパワーを制御する。また、
臨界角プリズム６に入射した他方の光束は透過して第２
の受光素子８に入射され、同様に電気信号に変換され、
この信号に基づいて第２の半導体駆動回路１０は前記半
導体レーザ１から発せられた前記他方の光束のパワーを
制御することになる。
光束は、コリメートレンズ２で平行光になった後、その
一部はビームスプリッター３によって図中右方へ向けら
れ、臨界角プリズム６に導かれる。この臨界角プリズム
６に入射した光束のうち、一方の光束は反射して第１の
受光素子７に入射して電気信号に変換され、この信号に
基づいて第１の半導体駆動回路９は半導体レーザ１から
発せられた前記一方の光束のパワーを制御する。また、
臨界角プリズム６に入射した他方の光束は透過して第２
の受光素子８に入射され、同様に電気信号に変換され、
この信号に基づいて第２の半導体駆動回路１０は前記半
導体レーザ１から発せられた前記他方の光束のパワーを
制御することになる。
【００１３】ここで、前記臨界角プリズム６について説
明する。本発明は、マルチビーム光ピックアップの各々
のレーザ光束間の角度ずれを利用して複数のレーザ光の
光出力を分離しようとするもので、例えば、半導体レー
ザ１の各発光点間の間隔をＬ、コリメートレンズ２の焦
点距離をｆとすると各々のレーザ光束間の角度ずれθ
は、ｔａｎ（θ）＝Ｌ／ｆから求められる。例えば、Ｌ
＝０．２ｍｍ、ｆ＝１１ｍｍのとき、θは約１°とな
る。角度ずれのある光束を分離する手段としては、干渉
フィルター、導波路へのカップリング、臨界角プリズム
等が考えられるが、半導体レーザ１の波長変動の影響、
コスト等を考慮すると臨界角プリズムが最も好ましい。
明する。本発明は、マルチビーム光ピックアップの各々
のレーザ光束間の角度ずれを利用して複数のレーザ光の
光出力を分離しようとするもので、例えば、半導体レー
ザ１の各発光点間の間隔をＬ、コリメートレンズ２の焦
点距離をｆとすると各々のレーザ光束間の角度ずれθ
は、ｔａｎ（θ）＝Ｌ／ｆから求められる。例えば、Ｌ
＝０．２ｍｍ、ｆ＝１１ｍｍのとき、θは約１°とな
る。角度ずれのある光束を分離する手段としては、干渉
フィルター、導波路へのカップリング、臨界角プリズム
等が考えられるが、半導体レーザ１の波長変動の影響、
コスト等を考慮すると臨界角プリズムが最も好ましい。
【００１４】この臨界角プリズムを図３に基づいて説明
する。図３は臨界角プリズム６の屈折率ｎ１＝１．５、
空気中の屈折率ｎ２＝１とした時の臨界角プリズム６の
出射面６１に入射する角度α１に対するＰ偏光透過率Ｔ
ｐ、Ｐ偏光反射率Ｒｐ、Ｓ偏光透過率Ｔｓ、Ｓ偏光反射
率Ｒｓを表したものである。αｃは一般に臨界角と呼ば
れるものであり、αｃを超えるとＲｐ、Ｒｓは１（１０
０％）、Ｔｐ、Ｔｓは０（０％）である。なお、図３に
おいてαｃ＝４１．８°である。
する。図３は臨界角プリズム６の屈折率ｎ１＝１．５、
空気中の屈折率ｎ２＝１とした時の臨界角プリズム６の
出射面６１に入射する角度α１に対するＰ偏光透過率Ｔ
ｐ、Ｐ偏光反射率Ｒｐ、Ｓ偏光透過率Ｔｓ、Ｓ偏光反射
率Ｒｓを表したものである。αｃは一般に臨界角と呼ば
れるものであり、αｃを超えるとＲｐ、Ｒｓは１（１０
０％）、Ｔｐ、Ｔｓは０（０％）である。なお、図３に
おいてαｃ＝４１．８°である。
【００１５】臨界角プリズム６の出射面６１に入射する
光束の一方を４２°とすると、Ｒｐ＝１、Ｒｓ＝１なの
ですべて第１の受光素子７の方向に反射される。出射面
６１に入射する光束の一方を４１°とすると、Ｔｐ≒
０．７５、Ｒｐ≒０．２５、Ｔｓ≒０．４５、Ｒｓ≒
０．５５となり、出射面６１に入射する光束がＰ偏光の
場合、約７５％が第２の受光素子８の方向に透過し、約
２５％が第１の受光素子７の方向に反射される。
光束の一方を４２°とすると、Ｒｐ＝１、Ｒｓ＝１なの
ですべて第１の受光素子７の方向に反射される。出射面
６１に入射する光束の一方を４１°とすると、Ｔｐ≒
０．７５、Ｒｐ≒０．２５、Ｔｓ≒０．４５、Ｒｓ≒
０．５５となり、出射面６１に入射する光束がＰ偏光の
場合、約７５％が第２の受光素子８の方向に透過し、約
２５％が第１の受光素子７の方向に反射される。
