JPH07235001A - 磁気センサ検出装置 - Google Patents
磁気センサ検出装置Info
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- JPH07235001A JPH07235001A JP2099794A JP2099794A JPH07235001A JP H07235001 A JPH07235001 A JP H07235001A JP 2099794 A JP2099794 A JP 2099794A JP 2099794 A JP2099794 A JP 2099794A JP H07235001 A JPH07235001 A JP H07235001A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic sensor
- circuit
- output
- magnetic
- detection device
- Prior art date
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- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】消費電流が少なく、しかも磁気センサ出力に応
じた矩形波を正確に出力する磁気センサ検出装置を提供
する。 【構成】トランジスタQ10は電源V0 からの電源電流
をオンまたはオフし、ダイオードD1、D2は電源V0
の電圧を降下させる。コンデンサC1は降圧系の電源を
平滑化し、また磁気センサMR1、MR2はブリッジを
組んでおり、ロータRT1に着磁された磁気スケールが
回転により移動すると、磁気センサMR1、MR2の中
点電位が変動する。そして、磁気センサMR1、MR2
からの出力は、コンデンサC2によりその出力変化分の
みが取り出され、インバータIV3へ伝達される。そし
て、その出力はインバータIV3と抵抗R4により増幅
される。さらに、その出力は、抵抗R2、R3、インバ
ータIV1、IV2に伝達され、そして、その出力がC
PU1のセンサイン端子MRINへ入力される。
じた矩形波を正確に出力する磁気センサ検出装置を提供
する。 【構成】トランジスタQ10は電源V0 からの電源電流
をオンまたはオフし、ダイオードD1、D2は電源V0
の電圧を降下させる。コンデンサC1は降圧系の電源を
平滑化し、また磁気センサMR1、MR2はブリッジを
組んでおり、ロータRT1に着磁された磁気スケールが
回転により移動すると、磁気センサMR1、MR2の中
点電位が変動する。そして、磁気センサMR1、MR2
からの出力は、コンデンサC2によりその出力変化分の
みが取り出され、インバータIV3へ伝達される。そし
て、その出力はインバータIV3と抵抗R4により増幅
される。さらに、その出力は、抵抗R2、R3、インバ
ータIV1、IV2に伝達され、そして、その出力がC
PU1のセンサイン端子MRINへ入力される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、強磁性薄膜抵抗素子な
どの磁気によって電気抵抗が変化する素子を用いた、位
置検出を行う磁気センサ検出装置に関するものである。
どの磁気によって電気抵抗が変化する素子を用いた、位
置検出を行う磁気センサ検出装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来技術としては、例えば、特開平5ー
242405号公報の磁気センサ回路にて以下のように
開示されている。この磁気センサ回路によれば、インバ
ータ帰還増幅回路、変化分透過用コンデンサにより、磁
気抵抗素子から成る磁気センサからの出力変化をデジタ
ル信号として取り出し、さらに、シュミットトリガ回路
とインバータ帰還増幅回路の動作点を合わせる手段を設
け、デューティを確保している。
242405号公報の磁気センサ回路にて以下のように
開示されている。この磁気センサ回路によれば、インバ
ータ帰還増幅回路、変化分透過用コンデンサにより、磁
気抵抗素子から成る磁気センサからの出力変化をデジタ
ル信号として取り出し、さらに、シュミットトリガ回路
とインバータ帰還増幅回路の動作点を合わせる手段を設
け、デューティを確保している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記磁
気抵抗素子は、その作成法上、抵抗値を大きくすると中
点電位や感度ばらつきが大きくなるため、1KΩ前後の
抵抗値を有することが多く、これに電源電圧に5V系を
用いた場合、5mAの電流を消費するため、その消費電
流は多大なものとなってしまう。
気抵抗素子は、その作成法上、抵抗値を大きくすると中
点電位や感度ばらつきが大きくなるため、1KΩ前後の
抵抗値を有することが多く、これに電源電圧に5V系を
用いた場合、5mAの電流を消費するため、その消費電
流は多大なものとなってしまう。
【0004】一方、回路全体系の電圧をさげると、その
カウント処理をするマイクロコンピュータなどが高速で
動作できず、制御上の制約となることがあり、また他回
路とマイクロコンピュータがインタフェースを行う関係
でマイクロコンピュータの電圧を下げられないときもあ
る。
カウント処理をするマイクロコンピュータなどが高速で
動作できず、制御上の制約となることがあり、また他回
路とマイクロコンピュータがインタフェースを行う関係
でマイクロコンピュータの電圧を下げられないときもあ
る。
【0005】そこで、上記磁気センサ回路を電池にて駆
動した場合、その電池の消耗が激しく、電池の交換を頻
繁に行わなければならないという課題を有している。ま
た、不使用時の電流をスイッチングトランジスタでカッ
トする方法においては、インバータ帰還増幅の場合、磁
気抵抗素子の中点電位とインバータ帰還増幅回路の動作
点が異なるため、スイッチングトランジスタをオンした
後、抵抗を経由してコンデンサに電荷がチャージされる
ことになり、チャージが終わるまでは出力は不安定とな
る。
動した場合、その電池の消耗が激しく、電池の交換を頻
繁に行わなければならないという課題を有している。ま
た、不使用時の電流をスイッチングトランジスタでカッ
トする方法においては、インバータ帰還増幅の場合、磁
気抵抗素子の中点電位とインバータ帰還増幅回路の動作
点が異なるため、スイッチングトランジスタをオンした
後、抵抗を経由してコンデンサに電荷がチャージされる
ことになり、チャージが終わるまでは出力は不安定とな
る。
【0006】また、インバータ帰還増幅回路とシュミッ
トトリガの動作点を合わせるために、ダイオードや抵抗
を用いると部品点数が増えコストアップになり、個々の
部品のばらつきを正確に調整する手間もかかる。
トトリガの動作点を合わせるために、ダイオードや抵抗
を用いると部品点数が増えコストアップになり、個々の
