JPH07240657A - 一方向性弾性表面波変換器 - Google Patents
一方向性弾性表面波変換器Info
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- JPH07240657A JPH07240657A JP3104594A JP3104594A JPH07240657A JP H07240657 A JPH07240657 A JP H07240657A JP 3104594 A JP3104594 A JP 3104594A JP 3104594 A JP3104594 A JP 3104594A JP H07240657 A JPH07240657 A JP H07240657A
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- fingers
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明の目的は、一方向性弾性表面波変換
器において、外部の位相器を必要とせず、基本動作波長
で表される単位セクション内の電極指本数を必要最小限
にし、基本波動作による高周波領域のＩＤＴを作製する
場合においても、超微細電極の作製を必要としない一方
向性ＩＤＴの構成を提供することにある。 【構成】 本発明は、圧電体基板或いは圧電体薄膜を有
する基板１にインターディジタルトランスデューサを配
置して弾性表面波を励振或いは伝搬してきた弾性表面波
を受信するデバイスにおいて、ある電極対（２ａ，３
ａ）の構成と他の電極対（２ｂ，３ｂ）の構成が異なる
ことを特徴とする一方向性弾性表面波変換器である。
器において、外部の位相器を必要とせず、基本動作波長
で表される単位セクション内の電極指本数を必要最小限
にし、基本波動作による高周波領域のＩＤＴを作製する
場合においても、超微細電極の作製を必要としない一方
向性ＩＤＴの構成を提供することにある。 【構成】 本発明は、圧電体基板或いは圧電体薄膜を有
する基板１にインターディジタルトランスデューサを配
置して弾性表面波を励振或いは伝搬してきた弾性表面波
を受信するデバイスにおいて、ある電極対（２ａ，３
ａ）の構成と他の電極対（２ｂ，３ｂ）の構成が異なる
ことを特徴とする一方向性弾性表面波変換器である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一方向性弾性表面波変
換器に関するものである。
換器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＶＨＦ〜ＵＨＦ帯の高周波領域に
おける広帯域低損失フィルターとしてトランスバーサル
型弾性表面波（以下、ＳＡＷと示す）フィルターが広く
用いられてきた。しかしながら、トランスバーサル型Ｓ
ＡＷフィルターは、インターディジタル変換器（以下、
ＩＤＴと示す）の双方向性損失のために６ｄＢ以上の損
失があり、低損失化を図るためには一方向性ＩＤＴを用
いる必要がある。
おける広帯域低損失フィルターとしてトランスバーサル
型弾性表面波（以下、ＳＡＷと示す）フィルターが広く
用いられてきた。しかしながら、トランスバーサル型Ｓ
ＡＷフィルターは、インターディジタル変換器（以下、
ＩＤＴと示す）の双方向性損失のために６ｄＢ以上の損
失があり、低損失化を図るためには一方向性ＩＤＴを用
いる必要がある。
【０００３】そこで、従来から各種の一方向性ＩＤＴが
提案され、また、改良された一方向性ＩＤＴが提案され
ている。例えば、（ａ）３種のＩＤＴ電極指に各々零
度、１２０度及び２４０度の位相差を有する信号を印加
する三相一方向性ＩＤＴが知られており、特開平３−１
２５５１０号公報に改良された一方向性ＩＤＴが開示さ
れている。（ｂ）一般のＩＤＴ電極指間をミアンダライ
ンを設け、これを接地するグループ型一方向性ＩＤＴが
提案されており、特開昭６４−２７３０６号公報などに
改良された一方向性ＩＤＴが開示されている。（ｃ）Ｉ