【００１６】また、出射面６１に入射する光束がＳ偏光
の場合、約４５％が第２の受光素子８の方向に透過し、
約５５％が第１の受光素子７の方向に反射される。従っ
て、臨界角プリズム６によって２つの光束を分離する場
合、Ｐ偏光で入射する方がよい。
の場合、約４５％が第２の受光素子８の方向に透過し、
約５５％が第１の受光素子７の方向に反射される。従っ
て、臨界角プリズム６によって２つの光束を分離する場
合、Ｐ偏光で入射する方がよい。
【００１７】以上のように、出射面６１に入射する光束
をＰ偏光とし、各々の入射角を４２度、４１度とする
と、第１の受光素子７に入射する光束は、４２度で入射
した光束の１００％と４１度で入射した光束の約２５％
であり、第２の受光素子８には４１度で入射した光束の
約７５％が入射する。
をＰ偏光とし、各々の入射角を４２度、４１度とする
と、第１の受光素子７に入射する光束は、４２度で入射
した光束の１００％と４１度で入射した光束の約２５％
であり、第２の受光素子８には４１度で入射した光束の
約７５％が入射する。
【００１８】また、半導体レーザ１から出射する２つの
光束を一方を記録用、他方を再生用に用いた場合、再生
用の光束を制御するために用いる受光素子は、第２の受
光素子８、すなわち臨界角プリズム６を透過した光束で
制御することが望ましい。この理由は、再生用の光束は
変調されず、常に一定の強度で発光しているため、多少
記録用の光束を制御するために用いる受光素子にもれて
も影響が出ないためである。
光束を一方を記録用、他方を再生用に用いた場合、再生
用の光束を制御するために用いる受光素子は、第２の受
光素子８、すなわち臨界角プリズム６を透過した光束で
制御することが望ましい。この理由は、再生用の光束は
変調されず、常に一定の強度で発光しているため、多少
記録用の光束を制御するために用いる受光素子にもれて
も影響が出ないためである。
【００１９】次に、第２の実施例を図２に基づいて説明
する。図中１は半導体レーザで、この半導体レーザ１は
３つの発光点を有し、３つの光束が発光可能なものであ
る。かかる半導体レーザ１と光ディスク５との間の出射
光路上には、この半導体レーザ１からの３つの光束を平
行光にするためのコリメートレンズ２と、この平行光を
透過及び図中右方へ反射し、一方光ディスク５からの反
射光を図中左方へ反射するビームスプリッター３、及び
前記平行光を集光して光ディスク５上に微小なスポット
を形成する対物レンズ４が順次配置されている。
する。図中１は半導体レーザで、この半導体レーザ１は
３つの発光点を有し、３つの光束が発光可能なものであ
る。かかる半導体レーザ１と光ディスク５との間の出射
光路上には、この半導体レーザ１からの３つの光束を平
行光にするためのコリメートレンズ２と、この平行光を
透過及び図中右方へ反射し、一方光ディスク５からの反
射光を図中左方へ反射するビームスプリッター３、及び
前記平行光を集光して光ディスク５上に微小なスポット
を形成する対物レンズ４が順次配置されている。
【００２０】また、前記半導体レーザ１より発せられビ
ームスプリッター３により反射された（図中右方）の光
束の光路上には複数の光束をそれぞれの光束に分ける第
１の臨界角プリズム６と第２の臨界角プリズム１２が配
置され、この臨界角プリズム６によって反射した光束を
受光するための第１の受光素子７，この臨界角プリズム
６を透過し、前記第２の臨界角プリズム１２により反射
した光束を受光するための第２の受光素子１３、透過し
た光束を受光するための第３の受光素子１４が配置され
ている。そして、この第１の受光素子７で得られた信号
を入力し、１つ目の光束のパワーを制御する第１の半導
体レーザ駆動回路１５、前記第２の受光素子１３で得ら
れた信号を入力し、２つ目の光束のパワーを制御する第
２の半導体レーザ駆動回路１６、及び前記第３の受光素
子１４で得られた信号を入力し、３つ目の光束のパワー
を制御する第３の半導体レーザ駆動回路１７が、それぞ
れ前記半導体レーザ１に接続されている。
ームスプリッター３により反射された（図中右方）の光
束の光路上には複数の光束をそれぞれの光束に分ける第
１の臨界角プリズム６と第２の臨界角プリズム１２が配