部品のばらつきを正確に調整する手間もかかる。
【0007】そこで本発明は、上記課題に鑑みてなされ
たものであり、消費電流が少なく、しかも磁気センサ出
力に応じた矩形波を正確に出力する磁気センサ検出装置
を提供することを目的とする。
たものであり、消費電流が少なく、しかも磁気センサ出
力に応じた矩形波を正確に出力する磁気センサ検出装置
を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に記載の磁気センサ検出装置は、磁気セン
サを移動可能な磁気記録媒体の近傍に設け、その磁気記
録媒体の移動によって生じる上記磁気センサ出力を検出
する磁気センサ検出装置において、上記磁気センサ出力
の変化分を増幅する増幅回路と、上記増幅回路から出力
される増幅波形をデジタル波形に整形する波形整形回路
と、この波形整形回路の出力をカウントするカウント回
路と、上記磁気センサに印加する電源電圧を上記カウン
ト回路の電源よりも低電圧とする降圧回路とを具備した
ことを特徴とする。
に、請求項1に記載の磁気センサ検出装置は、磁気セン
サを移動可能な磁気記録媒体の近傍に設け、その磁気記
録媒体の移動によって生じる上記磁気センサ出力を検出
する磁気センサ検出装置において、上記磁気センサ出力
の変化分を増幅する増幅回路と、上記増幅回路から出力
される増幅波形をデジタル波形に整形する波形整形回路
と、この波形整形回路の出力をカウントするカウント回
路と、上記磁気センサに印加する電源電圧を上記カウン
ト回路の電源よりも低電圧とする降圧回路とを具備した
ことを特徴とする。
【0009】また、請求項2に記載の磁気センサ検出装
置は、磁気センサを移動可能な磁気記録媒体の近傍に設
け、その磁気記録媒体の移動によって生じる上記磁気セ
ンサ出力を検出する磁気センサ検出装置において、上記
磁気センサに接続され、磁気センサ出力の変化分のみを
次段回路に通過させるコンデンサと、上記磁気センサへ
の電源をオン、オフするスイッチング回路と、このスイ
ッチング回路をオンさせた後、所定時間経過後に上記磁
気センサの出力の利用を許可する使用許可手段とを具備
したことを特徴とする。
置は、磁気センサを移動可能な磁気記録媒体の近傍に設
け、その磁気記録媒体の移動によって生じる上記磁気セ
ンサ出力を検出する磁気センサ検出装置において、上記
磁気センサに接続され、磁気センサ出力の変化分のみを
次段回路に通過させるコンデンサと、上記磁気センサへ
の電源をオン、オフするスイッチング回路と、このスイ
ッチング回路をオンさせた後、所定時間経過後に上記磁
気センサの出力の利用を許可する使用許可手段とを具備
したことを特徴とする。
【0010】また、請求項3に記載の磁気センサ検出装
置は、磁気センサを移動可能な磁気記録媒体の近傍に設
け、その磁気記録媒体の移動によって生じる上記磁気セ
ンサ出力を検出する磁気センサ検出装置において、上記
磁気センサに接続され、磁気センサ出力の変化分のみを
通過させるコンデンサと、電気的特性が略等しい少なく
とも3個のインバータ回路により、帰還増幅回路および
波形整形回路を構成した磁気センサ出力処理回路とを具
備したことを特徴とする。
置は、磁気センサを移動可能な磁気記録媒体の近傍に設
け、その磁気記録媒体の移動によって生じる上記磁気セ
ンサ出力を検出する磁気センサ検出装置において、上記
磁気センサに接続され、磁気センサ出力の変化分のみを
通過させるコンデンサと、電気的特性が略等しい少なく
とも3個のインバータ回路により、帰還増幅回路および
波形整形回路を構成した磁気センサ出力処理回路とを具
備したことを特徴とする。
【0011】
【作用】本発明の磁気センサ検出装置は、磁気センサを
移動可能な磁気記録媒体の近傍に設け、その磁気記録媒
体の移動によって生じる上記磁気センサ出力を検出する
磁気センサ検出装置において、上記磁気センサ出力の変
化分が増幅回路により増幅され、上記増幅回路から出力
される増幅波形が波形整形回路によりデジタル波形に整
形される。
移動可能な磁気記録媒体の近傍に設け、その磁気記録媒
体の移動によって生じる上記磁気センサ出力を検出する
磁気センサ検出装置において、上記磁気センサ出力の変
化分が増幅回路により増幅され、上記増幅回路から出力
される増幅波形が波形整形回路によりデジタル波形に整
形される。
【0012】そして、この波形整形回路の出力がカウン
ト回路によりカウントされ、降圧回路により上記カウン
ト回路の電源よりも低電圧の電源電圧が上記磁気センサ
に印加される。
ト回路によりカウントされ、降圧回路により上記カウン
ト回路の電源よりも低電圧の電源電圧が上記磁気センサ
に印加される。
【0013】また、本発明の磁気センサ検出装置は、磁
気センサを移動可能な磁気記録媒体の近傍に設け、その
磁気記録媒体の移動によって生じる上記磁気センサ出力
を検出する磁気センサ検出装置において、上記磁気セン
サに接続されたコンデンサにより、上記磁気センサ出力
の変化分のみが次段回路に通過し、また上記磁気センサ
への電源がスイッチング回路によりオン、オフされる。
気センサを移動可能な磁気記録媒体の近傍に設け、その
磁気記録媒体の移動によって生じる上記磁気センサ出力
を検出する磁気センサ検出装置において、上記磁気セン
サに接続されたコンデンサにより、上記磁気センサ出力
の変化分のみが次段回路に通過し、また上記磁気センサ
への電源がスイッチング回路によりオン、オフされる。
【0014】そして、このスイッチング回路をオンさせ
た後、所定時間経過後に上記磁気センサの出力の利用が
使用許可手段により許可される。また、本発明の磁気セ
ンサ検出装置は、磁気センサを移動可能な磁気記録媒体
の近傍に設け、その磁気記録媒体の移動によって生じる
上記磁気センサ出力を検出する磁気センサ検出装置にお
いて、上記磁気センサに接続されたコンデンサにより、
上記磁気センサ出力の変化分のみが通過し、電気的特性
が略等しい少なくとも3個のインバータ回路により、磁
気センサ出力処理回路にて帰還増幅回路および波形整形
回路が構成される。
た後、所定時間経過後に上記磁気センサの出力の利用が
使用許可手段により許可される。また、本発明の磁気セ
ンサ検出装置は、磁気センサを移動可能な磁気記録媒体
の近傍に設け、その磁気記録媒体の移動によって生じる
上記磁気センサ出力を検出する磁気センサ検出装置にお
いて、上記磁気センサに接続されたコンデンサにより、
上記磁気センサ出力の変化分のみが通過し、電気的特性
が略等しい少なくとも3個のインバータ回路により、磁
気センサ出力処理回路にて帰還増幅回路および波形整形
回路が構成される。
【0015】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の磁気センサ検
出装置の実施例を説明する。図1は、本発明の第1実施
例の磁気センサ検出装置の構成を示す図である。マイク
ロコンピュータ(CPU)1の端子VDDは、電源V0 に
