JPH07245332A - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法ならびに半導体装置 - Google Patents

半導体製造装置および半導体装置の製造方法ならびに半導体装置

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JPH07245332A
JPH07245332A JP6034406A JP3440694A JPH07245332A JP H07245332 A JPH07245332 A JP H07245332A JP 6034406 A JP6034406 A JP 6034406A JP 3440694 A JP3440694 A JP 3440694A JP H07245332 A JPH07245332 A JP H07245332A
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chamber
substrate
processing chamber
atmosphere
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Yoshio Kawamura
喜雄 河村
Shigeo Moriyama
茂夫 森山
Tatsuharu Yamamoto
立春 山本
Fumihiko Uchida
史彦 内田
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Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】互いに異なる雰囲気条件の処理室間の雰囲気条
件を保持したままで、各室の処理雰囲気に基板を暴露し
て処理を行い、高いスループットで半導体装置を製造可
能な半導体製造装置の提供と、半導体装置の製造方法を
提供する。 【構成】不活性ガス雰囲気のバッファー室２で基板の保
持搬送手段２４〜３０に固定した該基板３４〜４０を、
少なくともその表面の一部のみを、複数の処理室４、
５、６の開口手段２４、２５、２６を介して該処理室内
の雰囲気に暴露して半導体装置の機能を処理して付加
し、再度、別の該処理室の開口手段を介して該処理室内
の雰囲気に暴露して半導体装置の機能を処理して付加す
る工程を反復する半導体装置の製造方法と半導体製造装
置等からなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造装置に
関し、特に、異種類の処理室を複数連結した半導体製造
装置およびその中での半導体装置の製造方法ならびに半
導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】上記分野の半導体装置の製造のため、特
開平４−６３４１４号に記載のように、保持搬送手段の
あるバッファー室を中心に、洗浄、成膜、エッチング、
潜像露光等の複数の処理室を配置し、ウエハ表面の汚染
を防ぎ、半導体装置の性能向上を図ることを目的とした
一貫製造装置があった。また、基板の局部を真空に保ち
パターンを形成する半導体製造装置として、特開昭５９
−８８８１９号に記載のように、大気中に保持された基
板の局部を差動排気手段により局部的領域を真空処理可
能とする装置があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
（従来技術の問題点）上記従来技術のうち一貫製造装置
では、各処理室間とバッファー室との間をゲート弁を介
して仕切り、基板の搬送の度ごとに処理室内の雰囲気圧
力を調整し揃えた後、バッファー室とつながるゲート弁
を開閉するため、基板の搬送に時間を費やしていた。そ
の結果、スループットの低下を招くという問題を有して
いた。また、基板の局部を真空に保ちパターンを形成す
る従来の半導体製造装置では、処理後に基板が大気にさ
らされるため、基板面が酸化されたり、不必要な元素や
分子により汚染されるため、高性能な半導体装置の生産
上の歩留まりが低いという問題があった。
【０００４】（技術的課題）本発明が解決しようとする
課題は、上記分野において、互いに異なる雰囲気条件の
処理室間を行き来して基板に処理を行う際に、それぞれ
の雰囲気条件を保持したままで、基板への汚染を与えず
に、各室の処理雰囲気に基板を暴露して、所定の処理を
行い、高いスループットで半導体装置を製造可能な半導