ＤＴの正負電極指の間に開放型または短絡型の浮き電極
を配置した内部反射型一方向性ＩＤＴが各種提案されて
おり、特開平３−１１９８１５号公報、特開平３−１３
３２０９号公報において改良された一方向性ＩＤＴが提
案されている。また、特開平３−１６３０９号公報に作
製法が開示されている。
提案され、また、改良された一方向性ＩＤＴが提案され
ている。例えば、（ａ）３種のＩＤＴ電極指に各々零
度、１２０度及び２４０度の位相差を有する信号を印加
する三相一方向性ＩＤＴが知られており、特開平３−１
２５５１０号公報に改良された一方向性ＩＤＴが開示さ
れている。（ｂ）一般のＩＤＴ電極指間をミアンダライ
ンを設け、これを接地するグループ型一方向性ＩＤＴが
提案されており、特開昭６４−２７３０６号公報などに
改良された一方向性ＩＤＴが開示されている。（ｃ）Ｉ
ＤＴの正負電極指の間に開放型または短絡型の浮き電極
を配置した内部反射型一方向性ＩＤＴが各種提案されて
おり、特開平３−１１９８１５号公報、特開平３−１３
３２０９号公報において改良された一方向性ＩＤＴが提
案されている。また、特開平３−１６３０９号公報に作
製法が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、（ａ）
の多相一方向性ＩＤＴは、その製造が極めて困難であっ
たり、外部に位相器を要するという欠点があった。ま
た、（ｂ）のグループ型一方向性ＩＤＴも９０度位相器
（具体的にはコイル）を必要とする上、ミアンダライン
の総延長が長くなり、オーミックな損失に基づくフィル
ターの挿入損失が大となるという欠点があった。さら
に、（ｃ）の内部反射型一方向性ＩＤＴは位相器は不要
であるが、基本動作波長で表される単位セクション内の
電極指本数が多く、基本波動作により高周波領域のＩＤ
Ｔを作製する場合には超微細電極の作製を必要とすると
いう欠点があり、いずれも満足すべきものではなかっ
た。
の多相一方向性ＩＤＴは、その製造が極めて困難であっ
たり、外部に位相器を要するという欠点があった。ま
た、（ｂ）のグループ型一方向性ＩＤＴも９０度位相器
（具体的にはコイル）を必要とする上、ミアンダライン
の総延長が長くなり、オーミックな損失に基づくフィル
ターの挿入損失が大となるという欠点があった。さら
に、（ｃ）の内部反射型一方向性ＩＤＴは位相器は不要
であるが、基本動作波長で表される単位セクション内の
電極指本数が多く、基本波動作により高周波領域のＩＤ
Ｔを作製する場合には超微細電極の作製を必要とすると
いう欠点があり、いずれも満足すべきものではなかっ
た。
【０００５】そこで本発明は一方向性弾性表面波変換器
において、外部の位相器を必要とせず、基本動作波長で
表される単位セクション内の電極指本数を必要最小限に
し、基本波動作による高周波領域のＩＤＴを作製する場
合においても、超微細電極の作製を必要としない一方向
性ＩＤＴの構成を提供することにある。
において、外部の位相器を必要とせず、基本動作波長で
表される単位セクション内の電極指本数を必要最小限に
し、基本波動作による高周波領域のＩＤＴを作製する場
合においても、超微細電極の作製を必要としない一方向
性ＩＤＴの構成を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、圧電体基板或
いは圧電体薄膜を有する基板にインターディジタルトラ
ンスデューサを配置して弾性表面波を励振或いは伝搬し
てきた弾性表面波を受信するデバイスにおいて、ある電
極対の構成と、他の電極対の構成が異なることを特徴と
する一方向性弾性表面波変換器である。より具体的に
は、ある電極対を構成する二つの電極指或いはそのどち
らか一方の電極指の導電性薄膜と、他の電極対を構成す
る二つの電極指或いはそのどちらか一方の電極指の導電
性薄膜の種類或いは膜厚が異なることを特徴とする一方
向性弾性表面波変換器であり、更には、ある電極対を構
成する二つの電極指或いはそのどちらか一方の電極指の
幅或いは二つの電極指の中心間距離と、他の電極対を構