接続され、電源電圧VDD(5.5V)が印加される。さ
らにCPU1のスイッチ端子SWは抵抗13を介して上
記電源V0 に接続され、またトランジスタQ10のエミ
ッタも上記電源V0 に接続される。
出装置の実施例を説明する。図1は、本発明の第1実施
例の磁気センサ検出装置の構成を示す図である。マイク
ロコンピュータ(CPU)1の端子VDDは、電源V0 に
接続され、電源電圧VDD(5.5V)が印加される。さ
らにCPU1のスイッチ端子SWは抵抗13を介して上
記電源V0 に接続され、またトランジスタQ10のエミ
ッタも上記電源V0 に接続される。
【0016】さらに、上記トランジスタQ10のコレク
タには、ダイオードD1、D2が順方向に直列に接続さ
れ、上記トランジスタQ10のベースには保護用の抵抗
R11を介してCPU1のセンサオン端子MRONが接
続され、上記トランジスタQ10のベースとエミッタの
間にはベースプルアップ抵抗R12が接続される。
タには、ダイオードD1、D2が順方向に直列に接続さ
れ、上記トランジスタQ10のベースには保護用の抵抗
R11を介してCPU1のセンサオン端子MRONが接
続され、上記トランジスタQ10のベースとエミッタの
間にはベースプルアップ抵抗R12が接続される。
【0017】上記ダイオードD2のカソードと基準電圧
(0V)端の間には、磁気センサMR1、MR2が直列
に、またインバータIV1、IV2、IV3の電源端、
及びコンデンサC1が接続される。なお、上記磁気セン
サMR1、MR2は、強磁性薄膜抵抗素子などの磁気に
依存して電気抵抗が変化する素子にて成るものとする。
(0V)端の間には、磁気センサMR1、MR2が直列
に、またインバータIV1、IV2、IV3の電源端、
及びコンデンサC1が接続される。なお、上記磁気セン
サMR1、MR2は、強磁性薄膜抵抗素子などの磁気に
依存して電気抵抗が変化する素子にて成るものとする。
【0018】さらに、磁気センサMR1、MR2の接続
中点とCPU1のセンサイン端子MRINとの間には、
コンデンサC2、インバータIV3、抵抗R3、インバ
ータIV2、インバータIV1が直列に接続される。
中点とCPU1のセンサイン端子MRINとの間には、
コンデンサC2、インバータIV3、抵抗R3、インバ
ータIV2、インバータIV1が直列に接続される。
【0019】さらに、インバータIV3の入出力端間に
は抵抗R4が、またインバータIV2の入力端とインバ
ータIV1の出力端との間には抵抗R2が接続される。
なお、インバータIV1、IV2、IV3はワンチップ
で形成されたインバータであり、抵抗R4は帰還抵抗で
ある。
は抵抗R4が、またインバータIV2の入力端とインバ
ータIV1の出力端との間には抵抗R2が接続される。
なお、インバータIV1、IV2、IV3はワンチップ
で形成されたインバータであり、抵抗R4は帰還抵抗で
ある。
【0020】また、CPU1のスイッチ端子SWは、モ
ータスイッチMSWを介して基準電圧端に接続され、ま
たインバータIV1の出力端、CPU1のセンサイン端
子MRINの接続中点は、抵抗Rdを介して基準電圧端
に接続される。
ータスイッチMSWを介して基準電圧端に接続され、ま
たインバータIV1の出力端、CPU1のセンサイン端
子MRINの接続中点は、抵抗Rdを介して基準電圧端
に接続される。
【0021】また、CPU1のモータオン端子MTCT
は、モータドライバDV1を介して電源VE に接続さ
れ、さらに上記モータドライバDV1にはモータMT1
が接続される。
は、モータドライバDV1を介して電源VE に接続さ
れ、さらに上記モータドライバDV1にはモータMT1
が接続される。
【0022】以上のように構成された本発明の磁気セン
サ検出装置の動作について説明する。まず、マイクロコ
ンピュータ(CPU)1は、トランジスタQ10のオ
ン、またはオフやCPU1のセンサイン端子MRINに
入力されるパルスのカウント、またモータドライバDV
1の制御などを行う。
サ検出装置の動作について説明する。まず、マイクロコ
ンピュータ(CPU)1は、トランジスタQ10のオ
ン、またはオフやCPU1のセンサイン端子MRINに
入力されるパルスのカウント、またモータドライバDV
1の制御などを行う。
【0023】上記トランジスタQ10は、スイッチング
トランジスタであり、電源V0 からの電源電流をオン、
またはオフする。すなわち、トランジスタQ10で磁気
センサ検出装置の一部の電源遮断回路を構成している。
トランジスタであり、電源V0 からの電源電流をオン、
またはオフする。すなわち、トランジスタQ10で磁気
センサ検出装置の一部の電源遮断回路を構成している。
【0024】また、ダイオードD1、D2は、電源V0
の電圧を降下させるものであり、すなわち、ブロック3
で降圧回路を構成している。また、コンデンサC1は、
降圧系の電源平滑化のためのものであり、また磁気セン
サMR1、MR2はブリッジを組んでおり、ロータRT
1に着磁された磁気スケールが回転により移動すると、
上記磁気センサMR1、MR2の中点電位が変動する。
の電圧を降下させるものであり、すなわち、ブロック3
で降圧回路を構成している。また、コンデンサC1は、
降圧系の電源平滑化のためのものであり、また磁気セン
サMR1、MR2はブリッジを組んでおり、ロータRT
1に着磁された磁気スケールが回転により移動すると、
上記磁気センサMR1、MR2の中点電位が変動する。
【0025】そして、磁気センサMR1、MR2からの
出力は、バイパスコンデンサであるコンデンサC2によ
りその出力変化分のみが取り出され、インバータIV3
へ伝達される。
出力は、バイパスコンデンサであるコンデンサC2によ
りその出力変化分のみが取り出され、インバータIV3
へ伝達される。
【0026】そして、インバータIV3へ伝達されたそ
の出力は、帰還増幅回路を構成するインバータIV3と
抵抗R4により増幅される。さらに、この増幅された出
力は、シュミットトリガ回路を構成する抵抗R2、R
3、インバータIV1、IV2に伝達され、そして、そ
の出力がCPU1のセンサイン端子MRINへ入力され
る。
の出力は、帰還増幅回路を構成するインバータIV3と
抵抗R4により増幅される。さらに、この増幅された出
力は、シュミットトリガ回路を構成する抵抗R2、R
3、インバータIV1、IV2に伝達され、そして、そ
の出力がCPU1のセンサイン端子MRINへ入力され
る。
【0027】なお、抵抗R2、R3はヒステリシス用の
抵抗であり、上記抵抗R2、R3、インバータIV1、
IV2でシュミットトリガ回路を構成している。すなわ
ち、これらで構成されるブロック4で、磁気センサMR
1、MR2の出力増幅、及びその波形整形が行われる。
抵抗であり、上記抵抗R2、R3、インバータIV1、
IV2でシュミットトリガ回路を構成している。すなわ
ち、これらで構成されるブロック4で、磁気センサMR
