JPH07239930A - 画像読取装置 - Google Patents
画像読取装置Info
- Publication number
- JPH07239930A JPH07239930A JP6028186A JP2818694A JPH07239930A JP H07239930 A JPH07239930 A JP H07239930A JP 6028186 A JP6028186 A JP 6028186A JP 2818694 A JP2818694 A JP 2818694A JP H07239930 A JPH07239930 A JP H07239930A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bias voltage
- pixel
- image
- photo detection
- semiconductor region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Image Input (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Image Signal Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 バイアス電圧の切り替えによって極めて容易
にかつ実時間でマスク処理のなされた画像の取り込みを
行うことが可能となる。 【構成】 第１の導電型の半導体領域１の表面に、所定
の間隔を隔てて第２の導電型の第１および第２の半導体
層２ａ，２ｂを形成しその半導体層の表面にそれぞれ第
１および第２の電極３ａ，３ｂを形成することにより、
導電型の半導体領域と第１および第２の半導体層との間
に所定の間隔を隔てた２つのｐｎ接合を構成し、第１お
よび第２の電極の間にバイアス電圧を印加し、光電流を
検出する光検出部を１画素とし、この１画素を多数個配
列し、同時に複数画素の光検出を行うように構成された
光検出手段であって、実行しようとする画像処理項目の
重み付け関数に応じたバイアス電圧を各光検出部に印加
し、前記複数の光検出部の出力に基づいて、所定画素の
特徴抽出を実時間で行う。
にかつ実時間でマスク処理のなされた画像の取り込みを
行うことが可能となる。 【構成】 第１の導電型の半導体領域１の表面に、所定
の間隔を隔てて第２の導電型の第１および第２の半導体
層２ａ，２ｂを形成しその半導体層の表面にそれぞれ第
１および第２の電極３ａ，３ｂを形成することにより、
導電型の半導体領域と第１および第２の半導体層との間
に所定の間隔を隔てた２つのｐｎ接合を構成し、第１お
よび第２の電極の間にバイアス電圧を印加し、光電流を
検出する光検出部を１画素とし、この１画素を多数個配
列し、同時に複数画素の光検出を行うように構成された
光検出手段であって、実行しようとする画像処理項目の
重み付け関数に応じたバイアス電圧を各光検出部に印加
し、前記複数の光検出部の出力に基づいて、所定画素の
特徴抽出を実時間で行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、画像読取装置に係り、
特に複数の領域の読取り出力から画素の特徴抽出を実時
間で行い、これを当該画素の画情報として出力する画像
処理機能を備えた画像読取装置に関する。
特に複数の領域の読取り出力から画素の特徴抽出を実時
間で行い、これを当該画素の画情報として出力する画像
処理機能を備えた画像読取装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ホトダイオードアレイ等の光検出
手段を用いて画像の読取りを行い、特徴抽出を行うに際
し、ホトダイオードアレイ等の光検出手段の出力を一旦
メモリに蓄積した後情報を処理しやすい形に特徴抽出す
るための前処理を行い、その加工されたデータを認識ア
ルゴリズムにかけ必要な結果を得るようにしている。
手段を用いて画像の読取りを行い、特徴抽出を行うに際
し、ホトダイオードアレイ等の光検出手段の出力を一旦
メモリに蓄積した後情報を処理しやすい形に特徴抽出す
るための前処理を行い、その加工されたデータを認識ア
ルゴリズムにかけ必要な結果を得るようにしている。
【０００３】すなわち、この従来の画像読取り方式を用