体製造装置の提供と、半導体装置の製造方法の提供、お
よび、基板汚染の無い高性能な半導体装置を高い歩留ま
りで提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、上記分野において、基板の保持搬送手段を有するバ
ッファー室を介して、それぞれ異なる雰囲気の複数の処
理室を連結一体化した半導体製造装置において、該保持
搬送手段の表面の少なくとも一部、または、該基板の表
面の少なくとも一部に近接することにより、複数のコン
ダクタンスと所定ガスの供給空間および排気空間とを形
成して、該処理室内の雰囲気を保持する構造の開口手段
と、該開口手段を介して、該基板の少なくとも一部のみ
を該処理室の雰囲気に暴露する構造の該バッファー室内
の該保持搬送手段と、該バッファー室を不活性ガス雰囲
気に保持する雰囲気制御手段とを講じ、さらに、それぞ
れ異なる雰囲気の複数の処理室で、該処理室と連結一体
化したバッファー室内の保持搬送手段を介して基板に種
々の処理を行って製造する半導体装置において、不活性
ガス雰囲気の該バッファー室で基板の保持搬送手段に固
定した該基板を、少なくともその表面の一部のみを、該
処理室の開口手段を介して該処理室内の雰囲気に暴露し
て半導体装置の機能を処理して付加し、再度、別の処理
室の開口手段を介して該処理室内の雰囲気に暴露して半
導体装置の機能を処理して付加する工程を反復する半導
体装置の製造方法という技術的手段を講じ、さらに、そ
れぞれ異なる雰囲気の複数の処理室で、該処理室と連結
一体化したバッファー室内の保持搬送手段を介して基板
に種々の処理を行って製造する半導体装置において、不
活性ガス雰囲気の該バッファー室で基板の保持搬送手段
に固定した該基板を、少なくともその表面の一部のみ
を、該処理室の開口手段を介して該処理室内の雰囲気に
暴露して半導体装置の機能を処理して付加し、再度、別
の処理室の開口手段を介して該処理室内の雰囲気に暴露
して半導体装置の機能を処理して付加する工程を反復し
て作る半導体装置を製造する技術的手段を講じた。
【０００６】
【作用】所定の雰囲気の処理室の開口手段を、基板また
は基板の保持搬送手段の表面に近接させることにより、
複数のコンダクタンスと所定ガスの供給空間および排気
空間とを形成して、独立に雰囲気ガスを給排気制御でき
るので、該処理室とバッファー室の雰囲気の混入を防
ぎ、該処理室や該バッファー室の雰囲気を独立に維持し
続けられる。
【０００７】また、バッファー室の雰囲気を高純度な不
活性ガスで満たし保持することにより、処理室で処理さ
れた基板表面の酸化防止や異種の元素や分子の汚染防止
が行える。
【０００８】さらに、該バッファー室に複数の異なる処
理室の開口手段を設けてあるため、順次、基板を処理室
に暴露させて、半導体装置の機能を形成するための種々
の薄膜を正確に積層できるので、高性能な半導体装置が
製造可能となる。
【０００９】なお、該バッファー室に複数の処理室の開
口手段を設けてあり、各処理室の雰囲気条件を設定しな
おすこと無く、基板を順次搬送して処理を行えるため、
高いスループットで半導体装置を製造できる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１、図２により説
明する。
【００１１】図１は本発明の実施例の装置の平面断面概
略図で、図２はその側面ＡＯＢ断面の概略図であり、そ
れぞれの図において、同一の部分は同じ番号を付した。
【００１２】本発明の半導体製造装置は、基板を外部か
ら送入または外部へ送出するためのロードロック室１
と、エッチング処理室４、パターン形成処理室５、薄膜
形成処理室６、洗浄処理室７、熱処理室８、潜像形成処
理室９、計測処理室１０と、基板を各処理室に対応した
試料台へ搬送する搬送手段１１を備えたバッファー室２
とから主に構成されている。
【００１３】バッファー室２とロードロック室１との隔
壁にはゲート弁１２を備えている。また、ロードロック
室１内の基板のストッカー１３に大気圧の外部より基板
を出し入れするためのゲート弁１４を備えている。バッ
ファー室２には高純度の不活性ガスとして純度９９．９
９％以上の窒素を図示していない送気管と排気管を介し
た雰囲気ガス制御手段によって送気する。
【００１４】ロードロック室１から外部に基板を出し入
れする際には、ゲート弁１２、１４を閉じて、室内を外
部と同じ大気圧に揃えた後、ゲート弁１４を開けて基板
を出し入れする。その後ゲート弁１４を閉めて、ロード