1、MR2の出力増幅、及びその波形整形が行われる。
【0028】また、抵抗Rdはプルダウン抵抗であり、
トランジスタQ10がオフされたときに、CPU1のセ
ンサイン端子MRINへの入力が不安定になるのを防止
する。
トランジスタQ10がオフされたときに、CPU1のセ
ンサイン端子MRINへの入力が不安定になるのを防止
する。
【0029】なお、ロータRT1はマグネットロータで
あり、一定のピッチで着磁されている。そして、モータ
MT1とロータRT1は機械的に連結されており、上記
ロータRT1の回転に伴って発生する、センサイン端子
MRINへ入力されるパルスに基づき、CPU1がモー
タオン端子MTCTからモータドライバDV1のオン、
またはオフの制御信号を出力する。
あり、一定のピッチで着磁されている。そして、モータ
MT1とロータRT1は機械的に連結されており、上記
ロータRT1の回転に伴って発生する、センサイン端子
MRINへ入力されるパルスに基づき、CPU1がモー
タオン端子MTCTからモータドライバDV1のオン、
またはオフの制御信号を出力する。
【0030】次に、トランジスタQ10をオン、または
オフしたときの信号の状態について説明する。図2は、
上記トランジスタQ10をオン、またはオフしたときの
信号波形を示す図であり、図3は上述した図1に示した
インバータIV3、コンデンサC2の周辺部の拡大図で
ある。
オフしたときの信号の状態について説明する。図2は、
上記トランジスタQ10をオン、またはオフしたときの
信号波形を示す図であり、図3は上述した図1に示した
インバータIV3、コンデンサC2の周辺部の拡大図で
ある。
【0031】一般的に、CMOSのインバータなどは、
NーchトランジスタとPーchトランジスタの電流の
吐き出し、吸い込み能力の差から、抵抗R4の抵抗値を
100KΩ位にして帰還増幅をした場合は、中間点S2
の電圧は1/2VDDにならず、やや高い方にずれること
が多い。
NーchトランジスタとPーchトランジスタの電流の
吐き出し、吸い込み能力の差から、抵抗R4の抵抗値を
100KΩ位にして帰還増幅をした場合は、中間点S2
の電圧は1/2VDDにならず、やや高い方にずれること
が多い。
【0032】一方、磁気センサMR1、MR2は特性を
合わせるために、ブリッジを組みその抵抗値はほぼ同じ
場合が多く、ほぼ1/2VDDとなる。なお、上記磁気セ
ンサMR1、MR2の抵抗値は各々1KΩ位の場合が多
い。
合わせるために、ブリッジを組みその抵抗値はほぼ同じ
場合が多く、ほぼ1/2VDDとなる。なお、上記磁気セ
ンサMR1、MR2の抵抗値は各々1KΩ位の場合が多
い。
【0033】したがって、その電位差によりコンデンサ
C2がチャージされるが、そのとき、抵抗R4の抵抗値
100KΩに電流が流れて上記コンデンサC2をチャー
ジしていくため、1KΩ系の中間点S1に対して中間点
S2の電位安定が大幅に遅れる。
C2がチャージされるが、そのとき、抵抗R4の抵抗値
100KΩに電流が流れて上記コンデンサC2をチャー
ジしていくため、1KΩ系の中間点S1に対して中間点
S2の電位安定が大幅に遅れる。
【0034】よって、図2に示すように、時間T0 でト
ランジスタQ10をオンしても、安定時間Twが経過し
た時間T1にてようやく安定することとなる。この安定
時間Twが経過する前の不安定状態で動作を開始する
と、誤パルスが発生するなどの問題点が考えられる。
ランジスタQ10をオンしても、安定時間Twが経過し
た時間T1にてようやく安定することとなる。この安定
時間Twが経過する前の不安定状態で動作を開始する
と、誤パルスが発生するなどの問題点が考えられる。
【0035】よって、時間T0 からT1への間はCPU
1のセンサイン端子MRINへの入力を行わないように
する必要がある。図4は、上記第1実施例の磁気センサ
検出装置の動作を説明するためのフローチャートであ
る。
1のセンサイン端子MRINへの入力を行わないように
する必要がある。図4は、上記第1実施例の磁気センサ
検出装置の動作を説明するためのフローチャートであ
る。
【0036】まず、モータスイッチMSWがオンされる
と(ステップS102)、CPU1はセンサオン端子M
RONからの出力信号を“H”から“L”にして、トラ
ンジスタQ10をオンさせる(ステップS103)。
と(ステップS102)、CPU1はセンサオン端子M
RONからの出力信号を“H”から“L”にして、トラ
ンジスタQ10をオンさせる(ステップS103)。
【0037】すると、ブロック4には、ブロック3で降
圧された電圧がかかる。トランジスタQ10をオンした
後、CPU1は中間点S2が安定する時間の経過後に
(ステップS104)、センサイン端子MRINへの信
号の入力を許可し、モータオン端子MTCTからの出力
信号によりモータMT1をオンさせる(ステップS10
5)。
圧された電圧がかかる。トランジスタQ10をオンした
後、CPU1は中間点S2が安定する時間の経過後に
(ステップS104)、センサイン端子MRINへの信
号の入力を許可し、モータオン端子MTCTからの出力
信号によりモータMT1をオンさせる(ステップS10
5)。
【0038】次に、CPU1のセンサイン端子MRIN
へパルスが入力されたか否かを判定し(ステップS10
6)、パルスの入力あればパルスを内部レジスタでカウ
ントアップし(ステップS107)、パルスの入力がな
ければ再度ステップS106の判定を行う、すなわちセ
ンサイン端子MRINへパルスが入力されるまでステッ
プS106の判定を繰り返し行う。
へパルスが入力されたか否かを判定し(ステップS10
6)、パルスの入力あればパルスを内部レジスタでカウ
ントアップし(ステップS107)、パルスの入力がな
ければ再度ステップS106の判定を行う、すなわちセ
ンサイン端子MRINへパルスが入力されるまでステッ
プS106の判定を繰り返し行う。
【0039】そして、ステップS107でカウントアッ
プを行った後、所定のパルス数に達したか否かを判定し
(ステップS108)、達していなければステップS1
06へ戻り、達していればCPU1のモータオン端子M
TCTからの出力信号によりモータMT1をオフさせる
(ステップS109)。
プを行った後、所定のパルス数に達したか否かを判定し
(ステップS108)、達していなければステップS1
06へ戻り、達していればCPU1のモータオン端子M
TCTからの出力信号によりモータMT1をオフさせる
(ステップS109)。
【0040】さらに、モータMT1をオフした後、トラ
ンジスタQ10をオフしてブロック4の電流をカットし
(ステップS110)、動作を終了する(ステップS1
11)。
ンジスタQ10をオフしてブロック4の電流をカットし
(ステップS110)、動作を終了する(ステップS1
11)。
【0041】なお、この第1実施例によれば、ブロック
3により、磁気センサMR1、MR2を含むブロック4