いた画像認識の一例を図１７に示すように、ＣＣＤカメ
ラ、ホトダイオードアレイ等の光検出手段１１を用いて
被写体を読取り、この読取り信号を一旦第１の画像メモ
リ１２に入れ、画像メモリから所定の領域の読取り信号
を読みだし、ロビンソンオペレータ等を用いて処理を行
い（画像処理部１３）、この画像処理部の出力を第２の
画像メモリ１４に格納し、この格納された信号から画像
認識１５を行うようになっている。
いた画像認識の一例を図１７に示すように、ＣＣＤカメ
ラ、ホトダイオードアレイ等の光検出手段１１を用いて
被写体を読取り、この読取り信号を一旦第１の画像メモ
リ１２に入れ、画像メモリから所定の領域の読取り信号
を読みだし、ロビンソンオペレータ等を用いて処理を行
い（画像処理部１３）、この画像処理部の出力を第２の
画像メモリ１４に格納し、この格納された信号から画像
認識１５を行うようになっている。
【０００４】この画像処理による特徴抽出方法の１つで
あるロビンソンオペレータの動作について説明する。
あるロビンソンオペレータの動作について説明する。
【０００５】これはイメージセンサやホトダイオードア
レイ等のラインセンサを用いて時間軸−座標軸平面のｍ
×ｎ配列のデータを第１の画像メモリ１２にストック
し、順次読み出して３×３データのロビンソンオペレー
ティングを実行し、図１８(a)乃至図１８(c) に示すよ
うに濃度勾配とその方向を各座標ごとに決定していくよ
うになっている。
レイ等のラインセンサを用いて時間軸−座標軸平面のｍ
×ｎ配列のデータを第１の画像メモリ１２にストック
し、順次読み出して３×３データのロビンソンオペレー
ティングを実行し、図１８(a)乃至図１８(c) に示すよ
うに濃度勾配とその方向を各座標ごとに決定していくよ
うになっている。
【０００６】図１８(a) は第１の画像メモリ２の注目画
素のまわりの２次元データを示し、図１８(b) に示すよ
うにこの注目画素のまわりの画素をａｂｃｄｅｆｇｈと
し、図１８(c) に示すように重み付け演算処理を行い、
最も大きいベクトルを注目画素の濃度勾配データとして
採用するようにしている。このようにして濃度勾配とそ
の方向を決定し、エッジ抽出を行うことになる。
素のまわりの２次元データを示し、図１８(b) に示すよ
うにこの注目画素のまわりの画素をａｂｃｄｅｆｇｈと
し、図１８(c) に示すように重み付け演算処理を行い、
最も大きいベクトルを注目画素の濃度勾配データとして
採用するようにしている。このようにして濃度勾配とそ
の方向を決定し、エッジ抽出を行うことになる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
式では、センサの出力が認識アルゴリズムにかけられる
までに、メモリへの蓄積、読みだし等の前処理を必要と
するため、システムが複雑となり処理に時間がかかるう
え、多大なメモリ領域が必要となり装置が大型化すると
いう問題があった。
式では、センサの出力が認識アルゴリズムにかけられる
までに、メモリへの蓄積、読みだし等の前処理を必要と
するため、システムが複雑となり処理に時間がかかるう
え、多大なメモリ領域が必要となり装置が大型化すると
いう問題があった。
【０００８】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、小型で、かつ実時間で読取りおよび画像処理を行う
ことのできる画像読取装置を提供することを目的とす
る。
で、小型で、かつ実時間で読取りおよび画像処理を行う
ことのできる画像読取装置を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、第１の
導電型の半導体領域の表面に、所定の間隔を隔てて第２
の導電型の第１および第２の半導体層を形成するととも
に、前記第１および第２の半導体層の表面にそれぞれ第
１および第２の電極を形成することにより、前記第１の
導電型の半導体領域と前記第１および第２の半導体層と
の間に前記所定の間隔を隔てた２つのｐｎ接合を構成
し、前記第１および第２の電極の間にバイアス電圧を印
加し、光電流を検出する光検出部を１画素とし、この１
画素を多数個配列し、同時に複数画素の光検出を行うよ
うに構成された光検出手段と、実行しようとする画像処
理項目に応じて必要とする重み付け関数を決定し、各画
素に対し、重み付け関数に応じたバイアス電圧を決定す