成する二つの電極指或いはそのどちらか一方の電極指の
幅或いは二つの電極指の中心間距離が異なることを特徴
とする一方向性弾性表面波変換器である。
いは圧電体薄膜を有する基板にインターディジタルトラ
ンスデューサを配置して弾性表面波を励振或いは伝搬し
てきた弾性表面波を受信するデバイスにおいて、ある電
極対の構成と、他の電極対の構成が異なることを特徴と
する一方向性弾性表面波変換器である。より具体的に
は、ある電極対を構成する二つの電極指或いはそのどち
らか一方の電極指の導電性薄膜と、他の電極対を構成す
る二つの電極指或いはそのどちらか一方の電極指の導電
性薄膜の種類或いは膜厚が異なることを特徴とする一方
向性弾性表面波変換器であり、更には、ある電極対を構
成する二つの電極指或いはそのどちらか一方の電極指の
幅或いは二つの電極指の中心間距離と、他の電極対を構
成する二つの電極指或いはそのどちらか一方の電極指の
幅或いは二つの電極指の中心間距離が異なることを特徴
とする一方向性弾性表面波変換器である。
【０００７】本発明の実施に当たって、圧電体基板或い
は圧電体薄膜を有する基板は限定されないが、Ｌｉ2 Ｂ
4 Ｏ7 単結晶基板、ＬｉＮｂＯ3 単結晶基板、ＬｉＴａ
Ｏ3単結晶基板、水晶基板、Ｂｉ12ＧｅＯ20単結晶基
板、ＧａＡｓ基板等のバルク圧電体基板或いはＡｌＮ薄
膜を持つサファイア基板、ＬｉＮｂＯ3 薄膜を持つサフ
ァイア基板、ＬｉＴａＯ3 薄膜を持つサファイア基板、
Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 薄膜を持つサファイア基板、ＰｂＴｉＯ
3 薄膜を持つサファイア基板、ＺｎＯ薄膜を持つサファ
イア基板、ＣｄＳ薄膜を持つサファイア基板、ＡｌＮ薄
膜を持つＳｉ基板、ＬｉＮｂＯ3 薄膜を持つＳｉ基板、
ＬｉＴａＯ3 薄膜を持つＳｉ基板、Ｌｉ2Ｂ4 Ｏ7 薄膜
を持つＳｉ基板、ＰｂＴｉＯ3 薄膜を持つＳｉ基板、Ｚ
ｎＯ薄膜を持つＳｉ基板、ＣｄＳ薄膜を持つＳｉ基板、
ＡｌＮ薄膜を持つＧａＡｓ基板、ＬｉＮｂＯ3 薄膜を持
つＧａＡｓ基板、ＬｉＴａＯ3 薄膜を持つＧａＡｓ基
板、Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 薄膜を持つＧａＡｓ基板、ＰｂＴｉ
Ｏ3 薄膜を持つＧａＡｓ基板、ＺｎＯ薄膜を持つＧａＡ
ｓ基板、ＣｄＳ薄膜を持つＧａＡｓ基板、ＡｌＮ薄膜を
持つＭｇＯ基板、ＬｉＮｂＯ3 薄膜を持つＭｇＯ基板、
ＬｉＴａＯ3 薄膜を持つＭｇＯ基板、Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 薄
膜を持つＭｇＯ基板、ＰｂＴｉＯ3 薄膜を持つＭｇＯ基
板、ＺｎＯ薄膜を持つＭｇＯ基板、ＣｄＳ薄膜を持つＭ
ｇＯ基板、ＺｎＯ薄膜を持つガラス基板、ＺｎＯ薄膜を
持つ石英基板、ＡｌＮ薄膜を持つＳｒＴｉＯ3 基板、Ｌ
ｉＮｂＯ3 薄膜を持つＳｒＴｉＯ3 基板、ＬｉＴａＯ3
薄膜を持つＳｒＴｉＯ3 基板、Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 薄膜を持
つＳｒＴｉＯ3 基板、ＰｂＴｉＯ3薄膜を持つＳｒＴｉ
Ｏ3 基板、ＺｎＯ薄膜を持つＳｒＴｉＯ3 基板、ＣｄＳ
薄膜を持つＳｒＴｉＯ3 基板、等が用いられる。
は圧電体薄膜を有する基板は限定されないが、Ｌｉ2 Ｂ
4 Ｏ7 単結晶基板、ＬｉＮｂＯ3 単結晶基板、ＬｉＴａ
Ｏ3単結晶基板、水晶基板、Ｂｉ12ＧｅＯ20単結晶基
板、ＧａＡｓ基板等のバルク圧電体基板或いはＡｌＮ薄
膜を持つサファイア基板、ＬｉＮｂＯ3 薄膜を持つサフ
ァイア基板、ＬｉＴａＯ3 薄膜を持つサファイア基板、
Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 薄膜を持つサファイア基板、ＰｂＴｉＯ
3 薄膜を持つサファイア基板、ＺｎＯ薄膜を持つサファ
イア基板、ＣｄＳ薄膜を持つサファイア基板、ＡｌＮ薄
膜を持つＳｉ基板、ＬｉＮｂＯ3 薄膜を持つＳｉ基板、