の回路系の電圧を電源電圧VDDよりも低くしているた
め、このブロック4の回路系の電圧が電源電圧VDDのと
きに比べて、消費電流を少なくすることができる。
3により、磁気センサMR1、MR2を含むブロック4
の回路系の電圧を電源電圧VDDよりも低くしているた
め、このブロック4の回路系の電圧が電源電圧VDDのと
きに比べて、消費電流を少なくすることができる。
【0042】さらに、高速動作を行うために高電圧が必
要なCPU1に対しては、電源電圧VDDがそのまま印加
できるため、正常な高速動作を確保することができる。
また、トランジスタQ10をオンさせてから、中間点S
2が安定するまでの所定時間、CPU1のセンサイン端
子MRINの使用を禁止するために、誤パルスによる誤
動作がない。
要なCPU1に対しては、電源電圧VDDがそのまま印加
できるため、正常な高速動作を確保することができる。
また、トランジスタQ10をオンさせてから、中間点S
2が安定するまでの所定時間、CPU1のセンサイン端
子MRINの使用を禁止するために、誤パルスによる誤
動作がない。
【0043】さらに、インバータIV1、IV2、IV
3を全て同一チップのインバータにより構成しているた
め、インバータIV1、IV2、IV3の動作点が合っ
ており、CPU1のセンサイン端子MRINへ入力され
るパルスデューティが調整することなしにほぼ50%に
なる。
3を全て同一チップのインバータにより構成しているた
め、インバータIV1、IV2、IV3の動作点が合っ
ており、CPU1のセンサイン端子MRINへ入力され
るパルスデューティが調整することなしにほぼ50%に
なる。
【0044】このため、上記センサイン端子MRINへ
入力されるパルス信号をその立ち上がりエッジと立ち下
がりエッジで、共にカウントしたり、また速度を検出す
る場合にも、上記カウントまたは検出をバラツキなく正
確に行うことができる。
入力されるパルス信号をその立ち上がりエッジと立ち下
がりエッジで、共にカウントしたり、また速度を検出す
る場合にも、上記カウントまたは検出をバラツキなく正
確に行うことができる。
【0045】さらに、降圧回路にダイオードを用いてい
るので、レギュレータなどに比べ安価であり、またトラ
ンジスタQ10がオフのときに、CPU1のセンサイン
端子MRINが不定にならないようにプルダウン抵抗R
dが設けられているので、CPU1のセンサイン端子M
RINへの入力が保護される。
るので、レギュレータなどに比べ安価であり、またトラ
ンジスタQ10がオフのときに、CPU1のセンサイン
端子MRINが不定にならないようにプルダウン抵抗R
dが設けられているので、CPU1のセンサイン端子M
RINへの入力が保護される。
【0046】また、ブロック4にかかる電圧を安定させ
るコンデンサC1により、ノイズを少なくでき、さらに
磁気センサMR1、MR2、及び増幅回路、波形整形回
路が同一電圧約4.1Vと同一基準電圧との間に構成さ
れるので、外部ノイズなどにも、同相ノイズであるため
強いものとなる。
るコンデンサC1により、ノイズを少なくでき、さらに
磁気センサMR1、MR2、及び増幅回路、波形整形回
路が同一電圧約4.1Vと同一基準電圧との間に構成さ
れるので、外部ノイズなどにも、同相ノイズであるため
強いものとなる。
【0047】さらに、電源電圧VDDからブロック4まで
の降圧電圧を1.4V程度にしているので、CPU1の
センサイン端子MRINへの入力は0Vか、または約
4.1Vになる。
の降圧電圧を1.4V程度にしているので、CPU1の
センサイン端子MRINへの入力は0Vか、または約
4.1Vになる。
【0048】一般的に、CMOSは、電源電圧の0.7
倍の電圧が入力されると“H”と認識する。したがっ
て、ここでもCMOS入力が十分に“H”または“L”
を識別できるため、レベルシフタが不要である。
倍の電圧が入力されると“H”と認識する。したがっ
て、ここでもCMOS入力が十分に“H”または“L”
を識別できるため、レベルシフタが不要である。
【0049】図5は、本発明の第2実施例の磁気センサ
検出装置の構成を示す図である。マイクロコンピュータ
(CPU)1の端子VDDは、電源V0 に接続され、電源
電圧VDD(5.5V)が印加される。さらにCPU1の
スイッチ端子SWは抵抗13を介して上記電源V0 に接
続され、またトランジスタQ10のエミッタ、抵抗Ru
の一端が上記電源V0 に接続される。
検出装置の構成を示す図である。マイクロコンピュータ
(CPU)1の端子VDDは、電源V0 に接続され、電源
電圧VDD(5.5V)が印加される。さらにCPU1の
スイッチ端子SWは抵抗13を介して上記電源V0 に接
続され、またトランジスタQ10のエミッタ、抵抗Ru
の一端が上記電源V0 に接続される。
【0050】さらに、上記トランジスタQ10のコレク
タには、ツェナーダイオードZ1が逆方向に接続され、
上記トランジスタQ10のベースには保護用の抵抗R1
1を介してCPU1のセンサオン端子MRONが接続さ
れ、上記トランジスタQ10のベースとエミッタの間に
はベースプルアップ抵抗R12が接続される。
タには、ツェナーダイオードZ1が逆方向に接続され、
上記トランジスタQ10のベースには保護用の抵抗R1
1を介してCPU1のセンサオン端子MRONが接続さ
れ、上記トランジスタQ10のベースとエミッタの間に
はベースプルアップ抵抗R12が接続される。
【0051】上記ツェナーダイオードZ1のアノードと
基準電圧(0V)端の間には、磁気センサMR1、MR
2が直列に、またインバータIV1、IV2、IV3の
電源端、コンデンサC1が接続される。なお、上記第1
実施例と同様に上記磁気センサMR1、MR2は、強磁
性薄膜抵抗素子などの磁気に依存して電気抵抗が変化す
る素子にて成るものとする。
基準電圧(0V)端の間には、磁気センサMR1、MR
2が直列に、またインバータIV1、IV2、IV3の
電源端、コンデンサC1が接続される。なお、上記第1
実施例と同様に上記磁気センサMR1、MR2は、強磁
性薄膜抵抗素子などの磁気に依存して電気抵抗が変化す
る素子にて成るものとする。
【0052】さらに、磁気センサMR1、MR2の接続
中点とCPU1のセンサイン端子MRINとの間には、
コンデンサC2、インバータIV3、抵抗R3、インバ
ータIV2、インバータIV1、抵抗22、トランジス
タQ20が直列に接続される。
中点とCPU1のセンサイン端子MRINとの間には、
コンデンサC2、インバータIV3、抵抗R3、インバ
ータIV2、インバータIV1、抵抗22、トランジス
タQ20が直列に接続される。
【0053】さらに、インバータIV3の入出力端間に
は抵抗R4が、またインバータIV2の入力端とインバ
ータIV1の出力端との間には抵抗R2が接続される。
なお、トランジスタQ20のベース側には抵抗R22の