置され、この臨界角プリズム６によって反射した光束を
受光するための第１の受光素子７，この臨界角プリズム
６を透過し、前記第２の臨界角プリズム１２により反射
した光束を受光するための第２の受光素子１３、透過し
た光束を受光するための第３の受光素子１４が配置され
ている。そして、この第１の受光素子７で得られた信号
を入力し、１つ目の光束のパワーを制御する第１の半導
体レーザ駆動回路１５、前記第２の受光素子１３で得ら
れた信号を入力し、２つ目の光束のパワーを制御する第
２の半導体レーザ駆動回路１６、及び前記第３の受光素
子１４で得られた信号を入力し、３つ目の光束のパワー
を制御する第３の半導体レーザ駆動回路１７が、それぞ
れ前記半導体レーザ１に接続されている。
【００２１】本装置においては、半導体レーザ１の３つ
の発光点から発せられた３つの光束はコリメートレンズ
２で平行光となり、ビームスプリッター３を透過し、対
物レンズ４により集光されて光ディスク５上に３つの微
小なスポットが形成される。光ディスク５で反射した光
は再び対物レンズ４を通り、ビームスプリッター３によ
って図中左方に反射し、検出光学系（図示せず）に導か
れ、光ディスク５上に記録された情報信号や、光ディス
ク５上のスポット位置を制御する信号いわゆるフォーカ
スエラー信号やトラックエラー信号等を検出する。
の発光点から発せられた３つの光束はコリメートレンズ
２で平行光となり、ビームスプリッター３を透過し、対
物レンズ４により集光されて光ディスク５上に３つの微
小なスポットが形成される。光ディスク５で反射した光
は再び対物レンズ４を通り、ビームスプリッター３によ
って図中左方に反射し、検出光学系（図示せず）に導か
れ、光ディスク５上に記録された情報信号や、光ディス
ク５上のスポット位置を制御する信号いわゆるフォーカ
スエラー信号やトラックエラー信号等を検出する。
【００２２】一方、前記半導体レーザ１から発せられた
光束は、コリメートレンズ２で平行光になった後、その
一部はビームスプリッター３によって図中右方へ向けら
れ、臨界角プリズム６に導かれる。この臨界角プリズム
６に入射した光束のうちの１つは第１の受光素子７に入
射して電気信号に変換され、この信号に基づいて第１の
半導体駆動回路１５は半導体レーザ１から発せられる１
つめの光束のパワーを制御する。また、臨界角プリズム
６に入射した他の２つの光束は第２の臨界角プリズム１
２に入射し、一方は反射して第２の受光素子１３に入射
して電気信号に変換され、この信号に基づいて第２の半
導体駆動回路１６は半導体レーザ１１を制御し、透過し
た他方の光束は受光素子１４に入射され、同様に電気信
号に変換され、この信号に基づいて第３の半導体駆動回
路１７は前記半導体レーザ１を制御し、前記他方の光束
のパワーを制御することになる。
光束は、コリメートレンズ２で平行光になった後、その
一部はビームスプリッター３によって図中右方へ向けら
れ、臨界角プリズム６に導かれる。この臨界角プリズム
６に入射した光束のうちの１つは第１の受光素子７に入
射して電気信号に変換され、この信号に基づいて第１の
半導体駆動回路１５は半導体レーザ１から発せられる１
つめの光束のパワーを制御する。また、臨界角プリズム
６に入射した他の２つの光束は第２の臨界角プリズム１
２に入射し、一方は反射して第２の受光素子１３に入射
して電気信号に変換され、この信号に基づいて第２の半
導体駆動回路１６は半導体レーザ１１を制御し、透過し
た他方の光束は受光素子１４に入射され、同様に電気信
号に変換され、この信号に基づいて第３の半導体駆動回
路１７は前記半導体レーザ１を制御し、前記他方の光束
のパワーを制御することになる。
【００２３】さらに具体的に説明すると、消去用の光束
（ＢＥ）、記録用の光束（ＢＷ）、再生用の光束（Ｂ
Ｒ）は、例えば第１の臨界角プリズム６の出射面６１に
入射する角度をＢＥを４２度、ＢＷを４１度、ＢＲを４
０度とすると、ＢＥは１００％第１の受光素子７の方向
に反射し、ＢＷは約７５％が第２の臨界角プリズム１２
の方向へ透過し、約２５％が第１の受光素子７の方向へ
反射する。ＢＲは約９０％が第２の臨界角プリズム１２
の方向へ透過し、約１０％が第１の受光素子７の方向へ