ＬｉＴａＯ3 薄膜を持つＳｉ基板、Ｌｉ2Ｂ4 Ｏ7 薄膜
を持つＳｉ基板、ＰｂＴｉＯ3 薄膜を持つＳｉ基板、Ｚ
ｎＯ薄膜を持つＳｉ基板、ＣｄＳ薄膜を持つＳｉ基板、
ＡｌＮ薄膜を持つＧａＡｓ基板、ＬｉＮｂＯ3 薄膜を持
つＧａＡｓ基板、ＬｉＴａＯ3 薄膜を持つＧａＡｓ基
板、Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 薄膜を持つＧａＡｓ基板、ＰｂＴｉ
Ｏ3 薄膜を持つＧａＡｓ基板、ＺｎＯ薄膜を持つＧａＡ
ｓ基板、ＣｄＳ薄膜を持つＧａＡｓ基板、ＡｌＮ薄膜を
持つＭｇＯ基板、ＬｉＮｂＯ3 薄膜を持つＭｇＯ基板、
ＬｉＴａＯ3 薄膜を持つＭｇＯ基板、Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 薄
膜を持つＭｇＯ基板、ＰｂＴｉＯ3 薄膜を持つＭｇＯ基
板、ＺｎＯ薄膜を持つＭｇＯ基板、ＣｄＳ薄膜を持つＭ
ｇＯ基板、ＺｎＯ薄膜を持つガラス基板、ＺｎＯ薄膜を
持つ石英基板、ＡｌＮ薄膜を持つＳｒＴｉＯ3 基板、Ｌ
ｉＮｂＯ3 薄膜を持つＳｒＴｉＯ3 基板、ＬｉＴａＯ3
薄膜を持つＳｒＴｉＯ3 基板、Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 薄膜を持
つＳｒＴｉＯ3 基板、ＰｂＴｉＯ3薄膜を持つＳｒＴｉ
Ｏ3 基板、ＺｎＯ薄膜を持つＳｒＴｉＯ3 基板、ＣｄＳ
薄膜を持つＳｒＴｉＯ3 基板、等が用いられる。
【０００８】ＩＤＴ電極を構成する導電性膜は限定され
ないが、アルミニウム、銅、チタニウム、白金、金等純
金属薄膜或いは、アルミニウム等にＳｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｐ
ｄ、Ｔｉ、Ｓｎ等を含有した２元素の金属からなる金属
薄膜、或いは、インジウムチタンオキサイドなどの非金
属導電性膜などが用いられる。これら、導電性膜につい
ては、ある電極対を構成する導電性膜の種類及び膜厚
と、他の電極対の構成する導電性膜及び膜厚が異なって
も良い。例えば、ある電極対を構成する電極指（２ａ、
３ａ）がアルミニウムを主成分とする導電性膜から成
り、他の電極対を構成する電極指（２ｂ、３ｂ）の導電
性膜が金或いは白金から成っても良く、ある電極指の導
電性膜の膜厚と他の電極指の導電性膜の膜厚が等しくな
く構成されてもよい。
ないが、アルミニウム、銅、チタニウム、白金、金等純
金属薄膜或いは、アルミニウム等にＳｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｐ
ｄ、Ｔｉ、Ｓｎ等を含有した２元素の金属からなる金属
薄膜、或いは、インジウムチタンオキサイドなどの非金
属導電性膜などが用いられる。これら、導電性膜につい
ては、ある電極対を構成する導電性膜の種類及び膜厚
と、他の電極対の構成する導電性膜及び膜厚が異なって
も良い。例えば、ある電極対を構成する電極指（２ａ、
３ａ）がアルミニウムを主成分とする導電性膜から成
り、他の電極対を構成する電極指（２ｂ、３ｂ）の導電
性膜が金或いは白金から成っても良く、ある電極指の導
電性膜の膜厚と他の電極指の導電性膜の膜厚が等しくな
く構成されてもよい。
【０００９】電極指を構成する導電性膜の材質は同一
で、ある電極指の導電性膜の膜厚と、他の電極指の導電
性膜の膜厚が異なることによって構成されてもよく、あ
る電極対と他の電極対の電極指の幅及び電極指の中心間
距離が異なることによって構成されても良い。すなわ
ち、ある電極対の構成と他の電極対の構成が異なってい
ることが肝要である。それらの構成が異なる電極対は隣
合っていてもよいし、連続していてもよいが、一つのデ
バイスの中では、少なくとも一組は存在するものであ
る。
で、ある電極指の導電性膜の膜厚と、他の電極指の導電
性膜の膜厚が異なることによって構成されてもよく、あ
る電極対と他の電極対の電極指の幅及び電極指の中心間
距離が異なることによって構成されても良い。すなわ