る決定手段と、前記決定手段によって決定された前記バ
イアス電圧を各光検出部に印加し、前記複数の光検出部
の出力に基づいて、所定画素の特徴抽出を実時間で行
い、これを当該画素の画情報として出力する駆動処理手
段とを具備したことにある。
導電型の半導体領域の表面に、所定の間隔を隔てて第２
の導電型の第１および第２の半導体層を形成するととも
に、前記第１および第２の半導体層の表面にそれぞれ第
１および第２の電極を形成することにより、前記第１の
導電型の半導体領域と前記第１および第２の半導体層と
の間に前記所定の間隔を隔てた２つのｐｎ接合を構成
し、前記第１および第２の電極の間にバイアス電圧を印
加し、光電流を検出する光検出部を１画素とし、この１
画素を多数個配列し、同時に複数画素の光検出を行うよ
うに構成された光検出手段と、実行しようとする画像処
理項目に応じて必要とする重み付け関数を決定し、各画
素に対し、重み付け関数に応じたバイアス電圧を決定す
る決定手段と、前記決定手段によって決定された前記バ
イアス電圧を各光検出部に印加し、前記複数の光検出部
の出力に基づいて、所定画素の特徴抽出を実時間で行
い、これを当該画素の画情報として出力する駆動処理手
段とを具備したことにある。
【００１０】
【作用】上記構成によれば、バイアス電圧を変化させる
ことにより、光検出部では実際の光情報に重み付けをし
たものを光出力として得ることが容易に可能となる。し
たがって、複数の光検出部において実際の光情報（光強
度）に重み付けした状態で加算して取り出すことによ
り、所定画素の特徴抽出を実時間で行い、これを当該画
素の画情報として出力するようにしているため、前処理
が不要でかつメモリを必要とせず、極めて容易にかつ実
時間で特徴抽出を行うことが可能となる。減算の場合は
バイアス電圧を−にすればよく、バイアス電圧を調整す
るのみで重み付け演算が極めて容易に可能となり、所望
のフィルタを介した読取りを自在に行うことができる。
ことにより、光検出部では実際の光情報に重み付けをし
たものを光出力として得ることが容易に可能となる。し
たがって、複数の光検出部において実際の光情報（光強
度）に重み付けした状態で加算して取り出すことによ
り、所定画素の特徴抽出を実時間で行い、これを当該画
素の画情報として出力するようにしているため、前処理
が不要でかつメモリを必要とせず、極めて容易にかつ実
時間で特徴抽出を行うことが可能となる。減算の場合は
バイアス電圧を−にすればよく、バイアス電圧を調整す
るのみで重み付け演算が極めて容易に可能となり、所望
のフィルタを介した読取りを自在に行うことができる。
【００１１】本発明の原理を説明する。まず図１，図２
(a) および(b) に示すように例えばｎ型のシリコン基板
１表面に、間隔Ｗを隔ててそれぞれ櫛形をなすようにｐ
型拡散層からなる第１および第２の半導体層２ａ，２ｂ
を形成するとともに、この表面の一部にそれぞれ１つづ
つアルミニウム層などからなる第１および第２の電極３
ａ，３ｂを形成し、１画素を構成するようにしたもので
ある。この素子ではバイアス電圧をかけると図２(a) に
示すようにこのバイアス電圧に依存して空乏層４が生成
され、光照射により空乏層中に電子−正孔対が生成され
ることになり、これが電界によりドリフトして光電流が
流れる。また図２(b) に示すようにバイアスの極性を逆
にすると光電流の流れも逆になる。図３および図４にこ
の光電流と光強度およびバイアス電圧との関係を測定し
た結果を示す。この結果から明らかなように、光電流は
バイアス電圧に比例すると共に光強度にも比例する。
(a) および(b) に示すように例えばｎ型のシリコン基板
１表面に、間隔Ｗを隔ててそれぞれ櫛形をなすようにｐ
型拡散層からなる第１および第２の半導体層２ａ，２ｂ
を形成するとともに、この表面の一部にそれぞれ１つづ
つアルミニウム層などからなる第１および第２の電極３
ａ，３ｂを形成し、１画素を構成するようにしたもので
ある。この素子ではバイアス電圧をかけると図２(a) に
示すようにこのバイアス電圧に依存して空乏層４が生成
され、光照射により空乏層中に電子−正孔対が生成され
ることになり、これが電界によりドリフトして光電流が
流れる。また図２(b) に示すようにバイアスの極性を逆
にすると光電流の流れも逆になる。図３および図４にこ
の光電流と光強度およびバイアス電圧との関係を測定し