一端が接続され、上記トランジスタQ20のコレクタに
は抵抗Ruの他端、CPU1のセンサイン端子MRIN
がそれぞれ接続され、また上記トランジスタQ20のエ
ミッタは基準電圧端に接続される。
は抵抗R4が、またインバータIV2の入力端とインバ
ータIV1の出力端との間には抵抗R2が接続される。
なお、トランジスタQ20のベース側には抵抗R22の
一端が接続され、上記トランジスタQ20のコレクタに
は抵抗Ruの他端、CPU1のセンサイン端子MRIN
がそれぞれ接続され、また上記トランジスタQ20のエ
ミッタは基準電圧端に接続される。
【0054】なお、上記トランジスタQ20のベースと
エミッタの間にはベースプルアップ抵抗R21が接続さ
れる。また、CPU1のスイッチ端子SWは、モータス
イッチMSWを介して基準電圧端に接続される。
エミッタの間にはベースプルアップ抵抗R21が接続さ
れる。また、CPU1のスイッチ端子SWは、モータス
イッチMSWを介して基準電圧端に接続される。
【0055】また、CPU1のモータオン端子MTCT
は、モータドライバDV1を介して電源VE に接続さ
れ、さらに上記モータドライバDV1にはモータMT1
が接続される。
は、モータドライバDV1を介して電源VE に接続さ
れ、さらに上記モータドライバDV1にはモータMT1
が接続される。
【0056】すなわち、この第2実施例と上記第1実施
例との異なる点を上げれば、ブロック3の降圧回路がツ
ェナーダイオードZ1、例えば、ツェナー電圧2V、で
構成されること、またトランジスタQ20、保護抵抗R
22、プルダウン抵抗R21、およびプルアップ抵抗R
uによるレベルシフト回路が設けられることである。
例との異なる点を上げれば、ブロック3の降圧回路がツ
ェナーダイオードZ1、例えば、ツェナー電圧2V、で
構成されること、またトランジスタQ20、保護抵抗R
22、プルダウン抵抗R21、およびプルアップ抵抗R
uによるレベルシフト回路が設けられることである。
【0057】この第2実施例によれば、このような構成
により、上述したようにレベルシフト回路があるため、
ブロック4にかかる電圧を上記第1実施例での4.1V
より低い、例えば3.5Vや3VにしてもCPU1は確
実にパルスをカウントすることができる。
により、上述したようにレベルシフト回路があるため、
ブロック4にかかる電圧を上記第1実施例での4.1V
より低い、例えば3.5Vや3VにしてもCPU1は確
実にパルスをカウントすることができる。
【0058】また、降圧回路としてのブロック3にツェ
ナーダイオードZ1を用いるため、大幅な降圧を行う場
合でも1素子で済むため、スペースを取らない。なお、
上記第1、第2実施例においては、降圧回路としてのブ
ロック3はダイオードD1、D2やツェナーダイオード
Z1に限るわけではなく、レギュレータなどの同等の機
能を有する他の回路素子にて構成しても良い。
ナーダイオードZ1を用いるため、大幅な降圧を行う場
合でも1素子で済むため、スペースを取らない。なお、
上記第1、第2実施例においては、降圧回路としてのブ
ロック3はダイオードD1、D2やツェナーダイオード
Z1に限るわけではなく、レギュレータなどの同等の機
能を有する他の回路素子にて構成しても良い。
【0059】また、磁気センサMR1、MR2にかかる
電圧のみを下げても効果がある。さらに、磁気センサM
R1、MR2の出力はインバータIV3を用いて増幅を
行ったが、これは上記インバータIV3に限るわけでは
なく、トランジスタを用いた増幅回路、オペアンプを用
いた増幅回路などの同等の機能を有するものにて行って
も良い。
電圧のみを下げても効果がある。さらに、磁気センサM
R1、MR2の出力はインバータIV3を用いて増幅を
行ったが、これは上記インバータIV3に限るわけでは
なく、トランジスタを用いた増幅回路、オペアンプを用
いた増幅回路などの同等の機能を有するものにて行って
も良い。
【0060】また、パルスのカウントはマイクロコンピ
ュータ(CPU)以外のデジタル回路で行っても良い
し、またスイッチング素子であるトランジスタQ10も
リレー、その他のスイッチングデバイスなどの同等の機
能を有するものにて構成しても良い。
ュータ(CPU)以外のデジタル回路で行っても良い
し、またスイッチング素子であるトランジスタQ10も
リレー、その他のスイッチングデバイスなどの同等の機
能を有するものにて構成しても良い。
【0061】以上述べたように上記各実施例によれば、
磁気センサの抵抗値が小さくても電源電流を抑えること
ができ、かつカウント処理するマイクロコンピュータな
どの回路は高い電源電圧による高速動作が可能となる。
磁気センサの抵抗値が小さくても電源電流を抑えること
ができ、かつカウント処理するマイクロコンピュータな
どの回路は高い電源電圧による高速動作が可能となる。
【0062】また、磁気センサ検出装置を使用しないと
きには電流をカットでき、かつ電源を再度オンしても過
渡状態における不安定な出力の検出を防ぐことができ
る。また、インバータ帰還増幅回路と波形整形回路との
動作点を、特別な部材や個々の調整を行わずに合わせる
ことができる。
きには電流をカットでき、かつ電源を再度オンしても過
渡状態における不安定な出力の検出を防ぐことができ
る。また、インバータ帰還増幅回路と波形整形回路との
動作点を、特別な部材や個々の調整を行わずに合わせる
ことができる。
【0063】なお、本発明の上記実施態様によれば、以
下のごとき構成が得られる。 (1)磁気センサを移動可能な磁気記録媒体の近傍に設
け、その磁気記録媒体の移動によって生じる上記磁気セ
ンサ出力を検出する磁気センサ検出装置において、上記
磁気センサ出力の変化分を増幅する増幅回路と、上記増
幅回路から出力される増幅波形をデジタル波形に整形す
る波形整形回路と、この波形整形回路の出力をカウント
するカウント回路と、上記磁気センサに印加する電源電
圧を上記カウント回路の電源よりも低電圧とする降圧回
路と、を具備したことを特徴とする磁気センサ検出装
置。
下のごとき構成が得られる。 (1)磁気センサを移動可能な磁気記録媒体の近傍に設
け、その磁気記録媒体の移動によって生じる上記磁気セ
ンサ出力を検出する磁気センサ検出装置において、上記
磁気センサ出力の変化分を増幅する増幅回路と、上記増
幅回路から出力される増幅波形をデジタル波形に整形す
る波形整形回路と、この波形整形回路の出力をカウント
するカウント回路と、上記磁気センサに印加する電源電
圧を上記カウント回路の電源よりも低電圧とする降圧回
路と、を具備したことを特徴とする磁気センサ検出装
置。
【0064】(2)上記降圧回路は、上記磁気センサに
印加される電圧が上記磁気センサの抵抗値に関わらず略
一定となる電圧降下素子よりなる上記(1)に記載の磁
気センサ検出装置。
印加される電圧が上記磁気センサの抵抗値に関わらず略
一定となる電圧降下素子よりなる上記(1)に記載の磁
気センサ検出装置。