ち、ある電極対の構成と他の電極対の構成が異なってい
ることが肝要である。それらの構成が異なる電極対は隣
合っていてもよいし、連続していてもよいが、一つのデ
バイスの中では、少なくとも一組は存在するものであ
る。
【００１０】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。図１は本発明の実施例を示すものであり、圧電
体基板或いは圧電体薄膜を有する基板１にインターディ
ジタルトランスデューサを配置して弾性表面波を励振或
いは伝搬してきた弾性表面波を受信するデバイスにおい
て、ある電極対、即ち電極指２ａ及び電極指３ａよりな
る第ｎ番の電極対の構成と、他の電極対、即ち電極指２
ｂ及び３ｂからなる第ｍ番の電極対の構成が異なるよう
に配置されている。より具体的には、第ｎ番の電極対を
構成する電極指２ａ及び電極指３ａ或いはそのどちらか
一方の電極指の導電性薄膜と第ｍ番の電極対を構成する
電極指２ｂ或いは電極指３ｂ或いはそのどちらか一方の
電極指の導電性薄膜の種類或いは膜厚が異なるように配
置される。更には、第ｎ番の電極対を構成する電極指２
ａ及び電極指３ａ或いはそのどちらか一方の電極指の幅
或いは電極指２ａと電極指３ａの中心間距離と第ｍ番の
電極対を構成する電極指２ｂ及び電極指３ｂ或いはその
どちらか一方の電極指の幅或いは電極指２ａと電極指３
ａの中心間距離が異なるように配置される。ここで、ｎ
は２ａ及び３ａ、４ａ及び５ａ・・・の電極指を示し、
ｍは２ｂ及び３ｂ、４ｂ及び５ｂ・・・の電極指を示す
ものである。電極指は、電極対を簡単なものとするため
に、二つにすることが望ましい。
明する。図１は本発明の実施例を示すものであり、圧電
体基板或いは圧電体薄膜を有する基板１にインターディ
ジタルトランスデューサを配置して弾性表面波を励振或
いは伝搬してきた弾性表面波を受信するデバイスにおい
て、ある電極対、即ち電極指２ａ及び電極指３ａよりな
る第ｎ番の電極対の構成と、他の電極対、即ち電極指２
ｂ及び３ｂからなる第ｍ番の電極対の構成が異なるよう
に配置されている。より具体的には、第ｎ番の電極対を
構成する電極指２ａ及び電極指３ａ或いはそのどちらか
一方の電極指の導電性薄膜と第ｍ番の電極対を構成する
電極指２ｂ或いは電極指３ｂ或いはそのどちらか一方の
電極指の導電性薄膜の種類或いは膜厚が異なるように配
置される。更には、第ｎ番の電極対を構成する電極指２
ａ及び電極指３ａ或いはそのどちらか一方の電極指の幅
或いは電極指２ａと電極指３ａの中心間距離と第ｍ番の
電極対を構成する電極指２ｂ及び電極指３ｂ或いはその
どちらか一方の電極指の幅或いは電極指２ａと電極指３
ａの中心間距離が異なるように配置される。ここで、ｎ
は２ａ及び３ａ、４ａ及び５ａ・・・の電極指を示し、
ｍは２ｂ及び３ｂ、４ｂ及び５ｂ・・・の電極指を示す
ものである。電極指は、電極対を簡単なものとするため
に、二つにすることが望ましい。
【００１１】図２は、電極指４ａ、電極指５ａの膜厚と
電極指４ｂ、電極指５ｂ、電極指４ｃ、電極指５ｃの膜
厚が異なっている。図３は、電極指６ａ、電極指７ａが
アルミニウム膜から成り、電極指６ｂ、電極指７ｂ、電
極指６ｃ、電極指７ｃが金膜から成っており、電極指を
構成する導電性膜の種類が異なっている。図４は、電極
指を構成する導電性膜の種類及び膜厚は全ての電極指に
おいて同一であるが、電極指９ａの幅１０、電極指８ａ
の幅１２及び電極指９ａ−８ａ間の距離１１、電極指８
ａ−９ｂ間の距離１３を基準に取ると、電極指９ｂの幅
１４、電極指８ｂの幅１６及び電極指９ｂ−８ｂ間の距
離１５、電極指８ｂ−９ｄ間の距離１７が異なってい
る。また、電極指９ｃの幅１８、電極指８ｃの幅２０及
び電極指９ｃ−８ｃ間の距離１９、電極指８ｃ−９ｅ間
の距離２１が異なっている。
電極指４ｂ、電極指５ｂ、電極指４ｃ、電極指５ｃの膜
厚が異なっている。図３は、電極指６ａ、電極指７ａが
アルミニウム膜から成り、電極指６ｂ、電極指７ｂ、電
極指６ｃ、電極指７ｃが金膜から成っており、電極指を