た結果を示す。この結果から明らかなように、光電流は
バイアス電圧に比例すると共に光強度にも比例する。
【００１２】本発明はこの点に着目してなされたもの
で、同じ強さの光に対してもバイアス電圧によって光電
流に重み付けを行うことが可能であることを利用し、ソ
ーベルフィルタやラプラシアンフィルタをかけたのと同
等の読取り出力を実時間で得ることができ、容易に所望
の画像の読取りを行うことが可能となる。ここで櫛形を
なすようにｐｎ接合を形成したのは、占有面積当たりに
示す接合領域の割合をできるだけ大きくし、感度を上げ
るためである。
で、同じ強さの光に対してもバイアス電圧によって光電
流に重み付けを行うことが可能であることを利用し、ソ
ーベルフィルタやラプラシアンフィルタをかけたのと同
等の読取り出力を実時間で得ることができ、容易に所望
の画像の読取りを行うことが可能となる。ここで櫛形を
なすようにｐｎ接合を形成したのは、占有面積当たりに
示す接合領域の割合をできるだけ大きくし、感度を上げ
るためである。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
つつ詳細に説明する。
つつ詳細に説明する。
【００１４】図５は本発明の第１の実施例のエッジ検出
を行うことのできる画像読取装置のブロック図、図６は
同装置の光検出手段の２次元平面図である。
を行うことのできる画像読取装置のブロック図、図６は
同装置の光検出手段の２次元平面図である。
【００１５】この装置は、図１および図２に示したよう
に、ｎ型のシリコン基板１表面に、所定の間隔を隔てた
２つのｐｎ接合を構成し、このｐｎ接合の間にバイアス
電圧を印加し、光電流を検出する光検出部を１画素と
し、この１画素を多数個配列し、同時に複数画素の光検
出を行うように構成された光検出手段２１と、重み付け
関数を決定し、各画素に対応する光検出部に対し、重み
付け関数に応じたバイアス電圧を決定する決定手段２２
と、前記決定手段２２によって決定された前記バイアス
電圧を各光検出部に印加し、前記複数の光検出部の出力
に基づいて、所定画素の特徴抽出を実時間で行い、これ
を当該画素の画情報としてソーベルオペレータマスクの
かけられた状態で出力する駆動処理手段２３と、この光
検出手段２１の出力を格納するメモリ２４と、このメモ
リ２４からとりだした画情報に基づき、Ｘ方向の出力の
絶対値の２乗とＹ方向の出力の絶対値の２乗との和の平
方根をとり、これをエッジ強度情報として出力する演算
処理手段２５とを具備したことを特徴とする。
に、ｎ型のシリコン基板１表面に、所定の間隔を隔てた
２つのｐｎ接合を構成し、このｐｎ接合の間にバイアス
電圧を印加し、光電流を検出する光検出部を１画素と
し、この１画素を多数個配列し、同時に複数画素の光検
出を行うように構成された光検出手段２１と、重み付け
関数を決定し、各画素に対応する光検出部に対し、重み
付け関数に応じたバイアス電圧を決定する決定手段２２
と、前記決定手段２２によって決定された前記バイアス
電圧を各光検出部に印加し、前記複数の光検出部の出力
に基づいて、所定画素の特徴抽出を実時間で行い、これ
を当該画素の画情報としてソーベルオペレータマスクの
かけられた状態で出力する駆動処理手段２３と、この光
検出手段２１の出力を格納するメモリ２４と、このメモ
リ２４からとりだした画情報に基づき、Ｘ方向の出力の
絶対値の２乗とＹ方向の出力の絶対値の２乗との和の平
方根をとり、これをエッジ強度情報として出力する演算
処理手段２５とを具備したことを特徴とする。
【００１６】ここでは、光検出手段２１は、２つのｐｎ
接合から構成された感度可変受光素子ＰＤ（１，１）〜
ＰＤ（５，５）１０を５×５個配列してアレイを構成し
たもので、図７はその要部拡大図である。各素子は図１
および２に示したのと同様にｎ型シリコン基板１表面に
ｐ型拡散層からなる第１および第２の半導体層２ａ，２
ｂを形成するとともに、さらにこの第１および第２の半
導体層２ａ，２ｂ表面に第１および第２の電極３ａ，３
ｂを形成したものから構成されている。そしてこれらは
スイッチＳＷY1〜ＳＷY5，ＳＷX1〜ＳＷX5を介して出力
端子ＴO ，接地端子ＴG ，それぞれ１Ｖ，−１Ｖ，２
Ｖ，−２Ｖのバイアス端子ＴB に切り替え可能なように
構成されている。
接合から構成された感度可変受光素子ＰＤ（１，１）〜