反射する。
（ＢＥ）、記録用の光束（ＢＷ）、再生用の光束（Ｂ
Ｒ）は、例えば第１の臨界角プリズム６の出射面６１に
入射する角度をＢＥを４２度、ＢＷを４１度、ＢＲを４
０度とすると、ＢＥは１００％第１の受光素子７の方向
に反射し、ＢＷは約７５％が第２の臨界角プリズム１２
の方向へ透過し、約２５％が第１の受光素子７の方向へ
反射する。ＢＲは約９０％が第２の臨界角プリズム１２
の方向へ透過し、約１０％が第１の受光素子７の方向へ
反射する。
【００２４】また、第２の臨界角プリズム１２の出射面
１２１に入射する角度は、ＢＷが４２度、ＢＲが４１度
であり、ＢＷは第２の臨界角プリズム１２に入射した光
束のうち１００％第２の受光素子１３の方向に反射し、
ＢＲは第２の臨界角プリズム１２に入射した光束のうち
２５％が第２の受光素子１３の方向に反射し、７５％が
第３の受光素子１４の方向へ透過する。すなわち、第１
の受光素子にはＢＥ１０％とＢＷ２５％とＢＲ１０％の
光束が、第２の受光素子１３にはＢＷの７５％とＢＲの
２２．５％の光束が、第３の受光素子１４にはＢＲの６
７．５％の光束がそれぞれ入射することになる。そして
これら各受光素子より得られた信号に基づいて各光束の
パワーが制御されることになる。
１２１に入射する角度は、ＢＷが４２度、ＢＲが４１度
であり、ＢＷは第２の臨界角プリズム１２に入射した光
束のうち１００％第２の受光素子１３の方向に反射し、
ＢＲは第２の臨界角プリズム１２に入射した光束のうち
２５％が第２の受光素子１３の方向に反射し、７５％が
第３の受光素子１４の方向へ透過する。すなわち、第１
の受光素子にはＢＥ１０％とＢＷ２５％とＢＲ１０％の
光束が、第２の受光素子１３にはＢＷの７５％とＢＲの
２２．５％の光束が、第３の受光素子１４にはＢＲの６
７．５％の光束がそれぞれ入射することになる。そして
これら各受光素子より得られた信号に基づいて各光束の
パワーが制御されることになる。
【００２５】次に、図４に基づいて第３の実施例を説明
する。図４は第３の実施例を示す説明図で、図中１ａ，
１ｂ，１ｃは半導体レーザで、本実施例による装置にお
いてはこれら３個の半導体レーザ１ａ，１ｂ，１ｃを有
し、３つの光束が発光されるものである。これら半導体
レーザ１ａ，１ｂ，１ｃと光ティスク５との間の出射光
路上には、この半導体レーザ１ａ，１ｂ，１ｃからのそ
れぞれの光束を平行光にするためのコリメートレンズ２
ａ，２ｂ，２ｃと、コレメートレンズ２ａからの光束を
反射させ、かつコリメートレンズ２ｂからの光束を透過
させてこれら光束を光ディスク５ヘ導く第１のビームス
プリッター１８と、前記コリメートレンズ２ｃからの光
束を反射させて光ディスク５へ導く第２のビームスプリ
ッター１９、これら平行光を透過及び図中右方へ反射
し、一方光ディスク５からの反射光を図中左方へ反射す
る第３のビームスプリッター３、及び前記平行光を集光
して光ディスク５上に微小なスポットを形成する対物レ
ンズ４が順次配置されている。
する。図４は第３の実施例を示す説明図で、図中１ａ，
１ｂ，１ｃは半導体レーザで、本実施例による装置にお
いてはこれら３個の半導体レーザ１ａ，１ｂ，１ｃを有
し、３つの光束が発光されるものである。これら半導体
レーザ１ａ，１ｂ，１ｃと光ティスク５との間の出射光
路上には、この半導体レーザ１ａ，１ｂ，１ｃからのそ
れぞれの光束を平行光にするためのコリメートレンズ２
ａ，２ｂ，２ｃと、コレメートレンズ２ａからの光束を
反射させ、かつコリメートレンズ２ｂからの光束を透過
させてこれら光束を光ディスク５ヘ導く第１のビームス
プリッター１８と、前記コリメートレンズ２ｃからの光
束を反射させて光ディスク５へ導く第２のビームスプリ
ッター１９、これら平行光を透過及び図中右方へ反射
し、一方光ディスク５からの反射光を図中左方へ反射す
る第３のビームスプリッター３、及び前記平行光を集光
して光ディスク５上に微小なスポットを形成する対物レ
ンズ４が順次配置されている。
【００２６】また、前記半導体レーザ１ａ，１ｂ，１ｃ
より発せられビームスプリッター３により反射された
（図中右方の）光束の光路上には複数の光束をそれぞれ