ロック室１内をバッファー室２と同じ不活性ガス雰囲気
に制御した後、ゲート弁１２を開けて、基板を１枚づつ
バッファー室に搬送手段１１を用いて出し入れする。
【００１５】さらに、エッチング処理室４、パターン形
成処理室５、薄膜形成処理室６、洗浄処理室７、熱処理
室８、潜像形成処理室９、計測処理室１０の複数の処理
室の下端には、同心円構造の差動排気機構からなる開口
手段２３をバッファー室に露出させるような構造でそれ
ぞれ設けてある。図２に示すように開口手段２３の直下
では、基板３４の保持搬送手段１６がある。また他の複
数の処理室の直下にも同様の、基板３５、３６、３７、
３８、３９、４０の保持搬送手段２４、２５、２６、２
７、２８、２９、３０が具備され、それぞれ図示してい
ない駆動案内手段によりバッファー室を中心に放射方向
に移動可能である。これらの保持搬送手段２４等の移動
は基板３４等または保持搬送手段２４等自体の表面の平
坦部分の一部が、それぞれ直上で対向している開口手段
２３等にそれぞれ近接して、小さなコンダクタンスを形
成する構造となっている。
【００１６】ロードロック室１のストッカー１３上の基
板が、複数の処理室で所定の処理を経た後、再度ロード
ロック室１のストッカー１３に送入されるまでの経路は
必要な種々のプロセスに応じて、図示していない制御系
で最適に制御されるので、清浄な環境が常に維持できる
という特徴がある。
【００１７】基板の保持搬送手段２４〜３０上の基板３
４〜４０は、それぞれ搬送手段１１と保持搬送手段に備
えた図示していない基板上下機構により着脱できる。保
持搬送手段上に設置された基板３４〜４０の表面と各基
板の保持搬送手段２４〜３０の平坦部分は、それぞれ数
十μｍ以下の平坦度に保つことができる。各基板の保持
搬送手段２４等の平坦部分と差動排気機構を具備した開
口手段２３等の先端部分との間隙量が、あらかじめ１０
０μｍ以下に近接するように制御設定できるので、基板
の保持搬送手段に設置された基板３４〜４０が図示して
いない駆動手段により、差動排気機構を具備した開口手
段２３等の直下を移動しても、各処理室４内等の雰囲気
とバッファー室２内の雰囲気とが混ざることなく、各処
理室の雰囲気を互いに独立に安定に保つことが可能であ
る。
【００１８】なお、図示していない駆動手段はべローズ
等の柔軟なシール手段によりバッファ室内の雰囲気から
隔離させる構造となっている。
【００１９】洗浄処理室７やエッチング処理室４では、
フッ素系のガスによるガス洗浄やプラズマ化したガスを
用いてのドライ洗浄、短波長光の照射によるアッシング
洗浄、塩素ガスの供給と短波長光の照射による洗浄やエ
ッチング等の工程を行う。また、ガスを切り替えたり、
励起手段を組合せることにより処理を制御したり、基板
表面を計測しながら洗浄やエッチングの終端判定をしな
がら各種の処理工程を行うことも可能である。
【００２０】パターン形成処理室５では、基板上にパタ
ーンを形成するリソグラフィー工程を行う。パターン転
写手段としては、紫外光を用いてマスクパターンを縮小
投影転写する手段や、荷電粒子線や電子線により所定の
雰囲気中で直接パターンを描画する手段を用いることが
できる。また、所定の反応性ガスを供給しながら紫外光
や電子線等のエネルギビームをパターン状に照射して、
薄膜をパターン状に堆積したり、エッチング加工した
り、さらには原子等をパターン状に拡散する等の処理工
程を行うこともできる。
【００２１】薄膜形成処理室６では、あらかじめ基板上
にパターン形成されたレジスト膜や酸化膜のマスクを用
いてプラズマガス雰囲気中で化学的に気化したガスを用
いて薄膜を堆積させる処理工程を行うことができる。
【００２２】本発明の実施例では複数の処理室として７
種類のプロセス処理を例示したが、半導体装置を形成す
る上で必要な、公知のプロセス処理機能をさらに備える
ということは技術的に容易であり、処理室の数も必要に
応じて増減可能である。
【００２３】特に、バッファー室と各処理室の接合部分
を共通規格化することにより、連結可能な処理装置の増
減や保守が容易になり、装置コストの低減を図ることが
できるという利点もある。
【００２４】図３、図４に開口手段２３等の側面断面概
略図を示した。各種の処理室４等の処理室内５１の下端
の開口部５８を囲む配置で排気空間５２、５３を有して
いる。各排気空間は排気孔５６、５７を介して図示して
いない排気ポンプに独立に接続してある。処理室内５１