ＰＤ（５，５）１０を５×５個配列してアレイを構成し
たもので、図７はその要部拡大図である。各素子は図１
および２に示したのと同様にｎ型シリコン基板１表面に
ｐ型拡散層からなる第１および第２の半導体層２ａ，２
ｂを形成するとともに、さらにこの第１および第２の半
導体層２ａ，２ｂ表面に第１および第２の電極３ａ，３
ｂを形成したものから構成されている。そしてこれらは
スイッチＳＷY1〜ＳＷY5，ＳＷX1〜ＳＷX5を介して出力
端子ＴO ，接地端子ＴG ，それぞれ１Ｖ，−１Ｖ，２
Ｖ，−２Ｖのバイアス端子ＴB に切り替え可能なように
構成されている。
【００１７】次に、この画像読取装置を用いた画像の読
取り動作について説明する。
取り動作について説明する。
【００１８】まず、スイッチＳＷX1およびＳＷY1を図８
に示すように設定することにより、画素ＰＤ（１，１）
の画像の取り込みを行う。
に示すように設定することにより、画素ＰＤ（１，１）
の画像の取り込みを行う。
【００１９】続いて、スイッチＳＷX2およびＳＷY1を図
９に示すように設定することにより、取り込む画素を画
素ＰＤ（２，１）に進める。
９に示すように設定することにより、取り込む画素を画
素ＰＤ（２，１）に進める。
【００２０】このようにして順次画素ＰＤ（１，１）〜
画素ＰＤ（５，５）の通常画像の取り込みを行う。
画素ＰＤ（５，５）の通常画像の取り込みを行う。
【００２１】次にＹ方向３×３のソーベルオペレータマ
スクのかけられた画像を取り込む方法について説明す
る。図１０に示すように、スイッチＳＷY1を１Ｖおよび
２Ｖのバイアス電圧端子に接続することにより、画素Ｐ
Ｄ（１，１），画素ＰＤ（３，１）に１Ｖの重みバイア
スを印加するとともに、画素ＰＤ（２，１）に２Ｖの重
みバイアスを印加する。またスイッチＳＷY3を−１Ｖ，
−２Ｖのバイアス端子に接続することにより、画素ＰＤ
（１，３），画素ＰＤ（３，３）に−１Ｖの重みバイア
スを印加し画素ＰＤ（２，３）に−２Ｖの重みバイアス
を印加する。このときのそれぞれの出力電流はＳＷX1，
ＳＷX2，ＳＷX3を出力端子ＴO に接続することにより加
算され、３×３のソーベルオペレータマスクのかかった
読取り出力を得ることができる。
スクのかけられた画像を取り込む方法について説明す
る。図１０に示すように、スイッチＳＷY1を１Ｖおよび
２Ｖのバイアス電圧端子に接続することにより、画素Ｐ
Ｄ（１，１），画素ＰＤ（３，１）に１Ｖの重みバイア
スを印加するとともに、画素ＰＤ（２，１）に２Ｖの重
みバイアスを印加する。またスイッチＳＷY3を−１Ｖ，
−２Ｖのバイアス端子に接続することにより、画素ＰＤ
（１，３），画素ＰＤ（３，３）に−１Ｖの重みバイア
スを印加し画素ＰＤ（２，３）に−２Ｖの重みバイアス
を印加する。このときのそれぞれの出力電流はＳＷX1，
ＳＷX2，ＳＷX3を出力端子ＴO に接続することにより加
算され、３×３のソーベルオペレータマスクのかかった
読取り出力を得ることができる。
【００２２】さらに図１１および図１２に示すようにス
イッチＳＷY1，ＳＷY3を切り替え、ＳＷX1，ＳＷX2，Ｓ
ＷX3，ＳＷX4，ＳＷX5を切り替えることにより、３×３
のマスクを走査することができる。
イッチＳＷY1，ＳＷY3を切り替え、ＳＷX1，ＳＷX2，Ｓ
ＷX3，ＳＷX4，ＳＷX5を切り替えることにより、３×３
のマスクを走査することができる。
【００２３】またＸ方向３×３のソーベルオペレータマ
スクのかけられた画像を取り込む場合についても同様に
図１３乃至図１５に示すようにスイッチを切り替えるこ
とにより容易に形成可能である。
スクのかけられた画像を取り込む場合についても同様に
図１３乃至図１５に示すようにスイッチを切り替えるこ
とにより容易に形成可能である。
【００２４】このようにして被写体を読取り、この信号
を２５画素の読取り出力から、Ｘ方向の出力の絶対値の
２乗とＹ方向の出力の絶対値の２乗との和の平方根をと
り、これをエッジ強度情報として出力するようになって
いる。
を２５画素の読取り出力から、Ｘ方向の出力の絶対値の
２乗とＹ方向の出力の絶対値の２乗との和の平方根をと
り、これをエッジ強度情報として出力するようになって
いる。
【００２５】かかる装置によれば、読取りおよび特徴抽
出が実時間で行われ、極めて容易に短時間で画像認識を
行うことができる。
出が実時間で行われ、極めて容易に短時間で画像認識を