【0065】(3)上記電圧降下素子は、ダイオードま
たはツェナーダイオードよりなる上記(2)に記載の磁
気センサ検出装置。 (4)上記降圧回路に専用の電源平滑回路を設けた上記
(1)乃至(3)に記載の磁気センサ検出装置。
たはツェナーダイオードよりなる上記(2)に記載の磁
気センサ検出装置。 (4)上記降圧回路に専用の電源平滑回路を設けた上記
(1)乃至(3)に記載の磁気センサ検出装置。
【0066】(5)上記電源平滑回路は少なくともコン
デンサを有する上記(4)に記載の磁気センサ検出装
置。 (6)上記降圧回路によって降下された電圧は元の電源
電圧の0.7倍以上で、降圧系の出力は、上記カウント
回路に直結される上記(1)乃至(5)に記載の磁気セ
ンサ検出装置。
デンサを有する上記(4)に記載の磁気センサ検出装
置。 (6)上記降圧回路によって降下された電圧は元の電源
電圧の0.7倍以上で、降圧系の出力は、上記カウント
回路に直結される上記(1)乃至(5)に記載の磁気セ
ンサ検出装置。
【0067】(7)少なくとも上記磁気センサに上記降
圧回路による降圧電圧の印加の制御を行うスイッチング
素子を有する上記(1)乃至(6)に記載の磁気センサ
検出装置。
圧回路による降圧電圧の印加の制御を行うスイッチング
素子を有する上記(1)乃至(6)に記載の磁気センサ
検出装置。
【0068】(8)移動体の移動に伴う磁場の変化する
位置に配置され、上記磁場の変化に応じて抵抗が変化す
る磁気センサと、この磁気センサに印加する電圧を電源
電圧より降圧する降圧回路と、上記磁気センサの出力を
波形整形する波形整形手段と、この波形整形手段の出力
をカウントするカウント手段と、を具備したことを特徴
とする磁気センサ検出装置。
位置に配置され、上記磁場の変化に応じて抵抗が変化す
る磁気センサと、この磁気センサに印加する電圧を電源
電圧より降圧する降圧回路と、上記磁気センサの出力を
波形整形する波形整形手段と、この波形整形手段の出力
をカウントするカウント手段と、を具備したことを特徴
とする磁気センサ検出装置。
【0069】(9)磁気センサを移動可能な磁気記録媒
体の近傍に設け、その磁気記録媒体の移動によって生じ
る上記磁気センサ出力を検出する磁気センサ検出装置に
おいて、上記磁気センサに接続され、磁気センサ出力の
変化分のみを次段回路に透過させるコンデンサと、上記
磁気センサへの電源をオン、オフするスイッチング回路
と、このスイッチング回路をオンさせた後、所定時間の
インターバルをとってから上記磁気センサの出力の利用
を許可する使用許可手段と、を具備したことを特徴とす
る磁気センサ検出装置。
体の近傍に設け、その磁気記録媒体の移動によって生じ
る上記磁気センサ出力を検出する磁気センサ検出装置に
おいて、上記磁気センサに接続され、磁気センサ出力の
変化分のみを次段回路に透過させるコンデンサと、上記
磁気センサへの電源をオン、オフするスイッチング回路
と、このスイッチング回路をオンさせた後、所定時間の
インターバルをとってから上記磁気センサの出力の利用
を許可する使用許可手段と、を具備したことを特徴とす
る磁気センサ検出装置。
【0070】(10)上記次段回路は、インバータ帰還
増幅回路を有する上記(9)に記載の磁気センサ検出装
置。 (11)上記所定時間は、上記インバータ帰還増幅回路
の帰還抵抗と上記コンデンサによる時定数と略等しい上
記(10)に記載の磁気センサ検出装置。
増幅回路を有する上記(9)に記載の磁気センサ検出装
置。 (11)上記所定時間は、上記インバータ帰還増幅回路
の帰還抵抗と上記コンデンサによる時定数と略等しい上
記(10)に記載の磁気センサ検出装置。
【0071】(12)上記所定時間は、上記コンデンサ
を含む時定数素子による時定数と略等しいことを特徴と
する上記(9)に記載の磁気センサ検出装置。 (13)上記使用許可手段によって利用許可されると、
上記磁気センサ出力を波形整形した信号のカウント動作
を行う上記(9)乃至(12)に記載の磁気センサ検出
装置。
を含む時定数素子による時定数と略等しいことを特徴と
する上記(9)に記載の磁気センサ検出装置。 (13)上記使用許可手段によって利用許可されると、
上記磁気センサ出力を波形整形した信号のカウント動作
を行う上記(9)乃至(12)に記載の磁気センサ検出
装置。
【0072】(14)磁気センサを移動可能な磁気記録
媒体の近傍に設け、その磁気記録媒体の移動によって生
じる上記磁気センサ出力を検出する磁気センサ検出装置
において、上記磁気センサに接続され、磁気センサ出力
の変化分のみを次段回路に透過させるコンデンサと、同
一チップ上に形成された3個のインバータ回路により、
帰還増幅回路及び波形整形回路を構成した磁気センサ出
力処理回路と、を具備したことを特徴とする磁気センサ
検出装置。
媒体の近傍に設け、その磁気記録媒体の移動によって生
じる上記磁気センサ出力を検出する磁気センサ検出装置
において、上記磁気センサに接続され、磁気センサ出力
の変化分のみを次段回路に透過させるコンデンサと、同
一チップ上に形成された3個のインバータ回路により、
帰還増幅回路及び波形整形回路を構成した磁気センサ出
力処理回路と、を具備したことを特徴とする磁気センサ
検出装置。
【0073】(15)上記磁気記録媒体には磁気スケー
ルが着磁されている上記(1)乃至(14)に記載の磁
気センサ検出装置。さらに、上記(1)乃至(8)の実
施態様によれば、磁気センサに印加する電圧を電源電圧
に比較して低くすることができるので、磁気センサにお
ける消費電力を従来に比べ、低下させることができる。
ルが着磁されている上記(1)乃至(14)に記載の磁
気センサ検出装置。さらに、上記(1)乃至(8)の実
施態様によれば、磁気センサに印加する電圧を電源電圧
に比較して低くすることができるので、磁気センサにお
ける消費電力を従来に比べ、低下させることができる。
【0074】なお、上記(8)の実施態様と上記(2)
乃至(7)の実施態様の組み合わせを行っても良い。ま
た、上記(2)、(3)の実施態様によれば、上記磁気
センサにほぼ一定の電圧が印加されるので、磁気センサ
からの出力が安定し、正確に検出を行うことができる。
乃至(7)の実施態様の組み合わせを行っても良い。ま
た、上記(2)、(3)の実施態様によれば、上記磁気
センサにほぼ一定の電圧が印加されるので、磁気センサ
からの出力が安定し、正確に検出を行うことができる。
【0075】また、上記(4)、(5)の実施態様によ
れば、磁気センサの電源ラインのインピーダンスを低下
させることができる。上記(6)の実施態様によれば、
CMOSを使用した場合に、“H”または“L”を十分
識別でき、電源電圧がカウント回路より低くても、レベ
ルシフタが不用となる。
れば、磁気センサの電源ラインのインピーダンスを低下
させることができる。上記(6)の実施態様によれば、
CMOSを使用した場合に、“H”または“L”を十分