の光束に分ける第１の臨界角プリズム６と第２の臨界角
プリズム１２が配置され、この臨界角プリズム６によっ
て反射した光束を受光するための第１の受光素子７，こ
の臨界角プリズム６を透過し、前記第２の臨界角プリズ
ム１２により反射した光束を受光するための第２の受光
素子１３、透過した光束を受光するための第３の受光素
子１４が配置されている。そして、この第１の受光素子
７で得られた信号を入力し、１つ目の光束である半導体
レーザ１ａのパワーを制御する第１の半導体レーザ駆動
回路１５、前記第２の受光素子１３で得られた信号を入
力し、２つ目である半導体レーザ１ｂの光束のパワーを
制御する第２の半導体レーザ駆動回路１６、及び前記第
３の受光素子１４で得られた信号を入力し、３つ目の光
束である半導体レーザ１ｃのパワーを制御する第３の半
導体レーザ駆動回路１７が、前記半導体レーザ１ａ，１
ｂ，１ｃにそれぞれ接続されている。
より発せられビームスプリッター３により反射された
（図中右方の）光束の光路上には複数の光束をそれぞれ
の光束に分ける第１の臨界角プリズム６と第２の臨界角
プリズム１２が配置され、この臨界角プリズム６によっ
て反射した光束を受光するための第１の受光素子７，こ
の臨界角プリズム６を透過し、前記第２の臨界角プリズ
ム１２により反射した光束を受光するための第２の受光
素子１３、透過した光束を受光するための第３の受光素
子１４が配置されている。そして、この第１の受光素子
７で得られた信号を入力し、１つ目の光束である半導体
レーザ１ａのパワーを制御する第１の半導体レーザ駆動
回路１５、前記第２の受光素子１３で得られた信号を入
力し、２つ目である半導体レーザ１ｂの光束のパワーを
制御する第２の半導体レーザ駆動回路１６、及び前記第
３の受光素子１４で得られた信号を入力し、３つ目の光
束である半導体レーザ１ｃのパワーを制御する第３の半
導体レーザ駆動回路１７が、前記半導体レーザ１ａ，１
ｂ，１ｃにそれぞれ接続されている。
【００２７】本装置においては、半導体レーザ１ａ，１
ｂ，１ｃからそれぞれ発せられた３つの光束はコリメー
トレンズ２ａ，２ｂ，２ｃで平行光となり、コリメート
レンズ１ａを透過した光束は第１のビームスプリッター
１８を反射し、コリメートレンズ１ｂを透過した光束は
第１のビームスプリッター１８を透過し、コリメートレ
ンズ１ｃを透過した光束は第２のビームスプリッター１
９を反射し、これら３つの光束はいずれも第３のビーム
スプリッター３を透過し、対物レンズ４により集光され
て光ディスク５上に３つの微小なスポットが形成され
る。光ディスク５で反射した光は再び対物レンズ４を通
り、第３のビームスプリッター３によって図中左方に反
射し、検出光学系（図示せず）に導かれ、光ディスク５
上に記録された情報信号や、光ディスク５上のスポット
位置を制御する信号いわゆるフォーカスエラー信号やト
ラックエラー信号等を検出する。
ｂ，１ｃからそれぞれ発せられた３つの光束はコリメー
トレンズ２ａ，２ｂ，２ｃで平行光となり、コリメート
レンズ１ａを透過した光束は第１のビームスプリッター
１８を反射し、コリメートレンズ１ｂを透過した光束は
第１のビームスプリッター１８を透過し、コリメートレ
ンズ１ｃを透過した光束は第２のビームスプリッター１
９を反射し、これら３つの光束はいずれも第３のビーム
スプリッター３を透過し、対物レンズ４により集光され
て光ディスク５上に３つの微小なスポットが形成され
る。光ディスク５で反射した光は再び対物レンズ４を通
り、第３のビームスプリッター３によって図中左方に反
射し、検出光学系（図示せず）に導かれ、光ディスク５
上に記録された情報信号や、光ディスク５上のスポット
位置を制御する信号いわゆるフォーカスエラー信号やト
ラックエラー信号等を検出する。
【００２８】一方、前記半導体レーザ１ａ，１ｂ，１ｃ
から発せられた光束は、前記第３のビームスプリッター
３によってそれぞれの光束の一部が図中右方へ向けら
れ、臨界角プリズム６に導かれる。この臨界角プリズム
６に入射した光束のうちの１つは反射して第１の受光素
子７に入射して電気信号に変換され、この信号に基づい
て第１の半導体駆動回路１５は半導体レーザ１ａを制御