構成する導電性膜の種類が異なっている。図４は、電極
指を構成する導電性膜の種類及び膜厚は全ての電極指に
おいて同一であるが、電極指９ａの幅１０、電極指８ａ
の幅１２及び電極指９ａ−８ａ間の距離１１、電極指８
ａ−９ｂ間の距離１３を基準に取ると、電極指９ｂの幅
１４、電極指８ｂの幅１６及び電極指９ｂ−８ｂ間の距
離１５、電極指８ｂ−９ｄ間の距離１７が異なってい
る。また、電極指９ｃの幅１８、電極指８ｃの幅２０及
び電極指９ｃ−８ｃ間の距離１９、電極指８ｃ−９ｅ間
の距離２１が異なっている。
【００１２】これらの電極指の幅及び電極指間の距離は
限定されないが、表１の範囲で変化させることが出来、
好ましくは括弧内に示された範囲で変化させることがで
きる。各電極対における電極指の幅及び電極指間の距離
の総和はＳＡＷの波長に等しくすることが肝要である。
図５に本発明に係る一方向ＩＤＴによる効果を説明する
ための一例として、フィルターを構成した場合の周波数
伝送特性を示すが、挿入損失１．２１ｄＢが得られてお
り本発明の有効性を裏付けるものである。
限定されないが、表１の範囲で変化させることが出来、
好ましくは括弧内に示された範囲で変化させることがで
きる。各電極対における電極指の幅及び電極指間の距離
の総和はＳＡＷの波長に等しくすることが肝要である。
図５に本発明に係る一方向ＩＤＴによる効果を説明する
ための一例として、フィルターを構成した場合の周波数
伝送特性を示すが、挿入損失１．２１ｄＢが得られてお
り本発明の有効性を裏付けるものである。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【発明の効果】本発明による一方向性ＩＤＴを用いれ
ば、外部位相器を用いることなく、また、基本波動作に
より高周波領域のＩＤＴを作製する場合の超微細電極の
作製を必要とせずに一方向性ＩＤＴを作製することがで
き、低挿入損失の弾性表面波デバイスを得ることができ
る。
ば、外部位相器を用いることなく、また、基本波動作に
より高周波領域のＩＤＴを作製する場合の超微細電極の
作製を必要とせずに一方向性ＩＤＴを作製することがで
き、低挿入損失の弾性表面波デバイスを得ることができ
る。
【図１】図１（ａ）は、本発明に係る一方向性ＩＤＴの
実施例を示す平面図、図１（ｂ）は断面図である。
実施例を示す平面図、図１（ｂ）は断面図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明に係る一方向性ＩＤＴの
実施例を示す平面図、図２（ｂ）は断面図である。
実施例を示す平面図、図２（ｂ）は断面図である。
【図３】図３（ａ）は、本発明に係る一方向性ＩＤＴの
実施例を示す平面図、図３（ｂ）は断面図である。
実施例を示す平面図、図３（ｂ）は断面図である。
【図４】図４（ａ）は、本発明に係る一方向性ＩＤＴの
実施例を示す平面図、図４（ｂ）は断面図である。
実施例を示す平面図、図４（ｂ）は断面図である。
【図５】本発明に係る一方向性ＩＤＴの一実施例による
ＳＡＷフィルターの周波数伝送特性である。
ＳＡＷフィルターの周波数伝送特性である。
１ 基板 ２、３ 正負ＩＤＴ電極 ２ａ、２ｂ、３ａ、３ｂ 正負ＩＤＴ電極指 ４、５ 正負ＩＤＴ電極 ４ａ、４ｂ、５ａ、５ｂ 正負ＩＤＴ電極指 ６、７ 正負ＩＤＴ電極 ６ａ、６ｂ、７ａ、７ｂ 正負ＩＤＴ電極指 ８、９ 正負ＩＤＴ電極 ８ａ、８ｂ、８ｃ、９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ、９ｅ
正負ＩＤＴ電極指
正負ＩＤＴ電極指
Claims (3)
- 【請求項１】 圧電体基板或いは圧電体薄膜を有する基
板１にインターディジタルトランスデューサを配置して
弾性表面波を励振或いは伝搬してきた弾性表面波を受信
するデバイスにおいて、ある電極対の構成と、他の電極
対の構成が異なることを特徴とする一方向性弾性表面波
変換器 - 【請求項２】 特許請求の範囲第１項において、ある電
極対を構成する二つの電極指或いはそのどちらか一方の