識別でき、電源電圧がカウント回路より低くても、レベ
ルシフタが不用となる。
【0076】上記(7)の実施態様によれば、磁気セン
サによる検出動作時のみ通電することが可能となるの
で、消費電流をさらに低下させることができる。また、
上記(9)乃至(13)の実施態様によれば、磁気セン
サの出力の変化分のみを取り出すためのコンデンサが安
定状態になってから磁気センサの出力を検出することが
できるので、正確な検出を行うことができる。
サによる検出動作時のみ通電することが可能となるの
で、消費電流をさらに低下させることができる。また、
上記(9)乃至(13)の実施態様によれば、磁気セン
サの出力の変化分のみを取り出すためのコンデンサが安
定状態になってから磁気センサの出力を検出することが
できるので、正確な検出を行うことができる。
【0077】上記(10)の実施態様によれば、次段回
路としてインバータ帰還増幅回路を使用するので回路が
簡単となる。上記(11)、(12)の実施態様によれ
ば、所定時間を最適にすることができる。
路としてインバータ帰還増幅回路を使用するので回路が
簡単となる。上記(11)、(12)の実施態様によれ
ば、所定時間を最適にすることができる。
【0078】また、上記(13)の実施態様によれば、
利用許可された後に、カウント動作を行うので、正確な
カウント動作となる。上記(14)の実施態様によれ
ば、同一チップ上にインバータ回路が形成されているの
で、動作点が一致しており、ばらつきなく正確に検出す
ることができる。
利用許可された後に、カウント動作を行うので、正確な
カウント動作となる。上記(14)の実施態様によれ
ば、同一チップ上にインバータ回路が形成されているの
で、動作点が一致しており、ばらつきなく正確に検出す
ることができる。
【0079】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、消費
電流が少なく、しかも磁気センサ出力に応じた矩形波を
正確に出力する磁気センサ検出装置を提供することが可
能となる。
電流が少なく、しかも磁気センサ出力に応じた矩形波を
正確に出力する磁気センサ検出装置を提供することが可
能となる。
【図1】本発明の第1実施例の磁気センサ検出装置の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図2】上記第1実施例におけるトランジスタQ10を
オン、またはオフしたときの信号波形を示す図である。
オン、またはオフしたときの信号波形を示す図である。
【図3】図1に示したインバータIV3、コンデンサC
2の周辺部の拡大図である。
2の周辺部の拡大図である。
【図4】上記第1実施例の磁気センサ検出装置の動作を
説明するためのフローチャートである。
説明するためのフローチャートである。
【図5】本発明の第2実施例の磁気センサ検出装置の構
成を示す図である。
成を示す図である。
1…マイクロコンピュータ(CPU)、2,3,4…ブ
ロック、MR1,MR2…磁気センサ、IV1,IV
2,IV3…インバータ、Q10…トランジスタ、D
1,D2…ダイオード、R1,R2,R3,R4,R1
1,R12,R13,Rd…抵抗、C1,C2…コンデ
ンサ、MSW…モータスイッチ、DV1…モータドライ
バ、MT1…モータ、RT1…ロータ。
ロック、MR1,MR2…磁気センサ、IV1,IV
2,IV3…インバータ、Q10…トランジスタ、D
1,D2…ダイオード、R1,R2,R3,R4,R1
1,R12,R13,Rd…抵抗、C1,C2…コンデ
ンサ、MSW…モータスイッチ、DV1…モータドライ
バ、MT1…モータ、RT1…ロータ。
Claims (3)
- 【請求項1】 磁気センサを移動可能な磁気記録媒体の
近傍に設け、その磁気記録媒体の移動によって生じる上
記磁気センサ出力を検出する磁気センサ検出装置におい
て、 上記磁気センサ出力の変化分を増幅する増幅回路と、 上記増幅回路から出力される増幅波形をデジタル波形に
整形する波形整形回路と、 この波形整形回路の出力をカウントするカウント回路
と、 上記磁気センサに印加する電源電圧を上記カウント回路
の電源よりも低電圧とする降圧回路と、 を具備したことを特徴とする磁気センサ検出装置。 - 【請求項2】 磁気センサを移動可能な磁気記録媒体の
近傍に設け、その磁気記録媒体の移動によって生じる上
記磁気センサ出力を検出する磁気センサ検出装置におい
て、 上記磁気センサに接続され、磁気センサ出力の変化分の
みを次段回路に通過させるコンデンサと、 上記磁気センサへの電源をオン、オフするスイッチング
回路と、 このスイッチング回路をオンさせた後、所定時間経過後
に上記磁気センサの出力の利用を許可する使用許可手段
と、 を具備したことを特徴とする磁気センサ検出装置。 - 【請求項3】 磁気センサを移動可能な磁気記録媒体の
近傍に設け、その磁気記録媒体の移動によって生じる上
記磁気センサ出力を検出する磁気センサ検出装置におい
て、 上記磁気センサに接続され、磁気センサ出力の変化分の
みを通過させるコンデンサと、 電気的特性が略等しい少なくとも3個のインバータ回路
により、帰還増幅回路および波形整形回路を構成した磁
気センサ出力処理回路と、 を具備したことを特徴とする磁気センサ検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2099794A JPH07235001A (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | 磁気センサ検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2099794A JPH07235001A (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | 磁気センサ検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07235001A true JPH07235001A (ja) | 1995-09-05 |
Family
ID=12042761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2099794A Withdrawn JPH07235001A (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | 磁気センサ検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07235001A (ja) |
-
1994
- 1994-02-18 JP JP2099794A patent/JPH07235001A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010508 |