行うことができる。
【００２６】また、画像処理に際して、一旦メモリにい
れておく必要があるのは、２５画素の読取り出力から、
Ｘ方向の出力の絶対値の２乗とＹ方向の出力の絶対値の
２乗との和の平方根をとる演算を行う間のみであり、メ
モリ領域が小さくて済み、装置の小型化をはかることが
可能である。この装置は静止画像例えば印鑑の照合に有
効である。
れておく必要があるのは、２５画素の読取り出力から、
Ｘ方向の出力の絶対値の２乗とＹ方向の出力の絶対値の
２乗との和の平方根をとる演算を行う間のみであり、メ
モリ領域が小さくて済み、装置の小型化をはかることが
可能である。この装置は静止画像例えば印鑑の照合に有
効である。
【００２７】なお、ロビンソンオペレータマスクにより
濃度勾配や濃度方向を得る場合には、一旦メモリに入れ
ておく必要はなく、図５における光検出手段２１の出力
がそのまま重み付け演算の出力であり、ロビンソンオペ
レータマスクに相当するバイアスを決定手段２２によっ
て決定し駆動処理手段２３によってこれを印加すること
により、自動的に重み付け演算を行うことができる。
濃度勾配や濃度方向を得る場合には、一旦メモリに入れ
ておく必要はなく、図５における光検出手段２１の出力
がそのまま重み付け演算の出力であり、ロビンソンオペ
レータマスクに相当するバイアスを決定手段２２によっ
て決定し駆動処理手段２３によってこれを印加すること
により、自動的に重み付け演算を行うことができる。
【００２８】前記実施例ではソーベルフィルタマスクに
ついて説明したが、ラプラシアンフィルタマスクをかけ
て微分画像の取り込みを行う場合にもバイアス電圧の切
り替えによって極めて容易に処理を行うことができる。
この一例として３×３のラプラシアンフィルタマスクを
かけた場合の端子接続例を図１６に示す。マスク走査
は、スイッチＳＷY1，ＳＷY2，ＳＷY3を切り替え、ＳＷ
X1，ＳＷX2，ＳＷX3，ＳＷX4，ＳＷX5を切り替えること
により、容易に実行可能である。
ついて説明したが、ラプラシアンフィルタマスクをかけ
て微分画像の取り込みを行う場合にもバイアス電圧の切
り替えによって極めて容易に処理を行うことができる。
この一例として３×３のラプラシアンフィルタマスクを
かけた場合の端子接続例を図１６に示す。マスク走査
は、スイッチＳＷY1，ＳＷY2，ＳＷY3を切り替え、ＳＷ
X1，ＳＷX2，ＳＷX3，ＳＷX4，ＳＷX5を切り替えること
により、容易に実行可能である。
【００２９】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、バイアス電圧の切り替えによって極めて容易にかつ
実時間でマスク処理のなされた画像の取り込みを行うこ
とが可能となる。
ば、バイアス電圧の切り替えによって極めて容易にかつ
実時間でマスク処理のなされた画像の取り込みを行うこ
とが可能となる。
【図１】本発明の画像読取装置の原理説明図
【図２】本発明の画像読取装置の原理説明図
【図３】同装置における光電流と照射光強度との関係を
示す図
示す図
【図４】同装置における光電流とバイアス電圧との関係
を示す図
を示す図
【図５】本発明実施例の画像読取装置を示すブロック図
【図６】本発明実施例の画像読取装置を示す説明図
【図７】同装置の要部拡大図
【図８】同装置を用いた通常画像の取り込み状態を示す
図
図
【図９】同装置を用いた通常画像の取り込み状態を示す
図
図
【図１０】同装置を用いてＹ方向の３×３ソーベルオペ
レータマスクをかけたときの画像の取り込み状態を示す
図
レータマスクをかけたときの画像の取り込み状態を示す
図
【図１１】同装置を用いてＹ方向の３×３ソーベルオペ
レータマスクをかけたときの画像の取り込み状態を示す
図
レータマスクをかけたときの画像の取り込み状態を示す
図
【図１２】同装置を用いてＹ方向の３×３ソーベルオペ
レータマスクをかけたときの画像の取り込み状態を示す
図
レータマスクをかけたときの画像の取り込み状態を示す
図
【図１３】同装置を用いてＸ方向の３×３ソーベルオペ
レータマスクをかけたときの画像の取り込み状態を示す
図
レータマスクをかけたときの画像の取り込み状態を示す
図
【図１４】同装置を用いてＸ方向の３×３ソーベルオペ
レータマスクをかけたときの画像の取り込み状態を示す
図
レータマスクをかけたときの画像の取り込み状態を示す