の雰囲気は給排気孔５５を介して所定の雰囲気条件に制
御保持できる。
【００２５】差動排気機構の開口部５８は基板の保持搬
送手段６０の平坦部分と近接した状態に保たれており、
間隙５４を１００μｍ以下の間隙量とすることで形成さ
れる複数の小さなコンダクタンスにより、処理室内と基
板の保持搬送手段のあるバッファー室との雰囲気を独立
に保つことができる。
【００２６】基板の保持搬送手段６０は、基板６２を保
持搬送手段６１の空間６３、６４に組み込んだ図示して
いない基板上下手段により、保持搬送手段６１の凹部底
に組み込まれた静電チャック上に掲載し位置決め固定す
ると、基板６２の表面と保持搬送手段６１の最上面の平
坦部分とが同一平面ないしは、基板６２の表面が若干沈
んだ状態となる構造である。その結果、図示していない
駆動手段により前後左右に移動制御しても、差動排気機
構の開口部５８との距離を常に一定に近接させ保持する
ことが可能である。特に、図示していない駆動手段は基
板の保持搬送手段を上下方向、すなわち開口部５８の方
向に移動させ間隙量を適宜制御することもできる。さら
に、基板の保持搬送手段６０の平坦部分を開口手段の下
端に密着させ、間隙５４を実質無くす状態にすることに
より、差動排気動作を停止しても、処理室とバッファー
室内の雰囲気を独立に保つことが可能である。
【００２７】図５は本発明の第２の実施例の装置の側面
断面概略図で、図６はその平面断面概略図であり、それ
ぞれの図において、同一の部分は同じ番号を付した。
【００２８】本発明の半導体製造装置は、外部から基板
を送入するローダ室１０１と、洗浄、エッチング処理室
１０４、パターン形成処理室１０５、薄膜形成処理室１
０６の複数の処理室と、基板を各処理室に対応した試料
台へ搬送する保持搬送手段１４１、１４２、１４３を備
えたバッファー室１０２、処理の完了した基板を外部へ
取り出すアンローダ室１０３とから主に構成されてい
る。
【００２９】バッファー室１０２とローダ室１０１との
隔壁、およびバッファー室１０２とアンローダ室１０３
との隔壁にはゲート弁１１９、１３３を備えている。ま
た、ローダ室１０１とアンローダ室１０３内の基板のス
トッカー１２６、１２７に大気圧の外部より基板を出し
入れするためのゲート弁１４４、１４５を備えている。
ローダ室１０１とアンローダ室３内にはゲート弁１１
９、１３３を経て基板を搬送する保持搬送手段１０８、
１０９がある。バッファー室１０２には高純度の不活性
ガスとして純度９９．９９％以上の窒素を図示していな
い送気管と排気管を介した雰囲気ガス制御手段によって
送気する。
【００３０】ローダ室１およびアンローダ室１０３に
は、外部に基板を出し入れする際には、ゲート弁１１
９、１３３を閉じて、室内を外部と同じ大気圧に揃えた
後、ゲート弁１４４、１４５を開けて基板を出し入れす
る。その後ゲート弁１４４、１４５を閉めて、ローダ室
およびアンローダ室内をバッファー室内と同じ不活性ガ
ス雰囲気に制御した後、ゲート弁１１９、１３３を開け
て、基板を１枚づつバッファー室に保持搬送手段を用い
て出し入れする。
【００３１】さらに、洗浄、エッチング処理室１０４、
パターン形成処理室１０５、薄膜形成処理室６等の複数
の処理室の下端には、同心円構造の差動排気機構からな
る開口手段１２３、１２４、１２５をバッファー室に露
出させるような構造でそれぞれ設けてある。図２に示す
ように開口手段１２３、１２４、１２５の直下では、基
板の保持搬送手段１１６、１１７、１１８の表面の平坦
部分の一部が、駆動手段１２０、１２１、１２２により
移動し、開口手段１２３、１２４、１２５にそれぞれ近
接して、小さなコンダクタンスを形成できる構造となっ
ている。
【００３２】ローダ室１のストッカー１２６に搬入され
た基板が、複数の処理室で所定の処理を経た後、アンロ
ーダ室１０３のストッカー１２７に送入されるまでの経
路の一例を道程１２８で示した。ストッカー１２６から
保持搬送手段１０８で取り出された基板１４０はゲート
弁１１９を経由して、保持搬送手段１４１に受け渡さ
れ、さらには保持搬送手段１４２、１４３へと受け渡さ
れる。すなわち、バッファー室内での基板は保持搬送手
段を用いてバケツリレー式に搬送できるので、装置内で
の基板の行先の自由度が高くなり、しかも清浄な環境が
維持できるという特徴がある。
【００３３】基板の保持搬送手段１１６、１１７、１１
８上の基板１２９、１３０、１３１はそれぞれ保持搬送
手段１４１、１４２、１４３により着脱できる。保持搬