し、前記光束のパワーを制御する。また、臨界角プリズ
ム６に入射した他の２つ光束は第２の臨界角プリズム１
２に入射し、一方は反射して第２の受光素子１３に入射
して電気信号に変換され、この信号に基づいて第２の半
導体駆動回路１６は半導体レーザ１ｂを制御し、透過し
た他方の光束は第３の受光素子１４に入射され、同様に
電気信号に変換され、この信号に基づいて第３の半導体
駆動回路１７は前記半導体レーザ１ｃを制御し、前記他
方の光束のパワーを制御することになる。
から発せられた光束は、前記第３のビームスプリッター
３によってそれぞれの光束の一部が図中右方へ向けら
れ、臨界角プリズム６に導かれる。この臨界角プリズム
６に入射した光束のうちの１つは反射して第１の受光素
子７に入射して電気信号に変換され、この信号に基づい
て第１の半導体駆動回路１５は半導体レーザ１ａを制御
し、前記光束のパワーを制御する。また、臨界角プリズ
ム６に入射した他の２つ光束は第２の臨界角プリズム１
２に入射し、一方は反射して第２の受光素子１３に入射
して電気信号に変換され、この信号に基づいて第２の半
導体駆動回路１６は半導体レーザ１ｂを制御し、透過し
た他方の光束は第３の受光素子１４に入射され、同様に
電気信号に変換され、この信号に基づいて第３の半導体
駆動回路１７は前記半導体レーザ１ｃを制御し、前記他
方の光束のパワーを制御することになる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、複数のレーザ光を臨界角プリズムにより分離するこ
とによって複数のレーザ光を別個に制御することがで
き、また、臨界角プリズムに入射する光束をＰ偏光とす
ることにより、Ｓ偏光より正確に各レーザ光の出力を制
御できる。また、リードパワーの制御を臨界角プリズム
の透過光で行なうことによって他の光束の影響を受けず
にリードパワーの制御が可能となり、複数の臨界角プリ
ズムを一方の臨界角プリズムの透過光側に他方の臨界角
プリズムを配置することにより、装置の小型化が図れ
る。
ば、複数のレーザ光を臨界角プリズムにより分離するこ
とによって複数のレーザ光を別個に制御することがで
き、また、臨界角プリズムに入射する光束をＰ偏光とす
ることにより、Ｓ偏光より正確に各レーザ光の出力を制
御できる。また、リードパワーの制御を臨界角プリズム
の透過光で行なうことによって他の光束の影響を受けず
にリードパワーの制御が可能となり、複数の臨界角プリ
ズムを一方の臨界角プリズムの透過光側に他方の臨界角
プリズムを配置することにより、装置の小型化が図れ
る。
【図１】この発明の第１の実施例を示す説明図である。
【図２】この発明の第２の実施例を示す説明図である。
【図３】臨界角プリズムの特性を示す説明図である。
【図４】この発明の第３の実施例を示す説明図である。
１，１ａ，１ｂ，１ｃ 半導体レーザ ２，２ａ，２ｂ，２ｃ コリメータレンズ ３ ビームスプリッター（第３のビームスプリッター） ４ 対物レンズ ５ 光ディスク ６ 臨界角プリズム ７ 第１の受光素子 ８ 第２の受光素子 ９ 第１の半導体レーザ（ＬＤ）駆動回路 １０ 第２の半導体レーザ（ＬＤ）駆動回路 １２ 第２の臨界角プリズム １３ 第２の受光素子 １４ 第３の受光素子 １５ 第１の半導体レーザ（ＬＤ）駆動回路 １６ 第２の半導体レーザ（ＬＤ）駆動回路 １７ 第３の半導体レーザ（ＬＤ）駆動回路 １８ 第１のビームスプリッター １９ 第２のビームスプリッター
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の発光点を有する半導体レーザ、又
は複数の半導体レーザからなる光源より発せられた複数
の光束をコリメートレンズで平行光とし、ビームスプリ
ッターを介して対物レンズにより光ディスク上に複数の
スポットを形成することにより光ディスクに情報を記録
または再生するためのマルチビーム光ピックアップ装置
において、前記ビームスプリッターで分離された前記複
数の光束を各光束ごとに分離する臨界角プリズムと、こ
の臨界角プリズムにより分離された各光束を検出するた
めの複数の検出手段と、これら検出手段により検出され
た結果に基づいて前記光源のパワーを制御する制御手段