電極指の導電性薄膜と、他の電極対を構成する二つの電
極指或いはそのどちらか一方の電極指の導電性薄膜の種
類或いは膜厚が異なることを特徴とする一方向性弾性表
面波変換器 - 【請求項３】 特許請求の範囲第１項において、ある電
極対を構成する二つの電極指或いはそのどちらか一方の
電極指の幅或いは二つの電極指の中心間距離と、他の電
極対を構成する二つの電極指或いはそのどちらか一方の
電極指の幅或いは二つの電極指の中心間距離が異なるこ
とを特徴とする一方向性弾性表面波変換器
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3104594A JPH07240657A (ja) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | 一方向性弾性表面波変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3104594A JPH07240657A (ja) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | 一方向性弾性表面波変換器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07240657A true JPH07240657A (ja) | 1995-09-12 |
Family
ID=12320519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3104594A Withdrawn JPH07240657A (ja) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | 一方向性弾性表面波変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07240657A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022045088A1 (ja) * | 2020-08-24 | 2022-03-03 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| JP2023113959A (ja) * | 2019-09-27 | 2023-08-16 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
-
1994
- 1994-03-01 JP JP3104594A patent/JPH07240657A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023113959A (ja) * | 2019-09-27 | 2023-08-16 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| US12603638B2 (en) | 2019-09-27 | 2026-04-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acoustic wave device |
| WO2022045088A1 (ja) * | 2020-08-24 | 2022-03-03 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| CN115997342A (zh) * | 2020-08-24 | 2023-04-21 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
| CN115997342B (zh) * | 2020-08-24 | 2025-11-18 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010508 |