送手段上に設置された基板１２９、１３０、１３１の表
面と各基板の保持搬送手段１１６、１１７、１１８の平
坦部分は、それぞれ数十μｍ以下の平坦度に保つことが
できる。各基板の保持搬送手段の平坦部分と差動排気機
構１２３、１２４、１２５の先端部分との間隙量が、あ
らかじめ１００μｍ以下に近接するように制御設定でき
るので、基板の保持搬送手段に設置された基板１２９、
１３０、１３１が駆動手段１２０、１２１、１２２によ
り、差動排気機構１２３、１２４、１２５直下を移動し
ても、各処理室４１０、１０５、１０６内の雰囲気とバ
ッファー室１０２内の雰囲気とが混ざることなく、独立
に保つことが可能である。
【００３４】なお、駆動手段１２０、１２１、１２２は
べローズ等の柔軟なシール手段１３４、１３５、１３６
によりバッファ室内の雰囲気から隔離させた構造となっ
ている。
【００３５】洗浄、エッチング処理室１０４では、フッ
素系のガスによるガス洗浄やプラズマ化したガスを用い
てのドライ洗浄、短波長光の照射によるアッシング洗
浄、塩素ガスの供給と短波長光の照射による洗浄やエッ
チング等の工程を行う。また、ガスを切り替えたり、励
起手段を組合せることにより処理を制御したり、基板表
面を計測しながら洗浄やエッチングの終端判定をしなが
ら各種の処理工程を行うことも可能である。
【００３６】パターン形成処理室１０５では、基板上に
パターンを形成するリソグラフィー工程を行う。パター
ン転写手段としては、紫外光を用いてマスクパターンを
縮小投影転写する手段や、荷電粒子線や電子線により所
定の雰囲気中で直接パターンを描画する手段を用いるこ
とができる。また、所定の反応性ガスを供給しながら紫
外光や電子線等のエネルギビームをパターン状に照射し
て、薄膜をパターン状に堆積したり、エッチング加工し
たり、さらには原子等をパターン状に拡散する等の処理
工程を行うこともできる。
【００３７】薄膜形成処理室１０６では、あらかじめ基
板上にパターン形成されたレジスト膜や酸化膜のマスク
を用いてプラズマガス雰囲気中で化学的に気化したガス
を用いて薄膜を堆積させる処理工程を行うことができ
る。
【００３８】
【発明の効果】高純度な不活性ガス雰囲気のバッファー
室内で、複数の処理室間に基板を搬送し、基板の不必要
な酸化や汚染等を防ぎ、各処理室の開口手段に差動排気
機構を有するので、ゲート弁開閉に伴う排気や圧力設定
の時間を必要とせず、しかも基板の所望の部位のみに処
理が行えて、順次、種々の半導体装置用の機能を付加す
るプロセス処理を行うので、基板を挿入後、高スループ
ットで、高性能な能動機能を有する半導体装置を本装置
のみで、製造完成して送り出すことが可能である。その
結果、従来技術の組合せだけでは不可能な、高性能な半
導体装置を製造可能とし、さらには製造コストの低減が
図ることができるという格段の効果がある。
【００３９】これは従来技術である一貫装置と差動排気
方式の装置を組合せだけでは達成できない効果である。
【００４０】さらに、保持搬送手段から保持搬送手段へ
と順次あるいは任意に基板の授受搬送を行うので、搬送
ルートの自由度が大きく、共用化装置のレイアウト変更
や装置保守に際しての搬送系の早期立ち上げやコスト低
減が図れ、さらに、塵埃等の巻き上げ現象を防止できる
ため、特別に高度なクリーンルーム等の付帯環境を必要
としないため、半導体製造装置設備のコスト低減を図る
ことができる効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の装置の平面断面概略図であ
る。
【図２】本発明の一実施例の装置の側面ＡＯＢ断面概略
図である。
【図３】本発明の一実施例の開口手段の正面断面概略図
である。
【図４】本発明の一実施例の開口手段の正面断面概略図
である。
【図５】本発明の一実施例の装置の側面断面概略図であ
る。
【図６】本発明の一実施例の装置の平面断面概略図であ
る。
【符号の説明】
１…ロードロック室、２…バッファー室、４…エッチン
グ処理室、５…パターン形成処理室、６…薄膜形成処理
室処理室、７…洗浄処理、８…熱処理室、９…潜像形成
処理室、１０…計測処理室、１１…搬送手段、２４、２
５、２６、２７、２８、２９、３０…保持搬送手段、１
２、１４…ゲート弁、１３…ストッカー、２３…開口手
段、３４、３５、３６、３７、３８、３９、４０…基
板、５１…処理室内、５２、５３…排気空間、５４…間
隙、５５…給排気孔、５６、５７…排気孔、５８…開口