とを具備することを特徴とするマルチビーム光ピックア
ップ装置。 - 【請求項２】 前記臨界角プリズムに入射する光束はＰ
偏光であることを特徴とする請求項１のマルチビーム光
ピックアップ装置。 - 【請求項３】 前記複数の光束のうち、再生用の光束の
パワーを臨界角プリズムの透過光で制御することを特徴
とする請求項１のマルチビーム光ピックアップ装置。 - 【請求項４】 複数の臨界角プリズムを有し、一方の臨
界角プリズムの透過光側に他の臨界角プリズムが配置さ
れていることを特徴とする請求項１のマルチビーム光ピ
ックアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6019700A JPH07230628A (ja) | 1994-02-16 | 1994-02-16 | マルチビーム光ピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6019700A JPH07230628A (ja) | 1994-02-16 | 1994-02-16 | マルチビーム光ピックアップ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07230628A true JPH07230628A (ja) | 1995-08-29 |
Family
ID=12006550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6019700A Pending JPH07230628A (ja) | 1994-02-16 | 1994-02-16 | マルチビーム光ピックアップ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07230628A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1073045A3 (en) * | 1999-06-10 | 2003-01-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical pickup device |
| US7233564B2 (en) | 2002-05-08 | 2007-06-19 | Teac Corpration | Optical disk apparatus |
| EP2128866A1 (en) | 2008-05-29 | 2009-12-02 | Deutsche Thomson OHG | Method and apparatus for identifying a media type of an optical disk |
-
1994
- 1994-02-16 JP JP6019700A patent/JPH07230628A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1073045A3 (en) * | 1999-06-10 | 2003-01-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical pickup device |
| US6507548B1 (en) | 1999-06-10 | 2003-01-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical pickup device |
| US7233564B2 (en) | 2002-05-08 | 2007-06-19 | Teac Corpration | Optical disk apparatus |
| EP2128866A1 (en) | 2008-05-29 | 2009-12-02 | Deutsche Thomson OHG | Method and apparatus for identifying a media type of an optical disk |
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