図
【図１５】同装置を用いてＸ方向の３×３ソーベルオペ
レータマスクをかけたときの画像の取り込み状態を示す
図
レータマスクをかけたときの画像の取り込み状態を示す
図
【図１６】同装置でラプラシアンオペレータマスクをか
けたときの画像の取り込み状態を示す図
けたときの画像の取り込み状態を示す図
【図１７】従来例の画像認識装置を示す図
【図１８】従来例のロビンソンオペレータを用いた画像
認識の説明図
認識の説明図
１ ｎ型シリコン基板 ２ａ，２ｂ 半導体層（ｐ型拡散層） ３ａ，３ｂ 電極 １１ 光検出手段 １２ 第１の画像メモリ １３ 画像処理部 １４ 第２の画像メモリ １５ 画像認識 ２１ 光検出手段 ２２ 決定手段 ２３ 駆動処理手段 ２４ メモリ ２５ 演算処理手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｎ 1/40 １０１ Ｄ
Claims (1)
- 【請求項１】 第１の導電型の半導体領域の表面に、所
定の間隔を隔てて第２の導電型の第１および第２の半導
体層を形成するとともに、前記第１および第２の半導体
層の表面にそれぞれ第１および第２の電極を形成するこ
とにより、前記第１の導電型の半導体領域と前記第１お
よび第２の半導体層との間に前記所定の間隔を隔てた２
つのｐｎ接合を構成し、前記第１および第２の電極の間
にバイアス電圧を印加し、光電流を検出する光検出部を
１画素とし、この１画素を多数個配列し、同時に複数画
素の光検出を行うように構成された光検出手段と、 実行しようとする画像処理項目に応じて必要とする重み
付け関数を決定し、各画素に対し、重み付け関数に応じ
たバイアス電圧を決定する決定手段と、 前記決定手段によって決定された前記バイアス電圧を各
光検出部に印加し、前記複数の光検出部の出力に基づい
て、所定画素の特徴抽出を実時間で行い、これを当該画
素の画情報として出力する駆動処理手段とを具備したこ
とを特徴とする画像読取装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6028186A JPH07239930A (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | 画像読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6028186A JPH07239930A (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | 画像読取装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07239930A true JPH07239930A (ja) | 1995-09-12 |
Family
ID=12241675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6028186A Pending JPH07239930A (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | 画像読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07239930A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005517219A (ja) * | 2002-02-02 | 2005-06-09 | キネティック リミテッド | 焦点面検出器 |
-
1994
- 1994-02-25 JP JP6028186A patent/JPH07239930A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005517219A (ja) * | 2002-02-02 | 2005-06-09 | キネティック リミテッド | 焦点面検出器 |
| US7795569B2 (en) | 2002-02-02 | 2010-09-14 | Qinetiq Limited | Focal plane detector with integral processor for object edge determination |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7999858B2 (en) | Method and apparatus for obtaining high dynamic range images | |