部、６０、６１…保持搬送手段、６２…基板、６３、６
４…空間、１０１…ローダ室、１０２…バッファー室、
１０３…アンローダ室、１０４…洗浄、エッチング処理
室、１０５…パターン形成処理室、１０６…薄膜形成処
理室処理室、１０８、１０９、１４１、１４２、１４３
…保持搬送手段、１１６、１１７、１１８…保持搬送手
段、１１９、１３３…ゲート弁、１２０、１２１、１２
２…駆動手段、１２３、１２４、１２５…開口手段、１
２６、１２７…ストッカー、１２８…道程、１２９、１
３０、１３１、１４０…基板、１３４、１３５、１３６
…シール手段、１４４、１４５…ゲート弁。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内田 史彦 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板の保持搬送手段を有するバッファー室
    を介して、それぞれ異なる雰囲気の複数の処理室を連結
    一体化した半導体製造装置において、 該保持搬送手段の表面の少なくとも一部、または、該基
    板の表面の少なくとも一部に近接することにより、複数
    のコンダクタンスと所定ガスの供給空間および排気空間
    とを形成して、該処理室内の雰囲気を保持する構造の開
    口手段と、該開口手段を介して、該基板の少なくとも一
    部のみを該処理室の雰囲気に暴露する構造の該バッファ
    ー室内の該保持搬送手段と、該バッファー室を不活性ガ
    ス雰囲気に保持する雰囲気制御手段とを有することを特
    徴とする半導体製造装置。
  2. 【請求項２】請求項１に記載の半導体製造装置におい
    て、処理室として荷電粒子線によるパターン描画処理を
    行う処理室を有することを特徴とする半導体製造装置。
  3. 【請求項３】請求項１に記載の半導体製造装置におい
    て、処理室として、所望のガスの供給排気制御を行うガ
    ス供給排気手段を有する処理室であることを特徴とする
    半導体製造装置。
  4. 【請求項４】請求項１に記載の半導体製造装置におい
    て、処理室として、所望のガスを励起し試料面にパター
    ンを励起形成する手段を有する処理室であることを特徴
    とする半導体製造装置。
  5. 【請求項５】請求項１に記載の半導体製造装置におい
    て、処理室として、所望のパターンの自己成長処理を行
    う自己成長処理手段を有する処理室であることを特徴と
    する半導体製造装置。
  6. 【請求項６】請求項１に記載の半導体製造装置におい
    て、処理室として、所望パターンの除去加工処理を行う
    除去加工手段を有する処理室であることを特徴とする半
    導体製造装置。
  7. 【請求項７】請求項１に記載の半導体製造装置におい
    て、処理室として、所望パターンの堆積加工処理を行う
    堆積加工手段を有する処理室であることを特徴とする半
    導体製造装置。
  8. 【請求項８】それぞれ異なる雰囲気の複数の処理室で、
    該処理室と連結一体化したバッファー室内の保持搬送手
    段を介して基板に種々の処理を行う半導体装置の製造方
    法において、 該バッファー室を不活性ガス雰囲気に保持する工程と、
    該バッファー室の基板の保持搬送手段上の該基板の表面
    の少なくとも一部のみを該処理室の雰囲気に暴露する工
    程とを経ることにより、半導体装置の能動機能を該基板
    上に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  9. 【請求項９】それぞれ異なる雰囲気の複数の処理室で、
    該処理室と連結一体化したバッファー室内の保持搬送手
    段を介して基板に種々の処理を行って製造する半導体装
    置において、 不活性ガス雰囲気の該バッファー室で基板の保持搬送手
    段に固定した該基板を、少なくともその表面の一部のみ
    を、該処理室の開口手段を介して該処理室内の雰囲気に
    暴露して半導体装置の機能を処理して付加し、再度、別
    の処理室の開口手段を介して該処理室内の雰囲気に暴露
    して半導体装置の機能を処理して付加する工程を反復し
    て作ることを特徴とする半導体装置。
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