| US9749521B2 (en) | Image sensor with in-pixel depth sensing | |
| US10567684B2 (en) | System and method for using filtering and pixel correlation to increase sensitivity in image sensors | |
| US9076703B2 (en) | Method and apparatus to use array sensors to measure multiple types of data at full resolution of the sensor | |
| US6069351A (en) | Focal plane processor for scaling information from image sensors | |
| JP3887420B2 (ja) | 多重解像度読出しを備えた能動ピクセルセンサアレイ | |
| US20130126703A1 (en) | Imaging Detecting with Automated Sensing of an Object or Characteristic of that Object | |
| WO2008042137A2 (en) | Imaging method, apparatus and system having extended depth of field | |
| US6747808B2 (en) | Electronic imaging device focusing | |
| US5717201A (en) | Double four-quadrant angle-position detector | |
| CN112738365B (zh) | 成像设备和信息处理系统 | |
| JPH07239930A (ja) | 画像読取装置 | |
| US20080002909A1 (en) | Reconstructing Blurred High Resolution Images | |
| KR20220170090A (ko) | 멀티-뷰 이미지에서 노이즈 감소를 위한 장치 및 방법 | |
| EP4248649B1 (en) | Image capture apparatus | |
| Choubey et al. | Variable layout CMOS pixels for end-to-end learning in task specific image sensors | |
| Massie et al. | Neuromorphic infrared focal plane performs sensor fusion on-plane local-contrast-enhancement spatial and temporal filtering | |
| JP4574988B2 (ja) | 焦点面検出器 | |
| JP2009540548A (ja) | カラー画像センサ | |
| US7460165B2 (en) | Photo-array layout for monitoring image statistics | |
| US20240127407A1 (en) | Image sensor apparatus for capturing depth information | |
| JPH0854283A (ja) | 画像入力装置 | |
| Funatsu et al. | An artificial retina chip made of a 128 x 128 pn-np variable-sensitivity photodetector array | |
| CN118176738A (zh) | 捕获彩色图像的方法和系统 | |
| Kim et al. | A CMOS foveated retina chip for edge detection |